多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法。它解決了現(xiàn)有太陽能電池的結構簡單，容易出現(xiàn)持續(xù)衰減，產(chǎn)品穩(wěn)定性差等技術問題。本多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，包括以下步驟：a、對晶體硅片進行清洗制絨、擴散和刻蝕；b、將步驟a中完成的晶體硅片通過臭氧發(fā)生裝置在硅片表面生成一層1?2nm的SiO2氧化膜；c、通過清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體硅片裝到石墨舟上，將其放入管式PECVD進行預沉積和清洗；d、將步驟c中完成的晶體硅片用管式PECVD沉積；e、將步驟d中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積。本發(fā)明具有產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠的優(yōu)點。
【專利說明】
多晶太陽電池表面氮化括減反射膜的制作方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明屬于太陽能電池技術領域，設及一種制作方法，特別是一種多晶太陽電池 表面氮化娃減反射膜的制作方法。
【背景技術】
[0002] 近幾年的研究表明，存在于晶體娃光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高 電壓，會造成組件的光伏性能的持續(xù)衰減。造成此類衰減的機理是多方面的，例如，在上述 高電壓的作用下，組件電池的封裝材料和組件上表面層及下表面層的材料中出現(xiàn)的離子遷 移現(xiàn)象；電池中出現(xiàn)的熱載流子現(xiàn)象；電荷的再分配削減了電池的活性層;相關的電路被腐 蝕等，運些引起衰減的機理被稱之為電位誘發(fā)衰減、極性化（Potent ial Induced Degradation即PID)。一些電站實際使用表明，光伏發(fā)電系統(tǒng)的系統(tǒng)電壓似乎存在對晶體娃 電池組件有持續(xù)的"電位誘發(fā)衰減"效應(PID效應），基于絲網(wǎng)印刷的晶體娃電池通過封裝 材料(通常是EVA和玻璃的上表面)對組件邊框形成的回路所導致的漏電流，被確認為是引 起上述效應的主要原因。近年來PID已經(jīng)成為國外買家投訴國內(nèi)組件質(zhì)量的重要因素之一， 嚴重時候它可W引起一塊組件功率衰減60% W上，從而影響整個電站的功率輸出，一些國 家和地區(qū)已逐步開始把抗PID作為組件的關鍵要求之一。影響晶娃光伏組件功率衰減的一 大核屯、因素是晶娃電池，由于組件中的一個重要輔料EVA容易水解產(chǎn)生醋酸，醋酸可W和玻 璃中的鋼鹽反應，導致鋼離子遷移到電池表面影響電池性能，從而導致組件功率的衰減，也 即引起組件PID衰減。電池片在鍛膜前先進行臭氧氧化通過臭氧發(fā)生裝置使氧氣和空氣發(fā) 生反應產(chǎn)生臭氧進而在娃片表面鍛上一層很薄的Si化氧化膜，增加其抗鋼離子滲透能力， 阻擋離子和水汽進入電池內(nèi)部對電池的性能產(chǎn)生破壞，從而有效解決組件PID衰減。
[0003] 經(jīng)檢索，如中國專利文獻公開了一種太陽能電池【申請?zhí)枺?00810065797.8;公開 號:CN 101527327A】。運種太陽能電池，其包括:一娃片襯底，該娃片襯底的上表面形成有多 個間隔設置的凹孔;一背電極，該背電極設置于所述娃片襯底的下表面，且與該娃片襯底表 面歐姆接觸;一滲雜娃層，該滲雜娃層形成于所述凹孔的內(nèi)表面;一上電極，該上電極設置 于所述娃片襯底的上表面;其特征在于，所述上電極包括一碳納米管結構。
[0004] 該專利中公開的太陽能電池雖然可使其具有較好的透光性，但是，該太陽能電池 的結構簡單，容易出現(xiàn)持續(xù)衰減，產(chǎn)品穩(wěn)定性差，因此，設計出一種多晶太陽電池表面氮化 娃減反射膜的制作方法是很有必要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的技術存在上述問題，提出了一種多晶太陽電池表面氮 化娃減反射膜的制作方法，該制作方法具有產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠的特點。
[0006] 本發(fā)明的目的可通過下列技術方案來實現(xiàn):多晶太陽電池表面氮化娃減反射膜的 制作方法，其特征在于，包括W下步驟：
[0007] a、對晶體娃片進行清洗制絨、擴散和刻蝕，通過酸霧處理裝置對清洗制絨和刻蝕 產(chǎn)生的廢氣進行處理，通過尾排處理裝置對擴散產(chǎn)生的尾氣進行處理；
[000引b、將步驟a中完成的晶體娃片通過臭氧發(fā)生裝置在晶體娃片表面生成一層1-2皿 的Si化氧化膜；
[0009] C、通過清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體娃片裝到石墨舟上，將 其放入管式PECVD進行預沉積和清洗，通過N出電離的化轟擊娃片對其表面進行清洗，其中， 陽CVD參數(shù)設置為:氨氣流量5-5.5s Im，射頻功率4900-5900wad，時間10-20S;
