優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路的晶圓級(jí)測試領(lǐng)域，特別是涉及一種優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路的工藝技術(shù)研發(fā)的不斷升級(jí)，線寬不斷變小，一枚晶圓上芯片(die)的數(shù)目越來越多，8英寸的晶圓上常規(guī)產(chǎn)品都達(dá)到了上萬顆芯片，帶來的是測試成本的增加。為了降低測試成本，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的同時(shí)測試是必然趨勢。這對探針卡的設(shè)計(jì)、制作和使用均帶來了很大的挑戰(zhàn)。探針卡針尖的平整度問題日益受到關(guān)注。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法，能夠更加利于測試的接觸特性。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法，是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]步驟1、按照探針針尖高度，從探針卡的四個(gè)角分別進(jìn)行采樣，得到4個(gè)樣本；
[0006]步驟2、從探針卡的一個(gè)測試單位的分布的位置處再尋找4個(gè)樣本；
[0007]步驟3、在顯微鏡下對這8個(gè)樣本的針尖高度H進(jìn)行測量，并分別記錄為H1，…，H8;
[0008]步驟4、根據(jù)每個(gè)位置針尖高度的不同，定義適當(dāng)?shù)募訖?quán)比重，分別記為G1^-G8;
[0009]步驟5、對8個(gè)樣本的針尖高度及與其對應(yīng)的加權(quán)比重?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均得到一個(gè)評價(jià)的針尖高度Hagv;
[0010]步驟6、根據(jù)步驟5得到的評價(jià)的針尖高度Hagv數(shù)值定義合適的針尖壓力。
[0011]采用本發(fā)明的方法，可以很好的兼顧測試單元上下邊側(cè)和中心部位的探針接觸情況;提高探針卡的上下邊側(cè)和中心部位的接觸特性，使測試結(jié)果能夠真實(shí)的反映晶圓的實(shí)際情況，減少過殺。
[0012]采用本發(fā)明的方法，在適當(dāng)增加探針高度分析的采樣數(shù)目，通過適當(dāng)加權(quán)后，使探針的針壓量能夠體現(xiàn)探針卡針尖的整體高度水平，更加利于測試的接觸特性。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
[0014]圖1是對探針針尖高度進(jìn)行采樣的示意圖(一)；
[0015]圖2是探針卡的上邊側(cè)和下邊側(cè)扎到PAD(焊盤)上的幾率示意圖；
[0016]圖3是對探針針尖高度進(jìn)行采樣的示意圖(二)。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0018]所述優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法，在下面的實(shí)施例中，具體實(shí)施過程如下:
[0019]步驟1、結(jié)合圖1所示，按照通常的探針針尖高度的采樣方法，一般先從探針卡的四個(gè)角分別采取一個(gè)樣本。共計(jì)4個(gè)樣本。圖1中的探針卡DUT
[0020](Device Under Test，被測裝置)排列示例為32*2排列方式，共64個(gè)DUT，依次為DUTl.--DUT64，呈細(xì)長條形狀，一般選擇四角的四根針作為對準(zhǔn)的參考，如圖1中的①號(hào)針、②號(hào)針、③號(hào)針和④號(hào)針。
[0021]步驟2、結(jié)合圖3所示，從探針卡的一個(gè)測試單位的接近分布的位置處再尋找4個(gè)樣本。例如，在圖3中，除去圖1所示四個(gè)角的四根針即①號(hào)針、②號(hào)針、③號(hào)針和④號(hào)針之外，在探針卡的中心附近再選4根針作為參考點(diǎn)，即⑤號(hào)針、⑥號(hào)針、⑦號(hào)針和⑧號(hào)針，共計(jì)8根針。
[0022]步驟3、在顯微鏡下對這8個(gè)樣本的針尖高度H進(jìn)行測量，并分別記錄為扭，…，H8。
