單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，單側(cè)發(fā)光光源包括：襯底基板；位于所述襯底基板上的遮光圖形；信號(hào)傳輸圖形；與所述信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影完全落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；電致發(fā)光層；位于所述電致發(fā)光層上的透明的第二電極層。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示裝置的對(duì)比度。
【專利說(shuō)明】
單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 反射顯示技術(shù)由于其戶外可讀性好，低功耗等優(yōu)勢(shì)，在可穿戴顯示領(lǐng)域越來(lái)越受 到關(guān)注。然而，反射顯示器件在環(huán)境光較弱或者暗態(tài)環(huán)境下不能看到畫(huà)面，在一定程度上限 制了反射顯示器件的應(yīng)用。前置光源技術(shù)可W解決W上問(wèn)題，現(xiàn)有的前置光源技術(shù)是將側(cè) 入式的導(dǎo)光板放置在反射顯示器件的上方，然而，由于導(dǎo)光板雙面均有光發(fā)出，導(dǎo)致反射顯 示器件在暗態(tài)環(huán)境下的對(duì)比度很低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置，能 夠提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示裝置的對(duì)比度。
[0004] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：
[0005] -方面，提供一種單側(cè)發(fā)光光源，包括：
[0006] 襯底基板；
[0007] 位于所述襯底基板上的遮光圖形；
[000引信號(hào)傳輸圖形；
[0009] 與所述信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影 完全落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0010] 電致發(fā)光層；
[0011] 位于所述電致發(fā)光層上的透明的第二電極層；
[0012] 覆蓋所述第二電極層的封裝層。
[0013] 進(jìn)一步地，還包括；
[0014] 驅(qū)動(dòng)電路，用于分別向所述第一電極和所述第二電極層提供電信號(hào)。
[0015] 進(jìn)一步地，還包括：
[0016] 填充相鄰第一電極之間區(qū)域的絕緣層，所述絕緣層的表面與所述第一電極的表面 位于同一水平面上。
[0017] 進(jìn)一步地，所述信號(hào)傳輸圖形為采用透明導(dǎo)電材料的整層圖形。
[0018] 進(jìn)一步地，所述遮光圖形為圓形。
[0019] 進(jìn)一步地，所述遮光圖形的直徑為20-60WI1。
[0020] 進(jìn)一步地，所述第一電極包括：
[0021] 金屬圖形和位于所述金屬圖形朝向所述電致發(fā)光層一側(cè)的透明導(dǎo)電圖形。
[0022] 進(jìn)一步地，所述金屬圖形為采用Ag或A1。
[0023] 進(jìn)一步地，所述第二電極層為采用IZ0。
[0024] 進(jìn)一步地，從所述襯底基板邊緣到所述襯底基板中屯、的方向上，所述第一電極的 尺寸逐漸增大。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括反射式顯示面板和貼附在所述反射式 顯示面板出光側(cè)的如上所述的單側(cè)發(fā)光光源，所述單側(cè)發(fā)光光源的出光側(cè)朝向所述反射式 顯不面板。
[00%]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種如上所述單側(cè)發(fā)光光源的制作方法，包括：
[0027]提供一襯底基板；
[00%]在所述襯底基板上形成遮光圖形；
[0029] 形成信號(hào)傳輸圖形；
[0030] 形成與所述信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，所述第一電極在所述襯底基板上的正 投影完全落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0031] 形成電致發(fā)光層；
[0032] 在所述電致發(fā)光層上形成透明的第二電極層；
[0033] 形成覆蓋所述第二電極層的封裝層。
[0034] 進(jìn)一步地，形成所述第一電極包括：
[0035] 在形成有所述信號(hào)傳輸圖形的襯底基板上依次沉積金屬層和透明導(dǎo)電層；
[0036] 在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，利用第一掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，所述 第一掩膜板包括有與所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)的不透光區(qū)域和除所述不透光區(qū)域之外 的透光區(qū)域；
[0037] 對(duì)所述光刻膠顯影后形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，所述光刻膠保留區(qū) 域與所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)；