[0010] d、將步驟C中完成的晶體娃片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25 的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為：氨氣流量4.5-5.5sIm,硅烷流量 1100-1200sccm，壓強 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開關時間 5:40ms，時間200-240s;
[0011] e、將步驟d中完成的晶體娃片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為:氨氣流量7.5-8.5s Im，硅烷流量 830-910sccm，壓強 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開關時間5:40ms，時間390-420s O
[0012] 采用W上方法，通過在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的 二層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影 響太陽電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測試組件衰減功率也 得到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0013] 在步驟a中所述的酸霧處理裝置包括底座和固定在底座上的排氣塔，所述底座上 固定有一級吸收塔和二級吸收塔，一級吸收塔內(nèi)豎直設置有分隔板一，分隔板一將一級吸 收塔分成左空腔和右空腔，分隔板一上開設有若干通孔，一級吸收塔的左空腔下端連接有 進氣管一，一級吸收塔的右空腔上端連接有出氣管一，二級吸收塔內(nèi)水平設置有分隔板二， 分隔板二將二級吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二級吸收塔的上空腔連接有進氣管二，二 級吸收塔的下空腔連接有出氣管二，且出氣管二與排氣塔相連接，二級吸收塔下空腔連接 有連接管一，連接管一的另一端設置在二級吸收塔上空腔，且出氣管一和進氣管二之間連 接有連接管二;底座上還固定有一循環(huán)水池，循環(huán)水池連接有出水管一，出水管一的另一端 與一級吸收塔右空腔相連接，循環(huán)水池連接有進水管一，進水管一另一端與二級吸收塔下 空腔相連接。
[0014] 酸霧處理裝置的工作原理如下:含氮氧化物的廢氣通過進氣管一進入到一級吸收 塔內(nèi)，循環(huán)水池內(nèi)的水通過出水管一能夠向一級吸收塔內(nèi)進行噴淋，對廢氣進行吸收，且分 隔板一上開設有通孔主要起到過濾的作用，同時，一級吸收塔內(nèi)的廢氣和水由出氣管一流 出，且通過連接管二和進氣管二進入到二級吸收塔的上空腔內(nèi)，再由連接管一進入到二級 吸收塔的上空腔內(nèi)，從而實現(xiàn)多級凈化，二級吸收塔凈化后的氣體通過出氣管二進入到排 氣塔排出，且二級吸收塔的水由進水管一進入到循環(huán)水池內(nèi)循環(huán)利用。
[0015] 所述分隔板一上設置有過濾網(wǎng)一。
[0016] 過濾網(wǎng)一主要起到對進入一級吸收塔內(nèi)的廢氣進行過濾的作用。
[0017] 所述排氣塔具有內(nèi)腔，排氣塔的上端設置有出氣口，排氣塔內(nèi)水平固定有分隔板 =，且分隔板=上開設有若干過濾孔，分隔板=將排氣塔內(nèi)腔從上往下依次分隔成上內(nèi)腔 和下內(nèi)腔。
[0018] 分隔板=將排氣塔分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔，且分隔板=上開設有過濾孔，從而對 廢氣進行再過濾處理。
[0019] 所述排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)設置有若干紫外線照射燈。
[0020] 排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)的紫外線照射燈能夠?qū)U氣進行殺菌處理。
[0021] 所述二級吸收塔下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭。
[0022] 二級吸收塔下空腔內(nèi)的活性炭為市場上能夠買到現(xiàn)有產(chǎn)品，能夠起到對廢氣除臭 的作用。
[0023] 在步驟a中所述的尾排處理裝置包括底板，底板上固定有能對尾氣進行處理的處 理塔，處理塔內(nèi)設置有若干電加熱管，電加熱管通過線路與變頻器相連，底板上設置有能控 制變頻器動作的控制機構;處理塔和輸送管一端相連通，輸送管另一端能和外界相連通，輸 送管上設置有電磁閥，底板上設置有能將輸送管中的尾氣暫時進行儲存的儲氣機構，儲氣 機構包括氣囊、輸入管和輸出管，輸入管一端和氣囊的進口相連通，輸入管另一端和輸送管 相連通，輸入管上依次設置有第一單向閥和第一電磁閥，輸出管一端和氣囊的出口相連通， 輸出管另一端和輸送管相連通，輸出管上依次設置有第二單向閥和第二電磁閥，且輸入管 和輸出管分別位于電磁閥兩側;底板上還設置有能對處理塔進行冷卻的冷卻機構。
[0024] 尾排處理裝置的工作原理如下:擴散過程中會產(chǎn)生帶有娃粉的廢氣，帶有娃粉的 廢氣排入輸送管內(nèi)，打開電磁閥，輸送管中帶有娃粉的廢氣進入處理塔，通過電加熱管加熱 使帶有娃粉的廢氣燃燒，形成二氧化娃粉末；當處理塔故障時，關閉電磁閥，打開第一電磁 閥，輸送管中帶有娃粉的廢氣進入輸入管，然后通過第一單向閥進入氣囊中，待故障消除 后，關閉第一電磁閥，打開電磁閥和第二電磁閥，氣囊中的廢氣進入輸出管中，然后通過第 二單向閥進入輸送管中，使廢氣不會因為處理塔故障而沒處理而排放到外界，處理可靠;底 板上還設置有能對處理塔進行冷卻的冷卻機構，采用冷卻機構對處理塔進行冷卻，使處理 塔不會因溫度過高而產(chǎn)生故障，處理持續(xù)時間長，可持續(xù)性能好。
