電子封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種電子封裝結(jié)構(gòu)，包括：一絕緣層、一埋設(shè)于該絕緣層中且具有外露于該絕緣層的感應(yīng)區(qū)的電子元件、以及設(shè)于該絕緣層上并電性連接該電子元件的一第一線路層，藉以降低整體結(jié)構(gòu)封裝的厚度。
【專利說明】
電子封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種能薄型化的電子封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)，現(xiàn)今的電子產(chǎn)品已趨向輕薄短小與功能多樣化的方向設(shè)計(jì)，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也隨之開發(fā)出不同的封裝型態(tài)。
[0003]目前應(yīng)用于感測器元件或相機(jī)鏡頭的電子元件大都仍采用打線(Wirebonding)封裝型式、或晶片直接板上封裝(Chip On Board，簡稱COB)型式。
[0004]如圖1A所示，現(xiàn)有打線型封裝結(jié)構(gòu)I包括:一基板10、一電子元件13以及一封裝膠體18。
[0005]所述的基板10于上、下側(cè)設(shè)有第一線路層11與第二線路層12，且通過形成于其中的通孔或盲孔型導(dǎo)電體14電性連接該第一與第二線路層11，12，并于上、下側(cè)形成第一絕緣保護(hù)層16與第二絕緣保護(hù)層17，以令部分該第一與第二線路層11，12外露于該第一與第二絕緣保護(hù)層16，17，且令多個(gè)導(dǎo)電元件15形成于該第二線路層12上。
[0006]所述的電子元件13為感測器元件，其形成于該基板10上側(cè)并通過多個(gè)金線130電性連接該第一線路層11，且該電子元件13的上表面具有一感應(yīng)區(qū)131以作為指紋辨識之用。
[0007]所述的封裝膠體18形成于該基板10上側(cè)并包覆該電子元件13與多個(gè)金線130。
[0008]于現(xiàn)有打線型封裝結(jié)構(gòu)I中，該封裝膠體18覆蓋該感應(yīng)區(qū)131上的有效感應(yīng)的厚度d需極薄(否則無法感測)，因而需極高的精度。
[0009]然而，該金線130具有一定的拉高線弧，且模封制程需具有足夠高度以使該封裝膠體18均勻覆蓋該電子元件13，導(dǎo)致難以控制該封裝膠體18的極薄厚度，以致于該打線型封裝結(jié)構(gòu)I無法達(dá)到薄化的需求。
[0010]圖1B為現(xiàn)有COB型封裝結(jié)構(gòu)I’的剖面示意圖。如圖1B所示，該COB型封裝結(jié)構(gòu)I’包括:一基板10’、一相機(jī)鏡頭的IC電子元件13、一透光件19以及一封裝膠體18，且該基板10’可參考圖1A所示的構(gòu)造。
[0011]所述的電子元件13形成于該基板10’上側(cè)并通過多個(gè)金線130電性連接該基板10’，且該電子元件13的上表面具有一感應(yīng)區(qū)131以作為光感應(yīng)之用。
[0012]所述的透光件19通過多個(gè)支撐件190形成于該電子元件13的上表面并遮蓋該感應(yīng)區(qū)131。
[0013]所述的封裝膠體18為非透光材，其形成于該基板10上側(cè)并包覆該透光件19、電子元件13與多個(gè)金線130，且該透光件19的上表面外露于該封裝膠體18。
[0014]于現(xiàn)有COB型封裝結(jié)構(gòu)I’中，相機(jī)鏡頭需薄型化。惟，該電子元件13需粘貼于該基板10’上，且該透光件19需通過多個(gè)支撐件190設(shè)于該電子元件13上，使得該COB型封裝結(jié)構(gòu)I’的整體厚度不易薄型化。
[0015]為了解決上述問題，遂有應(yīng)用半導(dǎo)體的娃穿孔(Through Silicon Via，簡稱TSV)技術(shù)進(jìn)行封裝。如圖1C所示，現(xiàn)有光感應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)I”包括:一硅基板10”以及一透光件19，。
[0016]所述的硅基板10”于上、下側(cè)設(shè)有第一線路層11與第二線路層12，且通過形成于其中的導(dǎo)電硅穿孔100電性連接該第一線路層11與第二線路層12，并于上側(cè)形成感應(yīng)區(qū)131，而下側(cè)形成絕緣保護(hù)層17’，以令部分該第二線路層12外露于該絕緣保護(hù)層17’，且令多個(gè)導(dǎo)電元件15形成于該第二線路層12的外露表面上。
[0017]所述的透光件19’通過粘著層190’形成于該硅基板10”上側(cè)并遮蓋該感應(yīng)區(qū)131。
[0018]然而，現(xiàn)有光感應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)I”中，因制作導(dǎo)電硅穿孔100的成本昂貴、整合難度高、技術(shù)難度高，尤其是應(yīng)用于感測器元件或相機(jī)鏡頭的電子元件均為高成本。
[0019]因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明為提供一種電子封裝結(jié)構(gòu)，藉以降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。
[0021]本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)包括:一絕緣層，其具有相對的第一表面與第二表面；一電子元件，其埋設(shè)于該絕緣層中，且具有外露于該絕緣層的第一表面的至少一感應(yīng)區(qū)及多個(gè)電極墊；以及一第一線路層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面上并接觸所述多個(gè)電極墊以電性連接該電子元件，且該第一線路層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)。
