一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無(wú)福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN(Twisted Nemat ic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane_Switching，平面方向轉(zhuǎn)換)模式和ADSDS(ADvanced Super Dimens1n Switch，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)模式等。
[0004]在上述顯示模式的TFT-LCD的制備過(guò)程中，位于陣列基板和彩膜基板之間的隔墊物(Photo Spacer，簡(jiǎn)稱(chēng)PS)的制備是一道十分重要的工序。隔墊物可以確保陣列基板與彩膜基板之間的間隙和均勻性，同時(shí)起到對(duì)陣列基板和彩膜基板的支撐作用。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，隔墊物均是在彩膜工藝中形成，如圖1所示，現(xiàn)有的彩膜基板包括:彩膜襯底基板10;位于彩膜襯底基板10背側(cè)的黑矩陣11;位于黑矩陣11背側(cè)的包含紅、綠、藍(lán)三種顏色的彩膜濾光片12;位于彩膜濾光片背側(cè)的保護(hù)涂層13;以及位于保護(hù)涂層13背側(cè)的隔墊物14。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷在于，彩膜工藝的加工工序較多，進(jìn)而導(dǎo)致顯示裝置的制造工藝較為復(fù)雜，浪費(fèi)時(shí)間和生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，以減少彩膜工藝的加工工序，并進(jìn)一步減少顯示裝置的制造工序，節(jié)省生產(chǎn)成本和時(shí)間。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0009]在襯底基板上形成薄膜晶體管；
[0010]通過(guò)半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝，在薄膜晶體管的前側(cè)形成具有過(guò)孔的鈍化層，及在所述鈍化層的前側(cè)形成隔墊物。
[0011]采用該方法制造陣列基板，無(wú)需在彩膜基板背側(cè)制備隔墊物，減少了彩膜工藝的加工工序，進(jìn)而減少了顯示裝置的制造工序，節(jié)省了生產(chǎn)成本和加工時(shí)間。
[0012]優(yōu)選的，所述通過(guò)半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝，在薄膜晶體管的前側(cè)形成具有過(guò)孔的鈍化層，及在所述鈍化層的前側(cè)形成隔墊物，具體包括:
[0013]在薄膜晶體管前側(cè)形成鈍化層薄膜；
[0014]在鈍化層薄膜前側(cè)形成光刻膠；
[0015]使用具有全透光區(qū)、半透光區(qū)和遮光區(qū)的掩模板對(duì)基板進(jìn)行曝光，其中，全透光區(qū)與基板預(yù)形成過(guò)孔的區(qū)域位置相對(duì)，遮光區(qū)與基板預(yù)形成隔墊物的區(qū)域位置相對(duì)；
[0016]對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理；
[0017]對(duì)顯影處理后的基板進(jìn)行刻蝕和灰化處理，形成具有過(guò)孔的鈍化層及在所述鈍化層的前側(cè)形成隔墊物。
[0018]采用該方法制造陣列基板，減少了彩膜工藝的加工工序，同時(shí)，采用半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝制備隔墊物，刻蝕和灰化可以在同一工序進(jìn)行，相比現(xiàn)有技術(shù)，減少了刻蝕之后的光刻膠剝離工序，因此，顯示裝置的制造工序得到了簡(jiǎn)化，大大地節(jié)約了加工時(shí)間和生產(chǎn)成本，具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和發(fā)展前景。
[0019]優(yōu)選的，所述陣列基板的制造方法還包括:在所述隔墊物的前側(cè)形成覆蓋所述隔墊物表面的保護(hù)層。
[0020]更優(yōu)的，在形成所述保護(hù)層的同時(shí)，形成與所述保護(hù)層材質(zhì)相同的像素電極，所述像素電極穿過(guò)所述過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極連接。采用該方法，可以在同一次掩模構(gòu)圖工藝中形成保護(hù)層和像素電極，因此，可以大大簡(jiǎn)化陣列基板的制造工藝，進(jìn)一步縮短工藝時(shí)間。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括鈍化層，所述鈍化層的前側(cè)具有隔墊物。
[0022]采用本發(fā)明的技術(shù)方案，彩膜基板背側(cè)無(wú)需制備隔墊物，因而可以減少彩膜工藝的加工工序，并進(jìn)一步減少顯示裝置的制造工序，節(jié)省生產(chǎn)成本和加工時(shí)間。
