使用臨時(shí)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法
【專(zhuān)利摘要】提供了一種使用臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該半導(dǎo)體晶片包括位于該半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。所述方法包括以如下構(gòu)造在所述半導(dǎo)體晶片上布置的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該構(gòu)造具有被功能性水平劃片槽分開(kāi)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的水平行，并且具有被功能性豎直劃片槽分開(kāi)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的豎直列。所述方法包括創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于功能性水平劃片槽和/或功能性豎直劃片槽中，并且電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。該方法還包括使用所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)對(duì)所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件進(jìn)行電氣測(cè)試，并且在完成所述電氣測(cè)試之后當(dāng)從所述半導(dǎo)體晶片切割出所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件時(shí)將所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)毀壞。
【專(zhuān)利說(shuō)明】使用臨時(shí)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法
[0001 ]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年12月30日提交的名稱(chēng)為“Sacrificial Bond Pad Method(犧牲接合焊盤(pán)方法)”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.61/921，734的權(quán)益，通過(guò)參考將該申請(qǐng)的公開(kāi)全部結(jié)合在本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開(kāi)涉及一種用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片(或半導(dǎo)體晶元)的方法，所述半導(dǎo)體晶片包括位于所述半導(dǎo)體晶片上的由功能性劃片槽(scribe lane)分開(kāi)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。本公開(kāi)還涉及使用半導(dǎo)體晶片探針進(jìn)行測(cè)試的半導(dǎo)體晶片構(gòu)造，所述半導(dǎo)體晶片包括由功能性劃片槽分開(kāi)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0004]在半導(dǎo)體的制造中，將許多單獨(dú)半導(dǎo)體器件形成在單個(gè)半導(dǎo)體晶片上。圖1提供了圓形半導(dǎo)體晶片100的圖示，該圓形半導(dǎo)體晶片100包括多個(gè)矩形的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體晶片100上的每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件200通常包括沿著每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的外周邊的一系列單獨(dú)接合焊盤(pán)。圖2提供了半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件中的一個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的放大圖示。圖3示出了沿著該單獨(dú)半導(dǎo)體器件的外周邊的一系列單獨(dú)接合焊盤(pán)。這些單獨(dú)接合焊盤(pán)被示出為沿著單獨(dú)半導(dǎo)體器件的外周邊的一系列白色方塊。
[0005]在半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件之間設(shè)置被稱(chēng)為“劃片槽”的空間。任何一個(gè)單一空間都被稱(chēng)為“劃片槽”。這些劃片槽通常代表半導(dǎo)體晶片上的未用空間。因而，通常將這些劃片槽的尺寸保持為最小尺寸，從而可以在每個(gè)半導(dǎo)體晶片中包含最大數(shù)量的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。圖4提供了“劃片槽”的圖示，該圖示包括豎直劃片槽401和水平劃片槽402 二者的標(biāo)識(shí)。當(dāng)半導(dǎo)體晶片100經(jīng)受“切單(singulat1n)”時(shí)，在將單獨(dú)半導(dǎo)體器件200從彼此分開(kāi)時(shí)這些“劃片槽”被毀壞?！扒袉巍笔峭ㄟ^(guò)沿著這些“劃片槽”切割半導(dǎo)體晶片100而將單獨(dú)半導(dǎo)體器件從彼此分開(kāi)的切割過(guò)程。切單切割過(guò)程通常通過(guò)金剛石頂端鋸條或激光切割器進(jìn)行。
[0006]作為半導(dǎo)體晶片上的未用空間的劃片槽的一個(gè)傳統(tǒng)例外是當(dāng)半導(dǎo)體晶片制造設(shè)施在選定劃片槽中放置測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí)的情況。這些測(cè)試結(jié)構(gòu)用來(lái)收集用于監(jiān)測(cè)測(cè)試并且用于驗(yàn)證制造設(shè)施的制造設(shè)備、測(cè)試系統(tǒng)和測(cè)試過(guò)程與所建立的制造和測(cè)試參數(shù)的一致性的數(shù)據(jù)。典型地，在半導(dǎo)體晶片中的劃片槽中放置五個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)，這些測(cè)試結(jié)構(gòu)通常位于半導(dǎo)體晶片的中心附近以及位于半導(dǎo)體晶片的四個(gè)象限中的每個(gè)象限中。