[0022]前述的電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括一第二線路層，其結(jié)合于該絕緣層的第二表面并電性連接該第一線路層。又包括一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第二表面與該第二線路層上，例如該絕緣保護(hù)層外露部分該第二線路層。或者，該第二線路層可接觸或未接觸該電子元件。
[0023]前述的電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面與該第一線路層上，且該絕緣保護(hù)層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)，例如該絕緣保護(hù)層外露部分該第一線路層。
[0024]本發(fā)明另提供一種電子封裝結(jié)構(gòu)，其包括:一絕緣層，其具有相對的第一表面與第二表面；一電子元件，其埋設(shè)于該絕緣層中，且具有外露于該絕緣層的第一表面的至少一感應(yīng)區(qū)及多個(gè)電極墊；一第一線路層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面上并接觸所述多個(gè)電極墊以電性連接該電子元件，且該第一線路層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)；以及一絕緣保護(hù)層，其遮蓋該感應(yīng)區(qū)。
[0025]前述的電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括一第二線路層，其結(jié)合于該絕緣層的第二表面并電性連接該第一線路層。又包括另一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第二表面與該第二線路層上。該另一絕緣保護(hù)層外露部分該第二線路層?；蛘撸摰诙€路層可接觸或未接觸該電子元件。
[0026]前述的電子封裝結(jié)構(gòu)中，該絕緣保護(hù)層還設(shè)于該絕緣層的第一表面與該第一線路層上，例如該絕緣保護(hù)層外露部分該第一線路層。
[0027]前述的兩種電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括多個(gè)導(dǎo)電柱體，其埋設(shè)于該絕緣層中并電性連接該第一線路層與該第二線路層。
[0028]前述的兩種電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括設(shè)于該絕緣層的第二表面上的多個(gè)導(dǎo)電元件。
[0029]前述的兩種電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括一線路增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該絕緣層的第二表面上并電性連接該第一線路層。
[0030]前述的兩種電子封裝結(jié)構(gòu)中，還包括一透光件，其遮蓋于該電子元件的感應(yīng)區(qū)上。
[0031]由上可知，本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)，主要通過將該電子元件嵌埋于該絕緣層中，且該第一線路層電性連接該電子元件，所以于制作時(shí)，無需考量現(xiàn)有打線的線弧或封裝膠體的厚度，因而容易控制該絕緣層的厚度，以達(dá)到更好均勻性及更薄的厚度。
【附圖說明】
[0032]圖1A為現(xiàn)有打線型封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0033]圖1B為現(xiàn)有COB型封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0034]圖1C為現(xiàn)有光感應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0035]圖2A至圖2E為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖2A’及圖2B’為圖2A及圖2B的另一方式；
[0036]圖3A至圖3C為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖；其中，圖3A’及圖3B’為圖3A及圖3B的另一方式；以及
[0037]圖4A及圖4B為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖。
[0038]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0039]I打線型封裝結(jié)構(gòu)
[0040]I’COB型封裝結(jié)構(gòu)
[0041]I”光感應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)
[0042]10，10’ 基板
[0043]10” 硅基板
[0044]100導(dǎo)電硅穿孔
[0045]11,21 第一線路層
[0046]12，22 第二線路層
[0047]13，23 電子元件
[0048]130金線
[0049]131，231 感應(yīng)區(qū)
[0050]14通孔或盲孔型導(dǎo)電體
[0051]15,25導(dǎo)電元件
[0052]16，26，26’第一絕緣保護(hù)層
[0053]17，27第二絕緣保護(hù)層
[0054]17’絕緣保護(hù)層
[0055]18封裝膠體