[0025] 所述控制機構包括控制器和警燈，警燈固定在底板上，變頻器和警燈均與該控制 器相連。
[0026] 采用W上結構，當處理塔故障時，變頻器傳遞信號到控制器，控制器傳遞信號到警 燈，提示作用好；當處理塔故障消除后，控制器控制變頻器工作，變頻器使電加熱管重新工 作。
[0027] 所述底板上還設置有能提示氣囊異常的提示機構，提示機構包括壓力傳感器、警 鈴和顯示器，壓力傳感器設置在輸入管上，顯示器固定在底板上，壓力傳感器、警鈴和顯示 器均與上述控制器相連。
[0028] 采用W上結構，通過壓力傳感器檢測到輸入管異常，然后將異常信號傳遞到控制 器，控制器將信號同時傳遞到顯示器和警鈴，警鈴發(fā)出報警，警示作用好。
[0029] 所述電磁閥、第一電磁閥和第二電磁閥均與上述控制器相連。
[0030] 采用W上結構，通過控制器控制電磁閥、第一電磁閥、第二電磁閥動作，智能化程 度高。
[0031] 所述控制器為化C可編程控制器。
[0032] 所述冷卻機構包括若干風扇、安裝環(huán)、導軌、滑動塊、電機和鋼絲繩，導軌豎直固定 在底板上，滑動塊設置在導軌上，電機固定在導軌上端，鋼絲繩一端和電機的輸出軸相連， 鋼絲繩另一端和滑動塊相連，安裝環(huán)固定在滑動塊上，且處理塔位于安裝環(huán)內(nèi)，若干風扇設 置在安裝環(huán)上，且風扇的出風口朝上。
[0033] 采用W上結構，通過電機工作帶動鋼絲繩動作，鋼絲繩帶動滑動塊沿導軌上下移 動，進而帶動滑動塊上的安裝環(huán)上下移動，使安裝環(huán)上的風扇上下移動，從而加快處理塔外 的熱空氣向上排出，冷卻作用好。
[0034] 所述導軌上端通過第一彈黃固定有上行程開關，導軌下端第二彈黃固定有下行程 開關，上行程開關、下行程開關均與電機相連。
[0035] 采用W上結構，當安裝環(huán)上移至最高觸碰第一彈黃上的上行程開關時，上行程開 關發(fā)出信號使電機反轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)下移，當安裝環(huán)下移至最低觸碰第二彈黃上的下行程開 關時，下行程開關發(fā)出信號使電機正轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)上移。
[0036] 在步驟C中所述的清洗裝置包括工作臺和固定在工作臺上的清洗槽，所述清洗槽 內(nèi)水平設置有轉(zhuǎn)動軸一和轉(zhuǎn)動軸二，轉(zhuǎn)動軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動軸二上固定有滾輪二，滾 輪一和滾輪二之間套設有皮帶，清洗槽沿長度方向的一內(nèi)側壁上固定有出氣管=，清洗槽 沿長度方向的另一內(nèi)側壁上固定有出氣管四，出氣管=和出氣管四上均開設有若干出氣 孔，清洗槽的外壁上固定有風機一和風機二，風機一出氣口與出氣管=的一端連接，風機二 出氣口與出氣管四的一端連接，轉(zhuǎn)動軸一的一端穿出清洗槽，且轉(zhuǎn)動軸一的穿出端設置有 驅(qū)動機構；工作臺上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔內(nèi)水平設置有一過濾網(wǎng)二，過濾 網(wǎng)二將水箱空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔連接有出水管二，出水管二的另一端與 清洗槽相連接，水箱上空腔連接有進水管二，進水管二的另一端與清洗槽相連接。
[0037] 清洗裝置的工作原理如下：通過驅(qū)動機構能夠帶動轉(zhuǎn)動軸一上的滾輪一轉(zhuǎn)動，通 過轉(zhuǎn)動軸二上的滾輪二和皮帶，從而能夠使石墨舟在輸送過程中實現(xiàn)清洗，且風機一和風 機二能夠分別向出氣管=和出氣管四進行吹起，且出氣管=和出氣管四上的出氣孔，從而 能夠使清洗槽內(nèi)的清洗液形成水波，從而能夠更有效的對石墨舟進行清洗；同時，清洗槽內(nèi) 的清洗液能夠通過進水管二進入到水箱上空腔，通過過濾網(wǎng)二進行過濾滲透到水箱下空 腔，由出水管二再回流到清洗槽內(nèi)，從而達到節(jié)約水資源的目的。
[0038] 所述驅(qū)動機構包括驅(qū)動電機，驅(qū)動電機輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動軸一上。
[0039] 所述清洗槽的內(nèi)底壁上還設置有若干加熱管。
[0040] 加熱管能夠根據(jù)實際清洗情況對清洗液進行加熱，從而提高清洗效果。
[0041 ]所述水箱具有開口，且開口處較接有一蓋板，所述的水箱相對的兩側面上豎直開 設有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動設置有滑塊一和滑塊二，上述的過濾網(wǎng) 二固定在滑塊一和滑塊二上。
[0042] 過濾網(wǎng)二通過滑塊一和滑塊二，可拆卸設置在清洗槽內(nèi)，從而便于對過濾網(wǎng)二進 行清理和替換。
[0043] 與現(xiàn)有技術相比，本多晶太陽電池表面氮化娃減反射膜的制作方法具有W下優(yōu) 占 . y ?、、?
