一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法及系統(tǒng)。本發(fā)明通過獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量，根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。通過上述方式，本發(fā)明能夠準(zhǔn)確、快速確定蝕刻體系中不同酸的濃度值。
【專利說明】
-種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法及系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 在TFT的制造過程中，蝕刻是必不可少的步驟，蝕刻酸液濃度的控制對(duì)于柵極和 源、漏極蝕刻形狀的形成和蝕刻線寬的控制具有極其重要的意義。如對(duì)于位于整個(gè)TFT基板 最下層的柵極來說，蝕刻形狀的好壞對(duì)W后各層膜的生長(zhǎng)都有很大影響;對(duì)于源漏極來說， 酸濃度過高會(huì)造成過蝕刻，從而引起驅(qū)動(dòng)電流不足和顯示不良；酸濃度過低則會(huì)造成蝕刻 不足，引起開口率降低進(jìn)而導(dǎo)致亮度及對(duì)比度降低。
[0003] 在形成柵極和源、漏電極的蝕刻過程中，蝕刻酸液中的酸會(huì)不斷地消耗，酸的濃度 會(huì)逐漸降低，為避免W上蝕刻不良的發(fā)生，因而控制硝酸和醋酸的濃度精確至關(guān)重要。
[0004] 現(xiàn)有的蝕刻工藝中，一般是通過在線光學(xué)式濃度計(jì)對(duì)蝕刻體系中的酸液進(jìn)行濃度 測(cè)定，然后基于測(cè)定值對(duì)蝕刻體系酸液進(jìn)行補(bǔ)充。但是由于在線光學(xué)式濃度計(jì)是基于吸光 光度法進(jìn)行測(cè)量的，對(duì)于蝕刻過的酸液來說，體系中含有多種蝕刻產(chǎn)物，運(yùn)些蝕刻產(chǎn)物中也 有干擾吸收的物質(zhì)，因而使?jié)舛扔?jì)量測(cè)值大于實(shí)際理論值。隨著蝕刻片數(shù)的增加和酸液壽 命的延長(zhǎng)，蝕刻酸液中不斷增大的蝕刻產(chǎn)物造成的酸濃度偏差會(huì)越來越大，系統(tǒng)會(huì)誤認(rèn)為 酸濃度達(dá)標(biāo)而減小不同酸的補(bǔ)液量，嚴(yán)重影響蝕刻質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是如何準(zhǔn)確、快速確定蝕刻體系中不同酸的濃度值。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種蝕刻過程中酸濃 度的監(jiān)控方法，所述方法包括:獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量;根據(jù)所述產(chǎn)品數(shù)量和 已建立的對(duì)應(yīng)所述蝕刻體系的酸濃度變化模型，確定所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸 的濃度值，所述酸濃度變化模型用于表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化 關(guān)系。
[0007] 其中，所述獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量之前，還包括:分別獲取所述蝕刻 體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后，蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度值;根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W 及對(duì)應(yīng)的蝕刻所述產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度值，W所述產(chǎn)品數(shù)量為自變 量，所述不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)，建立所述酸濃度變化模型。
[000引其中，所述方法還包括:基于確定的所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度 值，對(duì)所述蝕刻體系所消耗的酸液進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕刻需求。
[0009] 其中，所述蝕刻酸液中不同酸分別為硝酸、憐酸和冰醋酸。
[0010] 且由_航冰懶、沈睛巧臘刑兩.