[0056]19，19’，40透光件
[0057]190支撐件
[0058]190’粘著層
[0059]2a_2e, 3a_3c, 4a_4b 電子封裝結(jié)構(gòu)
[0060]20第一絕緣層[0061 ]20a第一表面
[0062]20b第二表面
[0063]200第二絕緣層
[0064]23a作用面
[0065]23b非作用面
[0066]230電極墊
[0067]24，302導(dǎo)電柱體
[0068]260第一開孔
[0069]270第二開孔
[0070]30線路增層結(jié)構(gòu)
[0071]300介電層
[0072]301線路層
[0073]d厚度。
【具體實(shí)施方式】
[0074]以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0075]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0076]圖2A至圖2E為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)2a_2e的第一實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例的電子封裝結(jié)構(gòu)2a_2e可應(yīng)用于例如指紋辨識或影像傳感器的產(chǎn)品等。
[0077]如圖2A所示，該電子封裝結(jié)構(gòu)2a包括:一第一絕緣層20、一第二絕緣層200、一電子元件23、一導(dǎo)電柱體24以及一第一線路層21和一第二線路層22。
[0078]所述的第一絕緣層20具有相對的第一表面20a與第二表面20b。于本實(shí)施例中，該第一絕緣層20為例如鑄模化合物(molding compound)、介電材料(dielectricmaterial)、如環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)、其它感光或非感光性材料等的有機(jī)樹脂，且于該第一絕緣層20的第一表面20a上可依需求形成一材質(zhì)相同或不同于該第一絕緣層20的第二絕緣層200。另外，該第一絕緣層20與該第二絕緣層200可同時(shí)形成。
[0079]所述的電子元件23埋設(shè)于該第一絕緣層20中。于本實(shí)施例中，該電子元件23為感測器元件，例如半導(dǎo)體晶片結(jié)構(gòu)，其具有一作用面23a與相對該作用面23a的非作用面23b，該作用面23a上具有一如光感區(qū)或指紋感應(yīng)的感應(yīng)區(qū)231與多個(gè)電極墊230，以令該感應(yīng)區(qū)231與多個(gè)電極墊230外露于該第一絕緣層20的第一表面20a。
[0080]因該電子元件23嵌埋于該第一絕緣層20中，所以于制作時(shí)，無需制作現(xiàn)有封裝膠體，因而能降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。
[0081]所述的第一線路層21設(shè)于該第一絕緣層20的第一表面20a上并接觸多個(gè)電極墊230以電性連接該電子元件23，且該第一線路層21未遮蓋該感應(yīng)區(qū)231。于本實(shí)施例中，是以圖案化制程的電鍍、沉積或蝕刻方式形成如銅材的第一線路層21。
[0082]于本實(shí)施例中，所述的電子封裝結(jié)構(gòu)2a還包括一第二線路層22，其結(jié)合于該第一絕緣層20的第二表面20b。例如，該第二線路層22自該第二表面20b嵌埋于該第一絕緣層20中，其中，該第二線路層22的表面可齊平或略低于該第一絕緣層20的第二表面20b ;或者，該第二線路層22也可設(shè)于該第一絕緣層20的第二表面20b之上。
[0083]此外，是以圖案化制程的電鍍、沉積或蝕刻方式形成如銅材的第二線路層22。
[0084]又，部分該第二線路層22可還接觸該電子元件23的非作用面23b，以供該電子元件23散熱。
[0085]另外，所述的電子封裝結(jié)構(gòu)2a還包括多個(gè)導(dǎo)電柱體24，其埋設(shè)于該第一絕緣層20中并電性連接該第一線路層21，使該第二線路層22通過多個(gè)導(dǎo)電柱體24電性連接該第一線路層21，但該第一線路層21并未電性導(dǎo)通至該電子元件23的非作用面23b。
[0086]于另一實(shí)施例中，如圖2A’所示，該第二線路層22并未接觸該電子元件23的非作用面23b，也就是該第二線路層22與該電子元件23的非作用面23b之間具有該第一絕緣層20，且該第一線路層21、多個(gè)導(dǎo)電柱體24與該第二線路層22的導(dǎo)電路徑延伸至該電子元件23的非作用面23b下方。
[0087]因以該第一線路層21直接電性連接該電子元件23，所以無需以打線方式電性連接該電子元件23與該第一線路層21，因而有利于降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。
[0088]如圖2B所示，其為對應(yīng)圖2A的結(jié)構(gòu)，所述的電子封裝結(jié)構(gòu)2b還包括設(shè)于該第一絕緣層20的第二表面20b上的多個(gè)導(dǎo)電元件25。具體地，多個(gè)導(dǎo)電元件25設(shè)于該第二線路層22上以電性連接該第二線路層22。
[0089]于本實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電元件25為各種實(shí)施例，如焊球、焊錫凸塊、銅凸塊等，并無特別限制。
[0090]于另一方式中，如圖2B’所示，其為對應(yīng)圖2A’的結(jié)構(gòu)，該第二線路層22并未接觸該電子元件23的非作用面23b，也就是該第二線路層22與該電子元件23的非作用面23b之間具有該第一絕緣層20。