[0038] 刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的金屬層和透明導(dǎo)電層；
[0039] 去除光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，形成所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形。
[0040] 進(jìn)一步地，形成所述第一電極包括：
[0041] 利用第二掩膜板在形成有所述信號(hào)傳輸圖形的襯底基板上瓣射或蒸鍛金屬材料， 形成所述金屬圖形，所述第二掩膜板包括有與所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)；
[0042] 利用所述第二掩膜板在所述金屬圖形上瓣射或蒸鍛透明導(dǎo)電材料，形成所述透明 導(dǎo)電圖形。
[0043] 本發(fā)明的實(shí)施例具有W下有益效果：
[0044] 上述方案中，單側(cè)發(fā)光光源僅在第二電極層一側(cè)有光發(fā)出，運(yùn)樣將該單側(cè)發(fā)光光 源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，在黑暗環(huán)境中，將該單側(cè)發(fā)光光源打開(kāi)，單側(cè)發(fā)光光源發(fā)出 的光線射入反射式顯示面板內(nèi)，然后反射出來(lái)進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯示，由于該單側(cè)發(fā)光光源僅 在朝向反射式顯示面板的一側(cè)有光發(fā)出，因此可W提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示對(duì)比度;另外，在 明亮環(huán)境下可W將該單側(cè)發(fā)光光源關(guān)閉，環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板內(nèi)，反射出來(lái)后進(jìn)入 人眼實(shí)現(xiàn)顯示。
【附圖說(shuō)明】
[0045] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例單側(cè)發(fā)光光源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例單側(cè)發(fā)光光源中遮光圖形和第一電極的俯視示意圖；
[0047] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例單側(cè)發(fā)光光源的俯視示意圖；
[0048] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例第一電極與驅(qū)動(dòng)電路的距離和第一電極的面積之間的關(guān)系示 意圖；
[0049] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例單側(cè)發(fā)光光源的制作方法的流程示意圖。
[0051] 附圖標(biāo)記
[0052] 1襯底基板 2遮光圖形 3信號(hào)傳輸圖形4金屬圖形
[0053] 5透明導(dǎo)電圖形6絕緣層 7電致發(fā)光層 8第二電極層
[0054] 9封裝層 10反射式顯示面板11貼合膠 12單側(cè)發(fā)光光源
【具體實(shí)施方式】
[0055] 為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合 附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0056] 本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中反射顯示器件在暗態(tài)環(huán)境下的對(duì)比度很低的問(wèn) 題，提供一種單側(cè)發(fā)光光源及其制作方法、顯示裝置，能夠提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示裝置的對(duì) 比度。
[0057] 本實(shí)施例提供一種單側(cè)發(fā)光光源，如圖1所示，本實(shí)施例包括：
[0化引襯底基板1;
[0059] 位于襯底基板1上的遮光圖形2;
[0060] 信號(hào)傳輸圖形3;
[0061] 與信號(hào)傳輸圖形3連接的第一電極，第一電極在襯底基板1上的正投影完全落入遮 光圖形2在襯底基板1上的正投影內(nèi)；
[0062] 電致發(fā)光層7;
[0063] 位于電致發(fā)光層7上的透明的第二電極層8;
[0064] 覆蓋第二電極層8的封裝層9。
[0065] 本實(shí)施例中，單側(cè)發(fā)光光源僅在第二電極層一側(cè)有光發(fā)出，運(yùn)樣將該單側(cè)發(fā)光光 源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，在黑暗環(huán)境中，將該單側(cè)發(fā)光光源打開(kāi)，單側(cè)發(fā)光光源發(fā)出 的光線射入反射式顯示面板內(nèi)，然后反射出來(lái)進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯示，由于該單側(cè)發(fā)光光源僅 在朝向反射式顯示面板的一側(cè)有光發(fā)出，因此可W提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示對(duì)比度;另外，在 明亮環(huán)境下可W將該單側(cè)發(fā)光光源關(guān)閉，環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板內(nèi)，反射出來(lái)后進(jìn)入 人眼實(shí)現(xiàn)顯示。
