發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括N型半導(dǎo)體層和形成在所述N型半導(dǎo)體層的多個(gè)分立的柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件。通過(guò)在發(fā)光器件上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)光能夠有效的增大出光面積，同時(shí)，柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件，反光部件能夠有效反射柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面發(fā)出的光并將光反射從襯底輸出，從而更有效的增加出光量，實(shí)現(xiàn)了提高了發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)出效率。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及LED發(fā)光設(shè)備，尤其涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法。
[0003]
【背景技術(shù)】
[0004]紫外線對(duì)細(xì)菌、病毒的殺滅作用一般在幾秒內(nèi)完成，紫外線消毒技術(shù)在所有消毒技術(shù)中，殺菌廣譜性最高，幾乎對(duì)所有的細(xì)菌、病毒都有高效殺滅作用。傳統(tǒng)紫外光源是氣體激光器和汞燈，存在著低效率、體積大、不環(huán)保和電壓高等缺點(diǎn)，而深紫外LED光源具有功耗低、壽命長(zhǎng)、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)。深紫外LED光源的波長(zhǎng)是可以通過(guò)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整，而對(duì)于LED光源來(lái)說(shuō)，由于材料的折射率等原因?qū)е律钭贤夤饩€導(dǎo)出效率低下。如何設(shè)計(jì)一種提高光導(dǎo)出效率的LED光源是本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法，實(shí)現(xiàn)提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)出效率。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括N型半導(dǎo)體層和形成在所述N型半導(dǎo)體層上多個(gè)分立的柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件。
[0008]進(jìn)一步的，所述反光部件為圓柱結(jié)構(gòu);或者，所述反光部件為漏斗結(jié)構(gòu);或者，所述反光部件為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件的橫截面整體呈梯形，并且，所述反光部件的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu);或者，所述反光部件為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件的第一端部尺寸大于所述反光部件的第二端部，所述反光部件的第一端部處還形成有凸起結(jié)構(gòu)，所述反光部件的第一端部遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層，所述反光部件的第二端部靠近所述N型半導(dǎo)體層。
[0009]進(jìn)一步的，所述反光部件與所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步的，在所述N型半導(dǎo)體層上蝕刻出所述透鏡結(jié)構(gòu)。
[0011]進(jìn)一步的，所述反光部件的橫截面整體呈錐形，并且，所述反光部件的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu)，所述反光部件的尖端朝向所述N型半導(dǎo)體層，所述反光部件的尖端與所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)。
[0012]進(jìn)一步的，每個(gè)所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)上設(shè)置有獨(dú)立的所述P電極;或者，所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括板狀結(jié)構(gòu)的P電極，所述P電極與各個(gè)所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)連接。
[0013]進(jìn)一步的，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)包括形成在N型半導(dǎo)體層上的量子阱層、所述量子阱層上形成的電子阻擋層、所述電子阻擋層上形成的P型半導(dǎo)體層、以及所述P型半導(dǎo)體層上形成歐姆接觸層。
[0014]進(jìn)一步的，所述P型半導(dǎo)體層嵌入在所述歐姆接觸層中。
[0015]進(jìn)一步的，所述反光部件與所述歐姆接觸層之間還設(shè)置有第一絕緣層;和/或所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的外部包裹有第二絕緣層;和/或，所述反光部件的外部包裹有第三絕緣層。
[0016]進(jìn)一步的，還包括襯底，所述襯底上形成所述N型半導(dǎo)體層。
[0017]進(jìn)一步的，所述襯底由藍(lán)寶石、石英片、AlN或SiC材料制成;和/或，所述反光部件的采用鋁制成;和/或，所述N型半導(dǎo)體層由AlGaN材料制成。
[0018]本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的加工方法，包括:
步驟1、在型半導(dǎo)體層上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)；
