一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，顯示基板包括襯底、形成于襯底的平坦層、電極層、位于電極層上的由親水材料制備的第一像素界定層、位于第一像素界定層背離襯底一側(cè)且由疏水材料制備的第二像素界定層，第一像素界定層以及第二像素界定層在電極層上形成多個(gè)像素區(qū)域，沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層朝向襯底的表面與電極層位于像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層的高度，由于第二像素界定層相對(duì)平坦層的高度下降，使得墨滴墨滴鋪展的同時(shí)能夠抑制墨滴攀爬，保證了墨滴在像素區(qū)內(nèi)形成均勻的薄膜，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域，有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)相對(duì)于發(fā)光二極管(LED)具有自發(fā)光、全固態(tài)、視角廣、亮度高、色彩艷、響應(yīng)快輕薄等優(yōu)點(diǎn)而被視為平板顯示領(lǐng)域的亮點(diǎn)，具有巨大的應(yīng)用前景。
[0003]目前，OLED的成膜方式只要有兩種方式:方式一，采用蒸鍍制程，該方法適用于小尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn)，現(xiàn)已應(yīng)用于量產(chǎn);方式二，采用溶液制程，該方法采用有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液進(jìn)行旋涂、噴墨打印、噴嘴涂覆法、絲網(wǎng)印刷，由于其低成本、高產(chǎn)能、易于實(shí)現(xiàn)大尺寸等優(yōu)點(diǎn)，是OLED技術(shù)中一個(gè)很有潛力的發(fā)展方向，而其中的噴墨打印由于其材料利用率較高、可實(shí)現(xiàn)大尺寸化，被認(rèn)為是大尺寸OLED實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的重要方式。
[0004]噴墨打印工藝需要預(yù)先在基板的電極上制作像素界定層(PDL)，以限定墨滴精確的流入指定的R/G/B亞像素區(qū)，墨滴需要在ITO像素內(nèi)充分鋪展，且又不溢出，一般TOL采用頂部表面能較小而底部表面能較大的雙功能材料，PDL頂部表面能小使得表層具備疏液性從而保證墨滴不會(huì)溢流，PDL底部表面能大使得底層具備一定的親液性，從而保證墨滴在ITO像素內(nèi)鋪展完全以避免墨滴在ITO像素鋪展不完全而產(chǎn)生的針孔漏電現(xiàn)象，但是目前PDL材料一般只能做到頂部表面很薄一層具備疏液性，而TOL材料下部大部分厚度均具備親液性，這樣由于墨滴在干燥過(guò)程中會(huì)沿著PDL親液層攀爬至疏液層高度形成邊緣厚，中間厚的不均勻薄膜，這種不均勻的薄膜容易導(dǎo)致器件像素內(nèi)發(fā)光不均勻，進(jìn)而影響器件的壽命表現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，該顯示基板在保證墨滴鋪展的同時(shí)能夠抑制墨滴攀爬，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]—種顯示基板，包括襯底、形成于所述襯底的平坦層、電極層、位于所述電極層上的由親水材料制備的第一像素界定層、位于第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)且由疏水材料制備的第二像素界定層，所述第一像素界定層以及所述第二像素界定層在所述電極層上形成多個(gè)像素區(qū)域，沿垂直于所述襯底的方向上，所述第二像素界定層朝向所述襯底的表面與所述電極層位于所述像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向所述襯底的表面之間的距離小于所述第一像素界定層的高度。
[0008]在上述顯示基板中，第一像素界定層、第二像素界定層限定墨滴流入指定的像素區(qū)，由于沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層的高度，相對(duì)于【背景技術(shù)】中的像素界定層，上述顯示基板中的第二像素界定層相對(duì)平坦層的高度下降，使得當(dāng)墨滴流入像素區(qū)內(nèi)時(shí)，墨滴在第一像素界定層限定的區(qū)域內(nèi)完全充分鋪展，且第二像素界定層能夠抑制墨滴的攀爬，避免墨滴在像素區(qū)內(nèi)發(fā)生溢流，保證了墨滴在像素區(qū)內(nèi)形成均勻的薄膜，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
[0009]優(yōu)選地，所述第一像素界定層背離所述襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及位于所述凸臺(tái)兩側(cè)的臺(tái)階面，所述第二像素界定層覆蓋所述凸臺(tái)的表面以及所述臺(tái)階面。
[0010]優(yōu)選地，在每一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)，所述電極層與所述平坦層之間設(shè)有墊高層。[0011 ]優(yōu)選地，用于制備所述第一像素界定層的親水材料為親水樹(shù)脂。
[0012]優(yōu)選地，用于制備所述第二像素界定層的疏水材料為氟樹(shù)脂。
[0013]一種顯示面板，包括上述任一技術(shù)方案所提供的顯示基板。
[0014]一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提供的顯示面板。
[0015]一種顯示基板的制備方法，包括:
[0016]在襯底上形成平坦層；
[0017]在平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形；
