Oled封裝結(jié)構(gòu)及oled顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及OLED顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting D1de，以下簡稱:0LED)因具備主動發(fā)光、溫度特性好、功耗小、響應(yīng)快、可彎曲、超輕薄和成本低等優(yōu)點，而被稱之為第三代夢幻顯示技術(shù)。目前，在全球廠商持續(xù)資金投入與技術(shù)研發(fā)的推動下，OLED平板顯示技術(shù)正趨向于量產(chǎn)技術(shù)日益成熟與市場需求高速增長階段。
[0003]OLED按照出光方向可以分為三種，S卩:底發(fā)射0LED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射0LED。底發(fā)射OLED是指光從基板射出的OLED，雙面發(fā)射OLED是指光同時從基板和器件頂部射出的OLED，頂發(fā)射OLED是指光從器件頂部射出的0LED。其中，頂發(fā)射OLED由于不受基板是否透光的影響，可有效提高顯示面板的開口率，拓展了基板上TFT電路的設(shè)計，豐富了電極材料的選擇，有利于器件與TFT電路的集成。由于OLED對水汽和氧氣非常敏感，滲入OLED內(nèi)的水汽和氧氣會腐蝕有機功能層及電極材料，嚴重影響器件壽命，因此為了延長器件壽命以及提高器件穩(wěn)定性，需要對OLED進行封裝處理以形成OLED封裝結(jié)構(gòu)，具體地，可在OLED上形成一阻隔層，該阻隔層可包括無機絕緣層和有機絕緣層，從而達到避免水汽和氧氣滲入OLED的目的。
[0004]頂發(fā)射OLED可以提高器件效率、窄化光譜和提高色純度，但往往具有微腔效應(yīng)。微腔效應(yīng)會使OLED的電致發(fā)光光譜隨觀測角度變化，導(dǎo)致OLED出現(xiàn)觀測角度依賴性問題。
[0005]然而傳統(tǒng)的OLED顯示器，特別是位于其中的電極和有機層，很容易因周圍環(huán)境中泄露進OLED顯示器中的氧氣和濕氣作用而使性能下降，嚴重影響OLED的使用壽命。如果將OLED顯示器內(nèi)的電極和有機層與周圍環(huán)境氣密式隔絕開，則OLED顯示器的壽命將顯著增加，但這種對發(fā)光顯示器進行氣密式密封的封接工藝很難達到理想要求，嚴重影響OLED的壽命O
[0006]此外，由于封裝蓋板與顯示基板的均為平面，在封裝過程中經(jīng)常因受力不均而引起封裝蓋板滑位和偏移，致使封裝精度無法得到保證，工人長時間調(diào)整導(dǎo)致封裝效率大大降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明正是基于以上一個或多個問題，提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及OLED顯示裝置。能夠提高封裝精度，避免水汽進入OLED器件中，提高產(chǎn)品壽命。
[0008]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括:基板、封裝蓋板、位于所述基板與封裝蓋板之間的OLED器件和封框，所述封裝蓋板上依次設(shè)有網(wǎng)格層和填充層；
所述封裝蓋板的封合面上對應(yīng)所述OLED器件的位置設(shè)有凹槽，所述凹槽內(nèi)部設(shè)有多個突起，相鄰?fù)黄鹬g設(shè)有吸水件；
所述基板的封合面上設(shè)有第一卡合件，所述封框上設(shè)有與所述第一卡合件相卡合的第二卡合件。
[0009]進一步的，所述網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，所述金屬包括:銀、鋁或者銀鋁混合物，所述介質(zhì)包括:二氧化硅或者氟化鎂。
[0010]進一步的，所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，所述填充層的材料包括:二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯。
[0011]進一步的，在所述封裝蓋板和所述網(wǎng)格層之間還設(shè)有鈍化層。
[0012]可選的，所述吸水件為干燥劑。
[0013]可選的，所述吸水件包括凸起的吸收塊，所述吸水塊表面設(shè)置有遇水放熱層。
[0014]進一步的，所述封框側(cè)壁設(shè)置有遇水放熱層。
[0015]進一步的，所述遇水放熱層為金屬鈉層或金屬鎂層。
[0016]進一步的，所述第一卡合件是截面為倒梯形的凹槽，所述第二卡合件是截面為倒梯形的凸起;或者，所述一卡合件是截面為倒三角形的凹槽，所述第二卡合件是截面為倒三角形的凸起。
[0017]本發(fā)明還提供一種OLED顯示裝置，包括上述任一所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。
[0018]本發(fā)明提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)及OLED顯示裝置，相較于現(xiàn)有技術(shù)，具有如下有益效果:
1、通過在封裝蓋板上設(shè)置阻隔層、網(wǎng)格層和填充層，阻隔層可有效阻隔水汽和氧氣，防止水汽和氧氣滲入OLED器件內(nèi)部，從而避免了水汽和氧氣腐蝕OLED器件的有機功能層和電極材料，提高了器件壽命。網(wǎng)格層和填充層共同作用，增強了 OLED器件的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向，從而降低了OLED器件因微腔效應(yīng)引起的觀測角度依賴性，提高了OLED器件的對比度。
[0019]2、在封裝蓋板的封合面上設(shè)置凹槽，并在凹槽內(nèi)設(shè)置多個突起，夠顯著提高封裝蓋板的抗震、抗壓能力，使本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)具有較高的機械強度。