[0044] 1、本發(fā)明中通過在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的二 層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影響 太陽電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測試組件衰減功率也得 到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0045] 2、當處理塔故障時，輸送管中帶有娃粉的廢氣可進入輸入管，通過第一單向閥進 入氣囊中，待故障消除后，氣囊中的廢氣進入輸出管中，通過第二單向閥進入輸送管中，使 廢氣不會因為處理塔故障而沒處理而排放到外界，處理可靠。
[0046] 3、通過滾輪一、滾輪二和皮帶的作用，能夠使石墨舟在輸送過程中實現(xiàn)清洗，且風 機一和風機二能夠分別向出氣管=和出氣管四進行吹起，從而能夠使清洗槽內(nèi)的清洗液形 成水波，能夠更有效的對石墨舟進行清洗，清洗效果好。
【附圖說明】
[0047] 圖1是尾排處理裝置的平面結構示意圖。
[004引圖2是酸霧處理裝置的剖視結構示意圖。
[0049] 圖3是清洗裝置的立體結構示意圖。
[0050] 圖4是清洗裝置的剖視結構示意圖。
[0051] 圖中，1、底板;2、控制器;3、顯示器;4、警燈;5、電加熱管;6、處理塔;7、第二彈黃； 8、導軌;9、下行程開關；10、滑動塊；11、安裝環(huán)；12、風扇；13、鋼絲繩；14、上行程開關；15、第 一彈黃；16、電機；17、變頻器；18、輸出管；19、電磁閥；20、輸送管;21、輸入管;22、第一電磁 閥；23、壓力傳感器;24、第一單向閥；25、氣囊；26、第二單向閥；27、第二電磁閥；28、警鈴； 50、底座;51、排氣塔;52、一級吸收塔;53、二級吸收塔;54、分隔板一;55、進氣管一;56、出氣 管一;57、分隔板二;58、進氣管二;59、出氣管二;60、連接管一;61、連接管二;62、循環(huán)水池； 63、出水管一;64、進水管一;65、分隔板S; 66、紫外線照射燈;67、工作臺；68、清洗槽;69、皮 帶;70、出氣管S;71、出氣管四；72、風機一;73、風機二;74、水箱;75、出水管二;76、進水管 二;77、驅(qū)動電機;78、蓋板;79、過濾網(wǎng)二。
【具體實施方式】
[0052] W下是本發(fā)明的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明的技術方案作進一步的描述， 但本發(fā)明并不限于運些實施例。
[0053] 本多晶太陽電池表面氮化娃減反射膜的制作方法，包括W下步驟：
[0054] a、對晶體娃片進行清洗制絨、擴散和刻蝕，通過酸霧處理裝置對清洗制絨和刻蝕 產(chǎn)生的廢氣進行處理，通過尾排處理裝置對擴散產(chǎn)生的尾氣進行處理；
[0055] b、將步驟a中完成的晶體娃片通過臭氧發(fā)生裝置在晶體娃片表面生成一層1-2皿 的Si化氧化膜;在本實施例中，將經(jīng)過清洗制絨、擴散、刻蝕后的晶體娃片通過臭氧發(fā)生裝 置在娃片表面生成一層1.5nm的Si化氧化膜；
[0056] C、通過清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體娃片裝到石墨舟上，將 其放入管式PECVD進行預沉積和清洗，通過N出電離的化轟擊娃片對其表面進行清洗，其中， 陽CVD參數(shù)設置為:氨氣流量5-5.5slm，射頻功率4900-5900wart，時間10-20S;在本實施例 中，PECVD參數(shù)設置為:氨氣流量5.2s Im，射頻功率5500wad，時間15s;
[0057] d、將步驟C中完成的晶體娃片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25 的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為：氨氣流量4.5-5.5sIm,硅烷流量 1100-12003。畑1，壓強1600-18001111'〇'，射頻功率5200-6200訊日的，開關時間5:401113，時間200-240s;在本實施例中，第一層折射率為2.22的高折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設 置為:氨氣流量5. Oslm，硅烷流量1150sccm，壓強1700mTor，射頻功率5700wad，開關時間5: 40ms，時間220s;
[0化引e、將步驟d中完成的晶體娃片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為:氨氣流量7.5-8.5s Im，硅烷流量 830-910sccm，壓強 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開關時間5:40ms，時間390-420s;在本實施例中，第二層折射率為2.02的低折射率氮化娃減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設 置為：氨氣流量8.031111，硅烷流量8503(3(3111，壓強17001111'0'，射頻功率5700^的，開關時間5: 40ms，時間405s
