Oled陣列基板及制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED陣列基板及制作方法、顯示裝置，屬于顯示器領(lǐng)域。所述OLED陣列基板包括基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管TFT陣列、設(shè)置在所述TFT陣列上的多個發(fā)光單元和多個隔墊物，所述隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間；所述OLED陣列基板還包括多個壓力傳感器，所述壓力傳感器設(shè)置在所述隔墊物和所述TFT陣列之間。本發(fā)明通過在隔墊物下設(shè)置壓力傳感器，當受到壓力后，隔墊物受到擠壓，從而對壓力傳感器產(chǎn)生擠壓，壓力傳感器受到擠壓產(chǎn)生感應(yīng)信號，從而實現(xiàn)壓力檢測，實現(xiàn)了不外接任何組件的前提下OLED的壓力感應(yīng)。
【專利說明】
OLED陣列基板及制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting D1de，簡稱0LED)陣列基板及制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]壓力感應(yīng)技術(shù)是指對外部受力能夠?qū)嵤┨綔y的技術(shù)，例如當用戶對顯示器進行按壓時，顯示器通過壓力感應(yīng)技術(shù)能夠準確檢測用戶的按壓操作。
[0003]目前，在顯示領(lǐng)域，壓力感應(yīng)主要通過外接組件的方式來實現(xiàn)。以O(shè)LED顯示器為例，實現(xiàn)壓力感應(yīng)的手段主要是通過在OLED顯示器上外接額外的具有壓力感應(yīng)功能的組件來實現(xiàn)，這種外接組件的方式會造成顯示器厚度變大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解在OLED顯示器上外接組件實現(xiàn)壓力感應(yīng)會造成顯示器厚度變大的問題，本發(fā)明實施例提供了一種OLED陣列基板及制作方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0005]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光器件OLED陣列基板，包括基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管TFT陣列、設(shè)置在所述TFT陣列上的多個發(fā)光單元和多個隔墊物，所述隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間;所述OLED陣列基板還包括多個壓力傳感器，所述壓力傳感器設(shè)置在所述隔墊物和所述TFT陣列之間。
[0006]在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，任意相鄰的兩個所述發(fā)光單元之間設(shè)有一個所述隔墊物，每個所述隔墊物下方設(shè)置有一個所述壓力傳感器。
[0007]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述壓力傳感器為納米壓電材料制成的壓力傳感器。
[0008]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述OLED陣列基板還包括:底面信號線和頂面信號線，所述底面信號線與所述壓力傳感器的底面連接，所述頂面信號線與所述壓力傳感器的頂面連接，所述壓力傳感器的底面為遠離所述隔墊物的一面，所述壓力傳感器的頂面為靠近所述隔墊物的一面。
[0009]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述底面信號線包括垂直交叉相連的第一底面信號線和第二底面信號線，所述第一底面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連，所述第二底面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連；
[0010]所述頂面信號線包括垂直交叉相連的第一頂面信號線和第二頂面信號線，所述第一頂面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連，所述第二頂面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連。
[0011]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述OLED陣列基板還包括檢測電路，所述檢測電路包括放大器、電容和開關(guān)，所述壓力傳感器與放大器的正相輸入端和反相輸入端電連接，所述電容兩端分別連接所述放大器的反相輸入端和輸出端，所述開關(guān)并聯(lián)在所述電容的兩端，所述放大器的正向輸入端還用于與基準電壓連接。