[0066] 具體地，第一電極可W為陽(yáng)極，第二電極層為陰極層。
[0067] 進(jìn)一步地，單側(cè)發(fā)光光源還包括：
[0068] 驅(qū)動(dòng)電路，用于分別向第一電極和第二電極層8提供電信號(hào)。在驅(qū)動(dòng)電路分別向第 一電極和第二電極層8提供電信號(hào)后，第一電極和第二電極層8之間產(chǎn)生電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電致發(fā) 光層7發(fā)光，每一個(gè)第一電極對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光點(diǎn)，單側(cè)發(fā)光光源包括有多個(gè)發(fā)光點(diǎn)，多個(gè)發(fā)光 點(diǎn)發(fā)出的光線均從第二電極層一側(cè)射出。
[0069] 具體地，如圖1所示，第一電極包括：
[0070] 金屬圖形4和位于金屬圖形4朝向電致發(fā)光層7-側(cè)的透明導(dǎo)電圖形5。其中，金屬 圖形4用于與第二電極層8之間產(chǎn)生電場(chǎng)，但為了避免電致發(fā)光層7發(fā)出的光線在層內(nèi)反復(fù) 發(fā)生反射，在金屬圖形4上還設(shè)置有透明導(dǎo)電圖形5,透明導(dǎo)電圖形5用于匹配電致反光層7 的腔長(zhǎng)，提高光取出效率。優(yōu)選地，金屬圖形4采用Ag或A1等反射性較強(qiáng)的金屬，可W進(jìn)一步 提高電致反光層7的光取出效率。
[007。 進(jìn)一步地，如圖1所示，單側(cè)發(fā)光光源還包括：
[0072] 填充相鄰第一電極之間區(qū)域的絕緣層6,絕緣層6的表面與第一電極的表面位于同 一水平面上，絕緣層6不僅能夠起到平坦層的作用，為后續(xù)制程提供一平坦表面，還可W限 定出不同的發(fā)光區(qū)域，絕緣層6可W采用無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化娃、氧化娃制成，還可W采 用有機(jī)絕緣材料比如有機(jī)樹(shù)脂制成。
[0073] 優(yōu)選地，信號(hào)傳輸圖形3采用透明導(dǎo)電材料，運(yùn)樣信號(hào)傳輸圖形3可W設(shè)置為一整 層，一方面降低了電信號(hào)傳輸時(shí)的壓降，另外由于信號(hào)傳輸圖形3為透明的，運(yùn)樣當(dāng)單側(cè)發(fā) 光光源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，不會(huì)影響外界環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板?？蛇x地，信 號(hào)傳輸圖形3可W采用口 0或IZ0。
[0074] 具體實(shí)施例中，如圖2所示，遮光圖形2可W設(shè)計(jì)為圓形，當(dāng)然遮光圖形2還可W設(shè) 計(jì)為其他形狀，比如矩形、楠圓形、梯形等等。在遮光圖形2為圓形時(shí)，優(yōu)選地，遮光圖形的直 徑為20-60μηι，如果遮光圖形2的直徑過(guò)大(大于60μηι)會(huì)遮光圖形2導(dǎo)致肉眼可見(jiàn)，影響顯示 裝置的顯示效果；如果遮光圖形2的直徑（小于20μπι)過(guò)小，相應(yīng)地金屬圖形4的直徑也需要 設(shè)計(jì)的比較小，由于發(fā)光區(qū)域的面積由金屬圖形4的直徑?jīng)Q定，因此發(fā)光區(qū)域的面積也會(huì)比 較小，進(jìn)而導(dǎo)致單側(cè)發(fā)光光源的亮度減小，影響顯示裝置的顯示效果。
[0075] 由于在制作單側(cè)發(fā)光光源時(shí)，是在電致發(fā)光層7上形成第二電極層8,為了避免高 溫沉積第二電極層別寸對(duì)電致發(fā)光層7產(chǎn)生不良影響，第二電極層8優(yōu)選采用可W通過(guò)低溫 沉積法形成的ΙΖ0。
[0076] 在信號(hào)傳輸圖形3的電阻較大時(shí)，為了補(bǔ)償?shù)谝浑姌O壓降導(dǎo)致的發(fā)光不均勻性，如 圖3所示，可W改變單側(cè)發(fā)光光源不同位置發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光面積，由于越靠近襯底基板中屯、， 第一電極與驅(qū)動(dòng)電路之間的距離越大，因此，如圖3所示，從襯底基板邊緣到襯底基板中屯、 的方向上，第一電極(也即金屬圖形4)的尺寸逐漸增大，同時(shí)，為了保證顯示的均一性，遮光 圖形2的面積保持不變。具體地，在遮光圖形2的直徑為50皿時(shí)，第一電極距離驅(qū)動(dòng)電路之間 的距離與發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光面積(即第一電極的面積)之間的關(guān)系如圖4所示。
