一種氧化物晶體管的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氧化物晶體管的制造方法，包括以下步驟：在襯底上形成柵極層；在柵極層上形成二氧化硅層；在二氧化硅層上濺射氧化銦錫膜；涂正性光刻膠在氧化銦錫膜上光刻和刻蝕；剝離正性光刻膠；涂負性光刻膠在襯底背面曝光；在氧化銦錫膜上顯影；剝離負性光刻膠；在氧化銦錫膜上同時濺射氧化物晶體管薄膜和緩沖膜；涂正性光刻膠在氧化物晶體管薄膜和緩沖膜上顯影；在氧化物晶體管薄膜和緩沖膜上刻蝕；剝離正性光刻膠；對接觸過孔光刻和刻蝕；在源極層和漏極層上形成金屬電極。本發(fā)明柵極層和源極層間的電場、柵極層和漏極層間的電場不受氧化物晶體管薄膜的影響，柵極層和源極層間的電容、柵極層和漏極層間的電容的偏差大問題得到解決。
【專利說明】
-種氧化物晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，設(shè)及一種氧化物晶體管的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 氧化物晶體管在制造的過程中，通常把刻蝕防止膜制造為si〇2單膜或SiN ysi〇2 雙層膜結(jié)構(gòu)。但是氧氣等離子體在鍛膜過程中，氧化物晶體管薄膜會受到影響，而且氨氣流 入氧化物晶體管薄膜的可能性很高。同時，氧化物晶體管薄膜的柵極層和源極層、柵極層和 漏極層之間的電壓是負電壓的時候，即柵極層電壓比源極層和漏極層電壓低的情況下，闊 值電壓變化的問題很嚴重。人們提出了一種柵極層和源極層之間的電壓、柵極層和漏極層 之間的電壓不受氧化物晶體管薄膜影響的氧化物晶體管結(jié)構(gòu)，雖然運種樣氧化物晶體管結(jié) 構(gòu)使闊值電壓變化的問題得到解決，但是運種氧化物晶體管結(jié)構(gòu)會導致柵極層和源極層之 間的電容、柵極層和漏極層之間的電容的偏差大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能解決寄生電容偏差問題的氧化物 晶體管的制造方法。
[0004] 本發(fā)明提供了一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，包括W下步驟： 陽0化]步驟1，在襯底上形成柵極層；
[0006] 步驟2,在所述柵極層上形成二氧化娃層；
[0007] 步驟3,在所述二氧化娃層的上方瓣射氧化銅錫膜；
[0008] 步驟4,涂抹正性光刻膠，并在所述氧化銅錫膜上進行光刻；
[0009] 步驟5,在所述氧化銅錫膜上進行刻蝕；
[0010] 步驟6,剝離正性光刻膠；
[0011] 步驟7,涂抹負性光刻膠，并在所述襯底的背面進行曝光；
[0012] 步驟8,在所述氧化銅錫膜上顯影；
[0013] 步驟9,剝離負性光刻膠；
[0014] 步驟10,在所述氧化銅錫膜上同時瓣射氧化物晶體管薄膜和緩沖膜；
[0015] 步驟11，涂抹正性光刻膠，并在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上顯影；
[0016] 步驟12,在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上進行刻蝕；
[0017] 步驟13,剝離正性光刻膠；
[0018] 步驟14,對接觸過孔進行光刻和刻蝕；
[0019] 步驟15,在源極層和漏極層上形成金屬電極。
[0020] 作為本發(fā)明進一步的改進，所述氧化銅錫膜為結(jié)晶膜。
[0021] 優(yōu)選的，所述氧化銅錫膜的厚度為2〇oA。 W22] 作為本發(fā)明進一步的改進，所述氧化銅錫膜和所述柵極層的重疊長度為 0. 5 Um ~1 urn。
[0023] 作為本發(fā)明進一步的改進，所述緩沖膜為氧化鐵膜或氧化侶膜。
[0024] 本發(fā)明的有益效果為：柵極層和源極層之間的電場、柵極層和漏極層之間的電場 不受氧化物晶體管薄膜的影響，柵極層和源極層之間的電容、柵極層和漏極層之間的電容 的偏差大問題得到解決。
【附圖說明】
[00巧]圖1為本發(fā)明的一種氧化物晶體管的結(jié)構(gòu)圖。
[0026] 圖2為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟1的示意圖。
[0027] 圖3為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟2的示意圖。
[0028] 圖4為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟3的示意圖。
[0029] 圖5為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟4的示意圖。
[0030] 圖6為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟5的示意圖。
[0031] 圖7為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟6的示意圖。
[0032] 圖8為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟7的示意圖。