[0012]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述發(fā)光單元包括依次設(shè)置的陽極層、有機發(fā)光層和陰極層。
[0013]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括第一方面任一項所述的OLED陣列基板。
[0014]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種OLED陣列基板制作方法，所述方法包括:
[0015]提供一基板；
[0016]在所述基板上形成薄膜晶體管TFT陣列；
[0017]在所述TFT陣列上形成多個發(fā)光單元；
[0018]在所述TFT陣列上形成多個壓力傳感器和多個隔墊物，所述隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間，所述壓力傳感器設(shè)置在所述隔墊物和所述TFT陣列之間。
[0019]在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，任意相鄰的兩個所述發(fā)光單元之間設(shè)有一個所述隔墊物，每個所述隔墊物下方設(shè)置有一個所述壓力傳感器。
[0020]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述壓力傳感器采用納米壓電材料制成。[0021 ]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0022]在形成所述壓力傳感器之前，形成底面信號線，所述底面信號線與所述壓力傳感器的底面連接，所述壓力傳感器的底面為遠離所述隔墊物的一面；
[0023]在形成所述壓力傳感器之后，形成頂面信號線，所述頂面信號線與所述壓力傳感器的頂面連接，所述壓力傳感器的頂面為靠近所述隔墊物的一面。
[0024]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述形成底面信號線，包括:
[0025]形成垂直交叉相連的第一底面信號線和第二底面信號線，所述第一底面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連，所述第二底面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連；
[0026]所述形成頂面信號線，包括:
[0027]形成垂直交叉相連的第一頂面信號線和第二頂面信號線，所述第一頂面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連，所述第二頂面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連。
[0028]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，在所述TFT陣列上形成多個發(fā)光單元，包括:
[0029 ]依次形成陽極層、有機發(fā)光層和陰極層。
[0030]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0031]本發(fā)明通過在隔墊物下設(shè)置壓力傳感器，當受到壓力后，隔墊物受到擠壓，從而對壓力傳感器產(chǎn)生擠壓，壓力傳感器受到擠壓產(chǎn)生感應(yīng)信號，從而實現(xiàn)壓力檢測，實現(xiàn)了不外接任何組件的前提下OLED的壓力感應(yīng)。
【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2是圖1提供的OLED陣列基板的俯視圖；
[0035]圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖4是本發(fā)明實施例提供的檢測電路的電路圖；
[0037]圖5是本發(fā)明實施例提供的OLED陣列基板的詳細結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖6是圖5的OLED陣列基板中發(fā)光單元的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖7是本發(fā)明實施例提供的一種OLED陣列基板制作方法的流程圖；
[0040]圖8是本發(fā)明實施例提供的另一種OLED陣列基板制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0041]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0042]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是該OLED陣列基板的俯視圖，參見圖1和圖2，該OLED陣列基板包括基板100、設(shè)置在基板100上的薄膜晶體管TFT陣列110、設(shè)置在TFT陣列110上的多個發(fā)光單元120和多個隔墊物130，隔墊物130設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元120之間;OLED陣列基板還包括多個壓力傳感器140，壓力傳感器140設(shè)置在隔墊物130和TFT陣列110之間。