[0007]在圖5A中提供了集成電路封裝500的圖示，該圖示示出了如何將各種接合焊盤(pán)連接至單獨(dú)半導(dǎo)體器件中的集成電路。在圖5A中，集成電路501通過(guò)金接合線(xiàn)502連接至這些接合焊盤(pán)。這些接合焊盤(pán)位于被標(biāo)識(shí)為集成電路封裝引線(xiàn)框503的區(qū)域內(nèi)。集成電路封裝引線(xiàn)框503包括允許將集成電路501連接至放置該集成電路501的印刷電路板的引腳及它們的觸頭。圖5B提供了如何將接合線(xiàn)502附接至集成電路501例如印刷電路板506的圖示。如圖5B所示，該集成電路封裝500包括附接至接合線(xiàn)502的晶粒505，該接合線(xiàn)502附接至IC封裝引線(xiàn)框503。集成電路封裝50中的非導(dǎo)電材料的主要成分是樹(shù)脂模507。
[0008]單獨(dú)半導(dǎo)體器件通常在它們?cè)诎雽?dǎo)體晶片中附接至彼此的同時(shí)通過(guò)半導(dǎo)體測(cè)試裝置經(jīng)受一系列自動(dòng)測(cè)試。在半導(dǎo)體晶片的自動(dòng)測(cè)試完成之后，通過(guò)自動(dòng)切割裝置使半導(dǎo)體晶片經(jīng)受切割，這種自動(dòng)切割裝置常常包括金剛石鋸條或激光切割工具。自動(dòng)切割裝置通過(guò)沿著各個(gè)劃片槽切割半導(dǎo)體晶片而將許多單獨(dú)半導(dǎo)體器件從彼此分開(kāi)，這些劃片槽在切割過(guò)程中被毀壞。
[0009]半導(dǎo)體晶片探針是一種在測(cè)試排列在半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的過(guò)程中使用的裝置。在圖6A和圖6B中示出了使用半導(dǎo)體晶片探針601的半導(dǎo)體晶片測(cè)試系統(tǒng)600的圖示。在圖6A中，半導(dǎo)體晶片測(cè)試系統(tǒng)被示出為包括大規(guī)模集成電路測(cè)試機(jī)602，該大規(guī)模集成電路測(cè)試機(jī)602包括主框架603，該主框架603具有至少一個(gè)編程計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)裝置和輸入/輸出電路。該LSI測(cè)試機(jī)602通過(guò)電纜604連接至半導(dǎo)體晶片探針601，該半導(dǎo)體晶片探針601包括測(cè)試頭605和晶片處理單元607。該測(cè)試頭605包括探針卡607，該探針卡607使用彈簧觸頭609連接至性能板608。被測(cè)試的半導(dǎo)體晶片610放置在晶片卡盤(pán)611上，從而允許探針卡接觸半導(dǎo)體晶片610以進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試頭具有相關(guān)的控制器，以允許在x、y和z方向上運(yùn)動(dòng)以及以?xún)A角Θ運(yùn)動(dòng)，從而使得探針卡607與被測(cè)試的半導(dǎo)體晶片610正確地對(duì)準(zhǔn)。圖6B示出了包括陶瓷環(huán)612和探測(cè)針608的探針卡607的更詳細(xì)的圖示，該探測(cè)針608與用于單獨(dú)半導(dǎo)體器件200諸如LSI芯片613的指定的正常接合焊盤(pán)201接觸。
[0010]在半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的技術(shù)問(wèn)題是正常單獨(dú)接合焊盤(pán)201由于與晶片探針601的探測(cè)針608接觸而發(fā)生的損傷。每次對(duì)單獨(dú)半導(dǎo)體器件200進(jìn)行探測(cè)時(shí)，都對(duì)被探測(cè)的每個(gè)正常單獨(dú)接合焊盤(pán)201造成物理?yè)p傷。由半導(dǎo)體晶片探針601對(duì)一個(gè)或更多個(gè)正常單獨(dú)接合焊盤(pán)201造成的損傷會(huì)導(dǎo)致電氣故障和/或機(jī)械故障，從而導(dǎo)致相關(guān)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件200功能不正?；蛲耆А３Ｒ?jiàn)的電氣故障包括短路和斷路。常見(jiàn)的機(jī)械故障包括接合線(xiàn)附接問(wèn)題以及長(zhǎng)期穩(wěn)定性顯著降低，諸如由于腐蝕和/或污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]這里公開(kāi)了一種用于利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的先進(jìn)方法以及利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的半導(dǎo)體晶片構(gòu)造。該先進(jìn)的測(cè)試方法和相關(guān)的半導(dǎo)體晶片構(gòu)造允許使用位于劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)而不是位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常接合焊盤(pán)來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片測(cè)試，由此避免否則將由于半導(dǎo)體晶片測(cè)試過(guò)程而發(fā)生的對(duì)正常接合焊盤(pán)的損傷(或損壞)。在半導(dǎo)體晶片測(cè)試完成之后，在通過(guò)沿著劃片槽切割進(jìn)行的將單獨(dú)半導(dǎo)體器件從半導(dǎo)體晶片切單的過(guò)程中將半導(dǎo)體晶片測(cè)試過(guò)程中被損傷的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)毀壞。
[0012]在一個(gè)實(shí)施方式中，提供了一種使用臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該半導(dǎo)體晶片包括位于該半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。所述方法包括:以如下構(gòu)造在所述半導(dǎo)體晶片上布置單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該構(gòu)造具有水平行的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)水平行之間具有功能性水平劃片槽，并且該構(gòu)造具有豎直列的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)豎直列之間具有功能性豎直劃片槽，其中所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件包括沿著每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。該方法還包括創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于功能性水平劃片槽或功能性豎直劃片槽中，并且電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。該方法進(jìn)一步包括:使用半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)對(duì)所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行電氣測(cè)試，在半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程中，該半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)與所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)進(jìn)行物理接觸；以及在完成所述電氣測(cè)試之后當(dāng)從所述半導(dǎo)體晶片切割出所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件時(shí)將所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)毀壞。
