一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法及裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本申請涉及光通信技術領域，尤其涉及一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法 及裝置。
【背景技術】
[0002] 光通信技術中，激光二極管(Laser Diode，LD)是光模塊上的主要部件。激光二極 管工作時，隨著溫度的變化，激光二極管的發(fā)光功率也會不斷變化，從而影響光模塊的光傳 輸性能。具體的，若需要激光二極管在不同溫度范圍內(nèi)，輸出的平均發(fā)光功率相同，激光二 極管工作的溫度越高，激光二極管的特性曲線的斜效率越小，所需要的偏置電流越大，調(diào)制 電流也越大。
[0003] 當激光二極管工作在正常溫度范圍內(nèi)時，激光二極管的發(fā)光功率會隨著偏置電流 的增大而增大。因此，光模塊中的控制芯片能夠確定在不同溫度下，將激光二極管的發(fā)光功 率維持在預先設置的功率值上所需的偏置電流(bias current)，從而可以通過調(diào)整自動功 率控制（automatic power control，APC)閉環(huán)電路的DAC(Digital-to_Analog Converter， 數(shù)模轉(zhuǎn)換器)寄存器中的DAC值，使得激光二極管的偏置電流為激光二極管的發(fā)光功率維持 在預先設置的功率值上所需的偏置電流，從而能夠在不同溫度下，將激光二極管的發(fā)光功 率維持在預先設置的功率值。
[0004] 然而，隨著溫度的增加，當激光二極管工作在高溫狀態(tài)下時，激光二極管的發(fā)光功 率并不會隨著偏置電流的增大而增大，而是趨于飽和狀態(tài)。當溫度變化導致激光二極管的 發(fā)光功率處于飽和狀態(tài)后，APC閉環(huán)電路通過增大偏置電流的方式并不能增大激光二極管 的發(fā)光功率。激光二極管的發(fā)光功率未增大反而會使得APC閉環(huán)電路會繼續(xù)增大偏置電流， 從而導致偏置電流過高，激光二極管停止發(fā)光。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本申請實施例提供一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法及裝置，用于解決現(xiàn) 有技術中溫度急劇變化或高溫條件下，APC閉環(huán)電路難以穩(wěn)定激光二極管的發(fā)光功率的問 題。
[0006] 本申請實施例提供一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法，包括：
[0007] 獲取當前激光二極管的環(huán)境溫度值；
[0008] 若確定所述環(huán)境溫度值大于第一預設溫度值，則根據(jù)所述環(huán)境溫度值以及所述第 一預設溫度值確定功率衰減值，并將第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC值減去所述功率衰減值，獲得第二 DAC值;所述第一 DAC值為所述環(huán)境溫度值大于第二預設溫度值且小于或等于所述第一預設 溫度值時，自動功率控制APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功率所采用的DAC值；
[0009] 將所述第二DAC值作為所述APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功率所采用 的DAC值。
[0010] 本申請實施例提供一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制裝置，該裝置包括：
[0011] 獲取單元，用于獲取當前激光二極管的環(huán)境溫度值；
[0012] 處理單元，用于若確定所述環(huán)境溫度值大于第一預設溫度值，則根據(jù)所述環(huán)境溫 度值以及所述第一預設溫度值確定功率衰減值，并將第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC值減去所述功率 衰減值，獲得第二DAC值;所述第一 DAC值為所述環(huán)境溫度值大于第二預設溫度值且小于或 等于所述第一預設溫度值時，自動功率控制APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功率 所采用的DAC值；
[0013] 控制單元，用于將所述第二DAC值作為所述APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā) 光功率所采用的DAC值。