[0043]本發(fā)明通過在隔墊物下設(shè)置壓力傳感器，當受到壓力后，隔墊物受到擠壓，從而對壓力傳感器產(chǎn)生擠壓，壓力傳感器受到擠壓產(chǎn)生感應(yīng)信號，從而實現(xiàn)壓力檢測，實現(xiàn)了不外接任何組件的前提下OLED的壓力感應(yīng)。
[0044]其中，基板100也稱襯底基板，通常是透明的，可以是玻璃基板、塑料基板、硅基板等。
[0045]圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3提供的OLED陣列基板與圖1提供的OLED陣列基板相比，區(qū)別在于:任意相鄰的兩個發(fā)光單元120之間設(shè)有一個隔墊物130，每個隔墊物130下方設(shè)置有一個壓力傳感器140。這種設(shè)置方式使得壓力傳感器布置最多，壓力檢測精度高。
[0046]除圖3所示的這種設(shè)計方式外，隔墊物130和壓力傳感器140還可以按如下幾種方式設(shè)置:
[0047]只在部分相鄰的兩個發(fā)光單元120之間設(shè)有一個隔墊物130，每個隔墊物130下方設(shè)置有一個壓力傳感器140。
[0048]只在任意相鄰的兩個發(fā)光單元120之間設(shè)有一個隔墊物130，但只在部分隔墊物130下方設(shè)置有一個壓力傳感器140。
[0049]只在部分相鄰的兩個發(fā)光單元120之間設(shè)有一個隔墊物130，在部分隔墊物130下方設(shè)置有一個壓力傳感器140。
[0050]在圖1或圖3提供的OLED陣列基板中，壓力傳感器140可以為納米壓電材料制成的壓力傳感器。采用納米壓電材料制成的壓力傳感器，方便在OLED中制作，且壓力感應(yīng)性能好。
[0051 ] 其中，納米壓電材料包括但不限于氧化鋅ZnO、氮化鎵GaN、氮化銦InN和硫化鋅ZnS0
[0052]如圖3所示，OLED陣列基板還可以包括:底面信號線141和頂面信號線142，底面信號線141與壓力傳感器140的底面連接，頂面信號線142與壓力傳感器140的頂面連接，壓力傳感器140的底面為遠離隔墊物130的一面，壓力傳感器140的頂面為靠近隔墊物130的一面。由于壓力傳感器受到壓力后，會產(chǎn)生電荷極化，電子和空穴分離，分別聚集在上下表面，通過頂面信號線和底面信號線可以將壓力傳感器上下表面的產(chǎn)生的電荷傳輸出去，從而實現(xiàn)壓力檢測。
[0053]其中，底面信號線141和頂面信號線142可以為金屬線，例如鋁Al、銅Cu、鉬Mo、鈦T1、Cr鉻等金屬線。
[0054]具體地，底面信號線141可以包括垂直交叉相連的第一底面信號線141A和第二底面信號線141B，第一底面信號線141A與相鄰兩行發(fā)光單元120之間的壓力傳感器140的底面相連，第二底面信號線141B與相鄰兩列發(fā)光單元120之間的壓力傳感器140的底面相連；
[0055]頂面信號線142可以包括垂直交叉相連的第一頂面信號線142A和第二頂面信號線142B，第一頂面信號線142A與相鄰兩行發(fā)光單元120之間的壓力傳感器140的頂面相連，第二頂面信號線142B與相鄰兩列發(fā)光單元120之間的壓力傳感器140的頂面相連。
[0056]按上述方式布線，能夠?qū)⑺袎毫鞲衅鞯牡酌婧晚斆娣謩e連接，以實現(xiàn)壓力感應(yīng);且這種方式便于布線和制作。
[0057]如圖4所示，圖1或圖3提供的OLED陣列基板還可以包括檢測電路150，檢測電路150包括放大器151、電容152和開關(guān)153，壓力傳感器150與放大器151的正相輸入端和反相輸入端電連接，電容152兩端分別連接放大器151的反相輸入端和輸出端，開關(guān)153并聯(lián)在電容152的兩端，放大器151的正向輸入端還用于與基準電壓Vref連接。通過放大器的信號進行放大，然后存儲到電容中進行檢測，當檢測完成后通過開關(guān)釋放電容內(nèi)的電荷;檢測電路集成在基板上，方便制作。
[0058]其中，電容152的兩端可以與驅(qū)動電路上的電壓檢測元件電連接，從而將電容152的電壓轉(zhuǎn)化為壓力值。
[0059 ]其中，上述檢測電路150可以設(shè)置OLED陣列基板的外圍引線區(qū)域。
[0060]如圖5所示，圖1或圖3提供的OLED陣列基板中，發(fā)光單元120可以包括依次設(shè)置的陽極層121、有機發(fā)光層122和陰極層123。
[0061]如圖6所示，陽極層121包括陣列分布的多個陽極1210。
