一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置。該方法包括：在基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層；采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火；形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層；采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火；其中，所述第二溫度低于所述第一溫度。該方案提高了該第一薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性，延長了器件壽命。
【專利說明】
一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管是指有源層為氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管。在顯示領(lǐng)域，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管因迀移率高、均一性好、透明、制作工藝簡單，可以更好地滿足顯示器的需求而倍受關(guān)注。在顯示器中，包括像素區(qū)薄膜晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板(Gate driver on array，G0A)區(qū)薄膜晶體管，其中，GOA區(qū)薄膜晶體管用于控制柵線的信號輸入，受到正性偏壓較為明顯，容易發(fā)生正向偏壓漂移導(dǎo)致失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置，用于解決GOA區(qū)薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性較差的問題。
[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0007]采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火；
[0008]形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層；
[0009]采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火;其中，所述第二溫度低于所述第一溫度。
[0010]較佳地，在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層之前，該方法還包括:
[0011]在基板的GOA區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的第一柵極，以及覆蓋所述第一柵極的第二絕緣層;所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層位于所述第二絕緣層上；
[0012]在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層之前，該方法還包括:
[0013]形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。
[0014]較佳地，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，該方法還包括:
[0015]形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一絕緣層上且位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第一柵極；
[0016]分別形成貫穿所述第一絕緣層的第一過孔和第二過孔，暴露出所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0017]分別在所述第一過孔和第二過孔中沉積金屬，以形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極；
[0018]形成覆蓋所述第一柵極、第一源極和第一漏極的第二絕緣層。
[0019]較佳地，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括:
[0020]采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一薄膜晶體管在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0021]較佳地，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括:
[0022]采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物有源層在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0023]較佳地，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括:
[0024]采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物半導(dǎo)體有源層溝道區(qū)在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0025]較佳地，第一溫度的范圍是300?400 °C;第二溫度的范圍是200?300 °C。
[0026]較佳地，第一時(shí)長的范圍是Ih?3h;第二時(shí)長的范圍是0.5h?1.5h。
[0027]較佳地，第一時(shí)長是Ih;第二時(shí)長是Ih。
[0028]較佳地，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之前，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火;采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括:采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，且避開所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0029]或者，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，且避開所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0030]較佳地，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層，包括:
[0031]在基板的GOA區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的同時(shí)，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0032]采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，包括:
[0033]在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火；
[0034]該方法還包括:在形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體的第一絕緣層的同時(shí)，形成覆蓋所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層;所述第三絕緣層與所述第一絕緣層為同一層。
[0035]較佳地，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層之前，該方法還包括:
[0036]在基板的像素區(qū)形成所述第二薄膜晶體管的第二柵極，以及覆蓋所述第二柵極的第四絕緣層;所述第四絕緣層與所述第二絕緣層為同一層;所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層位于所述第四絕緣層上；
[0037]在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，形成覆蓋所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層之前，該方法還包括:
[0038]形成所述第二薄膜晶體管位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。
[0039]較佳地，在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，該方法還包括:
[0040]形成所述第二薄膜晶體管位于所述第三絕緣層上且位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第二柵極；
[0041]分別形成貫穿所述第三絕緣層的第三過孔和第四過孔，暴露出所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0042]分別在所述第三過孔和第四過孔中沉積金屬，以形成所述第二薄膜晶體管位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第二源極和第二漏極；