[0011]
[0012]
[0013] YHAc = a3Xxqi+b3Xxq2+c3Xxq3+. . .+k3Xx+m3;
[0014] 其中，除所述Yhn日3、Yh3p〇4、Yhag和X外，其余都為常數(shù)，且所述al、bl、cl和kl，a2、b2、 c2和42，日3、63、。3和43不同時(shí)為0。
[0015] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種蝕刻過程中酸 濃度的監(jiān)控系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括獲取模塊和確定模塊，其中：所述獲取模塊用于獲取蝕刻體 系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量;所述確定模塊用于根據(jù)所述產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)所述蝕刻 體系的酸濃度變化模型，確定所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，所述酸濃度 變化模型用于表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系。
[0016] 其中，所述系統(tǒng)還包括模型構(gòu)建模塊，其特征在于，其中：所述獲取模塊用于分別 獲取所述蝕刻體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后，蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度值;所述模型 構(gòu)建模塊用于根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W及對(duì)應(yīng)的蝕刻所述產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸液中的不同酸 的實(shí)際濃度值，W所述產(chǎn)品數(shù)量為自變量，所述不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)，建立所述酸濃 度變化模型。
[0017] 其中，所述系統(tǒng)還包括補(bǔ)液模塊，其中：所述補(bǔ)液模塊用于基于確定的所述蝕刻體 系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，對(duì)所述蝕刻體系所消耗的酸液進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕刻需 求。
[0018] 其中，所述蝕刻酸液中不同酸分別為硝酸、憐酸和醋酸。
[0019] 其中，所述酸濃度變化模型為：
[0020]
[0021]
[0022]
[002；3] 其中，除所述Yhn日3、Yh3p〇4、Yhag和X外，其余都為常數(shù)，且所述al、bl、cl和kl，a2、b2、 c2和42，日3、63、。3和43不同時(shí)為0。
[0024] 本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過獲取蝕刻體系當(dāng)前已 蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量，根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量 的變化關(guān)系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。從而可W 最大程度減少蝕刻體系中隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量增加而增多的蝕刻產(chǎn)物的干擾，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、快速 地在線測(cè)定和監(jiān)控蝕刻酸液中各酸的濃度，并及時(shí)進(jìn)行調(diào)整，為形成精準(zhǔn)的蝕刻形狀和穩(wěn) 定的蝕刻線寬提供保障。
【附圖說明】
[0025] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法的流程圖；
[0026] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的構(gòu)建模型的方法流程圖；
[0027] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種樣品的酸濃度隨蝕刻產(chǎn)品片數(shù)的變化關(guān)系示意 圖；
[0028] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 請(qǐng)參閱圖I，圖I是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法的流程 圖，如圖所示，本發(fā)明的蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法包括W下步驟：
[0030] SlOl:獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量。
[0031] 運(yùn)里的已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量為已蝕刻的TFT的個(gè)數(shù)。
[0032] S102:根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)蝕刻體系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系 當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。
[0033] 本發(fā)明實(shí)施例中，酸濃度變化模型是用于表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn) 品數(shù)量的變化關(guān)系的。運(yùn)里的不同酸，分別是指不同酸液中的硝酸、憐酸和冰醋酸。比如侶 蝕刻液中，初始酸的含量大概為硝酸（1.8 %~2.0 % )、憐酸(70~72 % )、冰醋酸(9.5 %~ 10.5%)，不同蝕刻體系所用酸的含量會(huì)有所不同。隨著蝕刻產(chǎn)品不斷增加，則蝕刻液中的 酸液會(huì)不斷消耗從而使得不同酸的濃度會(huì)不斷降低。
[0034] 其中，在步驟S102之前，本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括構(gòu)建模型的步驟。其中，請(qǐng)參 閱圖2,本發(fā)明實(shí)施例的構(gòu)建模型可W包括W下步驟：
[0035] S21:分別獲取蝕刻體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后，蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度 值。