[0018]在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，其中，第一像素界定層由親液材料制備，第二像素界定層由疏水材料制備，第二像素界定層位于第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)，沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層的高度。
[0019]優(yōu)選地，所述在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括:
[0020]在電極圖形上形成第一像素界定層，在所述第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)形成第二像素界定層；
[0021]所述第一像素界定層向著所述襯底一側(cè)沉降以在所述襯底上形成有凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面。
[0022]優(yōu)選地，所述在平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形;在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括:
[0023]在平坦層上形成墊高層；
[0024]在墊高層以及平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形；
[0025]在電極圖形上形成第一像素界定層，在所述第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)形成第二像素界定層。
[0026]優(yōu)選地，所述電極圖形覆蓋所述墊高層，且所述電極圖形在所述平坦層上的投影面積大于所述墊高層在所述平坦層上的投影面積。
[0027]優(yōu)選地，所述墊高層的高度為0.l-10um，所述墊高層邊緣的圓角角度為10°-70°。
[0028]優(yōu)選地，所述墊高層的高度為0.5-1.5um。
[0029]優(yōu)選地，所述墊高層邊緣的圓角角度為30°-40°。
[0030]優(yōu)選地，沿垂直于所述電極圖形的方向上，所述第一像素界定層以及第二像素界定層的高度之和為0.1um-1OOum0
[0031]優(yōu)選地，所述第一像素界定層以及第二像素界定層的高度之和為0.5um-10umo
[0032]優(yōu)選地，所述在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括:
[0033]在電極圖形上形成第一像素界定層，且所述第一像素界定層背離所述襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面；
[0034]在所述第一像素界定層的凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面上形成所述第二像素界定層。
[0035]優(yōu)選地，沿垂直于所述電極圖形的方向上，所述第一像素界定層的高度為0.1-10um，所述第二像素界定層的厚度為0.5-10umo
【附圖說(shuō)明】
[0036]圖1為本發(fā)明提供的一種顯示基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明提供的一種顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3為本發(fā)明提供的一種顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4為本發(fā)明提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0041 ]如圖1、圖2以及圖3所示，一種顯示基板，包括襯底、形成于襯底的平坦層1、電極層
2、位于電極層2上的由親水材料制備的第一像素界定層3、位于第一像素界定層3背離襯底一側(cè)且由疏水材料制備的第二像素界定層4，第一像素界定層3以及第二像素界定層4在電極層2上形成多個(gè)像素區(qū)域，沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層4朝向襯底的表面與電極層2位于像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度。
[0042]在上述顯示基板中，第一像素界定層3、第二像素界定層4限定墨滴流入指定的像素區(qū)，由于沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層4朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層2朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度，相對(duì)于【背景技術(shù)】中的像素界定層，上述顯示基板中的第二像素界定層4相對(duì)平坦層I的高度下降，使得當(dāng)墨滴流入像素區(qū)內(nèi)時(shí)，墨滴在第一像素界定層3限定的區(qū)域內(nèi)完全充分鋪展，且第二像素界定層4能夠抑制墨滴的攀爬，避免墨滴在像素區(qū)內(nèi)發(fā)生溢流，保證了墨滴在像素區(qū)內(nèi)形成均勻的薄膜，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
[0043]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，如圖2以及圖3所示，第一像素界定層3背離襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及位于凸臺(tái)兩側(cè)的臺(tái)階面，第二像素界定層4覆蓋凸臺(tái)的表面以及臺(tái)階面，通過(guò)設(shè)置凸臺(tái)以及臺(tái)階面，使得位于臺(tái)階面上的第二像素界定層4的高度低于位于凸臺(tái)上的第一像素界定層3的高度，進(jìn)而使得沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層4朝向襯底的表面與電極層2位于像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度。
