高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝器件，尤其涉及一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]整流器是利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫?duì)交流電進(jìn)行整流，故被廣泛應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。
[0003]在設(shè)計(jì)開發(fā)連接片結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí)，為了提升大功率器件芯片表面的導(dǎo)電性能暨提升器件的關(guān)鍵電特性，需要把連接片與芯片焊接部分的面積設(shè)計(jì)的足夠大。連接片與芯片上表面通過焊料焊接在一起。受限于連接片-芯片焊接區(qū)域和芯片上表面面積的匹配，焊料用量的控制成為關(guān)鍵工藝參數(shù)。焊料偏少會(huì)導(dǎo)致器件電特性不良，焊料過多會(huì)導(dǎo)致器件短路或早期可靠性失效?，F(xiàn)有技術(shù)往往存在隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，會(huì)出現(xiàn)各種電性能下降。因此，如何研發(fā)一種整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，能解決上述問題，便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的是提供一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，該高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)可以自適應(yīng)吸收多余的焊料，既保證了焊接區(qū)域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因?yàn)楹噶狭慷喽绯隹珊附訁^(qū)造成產(chǎn)品失效，提高了產(chǎn)品電性、可靠性和良率。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條、第二引線條、連接片和整流芯片，該第一引線條一端的支撐區(qū)連接到所述整流芯片下表面，該整流芯片下表面通過焊錫膏與該第一引線條的支撐區(qū)電連接，第一引線條另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)；
位于所述第二引線條一端的焊接區(qū)與連接片的第一焊接面連接，該第二引線條另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)；所述連接片第二焊接面與整流芯片上表面通過焊錫膏電連接；
所述連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設(shè)有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔，一第二通孔位于第二折彎處、第二焊接面、中間區(qū)上，此第二通孔橫跨第二折彎處并延伸到第二焊接面、中間區(qū)邊緣區(qū)域;所述連接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度，所述第一折彎處、第二折彎處與中間區(qū)夾角為125°?145°。
[0006]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果:
1.本發(fā)明高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設(shè)有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口，在保證不降低接觸面積和增加電阻的情況下，可以自適應(yīng)吸收多余的焊料，從而防止焊料進(jìn)入非焊接區(qū)，既保證了焊接區(qū)域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因?yàn)楹噶狭慷喽绯隹珊附訁^(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率。
[0007]2.本發(fā)明高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設(shè)有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔;既可防止焊料進(jìn)入非焊接區(qū)，避免了因?yàn)楹噶狭慷喽绯隹珊附訁^(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔由于第一通孔覆蓋溢出的焊料，防止焊料在焊接面邊緣溢出，利用了連接片中第一通孔的側(cè)面積，減小了接觸電阻和響應(yīng)時(shí)間，降低了功耗，也加強(qiáng)了連接片與整流芯片的連接強(qiáng)度。
[0008]3.本發(fā)明高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，其連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口 ；所述第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔，一第二通孔位于第二折彎處、第二焊接面、中間區(qū)上，此第二通孔橫跨第二折彎處并延伸到第二焊接面、中間區(qū)邊緣區(qū)域;進(jìn)一步防止焊料進(jìn)入非焊接區(qū)，避免了因?yàn)楹噶狭慷喽绯隹珊附訁^(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔由于通孔覆蓋溢出的焊料，防止焊料在焊接面邊緣溢出，減小了接觸電阻和響應(yīng)時(shí)間，降低了功耗。
【附圖說明】
[0009]附圖1為現(xiàn)有技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)示意圖一；
附圖2為現(xiàn)有技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)示意圖二；