[0036] 收集蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后的蝕刻混酸樣品，比如蝕刻A、A+N、A+2N、A+3N、A+4N…… 片后的蝕刻混酸樣品。采用離線電位滴定儀準(zhǔn)確量測(cè)混酸中各酸的實(shí)際濃度值。其中A為蝕 亥IJA片時(shí)取的第一個(gè)樣品，可根據(jù)實(shí)際蝕刻產(chǎn)品的類型和酸濃度的降低取值;N的取值可W 靈活多變，舉例來說，可W為50/100/200……等間隔，N取值越小捜集出來的數(shù)據(jù)越密集，擬 合出來的函數(shù)模型越接近實(shí)際。另外，為使擬合出來的函數(shù)模型更符合實(shí)際，可W多次取點(diǎn) 取樣量測(cè)，用多次取點(diǎn)量測(cè)的平均值來建立模型。
[0037] S22:根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W及對(duì)應(yīng)的蝕刻產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸液中的不同酸的實(shí) 際濃度值，W產(chǎn)品數(shù)量為自變量，不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)，建立酸濃度變化模型。
[0038] W當(dāng)前蝕刻的產(chǎn)品片數(shù)為自變量，當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)， 分別構(gòu)建不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品片數(shù)之間的函數(shù)模型。其中，其中一種樣品的酸濃度隨 蝕刻產(chǎn)品片數(shù)的變化關(guān)系示意圖可參閱圖3。
[0039] 其中，通過本發(fā)明的上述方法構(gòu)建得到的不同酸的函數(shù)模型(YHN03、化3P04、YhAC分別 代表硝酸、憐酸和冰醋酸的濃度)分別為：
[0040]
[0041]
[0042]
[00創(chuàng)其中，除所述Yhn日3、￥113。日4、￥直和義外，其余都為常數(shù)，且日1、61、(3巧化1，日2、62、。2和 k2，曰3、63、。3和1<:3不同時(shí)為0。
[0044] 通過W上函數(shù)模型，可W獲取蝕刻任意片數(shù)后蝕刻酸液中不同酸的實(shí)際濃度值。
[0045] 在獲取到蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量后，將產(chǎn)品數(shù)量導(dǎo)入酸濃度變化模型 內(nèi)，即可根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)蝕刻體系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系當(dāng)前蝕 刻酸液中不同酸的濃度值。
[0046] 后續(xù)可W定期對(duì)函數(shù)模型進(jìn)行確認(rèn)和修正，W便通過模型確定的酸的濃度值更接 近于實(shí)際值。
[0047] 另外，在確定了不同酸的濃度值后，對(duì)蝕刻體系所消耗的酸液進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕 刻需求。也就是說，對(duì)蝕刻產(chǎn)品后的酸液進(jìn)行補(bǔ)充到目標(biāo)濃度后再進(jìn)行下一次的蝕刻，從而 避免因酸濃度降低而影響蝕刻效果。
[0048] 本發(fā)明上述實(shí)施例中的蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法，通過獲取蝕刻體系當(dāng)前已 蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量，根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量 的變化關(guān)系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。從而可W 最大程度減少蝕刻體系中隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量增加而增多的蝕刻產(chǎn)物的干擾，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、快速 地在線測(cè)定和監(jiān)控蝕刻酸液中各酸的濃度，并及時(shí)進(jìn)行調(diào)整，為形成精準(zhǔn)的蝕刻形狀和穩(wěn) 定的蝕刻線寬提供保障。
[0049] 同時(shí)，本發(fā)明能順應(yīng)TFT行業(yè)資源充分高效利用的潮流，可在排除蝕刻產(chǎn)物干擾的 前提下，大大延長(zhǎng)蝕刻液液藥液的使用壽命，達(dá)到節(jié)約資源和藥液降低成本的目的。
[0050] 請(qǐng)參閱圖4,圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 示意圖，本實(shí)施例的監(jiān)控系統(tǒng)用于執(zhí)行上述圖1-圖2所示實(shí)施例的方法，如圖所示，本實(shí)施 例的監(jiān)控系統(tǒng)100包括獲取模塊11W及確定模塊12,其中：
[0051] 獲取模塊11用于獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量。
[0052] 運(yùn)里的已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量為已蝕刻的TFT的個(gè)數(shù)。
[0053] 確定模塊12用于根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)蝕刻體系的酸濃度變化模型，確定 蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，酸濃度變化模型用于表征蝕刻酸液中不同酸的 濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例中，酸濃度變化模型是用于表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn) 品數(shù)量的變化關(guān)系的。運(yùn)里的不同酸，分別是指不同酸液中的硝酸、憐酸和冰醋酸。比如侶 蝕刻液中，初始酸的含量大概為硝酸（1.8 %~2.0 % )、憐酸(70~72 % )、冰醋酸(9.5 %~ 10.5%)，不同蝕刻體系所用酸的含量會(huì)有所不同。隨著蝕刻產(chǎn)品不斷增加，則蝕刻液中的 酸液會(huì)不斷消耗從而使得不同酸的濃度會(huì)不斷降低。
[0055] 其中，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4,本發(fā)明實(shí)施例的監(jiān)控系統(tǒng)100還包括模型構(gòu)建模塊13,其 中，模型構(gòu)建模塊13用于構(gòu)建上述酸濃度變化模型。
[0056] 其中，本實(shí)施例中的獲取模塊11還用于分別獲取蝕刻體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量 后，蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度值。