[0077] 本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，如圖5所示，包括反射式顯示面板10和貼附在反 射式顯示面板10出光側(cè)的如上所述的單側(cè)發(fā)光光源12,單側(cè)發(fā)光光源12可W通過(guò)貼合膠11 貼附在反射式顯示面板10上，單側(cè)發(fā)光光源12的出光側(cè)朝向反射式顯示面板10。其中，貼合 膠11可W采用L0CA(液體光學(xué)膠)或0CA(光學(xué)膠）。
[0078] 本實(shí)施例的顯示裝置中，單側(cè)發(fā)光光源僅在一側(cè)有光發(fā)出，運(yùn)樣將該單側(cè)發(fā)光光 源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，在黑暗環(huán)境中，將該單側(cè)發(fā)光光源打開(kāi)，單側(cè)發(fā)光光源發(fā)出 的光線射入反射式顯示面板內(nèi)，然后反射出來(lái)進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯示，由于該單側(cè)發(fā)光光源僅 在朝向反射式顯示面板的一側(cè)有光發(fā)出，因此可W提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示對(duì)比度;另外，在 明亮環(huán)境下可W將該單側(cè)發(fā)光光源關(guān)閉，環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板內(nèi)，反射出來(lái)后進(jìn)入 人眼實(shí)現(xiàn)顯示。
[0079] 本實(shí)施例的顯示裝置中，如果某一發(fā)光區(qū)域發(fā)生短路，可W利用激光對(duì)此處發(fā)光 點(diǎn)的電致發(fā)光層進(jìn)行灰化，在該區(qū)域形成斷路修復(fù)成暗點(diǎn)，不影響顯示裝置的繼續(xù)使用。
[0080] 進(jìn)一步地，本實(shí)施例的顯示裝置除了包括反射式顯示面板和單側(cè)發(fā)光光源之外， 還可W包括有觸控屏，觸控屏可W設(shè)置在單側(cè)發(fā)光光源背向反射式顯示面板的一側(cè)。進(jìn)一 步地，為了降低顯示裝置的厚度，單側(cè)發(fā)光光源的襯底基板還可W復(fù)用為觸控屏的襯底基 板。
[0081] 本發(fā)明還提供了一種如上所述的單側(cè)發(fā)光光源的制作方法，包括：
[0082] 提供一襯底基板；
[0083] 在襯底基板上形成遮光圖形；
[0084] 形成信號(hào)傳輸圖形；
[0085] 形成與信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，第一電極在襯底基板上的正投影完全落入 遮光圖形在襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0086] 形成電致發(fā)光層；
[0087] 在電致發(fā)光層上形成透明的第二電極層；
[0088] 形成覆蓋第二電極層的封裝層。
[0089] 本實(shí)施例制作的單側(cè)發(fā)光光源僅在第二電極層一側(cè)有光發(fā)出，運(yùn)樣將該單側(cè)發(fā)光 光源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，在黑暗環(huán)境中，將該單側(cè)發(fā)光光源打開(kāi)，單側(cè)發(fā)光光源發(fā) 出的光線射入反射式顯示面板內(nèi)，然后反射出來(lái)進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯示，由于該單側(cè)發(fā)光光源 僅在朝向反射式顯示面板的一側(cè)有光發(fā)出，因此可W提高暗態(tài)環(huán)境下的顯示對(duì)比度;另外， 在明亮環(huán)境下可W將該單側(cè)發(fā)光光源關(guān)閉，環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板內(nèi)，反射出來(lái)后進(jìn) 入人眼實(shí)現(xiàn)顯示。
[0090] 具體地，第一電極可W為陽(yáng)極，第二電極層為陰極層。
[0091] 如圖6所示，本實(shí)施例的單側(cè)發(fā)光光源的制作方法具體可W包括W下步驟：
[0092] 步驟601、提供一襯底基板，襯底基板可W為玻璃基板或石英基板；
[0093] 步驟602、在襯底基板上沉積黑色感光材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成圓形的遮光圖形；
[0094] 具體地，可W在襯底基板上沉積一層黑色感光材料，采用掩膜板對(duì)黑色感光材料 層進(jìn)行曝光，顯影后形成圓形的遮光圖形。當(dāng)然遮光圖形2還可W設(shè)計(jì)為其他形狀，比如矩 形、楠圓形、梯形等等。在遮光圖形2為圓形時(shí)，優(yōu)選地，遮光圖形的直徑為20-60μπι，如果遮 光圖形2的直徑過(guò)大(大于60μπι)會(huì)遮光圖形2導(dǎo)致肉眼可見(jiàn)，影響顯示裝置的顯示效果；如 果遮光圖形2的直徑（小于20μπι)過(guò)小，相應(yīng)地金屬圖形4的直徑也需要設(shè)計(jì)的比較小，由于 發(fā)光區(qū)域的面積由金屬圖形4的直徑?jīng)Q定，因此發(fā)光區(qū)域的面積也會(huì)比較小，進(jìn)而導(dǎo)致單側(cè) 發(fā)光光源的亮度減小，影響顯示裝置的顯示效果。
