Tft陣列基板結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，如:液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)與彩色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]TFT陣列基板包括多條柵極線和數(shù)據(jù)線，相互垂直的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線形成了多個像素單元，且每個像素單元內(nèi)均設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)、像素電極及存儲電容等。TFT包括一柵極連接至柵極線，源極連接至數(shù)據(jù)線，漏極連接至像素電極。當(dāng)柵極線被驅(qū)動時(shí)，TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)，對應(yīng)的數(shù)據(jù)線送入灰階電壓信號并將其加載至像素電極，從而使得像素電極與公共電極之間產(chǎn)生相應(yīng)的電場，液晶層中的液晶分子則在電場的作用下發(fā)生取向變化，因此可以實(shí)現(xiàn)不同的圖像顯示。
[0005]存儲電容在TFT陣列基板中起到保持電位、及降低耦合電容分壓等重要作用?，F(xiàn)有的TFT陣列基板通常通過公共電極與像素電極的重疊部分來構(gòu)成存儲電容，存儲電容的存儲容量較小，無法滿足高品質(zhì)的顯示面板的需求，通過增大公共電極與像素電極的重疊部分的面積的方式來增大存儲電容容量，則會降低面板的開口率。
[0006]另外，現(xiàn)有的TFT陣列基板中設(shè)置有多個各自獨(dú)立的塊狀遮光層，僅起到遮擋TFT的半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域，防止因光電效應(yīng)導(dǎo)致溝道區(qū)域產(chǎn)生光生載流子造成TFT性能下降的作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，能夠在不降低開口率的前提下，增加存儲電容的容量，提升顯示器性能，提高產(chǎn)品競爭力。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上圖案化的金屬遮光層、覆蓋所述圖案化的金屬遮光層的第一絕緣層、設(shè)于所述第一絕緣層上的數(shù)個呈陣列式排布的TFT、覆蓋所述TFT的平坦層、設(shè)于所述平坦層上的公共電極、覆蓋所述公共電極的保護(hù)層、及設(shè)于所述保護(hù)層上的圖案化的像素電極；
[0009]所述TFT包括:設(shè)于所述第一絕緣層上的半導(dǎo)體層、覆蓋所述半導(dǎo)體層的柵極絕緣層、于所述半導(dǎo)體層上方設(shè)于所述柵極絕緣層上的柵極、設(shè)于所述柵極與柵極絕緣層上的層間介電層、以及設(shè)于所述層間介電層上的源極和漏極；
[0010]所述圖案化的金屬遮光層包括數(shù)個呈陣列式排布的金屬遮光塊、及連接相鄰兩金屬遮光塊的金屬窄條;一金屬遮光塊對應(yīng)設(shè)置于一半導(dǎo)體層的下方；
[0011]所述金屬遮光層與所述公共電極均接入公共電壓信號，所述像素電極與所述TFT的漏極相接觸；
[0012]針對每一TFT，所述像素電極與所述公共電極相對重疊的部分構(gòu)成第一存儲電容，所述金屬遮光層與所述漏極及像素電極相對重疊的部分構(gòu)成第二存儲電容，所述第一存儲電容與第二存儲電容并聯(lián)。
[0013]所述半導(dǎo)體層包括位于中間的多晶硅溝道區(qū)和位于兩端的接觸區(qū)，以及夾在多晶硅溝道區(qū)與接觸區(qū)之間的輕摻雜區(qū)。
[0014]—金屬遮光塊對應(yīng)遮擋一多晶娃溝道區(qū)。
[0015]所述源極和漏極分別通過貫穿層間介電層及柵極絕緣層的過孔與所述半導(dǎo)體層兩端的接觸區(qū)相接觸。
[0016]所述像素電極通過貫穿所述保護(hù)層、公共電極、及平坦層的過孔與所述漏極相接觸。
[0017]所述金屬遮光層的材料為鉬或鈦。
[0018]所述第一絕緣層包括自下而上層疊設(shè)置的第一氮化硅層、及第一氧化硅層。
[0019]所述層間介電層包括自下而上層疊設(shè)置的第二氧化硅層、及第二氮化硅層。
[0020]所述保護(hù)層的材料為氮化硅；
[0021]所述柵極的材料為鉬，所述源極和漏極的材料為兩層鉬夾一層鋁。
[0022]所述像素電極與公共電極的材料均為ITO。
[0023]所述襯底基板為玻璃基板。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，其圖案化的金屬遮光層包括數(shù)個呈陣列式排布的金屬遮光塊、及連接相鄰兩金屬遮光塊的金屬窄條，并將金屬遮光層與公共電極均接入公共電壓信號;針對每一TFT，由于像素電極與TFT的漏極相接觸，所述像素電極與所述公共電極相對重疊的部分構(gòu)成第一存儲電容，所述金屬遮光層與所述漏極及像素電極相對重疊的部分構(gòu)成第二存儲電容，所述第一存儲電容與第二存儲電容形成并聯(lián)關(guān)系，能夠增加存儲電容的容量;且由于金屬遮光層本來就是為遮光設(shè)計(jì)，本身就位于應(yīng)遮光的區(qū)域，對金屬遮光層的改進(jìn)不會影響開口率，從而實(shí)現(xiàn)了在不降低開口率的前提下增加存儲電容的容量，提升顯示面板的性能，提高產(chǎn)品競爭力。
【附圖說明】
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為本發(fā)明的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)中金屬遮光層的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0030]請同時(shí)參閱圖1與圖2，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，包括:襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上圖案化的金屬遮光層100、覆蓋所述圖案化的金屬遮光層100的第一絕緣層20、設(shè)于所述第一絕緣層20上的數(shù)個呈陣列式排布的TFT90、覆蓋所述TFT90的平坦層50、設(shè)于所述平坦層50上的公共電極60、覆蓋所述公共電極60的保護(hù)層70、及設(shè)于所述保護(hù)層70上的圖案化的像素電極80。
[0031]所述TFT90包括:設(shè)于所述第一絕緣層20上的半導(dǎo)體層94、覆蓋所述半導(dǎo)體層94的柵極絕緣層30、于所述半導(dǎo)體層94上方設(shè)于所述柵極絕緣層30上的柵極93、設(shè)于所述柵極93與柵極絕緣層30上的層間介電層40、以及設(shè)于所述層間介電層40上的源極91和漏極92。
[0032]所述圖案化的金屬遮光層100包括數(shù)個呈陣列式排布的金屬遮光塊101、及連接相鄰兩金屬遮光塊101的金屬窄條102，一金屬遮光塊101對應(yīng)設(shè)置于一半導(dǎo)體層94的下方。所述圖案化的金屬遮光層100通過對鉬或鈦等金屬膜層進(jìn)行蝕刻形成。
[0033]所述金屬遮光層100與所述公共電極60均接入公共電壓信號C0M，所述像素電極80與所述TFT90的漏極92相接觸，形成電性連接。
[0034]針對每一 TFT90，所述像素電極80與所述