步驟2、在柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)反光部件。
[0019]進(jìn)一步的，所述步驟2具體為:采用掩膜版沉積的方式，在量子阱之間形成反光部件。
[0020]進(jìn)一步的，所述步驟2還包括:在形成反光部件后，再在反光部件上形成絕緣層。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本發(fā)明提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其加工方法，通過(guò)在發(fā)光器件上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)光能夠有效的增大出光面積，同時(shí)，柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件，反光部件能夠有效反射柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面發(fā)出的光并將光反射從襯底輸出，從而更有效的增加出光量，實(shí)現(xiàn)了提高了發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)出效率。
[0022]結(jié)合附圖閱讀本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】后，本發(fā)明的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清
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【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例五的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例中反光部件的結(jié)構(gòu)示意圖一；
圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例中反光部件的結(jié)構(gòu)示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]實(shí)施例一如圖1-圖2所示，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光器件2，所述發(fā)光器件2包括N型半導(dǎo)體層23和形成在N型半導(dǎo)體層23上多個(gè)分立的柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20之間還設(shè)置有反光部件5。
[0027]具體而言，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20包括直接或間接形成在N型半導(dǎo)體層23上的量子阱層21，所述量子阱層21上直接或間接形成有電子阻擋層24，所述電子阻擋層24上直接或間接形成有P型半導(dǎo)體層，柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20形成在N型半導(dǎo)體層23上，多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20能夠有效的增大出光面積。在多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20之間還分布有反光部件5，反光部件5能夠反射柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20產(chǎn)生的光，由于反光部件5位于柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20的一側(cè)，從而可以通過(guò)反光部件5反射柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20側(cè)部發(fā)出的光并將光反射輸出，以增大出光效率，其中，由于鋁材料對(duì)紫外線的反光效果較好，反光部件5優(yōu)選的采用鋁制成。另外，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括襯底1、P電極3和N電極4，所述襯底I上形成所述N型半導(dǎo)體層23，襯底I作為出光面由藍(lán)寶石、石英片、AlN或SiC等材料制成，發(fā)光器件2形成在襯底I上，所述P電極3和所述N電極4分別與所述發(fā)光器件2連接。而P型半導(dǎo)體層可以包括形成在電子阻擋層24上的P型AlGaN層25以及形成在P型AlGaN層25上的P型GaN層26;本實(shí)施例中的半導(dǎo)體層的材料可以為InxAlyGal-X-YN(0<X、0<Y、X+Y < I)等氮化稼系的半導(dǎo)體材料，例如:N型半導(dǎo)體層23可以采用由AlGaN、GaN材料制成;并且，本文中出現(xiàn)的在已有層上形成新的層結(jié)構(gòu)，新的層可以為直接形成在已有層，也可以為間接形成在已有層。
[0028]本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，通過(guò)在發(fā)光器件上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)行發(fā)光能夠有效的增大出光面積，同時(shí)，柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件，反光部件能夠有效反射柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)側(cè)面發(fā)出的光并將光反射從襯底輸出，從而更有效的增加出光量，實(shí)現(xiàn)了提高了發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)出效率。
[0029]實(shí)施例二
