制造電子封裝件的方法
【專利摘要】一些示例性形式涉及制造電子封裝件的方法。該方法包括將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片。該方法還包括從目標(biāo)晶片去除一部分源晶片以形成電子封裝件。當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件保留在目標(biāo)晶片上。該方法還包括在電子封裝件上執(zhí)行后處理，所述電子封裝件是在從目標(biāo)晶片去除源晶片后形成的。在方法的一些形式中，當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，一些微型器件保留在源晶片上。
【專利說明】
制造電子封裝件的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本文描述的實(shí)施例總體涉及制造電子封裝件的方法，更具體地涉及通過將源晶片附連至目標(biāo)晶片來制造電子封裝件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般存在與將微型器件集成到電子封裝件中相關(guān)的各種困難。這些困難包括管芯分離、處理(handle)和接合以及在包括微型器件的電子組件中形成互連。
[0003]傳統(tǒng)拾取和布置方法一般能夠處理XY尺寸小至大約250微米和厚度(S卩Z高度)50微米的器件。然而，這種相對(duì)大的厚度是難以在包括微型器件的電子組裝件中形成互連的原因之一。
[0004]存在兩種常見的傳遞方法，用于集成XY定向上10微米和Z方向上5微米那樣小的微型切塊(dice)。一種方法利用復(fù)雜的MEMS印刷頭技術(shù)，而另一方法限于使用彈黏性壓印的室溫接合。
附圖簡述
[0005]圖1A示出一示例性源晶片。
[0006]圖1B不出另一不例性源晶片。
[0007]圖2A示出一示例性目標(biāo)晶片。
[0008]圖213不出另一不例性目標(biāo)晶片。
[0009]圖2C示出又一示例性目標(biāo)晶片。
[0010]圖3示出通過將圖1A的源晶片附連至圖2A的目標(biāo)晶片而形成的示例性封裝件。
[0011]圖4示出圖3的示例性封裝件，其中將源晶片的一部分去除。
[0012]圖5示出通過將圖1A的源晶片附連至圖2B的目標(biāo)晶片而形成的示例性封裝件。
[0013]圖6示出圖5的示例性封裝件，其中將源晶片的一部分去除。
[0014]圖7示出通過將圖1A的源晶片附連至圖2C的目標(biāo)晶片而形成的示例性封裝件。
[0015]圖8示出圖7的示例性封裝件，其中將源晶片的一部分去除。
[0016]圖9示出圖4的電子封裝件，其中電子封裝件已經(jīng)歷示例性后源晶片去除處理(post source wafer removal processing)。
[0017]圖10是制造電子封裝件的方法的流程圖。
[0018]圖11是包含本文描述的至少一種方法的電子裝置的方框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面的描述和附圖充分地示出特定實(shí)施例以使本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)它們。其它實(shí)施例可包括結(jié)構(gòu)、邏輯、電、過程和其它的變化。一些實(shí)施例的部分和特征可包括在或取代其它實(shí)施例的部分和特征。權(quán)利要求書中闡述的實(shí)施例涵蓋這些權(quán)利要求的所有可用等效物。
[0020]本申請(qǐng)中使用的方向術(shù)語“水平”是相對(duì)于與晶片或襯底的傳統(tǒng)平面或表面平行的平面定義的，不管晶片或襯底的定向如何。術(shù)語“垂直”指與如前定義的水平垂直的方向。諸如“上”、“側(cè)”(例如“側(cè)壁”)、“較高”、“較低”、“之上”和“之下”的介詞是相對(duì)于在晶片或襯底的頂表面上的傳統(tǒng)平面或表面定義的，而不管晶片或襯底的定向如何。
[0021]本文描述的示例性方法能夠通過微型器件之間的直接接合而集成微型器件(即在XY定向上小于10微米并在Z高度上小于5微米的微型器件)，而無需類似于切割、拾取和拾取頭或壓印之類的中間步驟。該方法也能夠通過多種傳統(tǒng)材料、工藝和工具將微型器件嵌入到另一管芯或襯底上。
[0022]可通過底切預(yù)制微型器件的襯底來制造源晶片，在微型器件之間具有錨定結(jié)構(gòu)。在一些形式下，介電基座或機(jī)械止動(dòng)件可形成在預(yù)制的目標(biāo)晶片上
[0023]作為本文描述的方法的一部分，源晶片可倒轉(zhuǎn)(flippedupside-down)并通過對(duì)介電基座的接合或受機(jī)械止動(dòng)件控制的焊料接合而接合至目標(biāo)晶片。一旦源晶片被接合至目標(biāo)晶片，可從目標(biāo)晶片拉開源晶片以使微型器件從源晶片上的錨定結(jié)構(gòu)脫開。由于微型器件非常薄，因此可通過晶片級(jí)處理而形成互連或硅通孔以完成源晶片和微型器件的集成，從而形成電子封裝件。