[00Μ]步驟603、在襯底基板上沉積一整層ΙΤ0形成信號(hào)傳輸圖形，信號(hào)傳輸圖形采用 ΙΤ0,由于ΙΤ0為透明導(dǎo)電材料，運(yùn)樣信號(hào)傳輸圖形可W設(shè)置為一整層，一方面降低了電信號(hào) 傳輸時(shí)的壓降，另外由于信號(hào)傳輸圖形為透明的，運(yùn)樣當(dāng)單側(cè)發(fā)光光源貼附在反射式顯示 面板上時(shí)，不會(huì)影響外界環(huán)境光進(jìn)入反射式顯示面板。具體地，信號(hào)傳輸圖形的厚度可W為 1300-1400nm，優(yōu)選為 1350nm。
[0096] 步驟604、形成與信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，第一電極在襯底基板上的正投影 完全落入遮光圖形在襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0097] 具體地，可W采用化學(xué)刻蝕的方法形成第一電極或者利用瓣射或沉積的方法直接 形成第一電極。
[0098] 在采用化學(xué)刻蝕的方法形成第一電極時(shí)，可W在形成有信號(hào)傳輸圖形的襯底基板 上依次沉積金屬層和透明導(dǎo)電層，在透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，利用第一掩膜板對(duì)光刻膠 進(jìn)行曝光，第一掩膜板包括有與第一電極的位置相對(duì)應(yīng)的不透光區(qū)域和除不透光區(qū)域之外 的透光區(qū)域，對(duì)光刻膠顯影后形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域與 第一電極的位置相對(duì)應(yīng)，刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的金屬層和透明導(dǎo)電層，去除光刻膠保留 區(qū)域的光刻膠，形成金屬圖形和透明導(dǎo)電圖形，金屬圖形和其上的透明導(dǎo)電圖形共同組成 第一電極。具體地，金屬圖形可W采用Ag或者A1，考慮到對(duì)位精度，金屬圖形的直徑比遮光 圖形的直徑小5-7皿，優(yōu)選地，金屬圖形的直徑比遮光圖形的直徑小6皿。透明金屬圖形可W 采用口 0,透明金屬圖形的厚度為100-140A，優(yōu)選地，透明金屬圖形的厚度為120A。
[0099] 在利用瓣射或沉積的方法直接形成第一電極時(shí)，可W利用第二掩膜板在形成有信 號(hào)傳輸圖形的襯底基板上瓣射或蒸鍛金屬材料，形成金屬圖形，第二掩膜板包括有與第一 電極的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)，利用第二掩膜板在金屬圖形上瓣射或蒸鍛透明導(dǎo)電材料，形 成透明導(dǎo)電圖形。具體地，金屬圖形可W采用Ag或者A1，考慮到對(duì)位精度，金屬圖形的直徑 比遮光圖形的直徑小5-7皿，優(yōu)選地，金屬圖形的直徑比遮光圖形的直徑小6μπι。透明金屬圖 形可W采用ΙΤ0，透明金屬圖形的厚度為1 ?〇_14〇Λ，優(yōu)選地，透明金屬圖形的厚度為120又。
[0100] 步驟605、在襯底基板上蒸鍛電致發(fā)光材料，形成電致發(fā)光層；
[0101] 步驟606、在電致發(fā)光層上沉積一整層ΙΖ0形成透明的第二電極層，由于在制作單 側(cè)發(fā)光光源時(shí)，是在電致發(fā)光層上形成第二電極層，為了避免高溫沉積第二電極層時(shí)對(duì)電 致發(fā)光層產(chǎn)生不良影響，第二電極層優(yōu)選采用可W通過(guò)低溫沉積法形成的ΙΖ0。
[0102] 步驟607、形成封裝層，封裝層可W采用具有阻水阻氧特性的無(wú)機(jī)薄膜或有機(jī)薄 膜，還可W為由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)薄膜交替層疊設(shè)置組成的多層結(jié)構(gòu)。
[0103] 本實(shí)施例制成的單側(cè)發(fā)光光源未采用金屬材料來(lái)制作信號(hào)走線，可W實(shí)現(xiàn)高開(kāi)口 率設(shè)計(jì)。在制作完單側(cè)發(fā)光光源后，可W利用L0CA或0CA將單側(cè)發(fā)光光源貼附在反射式顯示 面板表面，單側(cè)發(fā)光光源的出光側(cè)朝向反射式顯示面板。由于單側(cè)發(fā)光光源僅在一側(cè)有光 發(fā)出，運(yùn)樣將該單側(cè)發(fā)光光源貼附在反射式顯示面板上時(shí)，在黑暗環(huán)境中，將該單側(cè)發(fā)光光 源打開(kāi)，單側(cè)發(fā)光光源發(fā)出的光線射入反射式顯示面板內(nèi)，然后反射出來(lái)進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯 示，由于該單側(cè)發(fā)光光源僅在朝向反射式顯示面板的一側(cè)有光發(fā)出，因此可W提高暗態(tài)環(huán) 境下的顯示對(duì)比度;另外，在明亮環(huán)境下可W將該單側(cè)發(fā)光光源關(guān)閉，環(huán)境光進(jìn)入反射式顯 示面板內(nèi)，反射出來(lái)后進(jìn)入人眼實(shí)現(xiàn)顯示。