如圖1和圖2所示，基于上述實(shí)施例一，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在每個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20的P型GaN26上形成有獨(dú)立的P電極3，即各個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20上的P電極3之間是沒(méi)有直接電連接，此時(shí)，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括基板6，所述基板6上設(shè)置有正極連接部61和負(fù)極連接部62，所述P電極3與所述正極連接部61連接，所述N電極4與所述負(fù)極連接部62連接。具體的，基板6上具有與P電極3和N電極4對(duì)應(yīng)的正極連接部61和負(fù)極連接部62，正極連接部61和負(fù)極連接部62—般可以采用納米壓印技術(shù)形成在基板6上，然后，正極連接部61和負(fù)極連接部62可以采用共金結(jié)合的方式分別與對(duì)應(yīng)的P電極3和N電極4連接并形成共金結(jié)合部60。
[0030]實(shí)施例三
如圖3所示，基于上述實(shí)施例一，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的P電極3為板狀結(jié)構(gòu)，所述P電極3形成在歐姆接觸層31上，所述P電極3通過(guò)歐姆接觸層31與每個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20的P型GaN26連接。具體的，采用板狀結(jié)構(gòu)的P電極3連接全部的柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20，可以無(wú)需額外增加基板，可以有效的降低制造成本。優(yōu)選的，如圖4所示，為了降低接觸電阻，歐姆接觸層31包裹住所述P型GaN層26，從而可以增大歐姆接觸層31與P型GaN層26之間的接觸面積，以有效的降低接觸電阻，例如:P型GaN層26可以全部或部分嵌入到歐姆接觸層31中，在P型GaN層26的底面或側(cè)面實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。
[0031]其中，如圖3所示，反光部件5與所述歐姆接觸層31之間還設(shè)置有第一絕緣層51，具體的，第一絕緣層51能夠?qū)崿F(xiàn)反光部件5與歐姆接觸層31絕緣連接，在有效增大反光部件5的同時(shí)，確保電路的安全可靠性;優(yōu)選的，如圖4所示，柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20的側(cè)壁的外部包裹有第二絕緣層210，從而使得柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20能夠被第二絕緣層210包裹住進(jìn)行保護(hù)，而第二絕緣層210還可以延伸至電子阻擋層24或P型半導(dǎo)體層25處；同時(shí)，所述反光部件5的外部包裹有第三絕緣層(未圖示)，第一絕緣層51、第二絕緣層210和第三絕緣層對(duì)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20發(fā)出的光具有透光性。另外，對(duì)于本實(shí)施例中涉及的絕緣層使用的材料可以為Si02或A1203o
[0032]實(shí)施例四
如圖5所示，基于上述實(shí)施例一，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在位于所述反光部件5的一側(cè)還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)7。具體的，透鏡結(jié)構(gòu)7將于反光部件5—同配合進(jìn)行光的反射，透鏡結(jié)構(gòu)7能夠?qū)馐M(jìn)行聚集，部分光將匯聚從襯底I輸出，而剩余部分光匯聚投射到反光部件5，由反光部件5反射從襯底I射出，從而可以更加有效的增大出光量。同樣的，對(duì)于反光部件5和透鏡結(jié)構(gòu)7可以根據(jù)需要形成在N型半導(dǎo)體層23上，也可以形成在襯底I上，本實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)不對(duì)其進(jìn)行限制。優(yōu)選的，所述反光部件5的橫截面整體呈錐形，并且，所述反光部件5的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu)，所述反光部件5的尖端朝向所述N型半導(dǎo)體層23，所述反光部件5的尖端與所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)20之間還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)7，具體的，反光部件5側(cè)壁的弧面結(jié)構(gòu)可以為拋物線形式，從而可以使得反光部件5側(cè)壁反射的光能夠垂直于襯底I輸出，配合透鏡結(jié)構(gòu)7的聚光作用，使得更多的光能夠通過(guò)反光部件5進(jìn)行反射，以最大限度的提高出光效率。其中，透鏡結(jié)構(gòu)7可以為獨(dú)立部件，可以采用在N型半導(dǎo)體層23上蝕刻出所述透鏡結(jié)構(gòu)7 0
[0033]其中，本實(shí)施例中的反光部件5的結(jié)構(gòu)可以有多重形式。例如:如圖2中的反光部件5為圓柱結(jié)構(gòu)；或者，如圖3中的反光部件5為錐結(jié)構(gòu)，錐結(jié)構(gòu)的反光部件5形成傾斜的反光面，從而可以將更多的光反射向襯底I方向；或者，如圖6所示，反光部件5為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件5的橫截面整體呈梯形，并且，所述反光部件5的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu)，反光部件5的側(cè)面曲線為雙曲線或拋物線形式，以增大反光量;或者，如圖6所示，所述反光部件5為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件5的第一端部尺寸大于所述反光部件5的第二端部，所述反光部件5的第一端部處還形成有凸起結(jié)構(gòu)50，所述反光部件5的第一端部靠近所述P電極3，所述反光部件5的第二端部靠近所述襯底I，反光部件5中形成的凸起結(jié)構(gòu)50能夠有效的增大反射面積，而凸起結(jié)構(gòu)50上還可以根據(jù)需要形成有鋸齒結(jié)構(gòu)以進(jìn)一步的增大反射面積。
