半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更特別地，涉及一種半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]照慣例，在P摻雜區(qū)(P doped reg1n)和N摻雜區(qū)(N doped reg1n)之間設(shè)有至少一個(gè)淺溝槽絕緣體(shallow trench insulator,STI)，以使該P(yáng)摻雜區(qū)和該N摻雜區(qū)隔開。圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的具有淺溝槽絕緣體101的半導(dǎo)體裝置100的示意圖。如圖1所示，P摻雜區(qū)103和N摻雜區(qū)105之間設(shè)有一個(gè)淺溝槽絕緣體101。因此，由于淺溝槽絕緣體101的材料不導(dǎo)電，電流路徑CP必須繞過(guò)該淺溝槽絕緣體101，其中，該電流路徑CP用于傳輸從P摻雜區(qū)103到N摻雜區(qū)105的電流。在這種情況下，該電流路徑CP較長(zhǎng)，以至于用于該半導(dǎo)體裝置的充電/放電時(shí)間也相應(yīng)地延長(zhǎng)，這可能會(huì)引起一些缺點(diǎn)。例如，若應(yīng)用該半導(dǎo)體裝置100作為靜電放電(electrostatic discharge，ESD)裝置，貝Ij由于該半導(dǎo)體裝置100具有低放電速度，由這些裝置保護(hù)的電路很容易被破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種半導(dǎo)體裝置，以解決上述問(wèn)題。
[0004]在一實(shí)施例中，本發(fā)明公開了一種包括基板的半導(dǎo)體裝置，該基板包括:第一類型的阱；第二類型的第一摻雜區(qū)，設(shè)于該第一類型的阱中；第二類型的阱，與該第一類型的阱鄰近；以及第一類型的第一摻雜區(qū)，摻雜在該第二類型的阱中。其中，該基板不包括設(shè)于該第二類型的第一摻雜區(qū)、該第一類型的阱、該第二類型的阱以及該第一類型的第一摻雜區(qū)形成的電流路徑中的隔離材料。
[0005]在一些實(shí)施例中，該第一類型是N型，以及該第二類型是P型。在另一些實(shí)施例中，該第一類型是P型，以及該第二類型是N型。
[0006]采用本發(fā)明，可以提高放電速度，減少放電時(shí)間。
[0007]本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀各種附圖中示出的優(yōu)選實(shí)施例的下述詳細(xì)的描述過(guò)后，可以毫無(wú)疑義地理解本發(fā)明的這些以及其它目的。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的具有淺溝槽絕緣體101的半導(dǎo)體裝置100的示意圖；
[0009]圖2(a)、圖3(a)、圖4(a)、圖5(a)、圖6(a)、圖7(a)分別是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置的俯視圖(top view)，該半導(dǎo)體裝置沒(méi)有硅化物；
[0010]圖2(b)、圖3(b)、圖4(b)、圖5(b)、圖6(b)、圖7(b)是本發(fā)明實(shí)施例提供的分別與圖2(a)、圖3(a)、圖4(a)、圖5(a)、圖6(a)、圖7(a)對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體裝置的截面圖，該半導(dǎo)體裝置沒(méi)有硅化物；
[0011]圖8(a)-圖10(b)是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置的截面圖，該半導(dǎo)體裝置具有硅化物；
[0012]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電壓供給電路1100的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下描述為本發(fā)明實(shí)施的較佳實(shí)施例。以下實(shí)施例僅用來(lái)例舉闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來(lái)限制本發(fā)明的范疇。在通篇說(shuō)明書及以下權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同樣的元件。