[0062]進一步地，TFT陣列110可以包括依次設(shè)置在基板100上的緩沖層111、有源層112、第一絕緣層113、第一柵極層114、第二絕緣層115、第二柵極層116、中間介電層117、源漏極層118和平坦層119。當然，圖5所示TFT陣列110的膜層順序僅為舉例，在實際應(yīng)用中TFT陣列110還可以按照其他順序設(shè)置，本發(fā)明對此不做限制。另外，上述TFT陣列110包括更多或者更少的膜層，只要能夠使其具有TFT對應(yīng)的功能即可。
[0063]如圖5所示，OLED陣列基板還包括像素定義層160，像素定義層160位于陽極層121上。
[0064]具體參見圖6，像素定義層160包括與多個具有一定間隔的像素定義單元，像素定義單元與陽極1210—一對應(yīng)，且每個像素定義單元在對應(yīng)的陽極1210上界定出一發(fā)光區(qū)域，有機發(fā)光層122位于所述發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
[0065]圖5和圖6所示的像素定義層160的位置僅為舉例，在其他實現(xiàn)方式中也可以先形成像素定義層160，再在像素定義層160上形成陽極層121。
[0066]在上述實施例中，基板101優(yōu)選為硅Si基板，TFT陣列110采用互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，簡稱CMOS)技術(shù)制成。米用CMOS技術(shù)制作TFT陣列110時，可以同時將檢測電路150制作在基板101上，從而方便檢測電路150的制作，
簡化制備工藝。
[0067]另外，由于Si基板上具有電壓，將檢測電路150制備在Si基板上，可以米用Si基板上的電壓作為檢測電路150的基準電壓，從而方便檢測電路150的布線。
[0068]其中，采用CMOS技術(shù)制成的TFT陣列包括PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域。PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域可以采用如下方式設(shè)計:PMOS區(qū)域為低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Si I icon，簡稱LTPS)TFT結(jié)構(gòu)，NMOS區(qū)域為像素TFT結(jié)構(gòu)，LTPSTFT結(jié)構(gòu)和像素TFT結(jié)構(gòu)的具體形式這里不再贅述。
[0069]在本發(fā)明實施例中，緩沖層111、第一絕緣層113、第二絕緣層115、中間介電層117、平坦層119、隔墊物130和像素定義層160均為絕緣層，絕緣層具體可以為氮化硅或氮氧化硅層。當然，上述絕緣層中的部分膜層，例如，平坦層119和像素定義層160也可以由有機材料制成，例如聚酰亞胺(PD、聚酰胺(PA)、壓克力樹脂、苯環(huán)丁烯(BCB)及苯酚樹脂中的至少一種。
[0070]在本發(fā)明實施例中，陽極層121和陰極層123可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)膜層。
[0071]在本發(fā)明實施例中，第一柵極層114、第二柵極層116和源漏極層118可以為金屬層，例如Al、Cu、Mo、T1、Cr等金屬層。
[0072]在本發(fā)明實施例中，有機發(fā)光層122包括但不限于依次設(shè)置的空穴注入子層、空穴傳輸子層、有機發(fā)光子層、電子傳輸子層和電子注入子層。
[0073]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括圖1?圖6任一圖提供的OLED陣列基板。
[0074]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0075]本發(fā)明通過在隔墊物下設(shè)置壓力傳感器，當受到壓力后，隔墊物受到擠壓，從而對壓力傳感器產(chǎn)生擠壓，壓力傳感器受到擠壓產(chǎn)生感應(yīng)信號，從而實現(xiàn)壓力檢測，實現(xiàn)了不外接任何組件的前提下OLED的壓力感應(yīng)。
[0076]圖7是本發(fā)明實施例提供的一種OLED陣列基板制作方法的流程圖，用于制作圖1所示的OLED陣列基板，參見圖7，該方法包括:
[0077]步驟301:提供一基板。
[0078]步驟302:在基板上形成薄膜晶體管TFT陣列。
[0079]步驟303:在TFT陣列上形成多個發(fā)光單元。
[0080]步驟304:在TFT陣列上形成多個壓力傳感器和多個隔墊物，隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間，壓力傳感器設(shè)置在隔墊物和TFT陣列之間。
[0081]本發(fā)明通過在隔墊物下設(shè)置壓力傳感器，當受到壓力后，隔墊物受到擠壓，從而對壓力傳感器產(chǎn)生擠壓，壓力傳感器受到擠壓產(chǎn)生感應(yīng)信號，從而實現(xiàn)壓力檢測，實現(xiàn)了不外接任何組件的前提下OLED的壓力感應(yīng)。