[0043]形成覆蓋所述第二柵極、第二源極和第二漏極的第四絕緣層;所述第四絕緣層與所述第二絕緣層為同一層。
[0044]一種陣列基板，所述陣列基板是采用以上任一項(xiàng)所述的制作方法制作得到的。
[0045]—種顯示裝置，包括以上所述的陣列基板。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下:
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其制作方法和顯示裝置中，在形成第一氧化物半導(dǎo)體有源層后，進(jìn)行了一次退火，在形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層后，又增加了第二次退火，并且采用低于第一溫度的第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行退火，退火之后，使得第一薄膜晶體管的正向偏壓漂移量減小，提高了該第一薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性，延長了器件壽命。
【附圖說明】
[0048]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程示意圖；
[0049]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種第一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051 ]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種第一薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火的示意圖；
[0053]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火的示意圖；
[0054]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火的示意圖；
[0055]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成第一柵極和第二柵極時(shí)的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0056]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成第二絕緣層時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成第一氧化物半導(dǎo)體有源層和第二氧化物半導(dǎo)體有源層及對基板進(jìn)行退火時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成第一絕緣層及對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中在第一絕緣層中形成第五過孔時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程中形成像素電極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0062]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明提供的一種陣列基板、其制作方法和顯示裝置進(jìn)行更詳細(xì)地說明。
[0063]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，該方法至少包括如下步驟:
[0064]步驟110、在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0065]步驟120、采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火。
[0066]該步驟中對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行了第一次退火。
[0067]步驟130、形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層。
[0068]步驟140、采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火;其中，第二溫度低于第一溫度。
[0069]該步驟中對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行了第二次退火。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例中，在形成第一氧化物半導(dǎo)體有源層后，進(jìn)行了一次退火，在形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層后，又增加了第二次退火，并且采用低于第一溫度的第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行退火，退火之后，使得第一薄膜晶體管的正向偏壓漂移量減小，提高了該第一薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性，延長了器件壽命。
[0071]其中，上述第一薄膜晶體管除第一氧化物半導(dǎo)體氧化物之外，還包括第一柵極、第一源極和第一漏極。具體實(shí)施時(shí)，該第一薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)可以是頂柵型薄膜晶體管，也可以是底柵型薄膜晶體管。對于不同的結(jié)構(gòu)，第一薄膜晶體管的形成步驟不同，下面分別進(jìn)行說明。
[0072]在一種可能的實(shí)施例中，底柵型薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括位于基板11的GOA區(qū)的第一柵極12a，覆蓋第一柵極12a的第二絕緣層13，位于第二絕緣層13上且位于第一柵極12a上方的第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a，位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a上的第一源極15a和第一漏極16a，覆蓋第一氧化半導(dǎo)體有源層14a且覆蓋第一源極15a和第一漏極16a的第一絕緣層17。其中，第一絕緣層17在最上層，相當(dāng)于保護(hù)層，第二絕緣層13位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a與第一柵極12a之間，相當(dāng)于柵絕緣層。
[0073]基于圖2所示的第一薄膜晶體管，上述陣列基板的制作過程中，較佳地，上述步驟110中在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層之前，還包括:在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一柵極，以及覆蓋第一柵極的第二絕緣層;第一氧化物半導(dǎo)體有源層位于第二絕緣層上。在上述步驟120采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，上述步驟130形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層之前，還包括:形成第一薄膜晶體管位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。
[0074]上述實(shí)施例所述的底柵型薄膜晶體管中，如圖3所示，也可以是第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a位于第一源極15a、第一漏極16a和第二絕緣層13上，相應(yīng)的制作方法可以參照圖2所示的薄膜晶體管的制作方法。
[0075]在一種可能的實(shí)施例中，頂柵型薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)如圖4所示，包括位于基板11的GOA區(qū)的第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a，位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a上的第一源極15a和第一漏極16a，覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a的第一絕緣層17，位于第一絕緣層17上且位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a上方的第一柵極12a，覆蓋第一柵極12a且覆蓋第一源極15a和第一漏極16a的第二絕緣層13。其中，第二絕緣層13在最上層，相當(dāng)于保護(hù)層，第一絕緣層17位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a與第一柵極12a之間，相當(dāng)于柵絕緣層。