本說(shuō)明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)別元件的方式，而是以元件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)別的基準(zhǔn)。本發(fā)明中使用的術(shù)語(yǔ)“元件”、“系統(tǒng)”和“裝置”可以是與計(jì)算機(jī)相關(guān)的實(shí)體，其中，該計(jì)算機(jī)可以是硬件、軟件、或硬件和軟件的結(jié)合。在以下描述和權(quán)利要求書當(dāng)中所提及的術(shù)語(yǔ)“包含”和“包括”為開放式用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成“包含，但不限定于…”的意思。此外，術(shù)語(yǔ)“親接”意指間接或直接的電氣連接。因此，若文中描述一個(gè)裝置耦接于另一裝置，則代表該裝置可直接電氣連接于該另一裝置，或者透過(guò)其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該另一裝置。
[0014]其中，除非另有指示，各附圖的不同附圖中對(duì)應(yīng)的數(shù)字和符號(hào)通常涉及相應(yīng)的部分。所繪制的附圖清楚地說(shuō)明了實(shí)施例的相關(guān)部分且并不一定是按比例繪制。
[0015]圖2至圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置的俯視圖及截面圖。在以下實(shí)施例中，為了說(shuō)明的簡(jiǎn)潔，應(yīng)用第一類型和第二類型來(lái)分別表示N型或P型。然而，在不同的實(shí)施例中，該第一類型和該第二類型可以表示不同的含義。例如，為方便說(shuō)明，在圖2、圖4、圖6、圖8(a)、圖9(a)、圖10(a)的實(shí)施例中，該第一類型表示N型，該第二類型表示P型。反之，在圖
3、圖5、圖7、圖8(b)、圖9(b)、圖10(b)的實(shí)施例中，該第一類型表示P型，該第二類型表示N型。以下實(shí)施例也可以由娃可控整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)實(shí)現(xiàn)，對(duì)此本發(fā)明實(shí)施例并不做任何限制。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其中，圖2(b)是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置200的截面圖，該半導(dǎo)體裝置沒(méi)有硅化物。圖2(a)是圖2(b)所示半導(dǎo)體裝置200的俯視圖。半導(dǎo)體裝置200包括基板(substrate#。該基板S包括:第一類型的阱(well)W_l;設(shè)于該第一類型的阱W_1中的第二類型的第一摻雜區(qū)D_21;與該第一類型的阱W_1鄰近的第二類型的阱W_2;摻雜在該第二類型的阱胃_2中的第一類型的第一摻雜區(qū)D_ll?；錝不包括隔離材料(如上述淺溝槽絕緣體)，所述隔離材料設(shè)于由該第二類型的第一摻雜區(qū)D_21、該第一類型的阱胃_1、該第二類型的阱胃_2以及該第一類型的第一摻雜區(qū)0_11形成的電流路徑CP中。在本實(shí)施例中，該電流路徑CP從電路的輸入輸出端點(diǎn)1至VSS，提供給該第一類型的第一摻雜區(qū)D_11。
[0017]在圖2的實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置200還可以包括第一導(dǎo)電材料CM_1和第二導(dǎo)電材料CM_2(如聚硅化物，poly silicide)。第一導(dǎo)電材料CM_1設(shè)于第一類型的阱W_1和第二類型的阱W_2之上，而不是設(shè)于第一類型的第一摻雜區(qū)0_11和第二類型的第一摻雜區(qū)D_21之上。此外，第二導(dǎo)電材料CM_2設(shè)于第二類型的阱W_2之上而不是設(shè)于第一類型的第一摻雜區(qū)D_11之上。第一導(dǎo)電材料CM_1和第二導(dǎo)電材料CM_2可以接收不同的電壓TP、TN，以協(xié)助電流的傳輸。