[0082]圖8是本發(fā)明實施例提供的另一種OLED陣列基板制作方法的流程圖，用于制作圖3所示的OLED陣列基板，參見圖8，該方法包括:
[0083]步驟401:提供一基板。
[0084]步驟402:在基板上形成薄膜晶體管TFT陣列。
[0085]其中，在基板上形成TFT陣列，包括:
[0086]依次設(shè)置在基板上制作緩沖層、有源層、第一絕緣層、第一柵極層、第二絕緣層、第二柵極層、中間介電層、源漏極層和平坦層。當然，這里TFT陣列的結(jié)構(gòu)僅為舉例，在實際應(yīng)用中TFT陣列還可以包括更多或者更少的膜層，只要能夠使其具有TFT對應(yīng)的功能即可。
[0087]在上述實施例中，基板可以是硅Si基板，TFT陣列采用CMOS技術(shù)制成。采用CMOS技術(shù)制作TFT陣列可以同時將檢測電路制作在基板上，從而方便制作。
[0088]步驟403:在TFT陣列上形成多個發(fā)光單元。
[0089]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，在TFT陣列上形成多個發(fā)光單元，包括:
[0090 ]依次形成陽極層、有機發(fā)光層和陰極層。
[0091]其中，陽極層包括陣列分布的多個陽極。
[0092]進一步地，該方法還包括:制作像素定義層，像素定義層位于陽極層上。具體地，像素定義層包括與多個具有一定間隔的像素定義單元，像素定義單元與陽極一一對應(yīng)，且每個像素定義單元在對應(yīng)的陽極上界定出一發(fā)光區(qū)域，有機發(fā)光層位于所述發(fā)光區(qū)域內(nèi)。
[0093]上述像素定義層的制作方式僅為舉例，在其他實現(xiàn)方式中也可以先形成像素定義層，再在像素定義層上形成陽極層。
[0094]步驟404:在TFT陣列上形成底面信號線。
[0095]具體地，底面信號線可以形成在前述像素定義層上。
[0096]步驟405:在底面信號線上形成多個壓力傳感器，底面信號線與壓力傳感器的底面連接，壓力傳感器的底面為遠離隔墊物的一面。
[0097]在步驟404中，形成底面信號線，包括:
[0098]形成垂直交叉相連的第一底面信號線和第二底面信號線，第一底面信號線與相鄰兩行發(fā)光單元之間的壓力傳感器的底面相連，第二底面信號線與相鄰兩列發(fā)光單元之間的壓力傳感器的底面相連。
[0099]按上述方式布線，能夠?qū)⑺袎毫鞲衅鞯牡酌婧晚斆娣謩e連接，以實現(xiàn)壓力感應(yīng);且這種方式便于布線和制作。
[0100]步驟406:在壓力傳感器上形成頂面信號線，頂面信號線與壓力傳感器的頂面連接，壓力傳感器的頂面為靠近隔墊物的一面。
[0101]由于壓力傳感器受到壓力后，會產(chǎn)生電荷極化，電子和空穴分離，分別聚集在上下表面，通過頂面信號線和底面信號線可以將壓力傳感器上下表面的產(chǎn)生的電荷傳輸出去，從而實現(xiàn)壓力檢測。
[0102]其中，形成頂面信號線，包括:
[0103]形成垂直交叉相連的第一頂面信號線和第二頂面信號線，第一頂面信號線與相鄰兩行發(fā)光單元之間的壓力傳感器的頂面相連，第二頂面信號線與相鄰兩列發(fā)光單元之間的壓力傳感器的頂面相連。
[0104]按上述方式布線，能夠?qū)⑺袎毫鞲衅鞯牡酌婧晚斆娣謩e連接，以實現(xiàn)壓力感應(yīng);且這種方式便于布線和制作。
[0105]步驟407:在頂面信號線上形成多個隔墊物，隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間，壓力傳感器設(shè)置在隔墊物和TFT陣列之間。
[0106]在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，任意相鄰的兩個發(fā)光單元之間設(shè)有一個隔墊物，每個隔墊物下方設(shè)置有一個壓力傳感器。這種設(shè)置方式使得壓力傳感器布置最多，壓力檢測精度高。
[0107]在本發(fā)明實施例中，壓力傳感器可以采用納米壓電材料制成。采用納米壓電材料制成的壓力傳感器，方便在OLED中制作，且壓力感應(yīng)性能好。
[0108]其中，納米壓電材料包括但不限于ZnO、GaN、InN和ZnS。