[0024]圖1A和圖1B示出兩種不同示例類型的源晶片10A、10B。圖1A中的源晶片1A包括連結(jié)在錨定件12之間的微型器件11，其中導(dǎo)電盤13位于微型器件11的頂部側(cè)。圖1B中的源晶片1B包括連結(jié)在錨定件12之間的微型器件11，其中導(dǎo)電盤14位于微型器件11的底部側(cè)。這兩種不同類型的源晶片10A、10B可直接地接合至目標(biāo)晶片，如下文所述。源晶片10A、10B可使用目前已知或未來發(fā)現(xiàn)的任何技術(shù)來制造。
[0025]圖2A、2B和2C示出目標(biāo)晶片的三種不同示例性配置。圖2A示出目標(biāo)晶片20A，其包括在目標(biāo)晶片20A的上表面上的介電基座21。
[0026]圖2B示出包括介電基座23的目標(biāo)晶片20B。目標(biāo)晶片20B還包括介電基座23上的導(dǎo)電盤24和焊料凸起25。
[0027]圖2C示出目標(biāo)晶片20C，其包括目標(biāo)晶片20C的表面上的導(dǎo)電盤26。目標(biāo)晶片20C還包括導(dǎo)電盤26上的焊料凸起28和目標(biāo)晶片20C的表面上的止動(dòng)件(stop)29。
[0028]圖1O是制造電子封裝件(例如參見圖4、圖6、圖8中的電子封裝件40、60、80)的方法
[1000]的流程圖。方法
[1000]包括
[1010]將包括微型器件11的源晶片1A或1B附連至目標(biāo)晶片20A或20B或20C。應(yīng)當(dāng)注意，盡管所示附圖將圖1的源晶片1A圖示為用于形成電子封裝件40、60、80，然而源晶片1B可替代地用于形成電子封裝件40、60、80(以及目前已知或未來發(fā)現(xiàn)的其它類型的源晶片)。
[0029]作為示例，包括微型器件11的源晶片1A或1B可在室溫下使用粘合劑接合至目標(biāo)晶片20A或20B或20C。源晶片1A或1B可接合至目標(biāo)晶片20A或20B或20C的方式可部分地取決于源晶片1A或1B和目標(biāo)晶片20A或20B或20C的配置以及電子封裝件40、60、80的所需功能和/或配置。
[0030]方法
[1000]還包括
[1020]從目標(biāo)晶片去除一部分源晶片1A或1B以形成電子封裝件(例如參見圖4、圖6、圖8，其中一部分源晶片1A被去除)。當(dāng)從目標(biāo)晶片20A或20B或20C去除源晶片1A或1B時(shí)，微型器件11保留在目標(biāo)晶片20A或20B或20C上。
[0031]圖3示出通過將圖1A的源晶片1A附連至圖2A的目標(biāo)晶片20A而形成的示例性封裝件40。圖4示出圖3的示例性封裝件40，其中源晶片1A的一部分被去除。
[0032]圖5示出通過將圖1A的源晶片1A附連至圖2B的目標(biāo)晶片20B而形成的示例性封裝件60。圖6示出圖5的示例性封裝件60，其中源晶片1A的一部分被去除。
[0033]圖7示出通過將圖1A的源晶片1A附連至圖2C的目標(biāo)晶片20C而形成的示例性封裝件80。圖8示出圖7的示例性封裝件80，其中源晶片20C的一部分被去除。
[0034]如圖3所示，在方法
[1000]的某些形式下，
[1010]將包括微型器件11的源晶片1A附連至目標(biāo)晶片20A可包括:(i)將微型器件11附連至從目標(biāo)晶片20A的表面伸出的相應(yīng)介電基座21。
[0035]如圖5所示，在方法
[1000]的某些形式下，
[1010]將包括微型器件11的源晶片1A附連至目標(biāo)晶片20B可包括:將微型器件11附連至從目標(biāo)晶片20B的表面伸出的焊料凸起25。另外，焊料凸起25可附連至目標(biāo)晶片20B的表面上的導(dǎo)電盤24。
[0036]如圖7所示，在方法
[1000]的某些形式下，
[1010]將包括微型器件11的源晶片1A附連至目標(biāo)晶片20C可包括:將微型器件11上的導(dǎo)電盤13與目標(biāo)晶片20C上的導(dǎo)電盤26附連。另外，
[1010]將包括微型器件11的源晶片1A附連至目標(biāo)晶片20C可包括將微型器件11附連至從目標(biāo)晶片20C的表面伸出的焊料凸起28并使微型器件11與從目標(biāo)晶片20C的表面伸出的止動(dòng)件29配合(例如附著)。
[0037]作為示例，焊料凸起28可具有大約5微米的厚度和5微米的高度，其中止動(dòng)件29提供間隙高度控制，尤其是當(dāng)使用傳統(tǒng)熱壓接合工具時(shí)。另外，當(dāng)使用InAu或AuSn焊料時(shí)，焊料凸起28高度可進(jìn)一步減小。
[0038]方法
[1000]可進(jìn)一步包括:
[1130]對(duì)在從目標(biāo)晶片20A或20B或20C去除源晶片1A或1B之后形成的電子封裝件40、60、80執(zhí)行后處理(post processing)。圖9示出圖4的電子封裝件40，其中電子封裝件40已經(jīng)歷示例性后源晶片1A去除處理(post source wafer1A removal processing)。被執(zhí)行以進(jìn)一步制造電子封裝件40、60、80的后源晶片10A去除處理的類型將部分取決于電子封裝件40、60、80的所需最終配置和功能(以及其它因素，包括但不限于成本、產(chǎn)出、可制造性和材料)。
[0039]在方法
[1000]的某些形式下，當(dāng)從目標(biāo)晶片20A或20B或20C去除源晶片10A或10B時(shí)，一些微型器件11保留在源晶片10A或10B上。如圖4、圖6和圖8所示，三個(gè)微型器件11中只有兩個(gè)保留在目標(biāo)晶片20A、20B、20C上。保留在源晶片10A或10B上的微型器件11的數(shù)目將取決于源晶片1A、1B和目標(biāo)晶片20A、20B、20C的相對(duì)對(duì)準(zhǔn)性和尺寸。設(shè)想，可隨后將源晶片10A或10B的去除部分上的微型器件11施加到另一目標(biāo)晶片或另一目標(biāo)晶片區(qū)。