[0023]優(yōu)選的，所述隔墊物為有機(jī)膜隔墊物。
[0024]優(yōu)選的，所述隔墊物為光刻膠隔墊物。
[0025]更優(yōu)的，所述陣列基板還包括覆蓋所述隔墊物的表面的保護(hù)層。
[0026]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括位于所述鈍化層背側(cè)的薄膜晶體管以及位于所述鈍化層前側(cè)的像素電極，其中:所述鈍化層具有與薄膜晶體管的源極位置相對(duì)的過(guò)孔，所述像素電極穿過(guò)所述過(guò)孔與所述薄膜晶體管的源極連接;所述保護(hù)層與所述像素電極的材質(zhì)相同。在該技術(shù)方案中，可以在同一次掩模構(gòu)圖工藝中形成保護(hù)層和像素電極，因此可以簡(jiǎn)化陣列基板的制造工藝，進(jìn)一步縮短工藝時(shí)間。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任一技術(shù)方案所述的陣列基板。該顯示裝置的制造工序較為簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低，加工時(shí)間較短。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制造方法流程圖；
[0030]圖3為圖2中步驟101的具體步驟流程圖；
[0031]圖4為圖2中步驟102的具體步驟流程圖；
[0032]圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例陣列基板的制造方法流程圖；
[0033]圖6a?6c為本發(fā)明實(shí)施例基板的半色調(diào)掩模工藝示意圖；
[0034]圖7為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的截面示意圖；
[0035]圖8為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的俯視圖。
[0036]現(xiàn)有技術(shù)附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0037]10-彩膜襯底基板
[0038]11-黑矩陣
[0039]12-彩色濾光片
[0040]13-保護(hù)涂層[0041 ]14-隔墊物
[0042]本發(fā)明實(shí)施例附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0043]30-襯底基板
[0044]31-柵線層
[0045]32-柵絕緣層
[0046]33-數(shù)據(jù)線層
[0047]34-鈍化層
[0048]40-遮光區(qū)
[0049]41-半透光區(qū)
[0050]330-源極[0051 ]340-過(guò)孔
[0052]35-隔墊物
[0053]36-像素電極
[0054]37-保護(hù)層
【具體實(shí)施方式】
[0055]為了減少彩膜工藝的加工工序，并進(jìn)一步減少顯示裝置的制造工序，節(jié)省生產(chǎn)成本和時(shí)間，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置。
[0056]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，包括:
[0057]步驟101:在襯底基板上形成薄膜晶體管；
[0058]步驟102:通過(guò)半色調(diào)掩模構(gòu)圖工藝，在薄膜晶體管的前側(cè)形成具有過(guò)孔的鈍化層，及在鈍化層的前側(cè)形成隔墊物。
[0059]在本發(fā)明各實(shí)施例中，所述“前側(cè)”可以理解為顯示裝置中該部件靠近觀看者的一偵U，相應(yīng)的，所述“背側(cè)”可以理解為顯示裝置中該部件遠(yuǎn)離觀看者的一側(cè)，以下若無(wú)特殊說(shuō)明，“前側(cè)”和“背側(cè)”均按此定義理解。
[0060]采用該方法制造陣列基板，無(wú)需在彩膜基板背側(cè)制備隔墊物，減少了彩膜工藝的加工工序，進(jìn)而減少了顯示裝置的制造工序，節(jié)省了生產(chǎn)成本和加工時(shí)間。
[0061]其中，如圖3所示，步驟101具體包括:
[0062]步驟1011:在襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次掩模構(gòu)圖工藝形成柵極和柵極掃描線圖形；
[0063]柵金屬薄膜可以采用鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鉬或鉬鎳的單層薄膜，也可以采用由上述單層薄膜構(gòu)成的多層復(fù)合薄膜，對(duì)于金屬薄膜，沉積方式采用物理氣相淀積的方式成膜。
[0064]步驟1012:在完成步驟1011的基板上依次沉積柵極絕緣層和有源層薄膜，通過(guò)第二次掩模構(gòu)圖工藝形成有源層圖形；
[0065]柵極絕緣層的絕緣成分可以為氮化硅等，采用化學(xué)氣相淀積的方式成膜;有源層薄膜材質(zhì)可以為非晶硅、氫化非晶硅等，采用化學(xué)氣相淀