[0057] 獲取模塊11具體用于收集蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后的蝕刻混酸樣品，比如蝕刻A、A+N、 A+2N、A+3N、A+4N……片后的蝕刻混酸樣品。采用離線電位滴定儀準(zhǔn)確量測(cè)混酸中各酸的實(shí) 際濃度值。其中A為蝕刻A片時(shí)取的第一個(gè)樣品，可根據(jù)實(shí)際蝕刻產(chǎn)品的類型和酸濃度的降 低取值;N的取值可W靈活多變，舉例來說，可W為50/100/200……等間隔，N取值越小捜集 出來的數(shù)據(jù)越密集，擬合出來的函數(shù)模型越接近實(shí)際。另外，為使擬合出來的函數(shù)模型更符 合實(shí)際，可W多次取點(diǎn)取樣量測(cè)，用多次取點(diǎn)量測(cè)的平均值來建立模型。
[0058] 模型構(gòu)建模塊13用于根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W及對(duì)應(yīng)的蝕刻產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸液 中的不同酸的實(shí)際濃度值，W產(chǎn)品數(shù)量為自變量，不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)，建立酸濃度 變化模型。
[0059] 模型構(gòu)建模塊13W當(dāng)前蝕刻的產(chǎn)品片數(shù)為自變量，當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的實(shí)際 濃度值為函數(shù)，分別構(gòu)建不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品片數(shù)之間的函數(shù)模型。
[0060]其中，通過本發(fā)明的上述方法構(gòu)建得到的不同酸的函數(shù)模型(YHN03、化3P04、YhAC分別 代表碑踰-磯踰前7水鵬踰的沈麼'I A功I責(zé).
[0061
[0062
[0063
[0064] 其中，除所述Yhn日3、￥113。日4、￥直和義外，其余都為常數(shù)，且日1、61、(3巧化1，日2、62、。2和 k2，曰3、63、。3和1<:3不同時(shí)為0。
[0065] 通過W上函數(shù)模型，可W獲取蝕刻任意片數(shù)后蝕刻酸液中不同酸的實(shí)際濃度值。
[0066] 在獲取到蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量后，確定模塊12將產(chǎn)品數(shù)量導(dǎo)入酸濃度 變化模型內(nèi)，即可根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)蝕刻體系的酸濃度模型，確定蝕刻體系當(dāng) 前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。
[0067] 另外，模型構(gòu)建模塊13后續(xù)可W定期對(duì)函數(shù)模型進(jìn)行確認(rèn)和修正，W便通過模型 確定的酸的濃度值更接近于實(shí)際值。
[0068] 另外，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4,本實(shí)施例的系統(tǒng)100還可W進(jìn)一步包括補(bǔ)液模塊14,補(bǔ)液模 塊14用于基于確定的蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，對(duì)蝕刻體系所消耗的酸液 進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕刻需求。
[0069] 補(bǔ)液模塊14用于在確定了不同酸的濃度值后，對(duì)蝕刻體系所消耗的酸液進(jìn)行補(bǔ)充 W滿足蝕刻需求。也就是說，對(duì)蝕刻產(chǎn)品后的酸液進(jìn)行補(bǔ)充到目標(biāo)濃度后再進(jìn)行下一次的 蝕刻，從而避免因酸濃度降低而影響蝕刻效果。
[0070] 上述本發(fā)明實(shí)施例提供的蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法及系統(tǒng)，通過獲取蝕刻體 系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量，根據(jù)產(chǎn)品數(shù)量和已建立的表征蝕刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻 產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系的酸濃度變化模型，確定蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值。 通過本發(fā)明的方法，能克服蝕刻體系中不斷增大的蝕刻產(chǎn)物的干擾，準(zhǔn)確、快速地在線測(cè)定 和監(jiān)控侶蝕刻液混酸中各酸濃度，從而及時(shí)補(bǔ)充消耗的硝酸和醋酸用量。對(duì)于柵極和源、漏 極蝕刻速度的調(diào)整，W及良好蝕刻形狀的形成和穩(wěn)定蝕刻線寬的控制，具有重大意義。
[0071] 在本發(fā)明所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所掲露的系統(tǒng)，裝置和方法，可W 通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，W上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述模塊或 單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可W有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元 或組件可W結(jié)合或者可W集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可W忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所 顯示或討論的相互之間的禪合或直接禪合或通信連接可W是通過一些接口，裝置或單元的 間接禪合或通信連接，可W是電性，機(jī)械或其它的形式。
[0072] 所述作為分離部件說明的單元可W是或者也可W不是物理上分開的，作為單元顯 示的部件可W是或者也可W不是物理單元，即可W位于一個(gè)地方，或者也可W分布到多個(gè) 網(wǎng)絡(luò)單元上。可W根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目 的。