[0044]在上述顯示基板中，由于第一像素界定層3背離襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及位于凸臺(tái)兩側(cè)的側(cè)面，且第二像素界定層4覆蓋凸臺(tái)的表面以及臺(tái)階面，一方面保證了上述顯示基板中的第二像素界定層4相對(duì)平坦層I的高度下降，另一方面第一像素界定層3和第二像素界定層4的凸臺(tái)結(jié)構(gòu)使得墨滴第二像素界定層4能夠更好地抑制墨滴的攀爬，避免墨滴在像素區(qū)內(nèi)發(fā)生溢流。
[0045]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，如圖1所示，在每一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，電極層2與平坦層I之間設(shè)有墊高層5，通過(guò)在電極層2和平坦層I之間設(shè)置墊高層5，使得位于位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層2高度上移，進(jìn)而使得沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層4朝向襯底的表面與電極層2位于像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度，保證相對(duì)于【背景技術(shù)】中的像素界定層，上述顯示基板中的第二像素界定層4相對(duì)平坦層I的高度下降，使得墨滴鋪展的同時(shí)能夠抑制墨滴攀爬的高度，進(jìn)而增加薄膜內(nèi)像素的平坦性，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
[0046]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，用于制備第一像素界定層3的親水材料為親水樹(shù)脂，如硅氧化物，當(dāng)墨滴滴入或流入第一像素界定層3所限定的區(qū)域時(shí)，親水樹(shù)脂制備的第一像素界定層3可以起到拉平墨滴的作用，墨滴在第一像素界定層3限定的區(qū)域內(nèi)完全充分鋪展，避免由于墨滴鋪展不完全所導(dǎo)致的缺陷，從而改善發(fā)光質(zhì)量。
[0047]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，用于制備第二像素界定層4的疏水材料為氟樹(shù)脂，當(dāng)墨滴滴入或流入第二像素界定層4所限定的區(qū)域時(shí)，由于具有疏水性的第二像素界定層4位于具有親水性的第一像素界定層3上，二者的微觀排斥作用，會(huì)使得墨滴能夠在第一像素界定層3所限定的區(qū)域內(nèi)完全充分鋪展，而不會(huì)發(fā)生溢流，即不會(huì)流出像素區(qū)域，避免對(duì)顯示基板造成污染。
[0048]一種顯示面板，包括上述任一技術(shù)方案所提供的顯示基板，由于顯示基板的像素區(qū)域發(fā)光均勻性較好，器件的壽命較高，因此包含上述任一技術(shù)方案所提供的顯示基板的顯示面板的發(fā)光質(zhì)量較好，使用壽命較長(zhǎng)。
[0049]一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提供的顯示面板，由于顯示面板的發(fā)光質(zhì)量較好，使用壽命較長(zhǎng)，因此，包含上述技術(shù)方案所提供的顯示面板的顯示裝置的發(fā)光質(zhì)量較好，使用壽命較長(zhǎng)。
[0050]如圖4所示，一種顯示基板的制備方法，包括:
[0051 ] S401，在襯底上形成平坦層I;
[0052]S402，在平坦層I上形成電極層2，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形；
[0053]S403，在電極圖形上依次形成第一像素電極層2和第二像素電極層2，其中，第一像素界定層3由親液材料制備，第二像素界定層4由疏水材料制備，第二像素界定層4位于第一像素界定層3背離襯底一側(cè)，沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層4朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層2朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度。
[0054]在上述顯示基板的制備方法中，通過(guò)步驟S401在襯底上形成平坦層I，平坦層I通常為厚度l-20um，且平坦層I完完全覆蓋形成在平坦層I上的薄膜晶體管，然后利用曝光、顯影工藝在特定像素位置制備過(guò)孔，平坦層I在制備時(shí)需要保證其厚度需要大于第一像素界定層3和第二像素界定層4的厚度，從而保證后續(xù)第一像素界定層3和第二像素界定層4高度在平坦層I過(guò)孔區(qū)域厚度低于像素電極區(qū)域高度；通過(guò)步驟S402在平坦層I上形成電極圖形，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)不同，電極層2材料的選擇也不同，通常是ITO(二氧化銦)、Ag(銀)、N1(氧化鎳)、A1(鋁)、石墨烯等高功函的透明或半透明材料;通過(guò)步驟S403形成第一像素界定層3和第二像素界定層4，且使第二像素界定層4朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層2朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層3的高度，上述制備方法操作工藝簡(jiǎn)單，能夠較好地形成所需的顯示基板，通過(guò)上述制備方法制成的顯示基板在保證墨滴鋪展的同時(shí)能夠抑制墨滴攀爬，增加像素區(qū)域發(fā)光均勻性，提升器件的壽命。