[0076]基于圖4所示的第一薄膜晶體管，上述陣列基板的制作過程中，較佳地，在上述步驟140采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，還包括:形成第一薄膜晶體管位于第一絕緣層上且位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第一柵極;分別形成貫穿第一絕緣層的第一過孔和第二過孔，暴露出第一氧化物半導(dǎo)體有源層;分別在第一過孔和第二過孔中沉積金屬，以形成第一薄膜晶體管位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極;形成覆蓋第一柵極、第一源極和第一漏極的第二絕緣層。
[0077]具體實(shí)施時(shí)，較佳地，上述步驟140中采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火的實(shí)現(xiàn)方式有多種，下面列舉其中幾種。
[0078]上述步驟140的一種實(shí)現(xiàn)方式可以是:如圖5所示，采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一薄膜晶體管在基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版18，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0079]上述步驟140的另一種實(shí)現(xiàn)方式可以是:如圖6所示，采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物有源層在基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版18，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0080]上述步驟140的又一種實(shí)現(xiàn)方式可以是:如圖7所示，采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物半導(dǎo)體有源層溝道區(qū)在基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版18，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0081]上述相關(guān)實(shí)施例中，利用掩膜版對基板進(jìn)行不同程度的遮擋，實(shí)現(xiàn)了對第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第二次退火。其中，列舉了紅外光和準(zhǔn)分子激光兩種退火方式，也可以采用其它可選的退火方式，此處不再一一列舉。另外，上述步驟120中，采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火時(shí)，也可以采用紅外光的退火方式，或者可以采用傳統(tǒng)的退火方式，如熱風(fēng)、電阻絲加熱等等，此處也不再--列舉。
[0082]通常，基板的GOA區(qū)的薄膜晶體管容易受到正向偏壓，通過采用上述各個(gè)實(shí)施例的方案可以提高其正向偏壓穩(wěn)定性?；宓南袼貐^(qū)的薄膜晶體管則容易受到負(fù)向偏壓，需要負(fù)向偏壓穩(wěn)定。但是在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)明人發(fā)現(xiàn)對于基板的像素區(qū)的薄膜晶體管如果也進(jìn)行第二次退火，就會(huì)影響其負(fù)向偏壓穩(wěn)定性，因而，需要避開該像素區(qū)的薄膜晶體管，從而避免其因第二次退火而影響其負(fù)向偏壓穩(wěn)定性，例如，可以參照上述實(shí)施例利用掩模版進(jìn)行遮擋。另外，在對基板的像素區(qū)的薄膜晶體管進(jìn)行一次退火的過程中，也可能會(huì)對已完成第二次退火的GOA區(qū)的薄膜晶體管有影響，因而，也需要避開該GOA區(qū)的薄膜晶體管，例如，同樣也可以利用掩膜版進(jìn)行遮擋。其中，基板的像素區(qū)的薄膜晶體管既可以是頂柵型薄膜晶體管，也可以是底柵型薄膜晶體管。下面以具體結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管進(jìn)行舉例說明。
[0083]較佳地，在上述步驟140中采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之前，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火;上述步驟140中，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，具體的:采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，且避開第二氧化物半導(dǎo)體有源層。本實(shí)施例的方案，可以用于第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為頂柵型，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為底柵型，第一薄膜晶體管為底柵型且第二薄膜晶體管為頂柵型三種情況，對GOA區(qū)的第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火時(shí)，避開了像素區(qū)的第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層，從而避免影響其負(fù)向偏壓穩(wěn)定性。
[0084]或者，在上述步驟140中采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，且避開第一氧化物半導(dǎo)體有源層。本實(shí)施例的方案，可以用于第一薄膜晶體管為頂柵型且第二薄膜晶體管為底柵型的情況，在對基板的像素區(qū)的第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行一次退火的過程中，避開了GOA區(qū)的第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層，從而避免影響GOA區(qū)已完成第二次退火的第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0085]對于第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為頂柵型，或同為底柵型的情況:
[0086]較佳地，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層，包括:
[0087]在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層的同時(shí)，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層。相應(yīng)的，采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，具體的:在采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火。還包括:形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體的第一絕緣層的同時(shí)，形成覆蓋第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層;第三絕緣層與第一絕緣層為同一層。
[0088]如果第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為底柵型，較佳地，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層之前，還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二柵極，以及覆蓋第二柵極的第四絕緣層;第四絕緣層與第二絕緣層為同一層;第二氧化物半導(dǎo)體有源層位于第四絕緣層上。相應(yīng)的，在采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之前，該方法還包括:形成第二薄膜晶體管位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。
[0089]其中的第二薄膜晶體管中，也可以是第二氧化物半導(dǎo)體有源層位于第二源極、第二漏極和第四絕緣層上，相應(yīng)的制作方法可以參照上述實(shí)施例。
[0090]如果第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為頂柵型，較佳地，在采用第一溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，還包括:形成第二薄膜晶體管位于第三絕緣層上且位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第二柵極;分別形成貫穿第三絕緣層的第三過孔和第四過孔，暴露出第二氧化物半導(dǎo)體有源層;分別在第三過孔和第四過孔中沉積金屬，以形成第二薄膜晶體管位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第二源極和第二漏極;形成覆蓋第二柵極、第二源極和第二漏極的第四絕緣層;第四絕緣層與第二絕緣層為同一層。
