低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示中薄膜晶體管的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在LTPS TFT (Low Temperature Poly-silicon ,Thin Film Transistor,低溫多晶硅薄膜晶體管)的制作過程中，為了使多晶硅層達到化學鍵飽和狀態(tài)，進而鈍化多晶硅層的內(nèi)部缺陷，一般需要對多晶硅層進行補氫處理，在對多晶硅層進行補氫的過程中，需要讓SiNx膜內(nèi)的氫擴散到多晶硅膜層中。眾所周知，SiNx的成膜溫度越低，SiNx膜層內(nèi)H含量高，一般后續(xù)制程受熱溫度不超過400°C時就不會明顯影響到SiNx層中H含量。目前使用的補氫工藝采用的氫源膜層為漏極絕緣層(ILD)中的低溫SiNx，由于氫源單一，因此，補氫效果較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實施例提供一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于氫源單一而使補氫效果差，進而導致TFT電性不理想的技術(shù)問題。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元的制作方法，所述制作方法包括:
[0005]在玻璃基板上形成SiNx層；
[000?]在所述SiNx層上依次形成S1x層和a-Si層；
[0007]用激光掃描所述a-Si層，以去除所述a-Si層中的氫；
[0008]用準分子激光退火結(jié)晶所述a-Si層，以形成多晶硅層；
[0009]在所述多晶硅層上形成柵極絕緣層；
[0010]在所述柵極絕緣層上形成柵極；
[0011 ]在所述柵極上形成漏極絕緣層。
[0012]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在玻璃基板上形成SiNx層步驟具體為:采用等離子體增強化學氣相沉積法在200?300°C溫度下形成SiNx層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在所述SiNx層上依次形成S1x層和a-Si層的步驟是在400?500 °C的溫度環(huán)境下形成。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在用激光掃描所述a-Si層，以去除所述a-Si層中氫的步驟中，所采用激光的能量密度為200?300mJ/cm2。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在用準分子激光退火結(jié)晶所述a-Si層，以形成多晶硅層的步驟中，所采用準分子激光的能量密度為380?480mJ/cm2。
[0016]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在所述柵極絕緣層上形成柵極的方法為物理氣相沉積法。
[0017]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述漏極絕緣層包括設(shè)于所述柵極外周的S1x層以及設(shè)于所述S1x層上的SiNx層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在所述柵極上形成漏極絕緣層的步驟之后還包括:加熱低溫多晶硅薄膜晶體管單元，以對所述多晶硅層進行氫化處理，其中，所述漏極絕緣層中的SiNx層以及所述玻璃基板上的SiNx層同時作為氫化處理過程中氫的來源。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例，在所述柵極上形成漏極絕緣層的方式為等離子體增強化學氣相沉積法。
[0020]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元，所述低溫多晶硅薄膜晶體管單元采用上述實施例中任一項所述的方法制得。
[0021]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元及其制作方法，通過采用低能量(優(yōu)選為200?300mJ/cm2)激光掃描基板去除a-Si層中的氫，以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高溫熱烘烤式去氫，如此可以保證緩沖層(S1x層和a-Si層)中SiNx層H的含量不受影響，進而在后續(xù)對多晶硅層進行氫化處理的步驟中，緩沖層中SiNx層的H和漏極絕緣層中的H同時作為補氫的氫源，這會使多晶硅層的補氫過程更加完全，補氫效果更好，提高TFT的電性能；同時，由于使用了低能量的激光作為去除a-Si層中的氫的能量源，減少熱處理制程(傳統(tǒng)的是高溫熱烘烤式去氫)對玻璃熱脹冷縮影響，降低了基板破片的風險。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1是本發(fā)明用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元的制作方法一優(yōu)選實施例的流程示意圖；
[0024]圖2是在玻璃基板上形成SiNx層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3是形成S1x層和a-Si層的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0026]圖4是形成柵極絕緣層、柵極以及漏極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細描述。特別指出的是，以下實施例僅用于說明本發(fā)明，但不對本發(fā)明的范圍進行限定。同樣的，以下實施例僅為本發(fā)明的部分實施例而非全部實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明用于液晶顯示模組的低溫多晶硅薄膜晶體管單元的制作方法一優(yōu)選實施例的流程示意圖；該制作方法包括但不限于以下步驟。
[0029]步驟SlOO，在玻璃基板上形成SiNx層。
[0030]在步驟SlOO中，具體可以采用等離子體增強化學氣相沉積法，并且在200?300°C溫度的低溫環(huán)境下的形成SiNx層。請參閱圖2，圖2是在玻璃基板上形成SiNx層的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，標號200為玻璃基板，210為低溫SiNx層。[OO31 ] 步驟SI 10，在SiNx層上依次形成S1x層和a-Si層。
[0032]在步驟SllO中，在SiNx層上依次形成S1x層和a-Si層的步驟是在400?500°C的溫度環(huán)境下形成。請參閱圖3，圖3是形成S1x層和a-Si層的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，標號220為S1x層，230為a-Si層。
[0033]步驟S120，用激光掃描a-Si層，以去除a_Si層中的氫。
[0034]在步驟S120中，用激光掃描a-Si層，以去除a-Si層中氫的步驟中，所采用激光的能量密度為200?300mJ/cm2的低能量激光