[0104] W上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可W作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，運(yùn)些改進(jìn)和潤(rùn)飾也 應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，包括： 襯底基板； 位于所述襯底基板上的遮光圖形； 信號(hào)傳輸圖形； 與所述信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影完全 落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)； 電致發(fā)光層； 位于所述電致發(fā)光層上的透明的第二電極層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，還包括： 驅(qū)動(dòng)電路，用于分別向所述第一電極和所述第二電極層提供電信號(hào)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，還包括： 填充相鄰第一電極之間區(qū)域的絕緣層，所述絕緣層的表面與所述第一電極的表面位于 同一水平面上。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述信號(hào)傳輸圖形為采用透明導(dǎo) 電材料的整層圖形。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述遮光圖形為圓形。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述遮光圖形的直徑為20-60μπι。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述第一電極包括： 金屬圖形和位于所述金屬圖形朝向所述電致發(fā)光層一側(cè)的透明導(dǎo)電圖形。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述金屬圖形為采用Ag或Α1。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，所述第二電極層為采用IZO。10. 根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的單側(cè)發(fā)光光源，其特征在于，從所述襯底基板邊 緣到所述襯底基板中心的方向上，所述第一電極的尺寸逐漸增大。11. 一種顯示裝置，其特征在于，包括反射式顯示面板和貼附在所述反射式顯示面板出 光側(cè)的如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的單側(cè)發(fā)光光源，所述單側(cè)發(fā)光光源的出光側(cè)朝向所 述反射式顯示面板。12. -種如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述單側(cè)發(fā)光光源的制作方法，其特征在于，包括： 提供一襯底基板； 在所述襯底基板上形成遮光圖形； 形成信號(hào)傳輸圖形； 形成與所述信號(hào)傳輸圖形連接的第一電極，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影 完全落入所述遮光圖形在所述襯底基板上的正投影內(nèi)； 形成電致發(fā)光層； 在所述電致發(fā)光層上形成透明的第二電極層。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的單側(cè)發(fā)光光源的制作方法，其特征在于，形成所述第一電極 包括： 在形成有所述信號(hào)傳輸圖形的襯底基板上依次沉積金屬層和透明導(dǎo)電層； 在所述透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠，利用第一掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，所述第一 掩膜板包括有與所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)的不透光區(qū)域和除所述不透光區(qū)域之外的透 光區(qū)域； 對(duì)所述光刻膠顯影后形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，所述光刻膠保留區(qū)域與 所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)； 刻蝕掉光刻膠去除區(qū)域的金屬層和透明導(dǎo)電層； 去除光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，形成所述金屬圖形和所述透明導(dǎo)電圖形。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的單側(cè)發(fā)光光源的制作方法，其特征在于，形成所述第一電極 包括： 利用第二掩膜板在形成有所述信號(hào)傳輸圖形的襯底基板上濺射或蒸鍍金屬材料，形成 所述金屬圖形，所述第二掩膜板包括有與所述第一電極的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)； 利用所述第二掩膜板在所述金屬圖形上濺射或蒸鍍透明導(dǎo)電材料，形成所述透明導(dǎo)電 圖形。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK105870134SQ201610298101
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年5月6日
【發(fā)明人】祝明, 董學(xué), 姚繼開(kāi), 秦廣奎, 王新星, 呂敬
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司