電極層壓體和有機(jī)發(fā)光元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)要求于2013年7月19日向韓國專利局提交的第10-2013-0085699號(hào)韓國專 利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容W引證的方式納入本說明書。
[0002] 本說明書設(shè)及一種電極層壓體和包含其的有機(jī)發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0003] 近來，在電子器件如顯示器、有機(jī)發(fā)光裝置和觸摸面板中，已要求在活動(dòng)圖像單元 中形成透明電極。為滿足該要求，已將由如ITO和ZnO的材料所形成的透明導(dǎo)電膜用作電極， 但是，運(yùn)在電阻方面存在嚴(yán)重的問題。特別地，在使用有機(jī)發(fā)光器件的照明裝置的情況下， 當(dāng)形成大面積的照明裝置時(shí)，上述大的電阻可能成為商業(yè)化方面的巨大障礙。因此，需要開 發(fā)出即便在形成大面積裝置時(shí)也具有降低的電阻的透明電極。
[0004] 同時(shí)，有機(jī)發(fā)光器件中所產(chǎn)生的最高達(dá)30%的光被鎖定在器件中，從而產(chǎn)生發(fā)光 效率降低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 技術(shù)問題
[0006] 為提高透明電極的電導(dǎo)率和/或光提取效率，在重復(fù)進(jìn)行許多研究工作W后，本發(fā) 明的發(fā)明人發(fā)明了一種具有本說明書中所述的構(gòu)造的電極層壓體，W及包含其的有機(jī)發(fā)光 器件。
[0007] 技術(shù)方案
[000引本說明書的一個(gè)實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括:基板;設(shè)置在基板上的 第一電極;與第一電極相對(duì)設(shè)置的第二電極;設(shè)置在第一電極與第二電極之間的有機(jī)材料 層；W及第一電極的輔助電極，其中第一電極的輔助電極具有層壓結(jié)構(gòu)，其中第一層在 55化m的波長處的反射率為80%或更大而第二層具有比第一層更高的蝕刻速度，并且第一 電極的輔助電極或者設(shè)置在第一電極與基板之間，或者設(shè)置為使得第一電極的輔助電極的 第一層與第一電極的至少部分側(cè)面鄰接。
[0009] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光器件，其中將第一電極的輔助電極設(shè) 置為與基板鄰接。
[0010] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光器件，其中將第一電極W圖案形式設(shè) 置在基板上，并且將第一電極的輔助電極W圖案形式設(shè)置為與第一電極圖案的至少部分側(cè) 面鄰接。
[0011] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種有機(jī)發(fā)光器件，其另外包括在基板的設(shè)有第一 電極的表面的相對(duì)表面上設(shè)置的外光提取層。
[0012] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種電極層壓體，其包括基板;設(shè)置在基板上的電 極；W及電連接至電極的輔助電極，并且輔助電極具有層壓結(jié)構(gòu)，其中第一層在550nm的波 長處的反射率為80%或更大而第二層具有比第一層更高的蝕刻速度，其中輔助電極或者設(shè) 置在電極與基板之間，或者設(shè)置為使得輔助電極的第一層與電極的至少部分側(cè)面鄰接。
[0013] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種電極層壓體，其中輔助電極設(shè)置為與基板鄰 接。
[0014] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種電極層壓體，其中電極W圖案形式設(shè)置在基板 上，并且輔助電極W圖案形式設(shè)置為與電極圖案的至少部分側(cè)面鄰接。
[0015] 本說明書的另一實(shí)施方案提供一種電極層壓體，其另外包括在基板的設(shè)有電極的 表面的相對(duì)表面上設(shè)置的外光提取層。
[0016] 有益效果
[0017] 根據(jù)本說明書中所述實(shí)施方案，通過在電極下表面或側(cè)面使用輔助電極，即便在 制造大面積的電極或裝置時(shí)電阻也可W降低，所述輔助電極的與基板相對(duì)的表面在550nm 的波長處具有80 %或更大的反射率，除此之外，還提高了將在有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)材料層 中所產(chǎn)生的光從該器件中提取出來的效率，而沒有通過器件與空氣層之間或各層之間等的 全反射而被鎖定在器件內(nèi)部。
【附圖說明】
[0018] 圖1-3示出了本說明書的實(shí)施方案的電極層壓體構(gòu)造的實(shí)例。
[0019] 圖4示出了現(xiàn)有的輔助電極的實(shí)例。
[0020] 圖5示出了比較實(shí)施例1中所制備的電極層壓體的結(jié)構(gòu)。
[0021 ]圖6和7示出了輔助電極材料的反射率和基板的反射率。
[0022] 圖8和9示出了本說明書的實(shí)施方案的輔助電極的第一層和第二層的線寬度。
[0023] 圖10是實(shí)施例中所制備的輔助電極的SEM圖。