[0055]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，在電極圖形上依次形成第一像素電極層2和第二像素電極層2，包括:
[0056]在電極圖形上形成第一像素界定層3，在第一像素界定層3背離襯底一側(cè)形成第二像素界定層4;
[0057]第一像素界定層3向著襯底一側(cè)沉降以在襯底上形成有凸臺(tái)以及圍繞于凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面。
[0058]在上述制備方法中，通過(guò)成膜、曝光、顯影、干燥等工藝在電極圖形上形成第一像素界定層3和第二像素界定層4，且保證第一像素界定層3背離襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及位于凸臺(tái)兩側(cè)的臺(tái)階面，第二像素界定層4覆蓋凸臺(tái)的表面以及臺(tái)階面;另外，為了使得第一像素界定層3和第二像素界定層4在平坦層I的過(guò)孔區(qū)沉降，第一像素界定層3和第二像素界定層4厚度之和需要小于平坦層I的過(guò)孔深度，沉降的高度可通過(guò)平坦層I的厚度調(diào)
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[0059]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，在平坦層I上形成電極層2，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形；在電極圖形上依次形成第一像素電極層2和第二像素電極層2，包括:
[0060]在平坦層I上形成墊高層5;
[0061]在墊高層5以及平坦層I上形成電極層2，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形；
[0062]在電極圖形上形成第一像素界定層3，在第一像素界定層3背離襯底一側(cè)形成第二像素界定層4。
[0063]在上述之輩方法中，在平坦層I上通過(guò)曝光顯影等圖案化工藝制備墊高層5，以實(shí)現(xiàn)電極曾與第一像素界定層3和第二像素界定層4的相對(duì)高度提升，在墊高層5的材料選擇是需要考慮墊高層5絕緣、平坦性好的需求，可選取光刻膠材料，也可以通過(guò)其它無(wú)機(jī)材料實(shí)現(xiàn)。
[0064]具體地，電極圖形覆蓋墊高層5，且電極圖形在平坦層I上的投影面積大于墊高層5在平坦層I上的投影面積，以避免電極層2的斷層。
[0065]具體地，墊高層5的高度為0.l-10um，墊高層5邊緣的圓角角度為10° -70°，墊高層5邊緣設(shè)有圓角以避免電極層2的斷層，墊高層5的高度可以為0.lum、lum、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、10um;墊高層5邊緣的圓角角度可以為 10°、20。、30。、40。、50。、60。、70。。
[0066]具體地，墊高層5的高度為0.5-1.5um，墊高層5的高度可以為0.5um、lum、1.5um。
[0067]具體地，墊高層5邊緣的圓角角度為30°-40°，墊高層5邊緣的圓角角度可以為30°、35。、40。ο
[0068]在上述制備方法的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選實(shí)施方式中，沿垂直于電極圖形的方向上，第一像素界定層3以及第二像素界定層4的高度之和為0.lum-lOOum，第一像素界定層3以及第二像素界定層4的高度之和可選0.lum、lum、10um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、10um0
[0069]具體地，第一像素界定層3以及第二像素界定層4的高度之和為0.5um-10um，第一像素界定層3以及第二像素界定層4的高度之和可選0.5um、lum、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、1um0
[0070]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，在電極圖形上依次形成第一像素電極層2和第二像素電極層2，包括:
[0071]在電極圖形上形成第一像素界定層3，且第一像素界定層3背離襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及圍繞于凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面；
[0072]在第一像素界定層3的凸臺(tái)以及圍繞于凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面上形成第二像素界定層4。
[0073]在上述制備方法中，通過(guò)常規(guī)構(gòu)圖工藝制備第一像素界定層3，第一像素界定層3背離襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及圍繞于凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面，然后在第一像素界定層3上面制備第二像素界定層4，第二像素界定層4覆蓋在第一像素界定層3的凸臺(tái)以及圍繞于凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面上。
[0074]具體地，沿垂直于電極圖形的方向上，第一像素界定層3的高度為0.Ι-lOum，第二像素界定層4的厚度為0.5-10um，第一像素界定層3的高度可選0.lum、lum、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、10um，第二像素界定層4的厚度為0.5um、lum、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、1um0