[0013]在另一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括創(chuàng)建多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)包括位于功能性水平劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)和位于功能性豎直劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，每個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)被電連接至單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。
[0014]在又一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括:確定單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的哪個(gè)正常單獨(dú)接合焊盤(pán)對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的；以及僅僅為所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的被確定為關(guān)鍵的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)設(shè)置臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。
[0015]在一個(gè)實(shí)施方式中，將被設(shè)計(jì)成用于單獨(dú)半導(dǎo)體器件測(cè)試的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)指定為對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的。
[0016]在另一個(gè)實(shí)施方式中，將被設(shè)計(jì)成用于供應(yīng)電功率和提供電接地的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)指定為對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的。
[0017]在又一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上比位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)小。
[0018]在一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)為位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸的約50%。
[0019]在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)為位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸的約25%。
[0020]在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，所述多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)包括超大臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)以適應(yīng)用于向單獨(dú)半導(dǎo)體器件的單個(gè)正常接合焊盤(pán)提供更高電功率輸送的多個(gè)半導(dǎo)體探針卡觸頭。
[0021]在一個(gè)實(shí)施方式中，用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)從彼此偏移，從而使得用于相鄰的單獨(dú)接合焊盤(pán)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)不背靠背定位。
[0022]在另一個(gè)實(shí)施方式中，用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)背靠背定位。
[0023]在又一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括為所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的所有正常單獨(dú)接合焊盤(pán)提供臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。
[0024]在一個(gè)實(shí)施方式中，將指定的功能性水平劃片槽和指定的功能性豎直劃片槽構(gòu)造成具有足以適應(yīng)之間具有非導(dǎo)電間隔的背靠背定位的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的寬度。
[0025]在另一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)通過(guò)使用重布線(xiàn)層電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)，該重布線(xiàn)層是設(shè)置在半導(dǎo)體晶片表面上的導(dǎo)電層并且不然則與所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件電隔離。
[0026]在又一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括使所述半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)和所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)之間的多個(gè)物理接觸在所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的位置錯(cuò)開(kāi)，從而使得每個(gè)物理接觸都位于所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的不同位置。