[0040]在方法
[1000]的其它形式下，目標(biāo)晶片20A、20B、20C可包括作為目標(biāo)晶片20A、20B、20C的一部分的連接部(例如參見圖4中的介電基座21和管芯22)，由此將包括微型器件11的源晶片1A、1B附連至目標(biāo)晶片20A、20B、20C可包括將每個(gè)連接部附連至源晶片1A、1B0
[0041]然而，在一些形式下，不是所有的連接部都可附連至源晶片10A、10B。作為示例，源晶片10A或10B可小于目標(biāo)晶片20A或20B或20C，以使目標(biāo)晶片20A或20B或20C上的一些連接部不接納微型器件11，或者可能需要多個(gè)源晶片以便利目標(biāo)晶片上的所有連接部。
[0042]本文描述的方法可減少或省去當(dāng)利用微型器件時(shí)所需的切割和處理，尤其是相比與微型器件關(guān)聯(lián)的傳統(tǒng)拾取和布置技術(shù)而言。另外，通過相關(guān)管芯上互連的更緊密集成，可使微型器件尺寸小很多。這種減小的管芯尺寸和互連的緊密集成可降低功耗，因?yàn)榫哂泻苌倩驔]有1驅(qū)動(dòng)器以及減少的寄生效應(yīng)。
[0043]本文描述的方法也可減少制造壓印或研發(fā)新工具的需要，尤其相比已有的微轉(zhuǎn)印技術(shù)。電子組件和方法可以是簡單的并適用于許多SoC、光子1C、傳感器、1T和可佩戴產(chǎn)品。一些示例包括但不限于SoC上的GaN晶體管、高級(jí)邏輯IC上的小尺寸閃存、傳感器上的IA核心或光子IC上的激光器。
[0044]圖11是包含本文描述的至少一種方法
[1000]的電子裝置1100的方框圖。電子裝置1100僅僅是其中可使用本文描述的方法
[1000]的一些形式的電子裝置的一個(gè)例子。電子裝置1100的例子包括但不限于個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、游戲設(shè)備、MP3或其它數(shù)字音樂播放器等。在該例中，電子裝置1100包括數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)包括系統(tǒng)總線1102以耦合電子裝置1100的各種器件。系統(tǒng)總線102提供電子裝置1200的各個(gè)器件之間的通信鏈路并可被實(shí)現(xiàn)為單個(gè)總線、總線組合或以任何其它適宜方式實(shí)現(xiàn)。
[0045]本文描述的電子組件1110可耦合至系統(tǒng)總線1102。電子組件1110可包括任何電路或電路組合。在一個(gè)實(shí)施例中，電子組件1110包括可以是任何形式的處理器1112。如本文所述，“處理器”表示任何類型的計(jì)算電路，例如但不限于微處理器、微控制器、復(fù)雜指令集計(jì)算(CISC)微處理器、精簡指令集計(jì)算(RISC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、多核處理器或任何其它類型的處理器或處理電路。
[0046]可包括在電子組件1110中的其它類型電路是常用電路、專用集成電路(ASIC)等等，例如用于諸如移動(dòng)電話、平板計(jì)算機(jī)、膝上計(jì)算機(jī)、雙向無線電的無線設(shè)備和類似電子系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)電路(例如通信電路1114)。IC能夠執(zhí)行任何其它類型的功能。
[0047]電子裝置1100也可包括外部存儲(chǔ)器1120，該外部存儲(chǔ)器120可包括適于特殊應(yīng)用的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器元件，例如以隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)形式出現(xiàn)的主存儲(chǔ)器1122、一個(gè)或多個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器1124和/或處理諸如緊湊盤(CD)、閃存卡、數(shù)字視頻盤(DVD)之類可移動(dòng)介質(zhì)1126的一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器。
[0048]電子裝置1100也可包括顯示設(shè)備1116、一個(gè)或多個(gè)揚(yáng)聲器1118以及鍵盤和/或控制器1130，它可包括鼠標(biāo)、跟蹤球、觸摸屏、語音識(shí)別裝置或允許系統(tǒng)用戶將信息輸入到電子裝置1100和從電子裝置1100接收信息的任何其它裝置。
[0049]在某些形式下，電子裝置1100可包括在計(jì)算系統(tǒng)中本文所述的任何微型器件，其中計(jì)算系統(tǒng)附加到如本文描述的任何目標(biāo)晶片的至少一部分。在一些形式下，本文描述的任何源晶片的至少一部分也可附連于微型器件。其它形式也可以是計(jì)算系統(tǒng)中如本文描述的任何微型器件，其中微型器件附加到本文描述的任何目標(biāo)晶片的至少一部分。