[0075]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示基板，包括襯底、形成于所述襯底的平坦層、電極層、位于所述電極層上的由親水材料制備的第一像素界定層、位于第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)且由疏水材料制備的第二像素界定層，所述第一像素界定層以及所述第二像素界定層在所述電極層上形成多個(gè)像素區(qū)域，其特征在于，沿垂直于所述襯底的方向上，所述第二像素界定層朝向所述襯底的表面與所述電極層位于所述像素區(qū)域內(nèi)的部位朝向所述襯底的表面之間的距離小于所述第一像素界定層的高度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一像素界定層背離所述襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及位于所述凸臺(tái)兩側(cè)的臺(tái)階面，所述第二像素界定層覆蓋所述凸臺(tái)的表面以及所述臺(tái)階面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，在每一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)，所述電極層與所述平坦層之間設(shè)有墊高層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，用于制備所述第一像素界定層的親水材料為親水樹(shù)脂。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，用于制備所述第二像素界定層的疏水材料為氟樹(shù)脂。6.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的顯示基板。7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的顯示面板。8.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底上形成平坦層； 在平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形； 在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，其中，第一像素界定層由親液材料制備，第二像素界定層由疏水材料制備，第二像素界定層位于第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)，沿垂直于襯底的方向上，第二像素界定層朝向襯底的表面與位于像素區(qū)域內(nèi)的電極層朝向襯底的表面之間的距離小于第一像素界定層的高度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括: 在電極圖形上形成第一像素界定層，在所述第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)形成第二像素界定層； 所述第一像素界定層向著所述襯底一側(cè)沉降以在所述襯底上形成有凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形;在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括: 在平坦層上形成墊高層； 在墊高層以及平坦層上形成電極層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成電極圖形； 在電極圖形上形成第一像素界定層，在所述第一像素界定層背離所述襯底一側(cè)形成第二像素界定層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述電極圖形覆蓋所述墊高層，且所述電極圖形在所述平坦層上的投影面積大于所述墊高層在所述平坦層上的投影面積。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述墊高層的高度為0.l-10um，所述墊高層邊緣的圓角角度為10°-70°。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述墊高層的高度為0.5-1.5um。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述墊高層邊緣的圓角角度為30°-40。。15.根據(jù)權(quán)利要求9-14任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，沿垂直于所述電極圖形的方向上，所述第一像素界定層以及第二像素界定層的高度之和為0.Ium-1OOum016.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述第一像素界定層以及第二像素界定層的高度之和為0.5um-10umo17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在電極圖形上依次形成第一像素電極層和第二像素電極層，包括: 在電極圖形上形成第一像素界定層，且所述第一像素界定層背離所述襯底的一側(cè)表面形成有凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面； 在所述第一像素界定層的凸臺(tái)以及圍繞于所述凸臺(tái)周邊的臺(tái)階面上形成所述第二像素界走層。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制備方法，其特征在于，沿垂直于所述電極圖形的方向上，所述第一像素界定層的高度為0.l-10um，所述第二像素界定層的厚度為0.5-10umo
【文檔編號(hào)】G09G3/3208GK105826358SQ201610348531
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月24日
【發(fā)明人】王輝鋒, 井口真介, 劉鳳娟
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司