附圖3為本發(fā)明高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖4為附圖3中A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖5為附圖3中局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]以上附圖中:1、第一引線條;11、支撐區(qū)；2、第二引線條;21、焊接區(qū)；3、連接片;31、第一焊接面;32、第二焊接面;33、中間區(qū)；34、第一折彎處;35、第二折彎處;4、整流芯片;5、引腳區(qū);6、條狀缺口；7、第一通孔;8、焊料;9、第二通孔。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例:一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條1、第二引線條2、連接片3和整流芯片4，該第一引線條I 一端的支撐區(qū)11連接到所述整流芯片4下表面，該整流芯片4下表面通過焊錫膏與該第一引線條I的支撐區(qū)11電連接，第一引線條I另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)5;
位于所述第二引線條2—端的焊接區(qū)21與連接片3的第一焊接面31連接，該第二引線條2另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)5;所述連接片3第二焊接面32與整流芯片4上表面通過焊錫膏電連接；
所述連接片3的第一焊接面31和第二焊接面32之間具有一中間區(qū)33，此中間區(qū)33與第一焊接面31和第二焊接面32之間分別設(shè)有第一折彎處34和第二折彎處35，從而使得中間區(qū)33高度高于第一焊接面31和第二焊接面32，所述連接片3的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口 6;所述第二焊接面32均勻分布有若干個(gè)第一通孔7，一第二通孔9位于第二折彎處35、第二焊接面32、中間區(qū)33上，此第二通孔9橫跨第二折彎處35并延伸到第二焊接面32、中間區(qū)33邊緣區(qū)域。
[0012]上述連接片3的第一焊接面31高度低于所述第二焊接面32高度。
[0013]上述第一折彎處34、第二折彎處35與中間區(qū)33夾角為125°或者130°或者145°。
[0014]采用上述高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設(shè)有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口，在保證不降低接觸面積和增加電阻的情況下，可以自適應(yīng)吸收多余的焊料，從而防止焊料8進(jìn)入非焊接區(qū)，既保證了焊接區(qū)域鋪展有足夠面積的焊料8，又避免了因?yàn)楹噶?量多而溢出可焊接區(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率;其次，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設(shè)有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔，防止焊料8在焊接面邊緣溢出，利用了連接片中第一通孔的側(cè)面積，減小了接觸電阻和響應(yīng)時(shí)間，降低了功耗，也加強(qiáng)了連接片與整流芯片的連接強(qiáng)度。
[0015]上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條(1)、第二引線條(2)、連接片(3)和整流芯片(4)，該第一引線條(I) 一端的支撐區(qū)(11)連接到所述整流芯片(4)下表面，該整流芯片(4)下表面通過焊錫膏與該第一引線條(I)的支撐區(qū)(11)電連接，第一引線條(I)另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)(5); 位于所述第二引線條(2)—端的焊接區(qū)(21)與連接片(3)的第一焊接面(31)連接，該第二引線條(2)另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)(5);所述連接片(3)第二焊接面(32)與整流芯片(4)上表面通過焊錫膏電連接； 其特征在于:所述連接片(3)的第一焊接面(31)和第二焊接面(32)之間具有一中間區(qū)(33)，此中間區(qū)(33)與第一焊接面(31)和第二焊接面(32)之間分別設(shè)有第一折彎處(34)和第二折彎處(35)，從而使得中間區(qū)(33)高度高于第一焊接面(31)和第二焊接面(32)，所述連接片(3)的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口(6);所述第二焊接面(32)均勻分布有若干個(gè)第一通孔(7)，一第二通孔(9)位于第二折彎處(35)、第二焊接面(32)、中間區(qū)(33)上，此第二通孔(9)橫跨第二折彎處(35)并延伸到第二焊接面(32)、中間區(qū)(33)邊緣區(qū)域;所述第一折彎處(34)、第二折彎處(35)與中間區(qū)(33)夾角為125°?145°; 所述第一折彎處(34)、第二折彎處(35)與中間區(qū)(33)夾角為125°?145°;所述連接片(3)的第一焊接面(31)高度低于所述第二焊接面(32)高度。
【專利摘要】本發(fā)明一種高良率整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條、第二引線條、連接片和整流芯片，該第一引線條一端的支撐區(qū)連接到所述整流芯片下表面；連接片的第二焊接面相對(duì)的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個(gè)第一通孔，一第二通孔位于第二折彎處、第二焊接面、中間區(qū)上，此第二通孔橫跨第二折彎處并延伸到第二焊接面、中間區(qū)邊緣區(qū)域；所述連接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度，所述第一折彎處、第二折彎處與中間區(qū)夾角為125°~145°。本發(fā)明避免了因?yàn)楹噶狭慷喽绯隹珊附訁^(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率，也防止焊料在焊接面邊緣溢出，減小了接觸電阻和響應(yīng)時(shí)間，降低了功耗。
【IPC分類】H01L23/488, H01L23/492
【公開號(hào)】CN105679733
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610137684
【發(fā)明人】張雄杰, 何洪運(yùn), 程琳
【申請(qǐng)人】蘇州固锝電子股份有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2013年7月12日