[0059] 采用該方法，通過在臭氧氧化娃片表面使用管式PECVD沉積高、低折射率組成的二 層氮化娃減反射膜，較常規(guī)折射率在2.03-2.07的低折射率減反射膜折射率提高，在不影響 太陽電池轉(zhuǎn)換效率的情況下能滿足電池組件抗PID的要求，且抗PID測試組件衰減功率也得 到了大幅度的下降，僅為0.75%左右，延長了組件使用壽命，產(chǎn)品穩(wěn)定、可靠。
[0060] 下表是本發(fā)明與傳統(tǒng)方法，成品電性能的比較：
[0061」如閣2所示，在步驟a中的酸霧處理裝葺包括包括底座50和固定在底座50上的排氣 塔51，底座50上固定有一級吸收塔52和二級吸收塔53;-級吸收塔52內(nèi)豎直設置有分隔板 一 54,分隔板一 54將一級吸收塔52分成左空腔和右空腔，分隔板一 54上開設有通孔，且分隔 板一 54上設置有過濾網(wǎng)一，過濾網(wǎng)一主要起到對進入一級吸收塔52內(nèi)的含氮氧化物的廢氣 進行過濾的作用；一級吸收塔52的左空腔下端連接有進氣管一 55,一級吸收塔52的右空腔 上端連接有出氣管一 56,二級吸收塔53內(nèi)水平設置有分隔板二57,分隔板二57將二級吸收 塔53分隔成上空腔和下空腔，二級吸收塔53的上空腔連接有進氣管二58,二級吸收塔53的 下空腔連接有出氣管二59,且出氣管二59與排氣塔51相連接，二級吸收塔53下空腔連接有 連接管一 60,連接管一 60的另一端設置在二級吸收塔53上空腔，且出氣管一 56和進氣管二 58之間連接有連接管二61。
[0062] 如圖2所示，底座50上還固定有一循環(huán)水池62,循環(huán)水池62連接有出水管一63,出 水管一 63的另一端與一級吸收塔52右空腔相連接，循環(huán)水池62連接有進水管一 64,進水管 一 64另一端與二級吸收塔53下空腔相連接;排氣塔51具有內(nèi)腔，排氣塔51的上端設置有出 氣口，排氣塔51內(nèi)水平固定有分隔板S65，且分隔板S65上開設有若干過濾孔，分隔板S65 將排氣塔51內(nèi)腔從上往下依次分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔;分隔板=65將排氣塔51分隔成上內(nèi) 腔和下內(nèi)腔，且分隔板=65上開設有過濾孔，對廢氣進行再過濾處理;排氣塔51下內(nèi)腔內(nèi)設 置有若干紫外線照射燈66,排氣塔51下內(nèi)腔內(nèi)的紫外線照射燈66能夠?qū)U氣進行殺菌處 理。
[0063] 如圖2所示，二級吸收塔53下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭，二級吸收塔53下空腔內(nèi) 的活性炭為市場上能夠買到現(xiàn)有產(chǎn)品，能夠起到對廢氣除臭的作用。
[0064] 如圖2所示，含氮氧化物的廢氣通過進氣管一55進入到一級吸收塔52內(nèi)，循環(huán)水池 62內(nèi)的水通過出水管一 63能夠向一級吸收塔52內(nèi)進行噴淋，對廢氣進行吸收，且分隔板一 54上開設有通孔主要起到過濾的作用，同時，一級吸收塔52內(nèi)的廢氣和水由出氣管一56流 出，且通過連接管二61和進氣管二58進入到二級吸收塔53的上空腔內(nèi)，再由連接管一60進 入到二級吸收塔53的上空腔內(nèi)，從而實現(xiàn)多級凈化，二級吸收塔53凈化后的廢氣通過出氣 管二59進入到排氣塔51排出，且二級吸收塔53的水由進水管一 64進入到循環(huán)水池62內(nèi)循環(huán) 利用。
[0065] 如圖1所示，在步驟a中的尾排處理裝置包括底板1，底板1的材料為不誘鋼，底板1 上固定有能對尾氣進行處理的處理塔6,處理塔6的材料為不誘鋼，底板1上通過螺栓連接的 方式固定有處理塔6,處理塔6內(nèi)設置有若干電加熱管5,在本實施例中，電加熱管5的數(shù)量為 =根；電加熱管5通過線路與變頻器17相連，底板1上設置有能控制變頻器17動作的控制機 構;處理塔6和輸送管20-端相連通，輸送管20的材料為鐵，處理塔6和輸送管20通過焊接的 方式相連通，輸送管20另一端能和外界相連通，輸送管20上設置有電磁閥19,底板1上設置 有能將輸送管20中的尾氣暫時進行儲存的儲氣機構，儲氣機構包括氣囊25、輸入管21和輸 出管18,輸入管21-端和氣囊25的進口相連通，輸入管21另一端和輸送管20相連通，輸入管 21上依次設置有第一單向閥24和第一電磁閥22,輸出管18-端和氣囊25的出口相連通，輸 出管18另一端和輸送管20相連通，輸出管18上依次設置有第二單向閥26和第二電磁閥27， 且輸入管21和輸出管18分別位于電磁閥19兩側;底板1上還設置有能對處理塔6進行冷卻的 冷卻機構。