[0091]對于第一薄膜晶體管為底柵型且第二薄膜晶體管為頂柵型的情況:
[0092]較佳地，在采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之前，采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，還包括:形成覆蓋第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層;形成位于該第三絕緣層上且位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第二柵極;分別形成貫穿第三絕緣層的第三過孔和第四過孔，暴露出第二氧化物半導(dǎo)體有源層;分別在第三過孔和第四過孔中沉積金屬，以形成第二薄膜晶體管位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第二源極和第二漏極;形成覆蓋第二柵極、第二源極和第二漏極的第四絕緣層。
[0093]對于第一薄膜晶體管為頂柵型且第二薄膜晶體管為底柵型的情況:
[0094]較佳地，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層之前，還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二柵極，以及覆蓋第二柵極的第四絕緣層;第二氧化物半導(dǎo)體有源層位于第四絕緣層上;采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，還包括:形成位于第二氧化物半導(dǎo)體有層上的第二源極和第二漏極;形成覆蓋第二氧化物半導(dǎo)體、第二源極和第二漏極的第三絕緣層。
[0095]較佳地，基于以上任意實(shí)施例，第一溫度的范圍是300?400°C;第二溫度的范圍是200?300。。。
[0096]較佳地，第一溫度是380 °C，第二溫度是280 °C。
[0097]較佳地，第一時(shí)長的范圍是0.5h?2h;第二時(shí)長的范圍是0.5h?1.5h。
[0098]較佳地，第一時(shí)長是Ih;第二時(shí)長是Ih。
[0099]較佳地，以上相關(guān)實(shí)施例中，第一氧化物半導(dǎo)體有源層和第二氧化物半導(dǎo)體有源層的材料可以但不限于是氧化鋅(Zinc 0xide，Zn0)、氧化銦鋅(Indium Zinc 0xide，IZ0)、氧化銦嫁鋅(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、氧化銦錫鋅(Indium Tin Zinc Oxide,ITZ0)o
[0100]較佳地，以上相關(guān)實(shí)施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的材料可以但不限于是氮化娃(Silicon Nitride，SiNx)、氧化娃(Silicon (^丨(16，3;[(^)、氮氧化娃(3;[1;[(3011Oxynitride,S1N)。
[0101]下面以上述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同為底柵型薄膜晶體管為例，對本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。
[0102]步驟一、在基板上沉積金屬層，如圖8所示，利用一次構(gòu)圖工藝在基板的GOA區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的第一柵極12a，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二柵極12b，以及形成柵線(圖中未示出柵線)。
[0103]步驟二、如圖9所示，在基板上沉積覆蓋第一柵極12a和第二柵極12b的第二絕緣層13ο
[0?04] 該步驟中，第二絕緣層的材料可以但不限于是SiNx、S1x、S1N。
[0105]步驟三、在基板上沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜，如圖10所示，利用一次構(gòu)圖工藝形成位于第二絕緣層13上且位于第一柵極12a上方的第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a，和位于第二絕緣層13上且位于第二柵極12b上方的第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b。
[0106]該步驟中，第一氧化物半導(dǎo)體有源層和第二氧化物半導(dǎo)體有源層的材料可以但不限于是ZnO、IZO、IGZO、ITZO。
[0107]步驟四、如圖10所示，采用第一溫度的紅外光照射形成有第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a和第二氧化物有源層14b的基板進(jìn)行第一時(shí)長的退火。
[0108]該步驟中，對第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a進(jìn)行了第一次退火。其中，第一溫度是380°C，第一時(shí)長是lh。
[0109]步驟五、利用磁控濺射在形成有第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a和第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b的基板上沉積金屬層，如圖11所示，利用一次構(gòu)圖工藝形成位于第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a上的第一源極15a和第一漏極16a，形成位于第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b上的第二源極15b、第二漏極16b，以及形成數(shù)據(jù)線(圖中未示出)。
[0110]步驟六、如圖12所示，形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a、第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b、第一源極15a、第一漏極15b、第二源極16a和第二漏極16b的第一絕緣層17。
[0111 ] 該步驟中，第一絕緣層的材料可以但不限于是SiNx、Si0x、Si0N。
[0112]步驟七、如圖12所示，安裝掩膜版，該掩膜版僅暴露出第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a溝道區(qū)在基板上的正投影所覆蓋區(qū)域，其中，第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b被該掩膜版所遮擋。
[0113]步驟八、如圖12所示，采用第二溫度的紅外光照射掩膜版，以僅對第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a進(jìn)行第二時(shí)長的退火。
[0114]該步驟中，對第一氧化物半導(dǎo)體有源層14a進(jìn)行了第二次退火，且未對第二氧化物半導(dǎo)體有源層14b進(jìn)行退火。其中，第二溫度是280°C，第二時(shí)長是lh。
[0115]步驟九、如圖13所示，利用構(gòu)圖工藝形成貫穿第一絕緣層的第五過孔A，暴露出第二漏極16b。
[0116]步驟十、如圖14所示，在形成有第五過孔A的第一絕緣層17上沉積透明導(dǎo)電薄膜，利用一次構(gòu)圖工藝形成通過第五過孔A與第二漏極16b連接的像素電極19。
[0117]通過以上步驟，得到的第一薄膜晶體管，由于其中的第一氧化物半導(dǎo)體有源層經(jīng)過兩次退火，使得第一薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性提高，滿足基板的GOA區(qū)的需求。得到的第二薄膜晶體管，由于在對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二次退火時(shí)，對其中的第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行了遮擋，未經(jīng)過第二次退火，不會(huì)影響其負(fù)向偏壓穩(wěn)定性，滿足基板的像素區(qū)的需求。
[0118]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，該陣列基板是采用以上任一項(xiàng)所述的制作方法制作得到的。
[0119]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括以上所述的陣列基板。
[0120]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其制作方法和顯示裝置中，在形成第一氧化物半導(dǎo)體有源層后，進(jìn)行了一次退火，在形成覆蓋第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層后，又增加了第二次退火，并且采用低于第一溫度的第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行退火，退火之后，使得第一薄膜晶體管的正向偏壓漂移量減小，提高了該第一薄膜晶體管的正向偏壓穩(wěn)定性，延長了器件壽命。