[0091]如圖2C所示，其為對應(yīng)圖2B的結(jié)構(gòu)，所述的電子封裝結(jié)構(gòu)2c還包括一第一絕緣保護(hù)層26’，其設(shè)于該第一絕緣層20的第一表面20a與該第一線路層21上，且該第一絕緣保護(hù)層26’未遮蓋該感應(yīng)區(qū)231。例如，該第一絕緣保護(hù)層26’為介電材料。
[0092]此外，該電子封裝結(jié)構(gòu)2c也可不形成該第二線路層22，使多個(gè)導(dǎo)電元件25可直接接觸地設(shè)于該導(dǎo)電柱體24上。
[0093]如圖2D所示的電子封裝結(jié)構(gòu)2d，為依圖2B及圖2C的另一實(shí)施例，該第一絕緣保護(hù)層26為介電層或防焊層(solder mask)，且該第一絕緣保護(hù)層26外露部分該第一線路層
21。例如，該第一絕緣保護(hù)層26具有多個(gè)第一開孔260，以令部分該第一線路層21外露于各該第一開孔260 ;或者(未圖示)，可令該第一絕緣保護(hù)層的表面齊平該第一線路層的表面，使該第一絕緣保護(hù)層外露該第一線路層的頂面。
[0094]又，所述的電子封裝結(jié)構(gòu)2d還包括一第二絕緣保護(hù)層27，其設(shè)于該第一絕緣層20的第二表面20b與該第二線路層22上。例如，該第二絕緣保護(hù)層27為介電層或防焊層(solder mask)。
[0095]另外，該第二絕緣保護(hù)層27外露部分該第二線路層22，以供結(jié)合多個(gè)導(dǎo)電元件
25。例如，該第二絕緣保護(hù)層27具有多個(gè)第二開孔270，以令部分該第二線路層22外露于各該第二開孔270 ;或者(未圖示)，可令該第二絕緣保護(hù)層的表面齊平該第二線路層的表面，使該第二絕緣保護(hù)層外露該第二線路層的頂面，以結(jié)合多個(gè)導(dǎo)電元件。
[0096]如圖2E所示的電子封裝結(jié)構(gòu)2e，依圖2C及圖2D的另一實(shí)施例，該第一絕緣保護(hù)層26’遮蓋該感應(yīng)區(qū)231，以密封該感應(yīng)區(qū)231。
[0097]圖3A至圖3C為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)3a_3c的第二實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于多層線路的設(shè)計(jì)，其它構(gòu)造大致相同，所以以下詳述差異處，而不贅述相同處。
[0098]如圖3A及圖3A’所示，其為對應(yīng)圖2A及圖2A’的結(jié)構(gòu)，該電子封裝結(jié)構(gòu)3a還包括一線路增層結(jié)構(gòu)30，其設(shè)于該第一絕緣層20的第二表面20b上并通過該第二線路層22與多個(gè)導(dǎo)電柱體24電性連接至該第一線路層21。
[0099]于本實(shí)施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)30具有至少一介電層300及設(shè)于該介電層300上的線路層301，且該線路層301通過設(shè)于該介電層300中的導(dǎo)電柱體302電性連接該第二線路層22。
[0100]此外，該線路層301外露于該介電層300，以供結(jié)合多個(gè)導(dǎo)電元件25。
[0101]如圖3B及圖3B’所示，其為對應(yīng)圖2B及圖2B’所示的結(jié)構(gòu)，該電子封裝結(jié)構(gòu)3b可依照圖2C或圖2D的構(gòu)造的任一技術(shù)特征作變化。舉例而言，依圖2C的其中一技術(shù)特征，將如介電層或防焊層的第一絕緣保護(hù)層26設(shè)于該第一絕緣層20的第一表面20a與該第一線路層21上，且該第一絕緣保護(hù)層26未遮蓋該感應(yīng)區(qū)231。
[0102]如圖3C所示的電子封裝結(jié)構(gòu)3c，其為對應(yīng)圖2E所示的結(jié)構(gòu)，即如介電材的第一絕緣保護(hù)層26’遮蓋該感應(yīng)區(qū)231。
[0103]圖4A及圖4B為本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)4a，4b的第三實(shí)施例的各種實(shí)施例的剖視示意圖。本實(shí)施例與上述兩實(shí)施例的差異在于本實(shí)施例的電子封裝結(jié)構(gòu)4a，4b應(yīng)用于相機(jī)鏡頭，例如新增透光件40的設(shè)計(jì)，其它構(gòu)造大致相同，所以以下詳述差異處，而不贅述相同處。
[0104]如圖4A及圖4B所示，以圖2D及圖3B為例，該電子封裝結(jié)構(gòu)4a，4b還包括一透光件40，例如鏡片或玻璃，其遮蓋于該電子元件23的感應(yīng)區(qū)231上。例如，該透光件40粘貼于該第一絕緣保護(hù)層26上，而無需制作現(xiàn)有支撐件，所以能降低整體結(jié)構(gòu)的厚度。
[0105]于本實(shí)施例中，如圖4A所示的電子封裝結(jié)構(gòu)4a，該第一絕緣保護(hù)層26的表面為齊平該第一線路層21的表面。
[0106]或者，如圖4B所示的電子封裝結(jié)構(gòu)4b，該第一絕緣保護(hù)層26為包覆該第一線路層
21ο
[0107]綜上所述，本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu)2a_2e，3a_3c，4a_4b主要通過將該電子元件23嵌埋于該第一絕緣層20中，且該第一線路層21電性連接該電子元件23，所以于制作時(shí)，無需考量打線的線弧或封裝膠體的厚度，因而容易控制該第一絕緣層20的厚度，以達(dá)到更好均勻性及更薄的厚度。
[0108]此外，因采用非半導(dǎo)體制程加工，所以能降低制作成本。
[0109]又，該電子封裝結(jié)構(gòu)2a_2e，3a_3c，4a_4b易于隨產(chǎn)品需求而調(diào)整結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)，所以其設(shè)計(jì)彈性佳。