[0024] 圖11是圖10的SEM圖的橫截面模擬圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 下文中，將更加詳細(xì)地描述本說明書的實(shí)施方案。
[0026] 本說明書的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件包括:基板;設(shè)置在基板上的第一電極； 與第一電極的相對(duì)設(shè)置的第二電極;設(shè)置在第一電極與第二電極之間的有機(jī)材料層；W及 第一電極的輔助電極，其中第一電極的輔助電極具有層壓結(jié)構(gòu)，其中第一層在550nm的波長 處的反射率為80%或更大而第二層具有比第一層更高的蝕刻速度，并且第一電極的輔助電 極或者設(shè)置在第一電極與基板之間，或者設(shè)置為使得第一電極的輔助電極的第一層與第一 電極的至少部分側(cè)面鄰接。
[0027] 根據(jù)本說明書的一個(gè)實(shí)施方案，將在550nm的波長處具有80 %或更大的反射率的 第一層設(shè)置為比第二層更靠近基板。
[0028] 根據(jù)本說明書的一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極可設(shè)置為與基板鄰接。圖1至 3各自示出一個(gè)與基板鄰接的第一電極的輔助電極的實(shí)例。
[0029] 根據(jù)圖1，將第一電極的輔助電極設(shè)置為與第一電極的至少部分側(cè)面鄰接。具體 地，將第一電極W圖案形式設(shè)置在基板上，并且將第一電極的輔助電極W圖案形式設(shè)置為 與第一電極圖案的至少部分側(cè)面鄰接。此處，所述圖案是與整個(gè)表面層相區(qū)分的一種表述， 并且意指部分底層被覆蓋而部分底層裸露的形式，并非整個(gè)底層表面均被覆蓋。此處，底層 的被覆蓋部分的形狀沒有特別的限制，且該形狀可依據(jù)目的按需形成。
[0030] 根據(jù)圖2和圖3,將第一電極的輔助電極設(shè)置在第一電極與基板之間。
[0031] 當(dāng)?shù)谝浑姌O的輔助電極具有圖1至3中所示的結(jié)構(gòu)時(shí)，使光在第一電極的輔助電極 與基板的界面處反射，而由發(fā)光層發(fā)出的光未被鎖定在基板內(nèi)部，借此可W有效地實(shí)現(xiàn)光 提取。另一方面，如圖4和圖5中所見，當(dāng)將相當(dāng)于輔助電極的第二層的層設(shè)置在與基板鄰接 的一側(cè)上時(shí)，光提取效率可能降低，運(yùn)是因?yàn)檫M(jìn)入基板內(nèi)的光可能被吸收到相當(dāng)于第二層 的層中而不釋放出來。
[0032] 由此可見，可將第一電極的輔助電極設(shè)置為與基板鄰接，但是，需要在輔助電極與 基板之間設(shè)置另外的層。
[0033] 對(duì)第一電極的輔助電極沒有特別的限制，只要第一電極的輔助電極比第一電極具 有更好的電導(dǎo)率。關(guān)于具有令人滿意的電導(dǎo)率的構(gòu)造，可使用具有高的電導(dǎo)率的材料，或者 可使用使輔助電極厚的方法。例如，第一電極是透明電極，而輔助電極的第一層和/或第二 層可用金屬材料形成。透明電極可具有60%或更高的可見光透光率，優(yōu)選70%或更高，更優(yōu) 選80 %或更高，甚至更優(yōu)選90 %或更高，且甚至更優(yōu)選95 %或更高。關(guān)于透明電極材料，可 使用透明導(dǎo)電氧化物，如口 0和IZ0。
[0034] 根據(jù)本說明書的一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極具有層壓結(jié)構(gòu)，其中第一層 在550nm的波長處的反射率為80%或更大而第二層具有比第一層更高的蝕刻速度。
[0035] 第一層在55化m的波長處具有80%或更大的反射率，因此，通過使光在第一層和與 之不同的層如基板之間的界面處反射可增加光提取。在本說明書中，可如此計(jì)算反射率，將 所要測量反射率的目標(biāo)層放置在基板上，從所要測量反射率的目標(biāo)層的一側(cè)測量反射率， 然后減去基板自身的反射率。
[0036] 反射率可用由KoniCa Minolta, Inc.制造的CM3700A進(jìn)行測量，但是，設(shè)備不限于 此。反射率可能受到層厚度W及形成該層的材料的影響。對(duì)第一層的材料、厚度等的選擇為 可使得第一層具有上述的反射率。
[0037] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極的第一層在550nm的波長處具有85 %或 更大的反射率。
[0038] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極的第一層在500nm至650nm的波長處具有 80 %或更大的反射率。
[0039] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極的第一層在500nm至650nm的波長處具有 85%或更大的反射率。
[0040] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極的第一層在450nm至650nm的波長處具有 80 %或更大的反射率。
[0041 ]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，第一電極的輔助電極的第一層在450nm至650nm的波長處具有 85%或更大的反射率。
[0042] 關(guān)于第一層的材料，優(yōu)選使用具有比第一電極更高的電導(dǎo)率的材料。
[0043] 第一層的材料包括Al、Ag、Al合金、Ag合金等。此處，所述合金意指包含一種或更多 種類型的其他金屬。例如，Ag合金，除AgW外，還可包含Cu、Pd等。Ag合金的非限制性實(shí)例包 括Ag化、A評(píng)d、Ag化Pd等?？蒞按需