一種陣列基板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(英文:thin film transistor，簡稱:TFT)液晶顯示器是采用TFT矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，當(dāng)液晶顯示器上的掃描線將TFT有源層導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)線的信號通過溝道層傳輸至源極，源極再將信號傳輸至液晶顯示器的像素電極，進(jìn)而像素電極控制液晶層實(shí)現(xiàn)顯示相應(yīng)灰階。
[0003]現(xiàn)有的TFT結(jié)構(gòu)通常是在源極層之上設(shè)置鈍化層(英文簡稱:PV)，該鈍化層上設(shè)置有導(dǎo)通孔(英文:Via-Hole)，源極通過該導(dǎo)通孔與像素電極相連，故阻值較大，造成信號的寫入較慢，像素充電率下降，并且會(huì)有一系列由于充電率不足而引起的不良，例如殘像(英JC: Image Sticking)等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及其制作方法、顯不面板，能夠提尚充電電流，提尚充電率。
[0005]本申請第一方面提供一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置在所述基板之上的TFT和像素電極，所述TFT包括柵極、源極和漏極;其中，所述源極或漏極與所述像素電極之間不設(shè)置其他材料層而直接接觸。
[0006]其中，所述像素電極設(shè)置在所述源極或漏極的表面上而形成直接接觸。
[0007]其中，所述像素電極與所述源極或漏極設(shè)置于同一層而直接接觸。
[0008]其中，所述像素電極與直接接觸的所述源極或漏極的材料均為透明導(dǎo)電薄膜。
[0009]其中，還包括覆蓋在所述源極、漏極以及所述像素電極上的配向?qū)印?br>[0010]其中，所述TFT還包括疊置在所述柵極上的柵絕緣層、溝道層，所述源極和漏極設(shè)置在所述溝道層上。
[0011]本申請第二方面提供一種顯示面板，包括以上所述的陣列基板。
[0012]本申請第三方面提供一種陣列基板的制作方法，包括:在基板上形成TFT，其中，所述TFT包括柵極、源極和漏極;在所述TFT的柵極或源極上形成像素電極，其中，所述源極或漏極與所述像素電極之間不設(shè)置其他材料層而直接接觸。
[0013]其中，所述在所述TFT的柵極或源極上形成像素電極的步驟包括:在所述源極或漏極的表面上形成像素電極;或者，在所述源極或漏極的同一層上形成像素電極。
[0014]其中，所述方法還包括:在所述源極、漏極以及所述像素電極上覆蓋配向?qū)印?br>[0015]上述方案中，陣列基板中的源極或漏極與像素電極之間不設(shè)置其他材料層而直接接觸，使得該源極或漏極與像素電極之間的阻值減小，在源極或漏極向像素電極寫入電信號時(shí)，加快了寫入速度，提高了充電電流，也提高了充電率。而且，由于本申請保證的一定充電率，故避免了現(xiàn)有由于充電率不足而引起的不良現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0016]圖1是本申請陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本申請陣列基板另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本申請陣列基板的制成方法一實(shí)施方式的流程圖；
[0019]圖4a是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成柵極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4b是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成柵絕緣層時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4c是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成溝道層時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4d是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成源極和漏極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4e是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成像素電極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4f是本申請陣列基板的制成方法另一實(shí)施例中形成配向?qū)訒r(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透徹理解本申請。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施方式中也可以實(shí)現(xiàn)本申請。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細(xì)說明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本申請的描述。
[0026]請參閱圖1，圖1是本申請陣列基板一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式中，陣列基板包括基板11以及設(shè)置在所述基板11之上的TFT12和像素電極13(可以理解的是，圖1僅示范性示出一個(gè)TFT和像素電極，但在實(shí)際應(yīng)用中，該陣列基板上設(shè)置有多個(gè)TFT和像素電極)。所述TFT 12包括柵極121、源極122和漏極123。其中，所述源極122或漏極123與所述像素電極13之間不設(shè)置其他材料層而直接接觸。由于源極122或漏極123與像素電極13直接接觸，而無需經(jīng)過導(dǎo)通孔，減小了源極和像素電極間的阻值，進(jìn)而可提高充電電流，提高充電率。
[0027]本實(shí)施例中，以源極122與像素電極13直接接觸為例進(jìn)行說明。
[0028]具體，該像素電極13可設(shè)置在源極122的表面上而形成直接接觸，例如圖1所示，該像素電極13沉積于該源極122的上表面，此時(shí)，當(dāng)源極122接收到數(shù)據(jù)線的信號時(shí)，直接通過源極的上表面寫入至像素電極13，提高了充電率。
[0029]當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，像素電極13與源極122還可設(shè)置于同一層，像素電極13與源極122的側(cè)面直接接觸，如圖2所示，圖2的其他結(jié)構(gòu)與圖1 一致，故不作贅述。此時(shí)，當(dāng)源極122接收到數(shù)據(jù)線的信號時(shí)，直接通過側(cè)面寫入至像素電極13，提高了充電率。
[0030]進(jìn)一步地，為增加像素電極的開口率，在該像素電極13還可與源極122的材料均為透明導(dǎo)電薄膜，如氧化銦錫(俗稱ΙΤ0)。即可理解為，該TFT不設(shè)置源極層，而直接設(shè)置像素電極層，該像素電極13既作為TFT的源極122，通過溝道層接收數(shù)據(jù)線的信號，同時(shí)也作為像素電極13，作用與液晶層上，使其產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示相應(yīng)灰階。
[0031]可以理解的是，除上述結(jié)構(gòu)外，源極122與像素電極13還可通過其他結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)直接接觸，在此不作限定。
[0032]優(yōu)選地，以上陣列基板實(shí)施例中，還可不設(shè)置鈍化層，而直接在源極122、漏極123以及像素電極13上設(shè)置配向?qū)?4。該配向?qū)?4替代現(xiàn)有陣列基板上的鈍化層，用于保護(hù)源極122、漏極123以及像素電極13不被氧化，而且，該配向?qū)?4也設(shè)置有配向方向，用于預(yù)傾角的固定。由于陣列基板無需設(shè)置鈍化層，故節(jié)省了材料以及光罩制程，也使陣列基板實(shí)現(xiàn)更輕薄化。
[0033]需要說明的是，對于配向?qū)?4設(shè)置在源極12