一種陣列基板及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]TFT-1XD顯示器屏幕亮度受環(huán)境光照度影響。為保護(hù)眼睛，并合理利用背光需要頻繁改變背光強(qiáng)度來獲得最佳顯示亮度。目前在移動(dòng)產(chǎn)品中通常采取在屏幕以外區(qū)域加裝光照度傳感器芯片，用以自動(dòng)控制屏幕在不同使用環(huán)境中的顯示亮度。
[0004]由于只采用一顆傳感器芯片，常發(fā)生屏幕亮度控制不準(zhǔn)確等狀況，如傳感器被遮擋或處于陰影中；同時(shí)傳感器的使用增加了制造成本且需要占用屏幕外圍區(qū)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示面板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的光線檢測(cè)不準(zhǔn)確，導(dǎo)致屏幕顯示亮度控制不準(zhǔn)確的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的多個(gè)晶體管，在所述陣列基板的不同位置還設(shè)置有多個(gè)光照度傳感器。
[0008]—方面，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種顯示面板，在所述顯示面板上的不同位置設(shè)置有多個(gè)光照度傳感器。
[0009]—方面，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成多個(gè)晶體管的步驟，還包括在所述陣列基板的不同位置形成多個(gè)光照度傳感器的步驟。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0011]上述技術(shù)方案中，在顯示面板的陣列基板上或封裝基板上設(shè)置多個(gè)光照度傳感器，用以提高獲取的光照度數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，從而能夠準(zhǔn)確控制顯示屏幕的顯示亮度處于最佳狀態(tài)，提升用戶體驗(yàn)。
【附圖說明】
[0012]圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0014]圖3-圖14表不圖2中的陣列基板的制造過程不意圖；
[0015]圖15表示本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例中提供一種顯示面板，所述顯示面板包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和封裝基板。所述陣列基板包括形成在襯底基板上的晶體管，通過控制晶體管來控制顯示過程，顯示所需的畫面。所述晶體管可以為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。
[0018]在所述顯示面板上的不同位置設(shè)置有多個(gè)光照度傳感器，用以準(zhǔn)確采集環(huán)境中的光線強(qiáng)度，并根據(jù)所述光線強(qiáng)度對(duì)顯示面板的顯示亮度進(jìn)行調(diào)整，以達(dá)到最佳的顯示亮度。
[0019]其中，所述多個(gè)光照度傳感器可以設(shè)置在所述封裝基板上，也可以設(shè)置在所述陣列基板上。
[0020]優(yōu)選地，所述多個(gè)光照度傳感器位于顯示面板的顯示區(qū)域，以獲取對(duì)應(yīng)顯示區(qū)域的環(huán)境光線強(qiáng)度，準(zhǔn)確調(diào)整顯示區(qū)域的顯示亮度。所述多個(gè)光照度傳感器具體可以位于顯示區(qū)域的周邊，也可以減小傳感器的面積，將其設(shè)置在顯示區(qū)域的各像素單元之間，只要不影響像素開口率即可。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例中，所述光照度傳感器可以采用光電二極管，光電二極管具有好線性、低噪聲、成本低、壽命長(zhǎng)、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)。所述光照度傳感器具體可以為PN結(jié)構(gòu)的光電二極管，也可以為PIN結(jié)構(gòu)的光電二極管。光電二極管的工作原理為:
[0022]普通二極管在反向電壓作用時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只能流過微弱的反向電流，光電二極管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使PN結(jié)的面積相對(duì)較大，以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用下是工作的，沒有光照時(shí)，反向電流極其微弱，叫暗電流;有光照時(shí)，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強(qiáng)度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，成為光電傳感器件。向光電二極管的PN結(jié)中間摻入一層濃度很低的N型半導(dǎo)體，就可以增大耗盡區(qū)的寬度，達(dá)到減小擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的影響，提高響應(yīng)速度的目的。由于這一摻入層的摻雜濃度低，近乎本征(Intrinsic)半導(dǎo)體，故稱I層，因此，這種結(jié)構(gòu)稱為PIN光電二極管。I層較厚，幾乎占據(jù)了整個(gè)耗盡區(qū)。絕大部分的入射光在I層內(nèi)被吸收并產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)。在I層兩側(cè)是摻雜濃度很高的P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體很薄，吸收入射光的比例很小。因而光產(chǎn)生電流中漂移分量占了主導(dǎo)地位，這就大大加快了響應(yīng)速度。