[0050]為了更好地闡述本文所述的方法，下面給出諸實(shí)施例的非限制性列表:
[0051 ]例I包括方法，該方法包括將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片并從目標(biāo)晶片去除一部分源晶片以形成電子封裝件。當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件保留在目標(biāo)晶片上。
[0052]例2包括例I的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件附連至從目標(biāo)晶片的表面伸出的相應(yīng)介電基座。
[0053]例3包括例1-2中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件附連至從目標(biāo)晶片的表面伸出的焊料凸起。
[0054]例4包括例1-3中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件與從目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合。
[0055]例5包括例4的方法，其中將微型器件與從目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合包括使微型器件附著于止動(dòng)件。
[0056]例6包括例1-5中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件附連至從目標(biāo)晶片的表面伸出的焊料凸起以及將微型器件與從目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合。
[0057]例7包括例1-6中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件附連至在目標(biāo)晶片的表面上的相應(yīng)管芯。
[0058]例8包括例1-7中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件上的導(dǎo)電盤與目標(biāo)晶片進(jìn)行附連。
[0059]例9包括例1-8中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將源晶片附連至目標(biāo)晶片上的導(dǎo)電盤。
[0060]例10包括例1-9中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件上的導(dǎo)電盤與源晶片上的導(dǎo)電盤進(jìn)行附連。
[0061]例11包括例1-10中任何一個(gè)的方法，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將微型器件上的導(dǎo)電盤與安裝在目標(biāo)晶片上的導(dǎo)電盤上的焊料凸起進(jìn)行附連。
[0062]例12包括例1-11中任何一個(gè)的方法，并進(jìn)一步包括在電子封裝件上執(zhí)行后處理，所述電子封裝件是在從目標(biāo)晶片去除源晶片后形成的。
[0063]例13包括例1-12中任何一個(gè)的方法，其中當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件中的一些保留在源晶片上。
[0064]例14包括例13的方法，其中目標(biāo)晶片包括作為目標(biāo)晶片的一部分的連接部，其中將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將每個(gè)連接部附連至目標(biāo)晶片。
[0065]例15包括一種方法，所述方法包括將包含微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片。微型器件包括導(dǎo)電盤并且目標(biāo)晶片包括在目標(biāo)晶片表面上的介電基座。該方法還包括從目標(biāo)晶片去除一部分源晶片以形成電子封裝件。當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件上的導(dǎo)電盤與目標(biāo)晶片上的管芯配合。
[0066]例16包括例15的方法，其中目標(biāo)晶片包括介電基座，由此當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，一些微型器件上的導(dǎo)電盤與目標(biāo)晶片上的介電基座配合。
[0067]例17包括例15-16中任何一個(gè)的方法，其中當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件中的一些保留在源晶片上。
[0068]例18包括一種方法，所述方法包括將包含微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片表面上的導(dǎo)電盤。附連源晶片可包括:使微型器件與從目標(biāo)晶片表面伸出的止動(dòng)件配合，以及將微型器件附連至從目標(biāo)晶片上的導(dǎo)電盤伸出的焊料凸起。該方法還包括從源晶片去除一部分源晶片以形成電子封裝件。當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件被附連至焊料凸起。