[0020]3、在封裝蓋板的相鄰?fù)黄鹬g設(shè)置吸水件，能有效吸收透過封框進入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的水汽，提高密封性，提高OLED的使用壽命。
[0021]4、在基板的封合面上設(shè)有第一卡合件，所述封框上設(shè)有與所述第一卡合件相卡合的第二卡合件。通過第一卡合件和第二卡合件的配合可以很容易將基板和封裝蓋板精密對準(zhǔn)、貼合。能有效避免封裝過程中因受力不均而引起封裝蓋板滑位和偏移。有效保證了封裝精度。
【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是，如果不沖突，本發(fā)明實施例以及實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0024]實施例一本發(fā)明實施例一提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該OLED封裝結(jié)構(gòu)包括:基板1、封裝蓋板2、設(shè)置在基板I和封裝蓋板I之間的OLED器件3和封框4、設(shè)置在封裝蓋板2上的阻隔層21、網(wǎng)格層22和填充層23。
[0025]OLED器件3可包括:頂發(fā)射OLED或者雙面發(fā)射OLED。本實施例中，OLED器件3為頂發(fā)射OLEDt3OLED器件3可包括:陽極、有機發(fā)光層和陰極，其中，陽極形成于基板I之上，有機發(fā)光層形成于陽極之上，陰極形成于有機發(fā)光層之上。可選地，OLED器件3還可包括:有機功能層，具體地，該有機功能層包括:空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層中的一層或者多層。其中，空穴注入層、空穴傳輸層可以設(shè)置在陽極與有機發(fā)光層之間，電子傳輸層、電子注入層可以設(shè)置在有機發(fā)光層和陰極層之間。
[0026]優(yōu)選的，OLED器件3包括基板I上的陽極，在陽極的表面由下至上依次形成的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。
[0027]阻隔層21具有水氧阻擋功能，能夠阻擋水汽和氧氣滲入OLED器件3中，從而避免了水汽和氧氣與OLED器件3接觸。具體的，阻隔層21包括:無機絕緣層和位于無機絕緣層之上的有機絕緣層。無機絕緣層的材料可包括:氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物或者碳膜。例如:無機絕緣層的材料可以為:三氧化二鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(S1xNy)或者類金剛石。無機絕緣層的厚度可為:50nm至500nm，優(yōu)選為lOOnm。本發(fā)明中，阻隔層21還可以僅包括無機絕緣層，或者阻隔層2 I僅包括有機絕緣層。
[0028]填充層23填充于網(wǎng)格層22中的中空空間內(nèi)并覆蓋于網(wǎng)格層22之上。網(wǎng)格層22和填充層23是通過斜角入射沉積技術(shù)制備的。斜角入射沉積技術(shù)是指在真空中以傾斜角度將薄膜材料沉積在目標(biāo)基板上的技術(shù)，是制備光學(xué)薄膜的方法之一。當(dāng)蒸發(fā)源將蒸發(fā)物料相對基板法線以入射角α向目標(biāo)基板沉積時，在自我遮蔽效應(yīng)(self-shadowing effect)的作用下，蒸發(fā)物料優(yōu)先朝蒸氣注入的方向生長成帶空隙的薄膜納米柱狀結(jié)構(gòu)。蒸發(fā)物料的材料可包括:金屬、氧化物或者氟化物，例如，金屬可包括:Au、Ag、Co、Fe、Ni或者W，氧化物可包括:S12、Ti02或者ZrO2，氟化物可包括= MgF2。而且隨著蒸鍍過程入射角α的變化，薄膜納米柱狀結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生不同的空隙率，從而改變膜層的折射率分布，折射率的變化具有可連續(xù)性。斜角入射沉積生成的多孔性納米柱狀結(jié)構(gòu)折射率相對于自然材料具有更低的折射率，能夠接近空氣的折射率，有效減少反射，并且這種納米柱狀結(jié)構(gòu)也具備散射特性。
[0029]本發(fā)明中，網(wǎng)格層22和填充層23均是由斜向上生長的納米柱薄膜構(gòu)成。網(wǎng)格層22位于有機絕緣層之上，并位于填充層23的下方。網(wǎng)格層22呈網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，填充層23填充于網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的中空空間內(nèi)，并覆蓋于整個網(wǎng)格層22之上。網(wǎng)格層22可分布在襯底基板的像素單元的非發(fā)光區(qū)域。為使網(wǎng)格層22形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，可在網(wǎng)格層22的薄膜生長過程中使用圖形化了的掩膜板(Mask)遮擋以實現(xiàn)在網(wǎng)格層22上形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的圖案。網(wǎng)格層22由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，其中，金屬可包括:銀(Ag)、鋁(Al)或者銀鋁混合物，介質(zhì)可包括:二氧化硅(S12)、氟化鎂(MgF2)中的一種或者多種，其中，優(yōu)選地介質(zhì)采用二氧化硅(Si02)、氟化鎂(MgF2)中的一種。填充層23由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，該納米柱薄膜的折射率沿遠離網(wǎng)格層22的方向由大變小。這樣當(dāng)光從填充層23的折射率大的一側(cè)入射并從折射率小的一側(cè)出射的過程中，極大的減小了光發(fā)生全反射的幾率，從而增加了光的出射量。其中，氧化物可