[0023]其中，所述光電二極管的各結(jié)構(gòu)可以為同層結(jié)構(gòu)，也可以疊層設(shè)置在顯示面板上。當(dāng)所述光電二極管為疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述光電二極管的各結(jié)構(gòu)依次疊層設(shè)置在顯示面板上，具有較大的受光面積，檢測(cè)靈敏度高。具體的，對(duì)于PN結(jié)構(gòu)的光電二極管，其P半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體可以為同層結(jié)構(gòu)，也可以疊層設(shè)置在顯示基板上。對(duì)于PIN結(jié)構(gòu)的光電二極管，其P半導(dǎo)體、I層和N型半導(dǎo)體可以為同層結(jié)構(gòu)，也可以依次疊層設(shè)置在顯示面板上。
[0024]可以理解的是，所述光照度傳感器并不局限于采用光電二極管，還可以采用其他類型的傳感器。
[0025]對(duì)于液晶顯示面板，其顯示光線由背光模組提供。為了防止背光模組發(fā)出的光線照射到光照度傳感器，造成干擾，導(dǎo)致光照度傳感器不能準(zhǔn)確采集環(huán)境中的光線強(qiáng)度，本實(shí)施例中的顯示面板上還設(shè)置有與光照度傳感器位置對(duì)應(yīng)的不透光圖形，所述光照度傳感器位于顯示畫面的一側(cè)，且所述光照度傳感器在顯示面板所在平面上的正投影位于所述不透光圖形在顯示面板所在平面上的正投影中，從而所述不透光圖形能夠阻擋背光模組的光線照射到光照度傳感器。其中，所述光照度傳感器可以采用光電二極管。進(jìn)一步地，在液晶顯示面板的顯示區(qū)域設(shè)置所述多個(gè)光照度傳感器，以準(zhǔn)確獲取對(duì)應(yīng)顯示區(qū)域的環(huán)境光線強(qiáng)度，將顯示亮度調(diào)整到最佳狀態(tài)。
[0026]結(jié)合圖1和圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)光照度傳感器I設(shè)置在所述陣列基板上。優(yōu)選地，多個(gè)光照度傳感器I位于陣列基板的顯示區(qū)域100，以獲取對(duì)應(yīng)顯示區(qū)域100的環(huán)境光線強(qiáng)度，提高對(duì)顯示區(qū)域100的顯示亮度調(diào)整的準(zhǔn)確性。具體的，可以將多個(gè)光照度傳感器I設(shè)置在顯示區(qū)域100的周邊。
[0027]所述陣列基板還包括設(shè)置在襯底基板上的多個(gè)晶體管，通過所述晶體管來控制顯示過程。所述晶體管可以為非晶硅晶體管或多晶硅晶體管。本實(shí)施例中，所述晶體管選擇多晶硅晶體管，具有較高的載流子迀移率。需要說明的是，所述晶體管也可以選擇非晶硅晶體管和氧化物薄膜晶體管。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例中的晶體管優(yōu)選為CMOS晶體管，CMOS晶體管由匪OS晶體管2和PMOS晶體管3共同構(gòu)成。由于CMOS晶體管中要么匪OS晶體管2導(dǎo)通、要么PMOS晶體管3導(dǎo)通、要么兩者都截至，因此功耗很低。
[0029]如圖2所示，對(duì)于匪OS晶體管2，其包括第一柵電極22、溝道20、位于溝道20兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，以及與源區(qū)電性連接的第一源電極23和與漏區(qū)電性連接的第一漏電極24。本實(shí)施例中NMOS晶體管2的溝道材料為多晶硅，具有較高的載流子迀移率，源區(qū)和漏區(qū)由第二N型半導(dǎo)體21形成。PMOS晶體管3的結(jié)構(gòu)與NMOS晶體管2的結(jié)構(gòu)一致，不同的是PMOS晶體管3的源區(qū)和漏區(qū)由第二 P型半導(dǎo)體31形成。
[0030]當(dāng)多個(gè)光照度傳感器I采用光電二極管時(shí)，光照度傳感器I的第一P型半導(dǎo)體11中所摻雜的P型離子與PMOS晶體管3的第二 P型半導(dǎo)體31中摻雜的P型離子相同，并通過一次摻雜工藝進(jìn)行摻雜;光照度傳感器I的第一 N型半導(dǎo)體12中摻雜的N型離子與NMOS晶體管2的第二N型半導(dǎo)體21中摻雜的N型離子相同，并通過一次摻雜工藝進(jìn)行摻雜，從而在陣列基板上設(shè)置多個(gè)光照度傳感器I時(shí)，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝。進(jìn)一步地，光電二極管I的陽(yáng)極13和陰極14與NMOS晶體管2的第一源電極23、第一漏電極24，以及PMOS晶體管3的第二源電極33、第二漏電極34通過對(duì)同一導(dǎo)電層的構(gòu)圖工藝形成，從而在陣列基板上設(shè)置多個(gè)光照度傳感器I時(shí)，不會(huì)增加陣列基板的制作工藝。
[0031]為了提高獲取的環(huán)境光線強(qiáng)度的準(zhǔn)確性，本實(shí)施例中，設(shè)置與光照度傳感器I位置對(duì)應(yīng)的不透光圖形4，光照度傳感器I在襯底基板101上的正投影位于不透光圖形4在襯底基板101上的正投影中，且光照度傳感器I位于顯示畫面的一側(cè)，從而不透光圖形4能夠阻擋陣列基板與顯示畫面相對(duì)的背面光線照射到光照度傳感器1，防止產(chǎn)生干擾，使得光照度傳感器I能夠準(zhǔn)確獲取顯示畫面?zhèn)鹊沫h(huán)境光線，調(diào)整顯示亮度至最佳狀態(tài)。進(jìn)一步地，陣列基板上的多個(gè)光照度傳感器I設(shè)置在顯示區(qū)域，以準(zhǔn)確獲取對(duì)應(yīng)顯示區(qū)域的環(huán)境光線強(qiáng)度。其中，光照度傳感器I可以采用光電二極管，當(dāng)所述陣列基板包括匪OS晶體管2和PMOS晶體管3時(shí)，通過同一工藝制作光電二極管I的第一P型半導(dǎo)體11和PMOS晶體管3的第二P型半導(dǎo)體31，通過同一工藝制作光電二極管I的第一 N型半導(dǎo)體12和匪OS晶體管2的第二 N型半導(dǎo)體21，從而在陣列基板上設(shè)置光照度傳感器I時(shí)，不會(huì)增加陣列基板的制作工藝。
[0032]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0033]在襯底基板上形成多個(gè)晶體管；
[0034]在陣列基板的不同位置形成多個(gè)光照度傳感器。
[0035]上述制作方法通過在陣列基板的不同位置形成多個(gè)光照度傳感器，以準(zhǔn)確采集顯