[0073] 另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可W集成在一個(gè)處理單元中，也可W 是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可W兩個(gè)或兩個(gè)W上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單 元既可W采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可W采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0074] 所述集成的單元如果W軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用 時(shí)，可W存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于運(yùn)樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上 或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可WW軟件產(chǎn)品的形式 體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用W使得一臺(tái)計(jì)算機(jī) 設(shè)備(可W是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)或處理器(processor)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè) 實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器 (ROM,Read-Only Memoir)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM,Random Access Memoir)、磁碟或者光盤 等各種可W存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0075] W上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā) 明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技 術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量； 根據(jù)所述產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)所述蝕刻體系的酸濃度變化模型，確定所述蝕刻體 系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，所述酸濃度變化模型用于表征蝕刻酸液中不同酸的濃 度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量 之前，還包括： 分別獲取所述蝕刻體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后，蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃度值； 根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W及對(duì)應(yīng)的蝕刻所述產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸液中的不同酸的實(shí)際濃 度值，W所述產(chǎn)品數(shù)量為自變量，所述不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)，建立所述酸濃度變化模 型。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 基于確定的所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，對(duì)所述蝕刻體系所消耗的 酸液進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕刻需求。4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述蝕刻酸液中不同酸分別為硝 酸、憐酸和冰醋酸。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述酸濃度變化模型為：其中，除所述Yhn日3、Yh3P(m、Yhag和X外，其余都為常數(shù)，且所述al、bl、cl和41，日2、62、〇2和 1^2，曰3、63、。3和43不同時(shí)為0。6. -種蝕刻過程中酸濃度的監(jiān)控系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括獲取模塊和確定模 塊，其中： 所述獲取模塊用于獲取蝕刻體系當(dāng)前已蝕刻的產(chǎn)品數(shù)量； 所述確定模塊用于根據(jù)所述產(chǎn)品數(shù)量和已建立的對(duì)應(yīng)所述蝕刻體系的酸濃度變化模 型，確定所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，所述酸濃度變化模型用于表征蝕 刻酸液中不同酸的濃度隨蝕刻產(chǎn)品數(shù)量的變化關(guān)系。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括模型構(gòu)建模塊，其特征在 于，其中： 所述獲取模塊用于分別獲取所述蝕刻體系在蝕刻不同產(chǎn)品數(shù)量后，蝕刻酸液中的不同 酸的實(shí)際濃度值； 所述模型構(gòu)建模塊用于根據(jù)獲取的產(chǎn)品數(shù)量W及對(duì)應(yīng)的蝕刻所述產(chǎn)品數(shù)量后蝕刻酸 液中的不同酸的實(shí)際濃度值，W所述產(chǎn)品數(shù)量為自變量，所述不同酸的實(shí)際濃度值為函數(shù)， 建立所述酸濃度變化模型。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括補(bǔ)液模塊，其中： 所述補(bǔ)液模塊用于基于確定的所述蝕刻體系當(dāng)前蝕刻酸液中不同酸的濃度值，對(duì)所述 蝕刻體系所消耗的酸液進(jìn)行補(bǔ)充W滿足蝕刻需求。9. 根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述蝕刻酸液中不同酸分別為硝 酸、憐酸和醋酸。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述酸濃度變化模型為：其中，除所述Yhn日3、Yh3P(m、Yhag和X外，其余都為常數(shù)，且所述al、bl、cl和41，日2、62、〇2和 1^2，曰3、63、。3和43不同時(shí)為0。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK105845604SQ201610137969
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月10日
【發(fā)明人】徐蕊
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司