[0033] 圖9為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟8的示意圖。
[0034] 圖10為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟9的示意圖。
[0035] 圖11為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟10的示意圖。
[0036] 圖12為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟11的示意圖。
[0037] 圖13為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟12的示意圖。
[003引圖14為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟13的示意圖。
[0039] 圖15為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟14的示意圖。 W40] 圖16為本發(fā)明的一種氧化物晶體管制造方法中步驟15的示意圖。
[0041] 圖中，
[0042] 1、襯底；2、二氧化娃層；3、柵極層；4、氧化銅錫膜；5、氧化物晶體管薄膜；6、緩沖 膜；7、接觸過孔；8、負性光刻膠；9、金屬電極；10、正性光刻膠。
【具體實施方式】
[0043] 下面通過具體的實施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。 W44] 如圖1為本發(fā)明實施例一種氧化物晶體管。
[0045] 圖2-圖16為本發(fā)明實施例一種氧化物晶體管制造方法，包括W下步驟：
[0046] 步驟1，在襯底上形成柵極層；
[0047] 步驟2,在所述柵極層上形成二氧化娃層；
[0048] 步驟3,在所述二氧化娃層的上方瓣射氧化銅錫膜；
[0049] 步驟4,涂抹正性光刻膠，并在所述氧化銅錫膜上進行光刻；
[0050] 步驟5,在所述氧化銅錫膜上進行刻蝕；
[0051] 步驟6,剝離正性光刻膠；
[0052] 步驟7,涂抹負性光刻膠，并在所述襯底的背面進行曝光；
[0053] 步驟8,在所述氧化銅錫膜上顯影；
[0054] 步驟9,剝離負性光刻膠；
[0055] 步驟10,在所述氧化銅錫膜上同時瓣射氧化物晶體管薄膜和緩沖膜；
[0056] 步驟11，涂抹正性光刻膠，并在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上顯影；
[0057] 步驟12,在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上進行刻蝕；
[0058] 步驟13,剝離正性光刻膠；
[0059] 步驟14,對接觸過孔進行光刻和刻蝕；
[0060] 步驟15,在源極層和漏極層上形成金屬電極。
[0061] 本實施例中，氧化銅錫膜為高溫形成的結(jié)晶膜，氧化銅錫膜的厚度為200A，氧化 銅錫膜和所述柵極層的重疊長度為0. 5 y m~1 y m，緩沖膜為氧化鐵膜或氧化侶膜。
[0062] W上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可W有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，包括W下步驟： 步驟1，在襯底上形成柵極層； 步驟2,在所述柵極層上形成二氧化娃層； 步驟3,在所述二氧化娃層的上方瓣射氧化銅錫膜； 步驟4,涂抹正性光刻膠，并在所述氧化銅錫膜上進行光刻； 步驟5,在所述氧化銅錫膜上進行刻蝕； 步驟6,剝離正性光刻膠； 步驟7,涂抹負性光刻膠，并在所述襯底的背面進行曝光； 步驟8,在所述氧化銅錫膜上顯影； 步驟9,剝離負性光刻膠； 步驟10,在所述氧化銅錫膜上同時瓣射氧化物晶體管薄膜和緩沖膜； 步驟11，涂抹正性光刻膠，并在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上顯影； 步驟12,在所述氧化物晶體管薄膜和所述緩沖膜上進行刻蝕； 步驟13,剝離正性光刻膠； 步驟14,對接觸過孔進行光刻和刻蝕； 步驟15,在源極層和漏極層上形成金屬電極。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，所述氧化銅錫 膜為結(jié)晶膜。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，所述氧化銅 錫膜的厚度為200A。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，所述氧化銅錫 膜和所述柵極層的重疊長度為0. 5 μ m~1 μ m。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物晶體管的制造方法，其特征在于，所述緩沖膜為 氧化鐵膜或氧化侶膜。
【文檔編號】H01L21/34GK105845580SQ201510024459
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月17日
【發(fā)明人】李昌熙
【申請人】上海善星實業(yè)有限公司