[0121]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0122]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 在基板的柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層； 采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火； 形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層； 采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火;其中，所述第二溫度低于所述第一溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在基板的GOA區(qū)形成第一薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體有源層之前，該方法還包括: 在基板的GOA區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的第一柵極，以及覆蓋所述第一柵極的第二絕緣層;所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層位于所述第二絕緣層上； 在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的第一絕緣層之前，該方法還包括: 形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，該方法還包括: 形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一絕緣層上且位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第一柵極； 分別形成貫穿所述第一絕緣層的第一過孔和第二過孔，暴露出所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層； 分別在所述第一過孔和第二過孔中沉積金屬，以形成所述第一薄膜晶體管位于所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極； 形成覆蓋所述第一柵極、第一源極和第一漏極的第二絕緣層。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括: 采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一薄膜晶體管在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。5.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括: 采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物有源層在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。6.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括: 采用第二溫度的紅外光或者準(zhǔn)分子激光，照射暴露出第一氧化物半導(dǎo)體有源層溝道區(qū)在所述基板上的正投影所覆蓋區(qū)域的掩膜版，以對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一溫度的范圍是300?400°C;第二溫度的范圍是200?300°C。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，第一時(shí)長的范圍是Ih?3h;第二時(shí)長的范圍是0.5h?1.5h。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，第一時(shí)長是Ih;第二時(shí)長是Ih。10.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之前，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火;采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，包括:采用第二溫度對第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火，且避開所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層； 或者，在采用第二溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第二時(shí)長的退火之后，該方法還包括:在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層;采用第一溫度對第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，且避開所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層，包括: 在基板的GOA區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層的同時(shí)，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層； 采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火，包括: 在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火； 該方法還包括:在形成覆蓋所述第一氧化物半導(dǎo)體的第一絕緣層的同時(shí)，形成覆蓋所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層;所述第三絕緣層與所述第一絕緣層為同一層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在基板的像素區(qū)形成第二薄膜晶體管的第二氧化物半導(dǎo)體有源層之前，該方法還包括: 在基板的像素區(qū)形成所述第二薄膜晶體管的第二柵極，以及覆蓋所述第二柵極的第四絕緣層;所述第四絕緣層與所述第二絕緣層為同一層;所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層位于所述第四絕緣層上； 在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，形成覆蓋所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層的第三絕緣層之前，該方法還包括: 形成所述第二薄膜晶體管位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第一源極和第一漏極。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在采用第一溫度對所述第一氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火的同時(shí)，采用第一溫度對所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層進(jìn)行第一時(shí)長的退火之后，該方法還包括: 形成所述第二薄膜晶體管位于所述第三絕緣層上且位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上方的第二柵極； 分別形成貫穿所述第三絕緣層的第三過孔和第四過孔，暴露出所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層； 分別在所述第三過孔和第四過孔中沉積金屬，以形成所述第二薄膜晶體管位于所述第二氧化物半導(dǎo)體有源層上的第二源極和第二漏極； 形成覆蓋所述第二柵極、第二源極和第二漏極的第四絕緣層;所述第四絕緣層與所述第二絕緣層為同一層。14.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是采用權(quán)利要求1?13任一項(xiàng)所述的制作方法制作得到的。15.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求14所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK105870057SQ201610278667
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月28日
【發(fā)明人】寧策, 楊維
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司