監(jiān)控hdp腔室漏率的方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種監(jiān)控HDP腔室漏率的方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，高密度等離子體制程(HDP，High Dense Plasmaprocess)由于良好的填孔能力，廣泛應(yīng)用于STI(Shallow Trench Insulat1n)和PMD(Pre-Metal Dielectric)介質(zhì)層填充。
[0003]HDP制程的反應(yīng)壓力只有2?1utorr，腔室需要非常好的密閉性，如果有微漏會(huì)直接導(dǎo)致壓力變化，影響顆粒，濺射率等參數(shù)，對(duì)產(chǎn)品缺陷，填孔能力都會(huì)造成重大影響。在實(shí)際的生產(chǎn)作業(yè)中，Ο-ring破損，Top nozzle裂縫等都會(huì)導(dǎo)致腔室微漏，這些零件都在PM的時(shí)候檢查，或者在腔室空閑狀態(tài)下，利用機(jī)臺(tái)自帶程式，手動(dòng)漏率(Leak rate)檢查，一般在PM前后或者日常，相對(duì)耗時(shí)并且不能實(shí)時(shí)監(jiān)控，產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)較大，但如果在制程作業(yè)中破損，由于目前的漏率點(diǎn)檢需要手動(dòng)操作，不能夠有效及時(shí)地發(fā)現(xiàn)問題，產(chǎn)品的風(fēng)險(xiǎn)較大。
[0004]如圖1所示，為了使腔體達(dá)到長(zhǎng)膜所需的最優(yōu)環(huán)境，clean(清洗，用于清除沉積在chamber內(nèi)的薄膜)過程是必不可少的環(huán)節(jié)，在c lean之后進(jìn)行Purge (凈化)&Pump (抽氣)的步驟，從而去除殘留的顆粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種監(jiān)控HDP腔室漏率的方法及系統(tǒng)，能夠自動(dòng)漏率監(jiān)控，降低產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種監(jiān)控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0007]對(duì)HDP腔室進(jìn)行清冼和凈化；
[0008]在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行抽氣，以使HDP腔室達(dá)到真空極限；
[0009]偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化；
[0010]根據(jù)所述壓力變化計(jì)算HDP腔室漏率。
[0011 ]進(jìn)一步的，在上述方法中，在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行抽氣，以使HDP腔室達(dá)到真空極限，包括:
[0012]在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行第一預(yù)設(shè)時(shí)間的抽氣。
[0013]進(jìn)一步的，在上述方法中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為2?10分鐘。
[0014]進(jìn)一步的，在上述方法中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為3?10分鐘。
[0015]進(jìn)一步的，在上述方法中，偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化，包括:
[0016]偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室的壓力Pl;
[0017]關(guān)閉栗與HDP腔室之間的隔離門閥第二預(yù)設(shè)時(shí)間T后，再次偵測(cè)HDP腔室的壓力P2;
[0018]比較Pl和P2的壓力變化。
[0019]進(jìn)一步的，在上述方法中，根據(jù)所述壓力變化計(jì)算HDP腔室漏率，包括通過如下計(jì)算HDP腔室漏率:
[0020]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0021 ]根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種監(jiān)控HDP腔室漏率的系統(tǒng)，包括:
[0022]清冼和凈化模塊，用于對(duì)HDP腔室進(jìn)行清冼和凈化；
[0023]抽氣模塊，用于在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行抽氣，以使HDP腔室達(dá)到真空極限；
[0024]偵測(cè)模塊，用于偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化；
[0025]計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述壓力變化計(jì)算HDP腔室漏率。
[0026]進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述抽氣模塊，用于在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行第一預(yù)設(shè)時(shí)間的抽氣。
[0027]進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為2?10分鐘。
[0028]進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)間為3?10分鐘。
[0029]進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述偵測(cè)模塊，用于偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室的壓力Pl;關(guān)閉栗與HDP腔室之間的隔離門閥第二預(yù)設(shè)時(shí)間T后，再次偵測(cè)HDP腔室的壓力Ρ2;及比較Pl和Ρ2的壓力變化。
[0030]進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述計(jì)算模塊，用于通過如下計(jì)算HDP腔室漏率:
[0031]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0032]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過優(yōu)化清洗(clean)之后的凈化(purge)和pump(抽氣)過程，在凈化之后通過比較長(zhǎng)時(shí)間栗抽和長(zhǎng)時(shí)間密閉腔室，并偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化，計(jì)算腔室漏率，打破現(xiàn)有的單一手動(dòng)漏率監(jiān)測(cè)模式，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)漏率監(jiān)控，及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，降低產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)。
【附圖說明】
[0033]圖1是現(xiàn)有的使腔體達(dá)到長(zhǎng)膜所需的最優(yōu)環(huán)境的原理圖；
[0034]圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的監(jiān)控HDP腔室漏率的方法的流程圖；
[0035]圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的監(jiān)控HDP腔室漏率的方法的原理圖；
[0036]圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的監(jiān)控HDP腔室漏率的系統(tǒng)的模塊圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0038]如圖2和3所示，本發(fā)明提供一種監(jiān)控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0039]步驟SI，對(duì)HDP腔室進(jìn)行清冼和凈化；
[0040]步驟S2，在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行抽氣，以使HDP腔室達(dá)到真空極限；
[0041 ] 步驟S3，偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化；
[0042]步驟S4，根據(jù)所述壓力變化計(jì)算HDP腔室漏率。本實(shí)施例通過優(yōu)化清洗(clean)之后的凈化(purge)和pump (抽氣)過程，在凈化之后通過比較長(zhǎng)時(shí)間栗抽和長(zhǎng)時(shí)間密閉腔室，并偵測(cè)達(dá)到真空極限后的HDP腔室和第二預(yù)設(shè)時(shí)間后的HDP腔室的壓力變化，計(jì)算腔室漏率，打破現(xiàn)有的單一手動(dòng)漏率監(jiān)測(cè)模式，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)漏率監(jiān)控，及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，降低產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)。
[0043]優(yōu)選的，步驟S2，在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行抽氣，以使HDP腔室達(dá)到真空極限，包括:
[0044]在凈化之后對(duì)HDP腔室進(jìn)行第一預(yù)設(shè)時(shí)間的抽氣。
[0045]優(yōu)選的，如圖3所示，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間為2?10分鐘。
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