[0034]本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的加工方法，包括:
步驟1、在N型半導(dǎo)體層上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)。具體的，采用現(xiàn)有的加工方法在在襯底上依次形成緩沖層、N型半導(dǎo)體層、量子阱層、電子阻擋層、P型半導(dǎo)體層和P型GaN層，然后，通過(guò)蝕刻工藝對(duì)量子阱層、電子阻擋層、P型半導(dǎo)體層和P型GaN層進(jìn)行蝕刻處理，以形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，以增大出光面積。
[0035]步驟2、在柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)反光部件。具體的，采用掩膜版沉積的方式，在柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成反光部件，而沉積之前可以先沉積絕緣層。并且，可以在形成反光部件后，再在反光部件上形成絕緣層，并去除不需要的絕緣層。最后，在再形成P電極和N電極，在P電極形成過(guò)程中，先形成歐姆接觸層，然后，再完成P電極形成和N電極形成。
[0036]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件包括N型半導(dǎo)體層和形成在所述N型半導(dǎo)體層上多個(gè)分立的柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有反光部件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反光部件為圓柱結(jié)構(gòu)；或者，所述反光部件為漏斗結(jié)構(gòu)；或者，所述反光部件為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件的橫截面整體呈梯形，并且，所述反光部件的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu);或者，所述反光部件為柱狀結(jié)構(gòu)，所述反光部件的第一端部尺寸大于所述反光部件的第二端部，所述反光部件的第一端部處還形成有凸起結(jié)構(gòu)，所述反光部件的第一端部遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層，所述反光部件的第二端部靠近所述N型半導(dǎo)體層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反光部件與所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層上蝕刻出所述透鏡結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反光部件的橫截面整體呈錐形，并且，所述反光部件的側(cè)壁為弧面結(jié)構(gòu)，所述反光部件的尖端朝向所述N型半導(dǎo)體層，所述反光部件的尖端與所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間還設(shè)置有透鏡結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)上設(shè)置有獨(dú)立的P電極;或者，所述發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括板狀結(jié)構(gòu)的P電極，所述P電極與各個(gè)所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)包括形成在N型半導(dǎo)體層上的量子阱層、所述量子阱層上形成的電子阻擋層、所述電子阻擋層上形成的P型半導(dǎo)體層、以及所述P型半導(dǎo)體層上形成的歐姆接觸層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型半導(dǎo)體層嵌入在所述歐姆接觸層中。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反光部件與所述歐姆接觸層之間還設(shè)置有第一絕緣層；和/或所述柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的外部包裹有第二絕緣層；和/或，所述反光部件的外部包裹有第三絕緣層。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括襯底，所述襯底上形成所述N型半導(dǎo)體層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底由藍(lán)寶石、石英片、AlN或SiC材料制成;和/或，所述反光部件的采用鋁制成；和/或，所述N型半導(dǎo)體層由AlGaN材料制成。12.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，包括: 步驟1、在N型半導(dǎo)體層上形成多個(gè)柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)； 步驟2、在柱狀發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)反光部件。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟2具體為:采用掩膜版沉積的方式，在量子阱之間形成反光部件。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟2還包括:在形成反光部件后，再在反光部件上形成絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK105870284SQ201610300379
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年5月9日
【發(fā)明人】武帥, 潘兆花, 萬(wàn)永泉, 張國(guó)華, 梁旭東
【申請(qǐng)人】青島杰生電氣有限公司