[0066] 如圖1所示，控制機構包括控制器2和警燈4,警燈4固定在底板1上，警燈4通過螺栓 連接的方式固定在底板1上，變頻器17和警燈4均與該控制器2相連，在本實施例中，控制器2 采用市場上可W買到的單片機，單片機控制電磁閥、鈴、傳感器、變頻器和燈的程序為現(xiàn)有， 其程序不需要重新編輯;采用W上結構，當處理塔6故障時，在本實施例中，故障為短暫斷 電，變頻器17傳遞信號到控制器2,控制器2傳遞信號到警燈4,提示作用好；當處理塔6故障 消除后，控制器2控制變頻器17工作，變頻器17使電加熱管5重新工作；當然，變頻器17也可 W通過線路和抽風機相連。
[0067] 如圖1所示，底板1上還設置有能提示氣囊25異常的提示機構，提示機構包括壓力 傳感器23、警鈴28和顯示器3，壓力傳感器23設置在輸入管21上，顯示器3固定在底板1上，顯 示器3通過螺栓連接的方式固定在底板1上，壓力傳感器23、警鈴28和顯示器3均與控制器2 相連，采用W上結構，通過壓力傳感器23檢測到輸入管21異常，然后將異常信號傳遞到控制 器2,控制器2將信號同時傳遞到顯示器3和警鈴28,警鈴28發(fā)出報警，警示作用好。
[0068] 如圖1所示，電磁閥19、第一電磁閥22和第二電磁閥27均與控制器2相連，采用W上 結構，通過控制器2控制電磁閥19、第一電磁閥22、第二電磁閥27動作，智能化程度高;控制 器2為化C可編程控制器。
[0069] 如圖1所示，冷卻機構包括若干風機12、安裝環(huán)11、導軌8、滑動塊10、電機16和鋼絲 繩13,導軌8豎直固定在底板1上，導軌8通過焊接的方式固定在底板1上，滑動塊10設置在導 軌8上，電機16固定在導軌8上端，電機16通過螺栓連接的方式固定在導軌8上端，鋼絲繩13 一端和電機16的輸出軸相連，鋼絲繩13另一端和滑動塊10相連，安裝環(huán)11固定在滑動塊10 上，安裝環(huán)11通過焊接的方式固定在滑動塊10上，且處理塔6位于安裝環(huán)11內(nèi)，若干風扇12 設置在安裝環(huán)11上，在本實施例中，風扇12的數(shù)量為六個，且風扇12的出風口朝上，采用W 上結構，通過電機16工作帶動鋼絲繩13動作，鋼絲繩13帶動滑動塊10沿導軌8上下移動，進 而帶動滑動塊10上的安裝環(huán)11上下移動，使安裝環(huán)11上的風扇12上下移動，從而加快處理 塔6外的熱空氣向上排出，冷卻作用好。
[0070] 如圖1所示，導軌8上端通過第一彈黃15固定有上行程開關14,導軌8下端第二彈黃 7固定有下行程開關9,上行程開關14、下行程開關9均與電機16相連，采用W上結構，當安裝 環(huán)11上移至最高觸碰第一彈黃15上的上行程開關14時，上行程開關14發(fā)出信號使電機16反 轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)11下移，當安裝環(huán)11下移至最低觸碰第二彈黃7上的下行程開關9時，下行程開 關9發(fā)出信號使電機16正轉(zhuǎn)，使安裝環(huán)11上移。
[0071] 尾排處理裝置的工作原理如下:擴散過程中會產(chǎn)生帶有娃粉的廢氣，帶有娃粉的 廢氣排入輸送管20內(nèi)，通過控制器2打開電磁閥19,輸送管20中帶有娃粉的廢氣進入處理塔 6，通過控制器2控制變頻器17工作，變頻器17使電加熱管5工作，使帶有娃粉的廢氣燃燒，形 成二氧化娃粉末；當處理塔6故障時，通過控制器2關閉電磁閥19,然后通過控制器2打開第 一電磁閥22,輸送管20中帶有娃粉的廢氣進入輸入管21，然后通過第一單向閥24進入氣囊 25中，待故障消除后，通過控制器2關閉第一電磁閥22,然后通過控制器2打開電磁閥19和第 二電磁閥27,氣囊25中的廢氣進入輸出管18中，然后通過第二單向閥26進入輸送管20中。
[0072] 如圖3、圖4所示，在步驟C中的清洗裝置包括工作臺67和固定在工作臺67上的清洗 槽68;清洗槽68內(nèi)水平設置有轉(zhuǎn)動軸一和轉(zhuǎn)動軸二，轉(zhuǎn)動軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動軸二上固 定有滾輪二，滾輪一和滾輪二之間套設有皮帶69,清洗槽6的往長度方向的一內(nèi)側壁上固定 有出氣管= 70,清洗槽6的往長度方向的另一內(nèi)側壁上固定有出氣管四71，出氣管=70和出 氣管四71上均開設有出氣孔，清洗槽68的外壁上固定有風機一 72和風機二73，風機一 72出 氣口與出氣管=70的一端連接，風機二73出氣口與出氣管四71的一端連接;轉(zhuǎn)動軸一的一 端穿出清洗槽68,轉(zhuǎn)動軸一的穿出端設置有驅(qū)動機構，驅(qū)動機構包括驅(qū)動電機77,驅(qū)動電機 77輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動軸一上;驅(qū)動電機77能夠給滾輪一提供動力，從而能夠?qū)崿F(xiàn)皮帶 69的傳動。