[0110]另外，上述實(shí)施例適用于平面網(wǎng)格陣列封裝(Land Grid Array，簡稱LGA)或球柵陣列封裝(Ball Grid Array，簡稱 BGA)。
[0111]上述實(shí)施例僅用于例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)包括: 一絕緣層，其具有相對的第一表面與第二表面； 一電子元件，其埋設(shè)于該絕緣層中，且具有外露于該絕緣層的第一表面的至少一感應(yīng)區(qū)及多個(gè)電極墊；以及 一第一線路層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面上并接觸所述多個(gè)電極墊以電性連接該電子元件，且該第一線路層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一第二線路層，其結(jié)合于該絕緣層的第二表面并電性連接該第一線路層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第二表面與該第二線路層上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣保護(hù)層外露部分該第二線路層。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二線路層接觸該電子元件。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二線路層未接觸該電子元件。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)導(dǎo)電柱體，其埋設(shè)于該絕緣層中并電性連接該第一線路層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于該絕緣層的第二表面上的多個(gè)導(dǎo)電元件。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面與該第一線路層上，且該絕緣保護(hù)層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣保護(hù)層外露部分該第一線路層。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一線路增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該絕緣層的第二表面上并電性連接該第一線路層。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一透光件，其遮蓋于該電子元件的感應(yīng)區(qū)上。13.一種電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)包括: 一絕緣層，其具有相對的第一表面與第二表面； 一電子元件，其埋設(shè)于該絕緣層中，且具有外露于該絕緣層的第一表面的至少一感應(yīng)區(qū)及多個(gè)電極墊； 一第一線路層，其設(shè)于該絕緣層的第一表面上并接觸所述多個(gè)電極墊以電性連接該電子元件，且該第一線路層未遮蓋該感應(yīng)區(qū)；以及 一絕緣保護(hù)層，其遮蓋該感應(yīng)區(qū)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一第二線路層，其結(jié)合于該絕緣層的第二表面并電性連接該第一線路層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括另一絕緣保護(hù)層，其設(shè)于該絕緣層的第二表面與該第二線路層上。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該另一絕緣保護(hù)層外露部分該第二線路層。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二線路層接觸該電子元件。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二線路層未接觸該電子元件。19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)導(dǎo)電柱體，其埋設(shè)于該絕緣層中并電性連接該第一線路層。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)于該絕緣層的第二表面上的多個(gè)導(dǎo)電元件。21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣保護(hù)層還設(shè)于該絕緣層的第一表面與該第一線路層上。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣保護(hù)層外露部分該第一線路層。23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一線路增層結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該絕緣層的第二表面上并電性連接該第一線路層。24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子封裝結(jié)構(gòu)還包括一透光件，其遮蓋于該電子元件的感應(yīng)區(qū)上。
【文檔編號】H01L23/12GK105845635SQ201510022806
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月16日
【發(fā)明人】胡竹青, 許詩濱
【申請人】恒勁科技股份有限公司