層120可有助于阻止或有效減少不合需要的要素諸如水分滲透到布線 單元130和OLED 210中，且可使第一基板110的表面平坦化。在實施中，緩沖層120可被 省略。
[0066] 布線單元130可布置在緩沖層120上。布線單元130可W是指包括切換薄膜晶體 管燈FT) 10、驅(qū)動TFT 20和電容器80的結(jié)構(gòu)，并且可驅(qū)動OLED 210。OLED 210可根據(jù)從布 線單元130供應(yīng)的驅(qū)動信號發(fā)光，從而顯示圖像。
[0067] 圖1和2舉例說明了具有2Tr-lCap結(jié)構(gòu)的有源矩陣（AM)型OL邸顯示器101。例 如，2化-ICap結(jié)構(gòu)可W在每個像素中包括兩個TFT 10和20 W及電容器80。在實施中，根 據(jù)示例性實施方式的顯示器可W在一個像素中包括=個或更多個TFT W及兩個或更多個 電容器80,并且還可W包括另外的線。在本文，術(shù)語"像素"是指用于顯示圖像的最小單元， 并且OLED顯示器101使用多個像素顯示圖像。
[006引每個像素可W包括切換TFT 10、驅(qū)動TFT 20、電容器80和OLED 210。此外，沿著 一個方向布置的柵極線151，數(shù)據(jù)線171和與柵極線151絕緣且與其交叉的共用電源線172 可進一步布置在布線單元130上。在本文，每個像素可由柵極線151、數(shù)據(jù)線171和共用電 源線172限定，但并不限于此。在實施中，像素可由黑色基質(zhì)和/或像素界定層（PDL)限定。
[0069] OLED 210可W包括第一電極211、在第一電極211上的有機發(fā)光層212,和在有機 發(fā)光層212上的第二電極213?？昭ê碗娮涌煞謩e從第一電極211和第二電極213供應(yīng)到 有機發(fā)光層212,然后彼此在其中復(fù)合W形成激子。OL邸可通過在激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài) 時產(chǎn)生的能量而發(fā)光。
[0070] 電容器80可W包括一對電容器板158和178,其中在其間插入層間絕緣層145。在 本文，層間絕緣層145可W為介電體。電容器80的電容可通過在電容器80中蓄積的電荷 和穿過一對電容器板158和178的電壓來確定。
[0071] 切換TFT 10可W包括切換半導(dǎo)體層131、切換柵電極152、切換源電極173和切換 漏電極174。驅(qū)動TFT 20可W包括驅(qū)動半導(dǎo)體層132、驅(qū)動柵電極155、驅(qū)動源電極176和 驅(qū)動漏電極177。此外，可進一步提供柵極絕緣層140 W絕緣半導(dǎo)體層131和132 W及柵電 極 152 和 155。
[0072] 切換TFT 10可起切換元件的作用，其選擇像素 W執(zhí)行發(fā)光。切換柵電極152可連 接于柵極線151，并且切換源電極173可連接于數(shù)據(jù)線171。切換漏電極174可與切換源電 極173間隔開并且連接于電容器板158。
[0073] 驅(qū)動TFT 20可向用作像素電極的第一電極211施加驅(qū)動功率，所述驅(qū)動功率允許 OLED 210的有機發(fā)光層212 W選定的像素發(fā)光。驅(qū)動柵電極155可連接于電容器板158,所 述電容器板158連接于切換漏電極174。驅(qū)動源電極176和另一個電容器板178可分別連 接于共用電源線172。驅(qū)動漏電極177可通過接觸空穴連接于OL邸210的第一電極211。
[0074] 在前述結(jié)構(gòu)下，切換TFT 10可通過向柵極線151施加的柵極電壓來操作并且可用 來將向數(shù)據(jù)線171施加的數(shù)據(jù)電壓傳送至驅(qū)動TFT 20。等于從共用電源線172施加至驅(qū)動 TFT 20的共用電壓與通過（或從）切換TFT 10傳送的數(shù)據(jù)電壓之間的差值的電壓可存儲 于電容器80中，并且對應(yīng)于存儲于電容器80中的電壓的電流可通過驅(qū)動TFT20流至OLED 210,從而OLED 210可發(fā)光。
[00巧]根據(jù)第一示例性實施方式，第一電極211可用作注入空穴的陽極，且第二電極213 可用作注入電子的陰極。在實施中，第一電極211可用作陰極且第二電極213可用作陽極。