[0073] 如圖3、圖4所示，工作臺67上固定有水箱74,水箱74具有空腔，水箱74空腔內(nèi)水平 設置有一過濾網(wǎng)二79,過濾網(wǎng)二7則尋水箱74空腔分成上空腔和下空腔，水箱74下空腔連接 有出水管二75,出水管二75的另一端與清洗槽68相連接，水箱74上空腔連接有進水管二76， 進水管二76的另一端與清洗槽68相連接;清洗槽68的內(nèi)底壁上還設置有加熱管，加熱管能 夠根據(jù)實際清洗情況對清洗液進行加熱，從而提高清洗效果。
[0074] 如圖3、圖4所示，水箱74具有開口，且開口處較接有一蓋板78,水箱74相對的兩側 面上豎直開設有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動設置有滑塊一和滑塊二，過 濾網(wǎng)二79固定在滑塊一和滑塊二上;過濾網(wǎng)二79通過滑塊一和滑塊二，可拆卸設置在清洗 槽68內(nèi)，從而便于對過濾網(wǎng)二79進行清理和替換。
[0075] 清洗裝置的工作原理如下:通過驅(qū)動電機77能夠帶動轉(zhuǎn)動軸一上的滾輪一轉(zhuǎn)動， 通過轉(zhuǎn)動軸二上的滾輪二和皮帶69,從而能夠使石墨舟在輸送過程中實現(xiàn)清洗，且風機一 72和風機二73能夠分別向出氣管=70和出氣管四71進行吹起，且出氣管=70和出氣管四71 上的出氣孔，從而能夠使清洗槽68內(nèi)的清洗液形成水波，從而能夠更有效的對石墨舟進行 清洗;同時，清洗槽68內(nèi)的清洗液能夠通過進水管二76進入到水箱74上空腔，通過過濾網(wǎng)二 79進行過濾滲透到水箱74下空腔，由出水管二75再回流到清洗槽68內(nèi)，從而達到節(jié)約水資 源的目的。
[0076]本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術領 域的技術人員可W對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替 代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。
【主權項】
1. 多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： a、 對晶體硅片進行清洗制絨、擴散和刻蝕，通過酸霧處理裝置對清洗制絨和刻蝕產(chǎn)生 的廢氣進行處理，通過尾排處理裝置對擴散產(chǎn)生的尾氣進行處理； b、 將步驟a中完成的晶體硅片通過臭氧發(fā)生裝置在晶體硅片表面生成一層l-2nm的Si02 氧化膜； c、 通過清洗裝置將石墨舟清洗干凈，將步驟b中完成的晶體硅片裝到石墨舟上，將其放 入管式PECVD進行預沉積和清洗，通過NH 3電離的H+轟擊硅片對其表面進行清洗，其中， PECVD參數(shù)設置為:氨氣流量5-5 · 5s lm，射頻功率4900-5900wart，時間10-20s; d、 將步驟c中完成的晶體硅片用管式PECVD沉積，得到第一層折射率為2.20-2.25的高 折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為：氨氣流量4.5-5.5slm，硅烷流量1100-1200sccm，壓強 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開關時間 5:40ms，時間 200-240s; e、 將步驟d中完成的晶體硅片用管式PECVD再次沉積，得到第二層折射率為2.00-2.05 的低折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數(shù)設置為:氨氣流量7.5-8.5slm，硅烷流量830-910sccm，壓強 1600-1800mTor，射頻功率5200-6200wart，開關時間 5:40ms，時間 390-420s。2. 根據(jù)權利要求1所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟a中所述的酸霧處理裝置包括底座和固定在底座上的排氣塔，所述底座上固定有一 級吸收塔和二級吸收塔，一級吸收塔內(nèi)豎直設置有分隔板一，分隔板一將一級吸收塔分成 左空腔和右空腔，分隔板一上開設有若干通孔，一級吸收塔的左空腔下端連接有進氣管一， 一級吸收塔的右空腔上端連接有出氣管一，二級吸收塔內(nèi)水平設置有分隔板二，分隔板二 將二級吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二級吸收塔的上空腔連接有進氣管二，二級吸收塔 的下空腔連接有出氣管二，且出氣管二與排氣塔相連接，二級吸收塔下空腔連接有連接管 一，連接管一的另一端設置在二級吸收塔上空腔，且出氣管一和進氣管二之間連接有連接 管二;底座上還固定有一循環(huán)水池，循環(huán)水池連接有出水管一，出水管一的另一端與一級吸 收塔右空腔相連接，循環(huán)水池連接有進水管一，進水管一另一端與二級吸收塔下空腔相連 接。3. 