[0109]以上僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種有機電致發(fā)光器件OLED陣列基板，包括基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管TFT陣列、設(shè)置在所述TFT陣列上的多個發(fā)光單元和多個隔墊物，所述隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間；其特征在于，所述OLED陣列基板還包括多個壓力傳感器，所述壓力傳感器設(shè)置在所述隔墊物和所述TFT陣列之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，任意相鄰的兩個所述發(fā)光單元之間設(shè)有一個所述隔墊物，每個所述隔墊物下方設(shè)置有一個所述壓力傳感器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述壓力傳感器為納米壓電材料制成的壓力傳感器。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述OLED陣列基板還包括:底面信號線和頂面信號線，所述底面信號線與所述壓力傳感器的底面連接，所述頂面信號線與所述壓力傳感器的頂面連接，所述壓力傳感器的底面為遠離所述隔墊物的一面，所述壓力傳感器的頂面為靠近所述隔墊物的一面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述底面信號線包括垂直交叉相連的第一底面信號線和第二底面信號線，所述第一底面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連，所述第二底面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連； 所述頂面信號線包括垂直交叉相連的第一頂面信號線和第二頂面信號線，所述第一頂面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連，所述第二頂面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述OLED陣列基板還包括檢測電路，所述檢測電路包括放大器、電容和開關(guān)，所述壓力傳感器與放大器的正相輸入端和反相輸入端電連接，所述電容兩端分別連接所述放大器的反相輸入端和輸出端，所述開關(guān)并聯(lián)在所述電容的兩端，所述放大器的正向輸入端還用于與基準電壓連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述發(fā)光單元包括依次設(shè)置的陽極層、有機發(fā)光層和陰極層。8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任一項所述的OLED陣列基板。9.一種OLED陣列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成薄膜晶體管TFT陣列； 在所述TFT陣列上形成多個發(fā)光單元； 在所述TFT陣列上形成多個壓力傳感器和多個隔墊物，所述隔墊物設(shè)置在相鄰的發(fā)光單元之間，所述壓力傳感器設(shè)置在所述隔墊物和所述TFT陣列之間。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，任意相鄰的兩個所述發(fā)光單元之間設(shè)有一個所述隔墊物，每個所述隔墊物下方設(shè)置有一個所述壓力傳感器。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述壓力傳感器采用納米壓電材料制成。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成所述壓力傳感器之前，形成底面信號線，所述底面信號線與所述壓力傳感器的底面連接，所述壓力傳感器的底面為遠離所述隔墊物的一面； 在形成所述壓力傳感器之后，形成頂面信號線，所述頂面信號線與所述壓力傳感器的頂面連接，所述壓力傳感器的頂面為靠近所述隔墊物的一面。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成底面信號線，包括: 形成垂直交叉相連的第一底面信號線和第二底面信號線，所述第一底面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連，所述第二底面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的底面相連； 所述形成頂面信號線，包括: 形成垂直交叉相連的第一頂面信號線和第二頂面信號線，所述第一頂面信號線與相鄰兩行所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連，所述第二頂面信號線與相鄰兩列所述發(fā)光單元之間的所述壓力傳感器的頂面相連。14.根據(jù)權(quán)利要求9至13任一項所述的方法，其特征在于，在所述TFT陣列上形成多個發(fā)光單元，包括: 依次形成陽極層、有機發(fā)光層和陰極層。
【文檔編號】G06F3/041GK105826359SQ201610383486
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年6月1日
【發(fā)明人】丁小梁, 董學, 王海生, 陳小川, 劉英明, 楊盛際, 趙衛(wèi)杰, 劉偉, 李昌峰, 王鵬鵬
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司