[0018]此外，半導(dǎo)體裝置200還可以包括:設(shè)于第二類型的阱W_2中的第一類型的第二摻雜區(qū)D_12和設(shè)于第二類型的阱W_2中的第二類型的第二摻雜區(qū)D_22。該第一類型的第二摻雜區(qū)D_12和該第二類型的第二摻雜區(qū)D_22可以協(xié)助電流的傳輸。該第二類型的第二摻雜區(qū)D_22和該第一類型的第二摻雜區(qū)D_12設(shè)于第一類型的第一摻雜區(qū)D_ll和第二類型的第一摻雜區(qū)D_21之間。在這種情況下，第一導(dǎo)電材料CM_1設(shè)在位于第二類型的第一摻雜區(qū)D_21和第二類型的第二摻雜區(qū)D_22之間的區(qū)域之上。第二導(dǎo)電材料CM_2設(shè)在位于第一類型的第一摻雜區(qū)0_11和第一類型的第二摻雜區(qū)D_12之間的區(qū)域之上。
[0019]請(qǐng)注意，在制造該半導(dǎo)體裝置200的過(guò)程中，如圖2所示，可以提供保護(hù)材料(如Resistor Protect1n Oxide，RP0)P_1。通過(guò)這種方式，在保護(hù)材料P_1的位置上不會(huì)產(chǎn)生娃化物(Si I i c i de)。請(qǐng)參照?qǐng)D8 (a)，圖8 (a)示出了圖2的結(jié)構(gòu)還包括娃化物SI的截面圖。如圖8(a)所示，在圖2所示的保護(hù)材WP_1的位置上不會(huì)產(chǎn)生硅化物SI。至于更多細(xì)節(jié)，硅化物SI未設(shè)在第一類型的阱Wj的至少一部分之上，其中，第一類型的阱胃_1的該至少一部分與第二類型的第一摻雜區(qū)0_21鄰近；以及硅化物SI未設(shè)在第二類型的第一摻雜區(qū)0_21的至少一部分之上，其中，第二類型的第一摻雜區(qū)D_21的該至少一部分與第一類型的阱W_1鄰近。
[0020]此外，圖2的半導(dǎo)體裝置200還可以包括:摻雜在第一類型的阱W_1中的第一類型的第三摻雜區(qū)D_13，該第一類型的第三摻雜區(qū)D_13與第二類型的第一摻雜區(qū)D_21不接觸;摻雜在第二類型的阱W_2中的第二類型的第三摻雜區(qū)D_23，該第二類型的第三摻雜區(qū)D_23與第一類型的第一摻雜區(qū)0_11接觸。保護(hù)材料P_1覆蓋第一類型的第三摻雜區(qū)D_13的一部分。因此，在圖8(a)中，沒(méi)有硅化物設(shè)在第一類型的阱W_1的至少一部分之上，其中，第一類型的阱評(píng)_1的該至少一部分與第一類型的第三摻雜區(qū)D_13鄰近；以及，沒(méi)有硅化物設(shè)在第一類型的第三摻雜區(qū)D_13的至少一部分之上，其中，第一類型的第三摻雜區(qū)D_13的該至少一部分與第一類型的阱評(píng)_1鄰近。本實(shí)施例中，第一類型的第三摻雜區(qū)D_13耦接于操作電壓VDD，以及第二類型的第三摻雜區(qū)D_23耦接于另一操作電壓VSS。
[0021]至于圖3所示的實(shí)施例，其中，圖3(b)是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置300的截面圖，該半導(dǎo)體裝置沒(méi)有硅化物。圖3(a)是圖3(b)所示半導(dǎo)體裝置300的俯視圖。半導(dǎo)體裝置300包括與半導(dǎo)體裝置200類似的結(jié)構(gòu)。區(qū)別之一是圖3中的第一類型從N型更換為P型，第二類型從P型更換為N型。此外，操作電壓VDD和VSS被交換。此外，電流路徑CP是反向的(isinversed)，因此，該電流路徑CP從提供給第一類型的第一摻雜區(qū)D_11的操作電壓VDD至10。此外，電壓TP、TN被交換。圖8(b)示出了半導(dǎo)體裝置300包括硅化物SI的截面圖?；趫D2的描述，可以清楚地理解用于半導(dǎo)體裝置300的其它結(jié)構(gòu)和操作，因此，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)此處不再贅述。
[0022]請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4(b)是本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置400的截面圖，該半導(dǎo)體裝置沒(méi)有硅化物。圖4(a)是圖4(b)所示半導(dǎo)體裝置400的俯視圖。圖4中半導(dǎo)體裝置400的基板S也可以包括第一類型的阱W_l、第二類型的第一摻雜區(qū)0_21、第二類型的阱W_2、第一類型的第一摻雜區(qū)D_ll、第一類型的第三摻雜區(qū)0_13以及第二類型的第三摻雜區(qū)D_23。然而，半導(dǎo)體裝置400僅包括第二類型的第二摻雜區(qū)D22，而不是包括圖2中的第一導(dǎo)電材料CM1、第二導(dǎo)電材料CM2、第一類型的第二摻雜區(qū)0_12以及第二類型的第二摻雜區(qū)D_22。在半導(dǎo)體裝置400中，第二類型的