根據(jù)權利要求2所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述分隔板一上設置有過濾網(wǎng)一;所述排氣塔具有內(nèi)腔，排氣塔的上端設置有出氣口，排氣 塔內(nèi)水平固定有分隔板三，且分隔板三上開設有若干過濾孔，分隔板三將排氣塔內(nèi)腔從上 往下依次分隔成上內(nèi)腔和下內(nèi)腔;所述排氣塔下內(nèi)腔內(nèi)設置有若干紫外線照射燈;所述二 級吸收塔下空腔的內(nèi)壁上還涂有活性炭。4. 根據(jù)權利要求4所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟a中所述的尾排處理裝置包括底板，底板上固定有能對尾氣進行處理的處理塔，處理 塔內(nèi)設置有若干電加熱管，電加熱管通過線路與變頻器相連，底板上設置有能控制變頻器 動作的控制機構;處理塔和輸送管一端相連通，輸送管另一端能和外界相連通，輸送管上設 置有電磁閥，底板上設置有能將輸送管中的尾氣暫時進行儲存的儲氣機構，儲氣機構包括 氣囊、輸入管和輸出管，輸入管一端和氣囊的進口相連通，輸入管另一端和輸送管相連通， 輸入管上依次設置有第一單向閥和第一電磁閥，輸出管一端和氣囊的出口相連通，輸出管 另一端和輸送管相連通，輸出管上依次設置有第二單向閥和第二電磁閥，且輸入管和輸出 管分別位于電磁閥兩側;底板上還設置有能對處理塔進行冷卻的冷卻機構;所述冷卻機構 包括若干風扇、安裝環(huán)、導軌、滑動塊、電機和鋼絲繩，導軌豎直固定在底板上，滑動塊設置 在導軌上，電機固定在導軌上端，鋼絲繩一端和電機的輸出軸相連，鋼絲繩另一端和滑動塊 相連，安裝環(huán)固定在滑動塊上，且處理塔位于安裝環(huán)內(nèi)，若干風扇設置在安裝環(huán)上，且風扇 的出風口朝上。5. 根據(jù)權利要求4所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述控制機構包括控制器和警燈，警燈固定在底板上，變頻器和警燈均與該控制器相連。6. 根據(jù)權利要求5所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述底板上還設置有能提示氣囊異常的提示機構，提示機構包括壓力傳感器、警鈴和顯示 器，壓力傳感器設置在輸入管上，顯示器固定在底板上，壓力傳感器、警鈴和顯示器均與上 述控制器相連。7. 根據(jù)權利要求6所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述電磁閥、第一電磁閥和第二電磁閥均與上述控制器相連。8. 根據(jù)權利要求7所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 所述導軌上端通過第一彈簧固定有上行程開關，導軌下端第二彈簧固定有下行程開關，上 行程開關、下行程開關均與電機相連。9. 根據(jù)權利要求1所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在于， 在步驟c中所述的清洗裝置包括工作臺和固定在工作臺上的清洗槽，所述清洗槽內(nèi)水平設 置有轉(zhuǎn)動軸一和轉(zhuǎn)動軸二，轉(zhuǎn)動軸一上固定滾輪一，轉(zhuǎn)動軸二上固定有滾輪二，滾輪一和滾 輪二之間套設有皮帶，清洗槽沿長度方向的一內(nèi)側壁上固定有出氣管三，清洗槽沿長度方 向的另一內(nèi)側壁上固定有出氣管四，出氣管三和出氣管四上均開設有若干出氣孔，清洗槽 的外壁上固定有風機一和風機二，風機一出氣口與出氣管三的一端連接，風機二出氣口與 出氣管四的一端連接，轉(zhuǎn)動軸一的一端穿出清洗槽，且轉(zhuǎn)動軸一的穿出端設置有驅(qū)動機構； 工作臺上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔內(nèi)水平設置有一過濾網(wǎng)二，過濾網(wǎng)二將水箱 空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔連接有出水管二，出水管二的另一端與清洗槽相連 接，水箱上空腔連接有進水管二，進水管二的另一端與清洗槽相連接。10. 根據(jù)權利要求9所述的多晶太陽電池表面氮化硅減反射膜的制作方法，其特征在 于，所述驅(qū)動機構包括驅(qū)動電機，驅(qū)動電機輸出軸端部固定在轉(zhuǎn)動軸一上;所述清洗槽的內(nèi) 底壁上還設置有若干加熱管;所述水箱具有開口，且開口處鉸接有一蓋板，所述的水箱相對 的兩側面上豎直開設有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分別滑動設置有滑塊一和滑塊 二，上述的過濾網(wǎng)二固定在滑塊一和滑塊二上。
【文檔編號】H01L31/18GK105845748SQ201610340589
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月20日
【發(fā)明人】朱金浩, 蔣劍波, 朱世杰, 許布, 萬光耀, 陳玨榮, 吳振宏, 文長洪
【申請人】浙江光隆能源科技股份有限公司