[0076] 平坦化層146可布置在層間絕緣層145上。平坦化層146可W包括絕緣材料且可 保護布線單元130。平坦化層146和層間絕緣層145可W包括相同材料。
[0077] 驅(qū)動TFT 20的漏電極177可通過在平坦化層146上形成的接觸空穴連接于 0LED210的第一電極211。
[0078] 根據(jù)第一示例性實施方式，第一電極211可W為反射電極且第二電極213可W為 透反電極。因此，有機發(fā)光層212中產(chǎn)生的光可穿過第二電極213用于發(fā)光。因此，根據(jù)第 一示例性實施方式的OL邸顯示器101可具有頂部發(fā)光型結(jié)構(gòu)。
[007引儀（Mg)、銀（Ag)、金（Au)、巧（Ca)、裡化i)、銘（Cr)、侶（AU和銅（Cu)的一種或 多種金屬、或其金屬合金可用于形成反射電極和/或透反電極。
[0080] 例如，第一電極211可W包括反射層，所述反射層包括儀（Mg)、銀（Ag)、金（Au)、巧 (化)、裡化i)、銘（化）、侶（Al)和銅（化）中的至少一種金屬，并且透明導(dǎo)電層布置在反射 層上。在本文，透明導(dǎo)電層可W包括透明導(dǎo)電氧化物（TCO)，例如，氧化銅錫（ITO)、氧化銅 鋒（IZO)、氧化鋒狂nO)、氧化侶鋒（AZO)和氧化銅（In2〇3)中的至少一種。此類透明導(dǎo)電層 可具有相對高功函，從而允許通過第一電極211的更活躍的空穴注入。
[008。 此外，第一電極211可具有S層結(jié)構(gòu)，包括透明導(dǎo)電層、反射層和順序?qū)訅旱耐该?導(dǎo)電層。
[0082] 在實施中，第二電極213可由透反層形成，所述透反層包括儀（Mg)、銀（Ag)、金 (Au)、巧（Ca)、裡化i)、銘（Cr)、侶（AU和銅（Cu)中的一種或多種金屬。
[0083] 在實施中，空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL中的至少一個可進一步布置在第一 電極211與有機發(fā)光層212之間。在實施中，電子傳輸層ETL和電子注入層EIL中的至少 一個可進一步布置在有機發(fā)光層212與第二電極213之間。
[0084] 結(jié)構(gòu)包括有機發(fā)光層212、空穴注入層H比、空穴傳輸層OTL和電子傳輸層ETL并 且電子注入層EIL可被稱為有機層。有機層可W包括低分子量有機材料或高分子量有機材 料。
[0085] 像素界定層190可具有孔口，并且第一電極211可通過像素界定層190的孔口至 少部分暴露。第一電極211、有機發(fā)光層212和第二電極213可順序?qū)訅涸谙袼亟缍▽?90 的孔口內(nèi)。在實施中，第二電極213也可布置在像素界定層190上W及在有機發(fā)光層212 上。像素界定層190可界定發(fā)光區(qū)。
[0086] 覆蓋層230可布置在OLED 210上。覆蓋層230可基本上保護OLED 210,并且還可 允許有效地向外引導(dǎo)有機發(fā)光層212中發(fā)射的光。
[0087] 覆蓋層230可W包括包含巧挫基或部分的化合物。例如，根據(jù)第一示例性實施方 式的覆蓋層230可W包括至少一種雜環(huán)化合物（其包括巧挫基或部分和與巧挫基或部分鍵 合的雜環(huán)基團或部分）。
[0088] 例如，雜環(huán)基團可起吸電子基團的作用，并且巧挫基可起供電子基團的作用。因 此，包括巧挫基和與巧挫基鍵合的雜環(huán)基團二者的雜環(huán)化合物可具有偶極矩。包括此類雜 環(huán)化合物的覆蓋層230可具有高折射率，例如，高于約1. 9。例如，覆蓋層230可具有約1. 9 至約3. 0的折射率。當覆蓋層230具有高折射率時，光可從覆蓋層230的層間反射或可在 覆蓋層230和另一層或空間的界面處反射，W使可發(fā)生光共振。
[0089] 包括巧挫基和與巧挫基鍵合的雜環(huán)基團的雜環(huán)化合物可由下列化學式1至5之一 表不：
[0090] [化學式1]
[009引[化學式引 [0093]
[0100] Al至A,可各自獨立地為或包括，例如，取代的或未取代的具有6至30個環(huán)碳原子 的芳族控基或取代的或未取代的具有I至30個環(huán)碳原子的芳族雜環(huán)基團。在實施中，Al和 A3至A e中的一個可為或包括，例如，取代的或未取代的具有1至30個環(huán)碳原子的芳族雜環(huán) 基團。
[0101] Yi至Y S可各自獨立地為C-R，且Y g至Y ie可各自獨立地為C-R或氮原子。