[0069]例19包括例18的方法，其中附連源晶片包括將微型器件上的導(dǎo)電盤與目標(biāo)晶片上的焊料凸起進(jìn)行附連。
[0070]例20包括例18-19中任何一個(gè)的方法，其中當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件中的一些保留在源晶片上。
[0071]例21包括在計(jì)算系統(tǒng)中的微型器件，其中計(jì)算系統(tǒng)被附加到任何目標(biāo)晶片的至少一部分。
[0072]例22包括在例18的計(jì)算系統(tǒng)中的微型器件，其中源晶片的至少一部分也可被附加到微型器件。
[0073]例23包括在計(jì)算系統(tǒng)中的微型器件，其中微型器件被附加到目標(biāo)晶片的至少一部分。
[0074]本方法和計(jì)算系統(tǒng)的這些和其它例子和特征部分地在詳細(xì)予以闡述。
[0075]這種總述旨在提供當(dāng)前主題事項(xiàng)的非限定例子。其不旨在提供排他性或窮盡性解釋。詳細(xì)說明被包括以提供關(guān)于本文描述的方法的進(jìn)一步信息。
[0076]上面的詳細(xì)描述包括對(duì)附圖的引用，附圖構(gòu)成詳細(xì)描述的一部分。附圖借助示例示出本發(fā)明可實(shí)踐到的具體實(shí)施例。這些實(shí)施例在這里也被稱為“例子”。這些例子可包括除了圖示或描述的那些以外的要素。然而，本發(fā)明人也考慮其中僅提供所示或所描述的那些要素的例子。此外，本發(fā)明人也考慮使用圖示或描述的那些要素的任意組合或置換的例子(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)，或者針對(duì)特定例子(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)，或者針對(duì)圖示或本文所述的其它例子(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)。
[0077]在該文件中，如同在專利文件中常用的那樣，使用術(shù)語“一”或“一個(gè)”以包括一個(gè)或一個(gè)以上，這與“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”的任何其它實(shí)例或用法無關(guān)。在該文件中，術(shù)語“或”用來指非排他的“或”，以使“A或B”包括“A但非B”、“B但非A”以及“A和B”，除非另有指示。在該文件中，術(shù)語“包括”和“在其中”被用作相應(yīng)術(shù)語“包含”和“其中”的平文英語等同物。另外，在后面的權(quán)利要求書中，術(shù)語“包括”和“包含”是開放式的，也就是說，權(quán)利要求書中在這種術(shù)語之后的包括除了后面列出的要素以外的要素的系統(tǒng)、設(shè)備、物品、組合物、配方或工藝仍然被認(rèn)為落在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。此外，在后面的權(quán)利要求書中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等僅用作標(biāo)記，而不旨在對(duì)它們的對(duì)象強(qiáng)加數(shù)值要求。
[0078]以上描述是說明旨在是解說性的而非限制性的。例如，前面描述的例子(或者其一個(gè)或多個(gè)方面)可彼此結(jié)合地使用。例如本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員在閱讀前面的說明書之后可使用其它實(shí)施例。
[0079]遵照37C.F.R.§1.72(b)提供摘要，以使讀者快速地確定本技術(shù)公開的性質(zhì)。該摘要是以不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義的理解而提交的。
[0080]另外，在前面的詳細(xì)描述中，可將各種特征組合到一起以使本公開變得流暢。這不應(yīng)當(dāng)解釋為旨在使未要求的公開特征對(duì)任何權(quán)利要求是必需的。相反，創(chuàng)造性主題事項(xiàng)可通過比具體公開的實(shí)施例的所有特征更少的特征來實(shí)現(xiàn)。因此，下面的權(quán)利要求書在此納入到詳細(xì)說明中，每個(gè)權(quán)利要求作為單獨(dú)實(shí)施例而自成一體，并且期望這些實(shí)施例能夠以各種組合或置換彼此結(jié)合。本發(fā)明的范圍應(yīng)參考所附權(quán)利要求書以及這些權(quán)利要求享有權(quán)利的等效方案的完整范圍來確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法，包括: 將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片；以及 從所述目標(biāo)晶片去除所述源晶片的一部分以形成電子封裝件，其中當(dāng)從目標(biāo)晶片去除所述源晶片時(shí)，所述微型器件保留在所述目標(biāo)晶片上。