[0014] 根據(jù)本申請實施例提供的方法，在確定當前激光二極管的環(huán)境溫度值大于第一預 設溫度值之后，根據(jù)所述環(huán)境溫度值以及所述第一預設溫度值將第一 DAC值衰減為第二DAC 值，然后將所述第二DAC值作為所述APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功率所采用的 DAC值，使得激光二極管工作時的發(fā)光功率值減小。由于本申請實施例中，環(huán)境溫度值大于 第二預設溫度值且小于或等于所述第一預設溫度值時，所述激光二極管的發(fā)光功率為第一 DAC值所對應的發(fā)光功率值，從而保證激光二極管在一定溫度條件下按照預設發(fā)光功率值 工作。同時，當環(huán)境溫度值大于第一預設溫度值之后，減小第一 DAC值，獲得第二DAC值，從而 減小激光二極管工作時的發(fā)光功率值，從而避免環(huán)境溫度值大于第一預設溫度值時導致的 激光二極管出現(xiàn)的光功率飽和，導致APC閉環(huán)電路不斷增大激光二極管的偏置電流，從而使 得激光二極管由于偏置電流過高而停止發(fā)光的問題。
【附圖說明】
[0015] 為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使 用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本 領域的普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0016] 圖1為不同溫度下激光二極管的發(fā)光功率隨著電流變化的特性曲線示意圖；
[0017] 圖2為本申請實施例提供的一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法流程示意 圖；
[0018] 圖3為本申請實施例提供的一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制方法流程圖；
[0019] 圖4為本申請實施例提供的一種光模塊中激光器發(fā)光功率的控制裝置結(jié)構(gòu)示意 圖。
【具體實施方式】
[0020] 為了使本申請的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本申請作進 一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部份實施例，而不是全部的實施 例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的 所有其它實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0021] 如圖1所示，為現(xiàn)有技術中，不同溫度下激光二極管的發(fā)光功率隨著電流變化的特 性曲線示意圖。圖1中，橫坐標為電流，縱坐標為發(fā)光功率。曲線101為激光二極管在溫度為 T1時的特性曲線，曲線102為激光二極管在溫度為T2 (Tl小于T2)時的特性曲線。其中，Pavc為 激光二極管的平均發(fā)光功率，PAVC^Po+Pi)/〗，其中，Po為激光二極管在發(fā)送數(shù)字信號"0"時 的發(fā)光功率，P1S激光二極管在發(fā)送數(shù)字信號"Γ時的發(fā)光功率。通過圖1中的曲線可知，當 激光二極管工作在正常溫度范圍內(nèi)時，激光二極管的發(fā)光功率會隨著偏置電流的增大而增 大。然而，隨著溫度的增加，當激光二極管工作在高溫狀態(tài)下時，激光二極管的發(fā)光功率并 不會隨著偏置電流的增大而增大，而是趨于飽和狀態(tài)。
[0022] 因此，在激光二極管的發(fā)光功率趨于飽和狀態(tài)時，如何使得激光二極管正常工作， 目前還沒有明確的解決方案。
[0023] 基于以上描述，如圖2所示，為本申請實施例提供一種光模塊中激光器發(fā)光功率的 控制方法流程示意圖，包括：
[0024]步驟201:獲取當前激光二極管的環(huán)境溫度值；
[0025]步驟202:若確定所述環(huán)境溫度值大于第一預設溫度值，則根據(jù)所述環(huán)境溫度值以 及所述第一預設溫度值確定功率衰減值，并將第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC值減去所述功率衰減值， 獲得第二DAC值;所述第一 DAC值為所述環(huán)境溫度值大于第二預設溫度值且小于或等于所述 第一預設溫度值時，自動功率控制APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功率所采用的 DAC 值；
[0026]步驟203:將所述第二DAC值作為所述APC閉環(huán)電路控制所述激光二極管的發(fā)光功 率所采用的DAC值。
[0027]步驟201中，可以通過多種方法獲取環(huán)境溫度，例如，可以通過位于光模塊的控制 芯片中的溫度傳感器測量當前控制芯片的溫度，然后由控制芯片讀取溫度傳感器測量得到 的溫度，并將讀取到的