[0023]步驟4、根據(jù)每個(gè)位置針尖高度的不同，定義適當(dāng)?shù)募訖?quán)比重，并分別記為G1^-G8t3
[0024]步驟5、對8個(gè)樣本的針尖高度及與其對應(yīng)的加權(quán)比重?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均，得到一個(gè)評價(jià)的針尖高度Hagv。
[0025]步驟6、根據(jù)步驟5得到的評價(jià)的針尖高度Hagv數(shù)值定義合適的針尖壓力。即針尖扎到焊盤(PAD)上之后，對PAD的壓力，這樣可以很好的兼顧測試單元上下邊側(cè)和中心部分的探針接觸情況。
[0026]在上述方法的基礎(chǔ)上，可以根據(jù)實(shí)際的需要，適當(dāng)增加探針采樣的數(shù)目，但是采樣太多會(huì)導(dǎo)致針尖對位時(shí)因?yàn)椴荒茏詣?dòng)對準(zhǔn)而導(dǎo)致的報(bào)警次數(shù)的增加。
[0027]結(jié)合圖2所示，通常探針卡的上邊側(cè)和下邊側(cè)的扎到PAD上的幾率為50%。圖2中的I指示的位置，表示探針卡的上邊側(cè)探針沒有扎到PAD上面；
[0028]3指示的位置，表示探針卡的下邊側(cè)探針沒有扎到PAD上面;2指示的位置，表示探針卡的一個(gè)測試單元為32*2，共64個(gè)DUT，依次為DUTl.--DUT64，呈細(xì)長條形狀。其中，代表乘號(hào)。
[0029]以上通過【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、按照探針針尖高度，從探針卡的四個(gè)角分別進(jìn)行采樣，得到4個(gè)樣本； 步驟2、從探針卡的一個(gè)測試單位的分布的位置處再尋找4個(gè)樣本； 步驟3、在顯微鏡下對這8個(gè)樣本的針尖高度H進(jìn)行測量，并分別記錄為H1，…，H8; 步驟4、根據(jù)每個(gè)位置針尖高度的不同，定義適當(dāng)?shù)募訖?quán)比重，分別記為&，...&; 步驟5、對8個(gè)樣本的針尖高度及與其對應(yīng)的加權(quán)比重?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均得到一個(gè)評價(jià)的針尖高度Hagv; 步驟6、根據(jù)步驟5得到的評價(jià)的針尖高度Hagv數(shù)值定義合適的針尖壓力。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:實(shí)施步驟2時(shí)，在探針卡的中心位置附近再選4個(gè)樣本。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:根據(jù)實(shí)際需要，增加探針高度分析的采樣數(shù)目，通過適當(dāng)加權(quán)后，使探針的針壓量能夠體現(xiàn)探針卡針尖的整體高度水平。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種優(yōu)化探針臺(tái)測試針壓參數(shù)的方法，步驟1、按照探針針尖高度，從探針卡的四個(gè)角分別進(jìn)行采樣，得到4個(gè)樣本；步驟2、從探針卡的一個(gè)測試單位的分布的位置處再尋找4個(gè)樣本；步驟3、在顯微鏡下對這8個(gè)樣本的針尖高度H進(jìn)行測量，并分別記錄為H1，…，H8；步驟4、根據(jù)每個(gè)位置針尖高度的不同，定義適當(dāng)?shù)募訖?quán)比重，分別記為G1，…G8；步驟5、對8個(gè)樣本的針尖高度及與其對應(yīng)的加權(quán)比重?cái)?shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均得到一個(gè)評價(jià)的針尖高度Hagv；步驟6、根據(jù)步驟5得到的評價(jià)的針尖高度Hagv數(shù)值定義合適的針尖壓力。本發(fā)明能夠更加利于測試的接觸特性。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號(hào)】CN105632960
【申請?zhí)枴緾N201610025323
【發(fā)明人】?？Ｖ? 辛吉升
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2016年1月15日