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件附連至從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的相應(yīng)介電基座。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件附連至從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的焊料凸起。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件與從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，將微型器件與從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合包括使微型器件附著于所述止動(dòng)件。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件附連至從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的焊料凸起以及將微型器件與從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件附連至目標(biāo)晶片的表面上的相應(yīng)管芯。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件上的導(dǎo)電盤與所述目標(biāo)晶片附連。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述源晶片附連至所述目標(biāo)晶片上的導(dǎo)電盤。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件上的導(dǎo)電盤與所述源晶片上的導(dǎo)電盤進(jìn)行附連。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片包括將所述微型器件上的導(dǎo)電盤與被安裝在所述目標(biāo)晶片上的導(dǎo)電盤上的焊料凸起進(jìn)行附連。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在電子封裝件上執(zhí)行后處理，所述電子封裝件是在從所述目標(biāo)晶片去除源晶片后形成的。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，所述微型器件中的一些保留在所述源晶片上。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)晶片包括作為目標(biāo)晶片的部分的連接部，其中將包括微型器件的所述源晶片附連至所述目標(biāo)晶片包括將每個(gè)連接部附連至所述目標(biāo)晶片。15.一種方法，包括: 將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片，其中所述微型器件包括導(dǎo)電盤并且所述目標(biāo)晶片包括所述目標(biāo)晶片的表面上的介電基座；以及 從所述目標(biāo)晶片去除所述源晶片的一部分以形成電子封裝件，其中當(dāng)從目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，微型器件上的所述導(dǎo)電盤與所述目標(biāo)晶片上的管芯配合。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)晶片包括介電基座，由此當(dāng)從所述目標(biāo)晶片去除源晶片時(shí)，一些微型器件上的導(dǎo)電盤與目標(biāo)晶片上的所述介電基座配合。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，當(dāng)從目標(biāo)晶片去除所述源晶片時(shí)，所述微型器件中的一些保留在所述源晶片上。18.一種方法，包括: 將包括微型器件的源晶片附連至目標(biāo)晶片的表面上的導(dǎo)電盤，其中附連所述源晶片包括使所述微型器件與從所述目標(biāo)晶片的表面伸出的止動(dòng)件配合以及將所述微型器件附連至從所述目標(biāo)晶片上的所述導(dǎo)電盤伸出的焊料凸起；以及 從所述源晶片去除所述源晶片的一部分以形成電子封裝件，其中當(dāng)從所述目標(biāo)晶片去除所述源晶片時(shí)，所述微型器件附連至所述焊料凸起。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，附連所述源晶片包括將所述微型器件上的導(dǎo)電盤與所述目標(biāo)晶片上的所述焊料凸起進(jìn)行附連。20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，當(dāng)從目標(biāo)晶片去除所述源晶片時(shí)，所述微型器件中的一些保留在源晶片上。
【文檔編號(hào)】H01L23/58GK105849902SQ201480025074
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月3日
【發(fā)明人】P·常, M·梅伯里
【申請(qǐng)人】英特爾公司