[0027]在一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上比所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)小，并且位于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件之間的豎直和/或水平劃片槽中的所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)以并排構(gòu)造布置。
[0028]在另一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶片構(gòu)造有用于測(cè)試所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。所述半導(dǎo)體晶片包括:以如下構(gòu)造布置在所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該構(gòu)造具有水平行的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)水平行之間具有功能性水平劃片槽，并且該構(gòu)造具有豎直列的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)豎直列之間具有功能性豎直劃片槽，其中所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件包括沿著每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。所述半導(dǎo)體晶片還包括臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于一個(gè)或多個(gè)功能性水平劃片槽和/或一個(gè)或多個(gè)功能性豎直劃片槽中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)均電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)僅在所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件被從所述半導(dǎo)體晶片物理分開(kāi)之前測(cè)試位于所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。
[0029]在又一個(gè)實(shí)施方式中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上小于位于所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。
[0030]在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)通過(guò)使用重布線(xiàn)層電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)，該重布線(xiàn)層是設(shè)置在半導(dǎo)體晶片表面上的導(dǎo)電層并且不然則與所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件電隔離。
[0031]在另一個(gè)實(shí)施方式中，用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)從彼此偏移，從而使得用于相鄰的單獨(dú)接合焊盤(pán)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在豎直劃片槽或水平劃片槽中不背靠背定位。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1提供了包括多個(gè)矩形的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的圓形半導(dǎo)體晶片的圖示；
[0033]圖2提供了半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件中的一個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的放大圖示；
[0034]圖3示出了沿著單獨(dú)半導(dǎo)體器件的外周邊的一系列單獨(dú)接合焊盤(pán)；
[0035]圖4提供了“劃片槽”的圖示；
[0036]圖5A提供了如何可以將接合線(xiàn)連接至封裝引線(xiàn)框的圖示；
[0037]圖5B圖示了如何可以將接合線(xiàn)附接至附裝引腳；
[0038]圖6A圖示了在測(cè)試半導(dǎo)體晶片中使用的半導(dǎo)體晶片探針系統(tǒng)；
[0039]圖6B提供了半導(dǎo)體探針卡的更詳細(xì)的圖示；
[0040]圖7A提供了如何可以將單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的有限數(shù)量的正常接合焊盤(pán)看做對(duì)測(cè)試目的來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的；
[0041 ]圖7B圖示了如何將臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)對(duì)應(yīng)于在圖7A中圖示的被看做是對(duì)測(cè)試目的來(lái)說(shuō)關(guān)鍵的單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的有限數(shù)量的正常接合焊盤(pán)；
[0042]圖8圖示了如何使臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)對(duì)應(yīng)于正常接合焊盤(pán)以及如何使臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于半導(dǎo)體晶片上的豎直和水平劃片槽中；
[0043]圖9A、9B、9C和9D示出了創(chuàng)建再布線(xiàn)導(dǎo)電層的示例性圖示，該再布線(xiàn)導(dǎo)電層將“正常”接合焊盤(pán)與對(duì)應(yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)連接，該臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)否則將與半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件電隔離；
[0044]圖10提供了臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的若干不同的半導(dǎo)體探針測(cè)試位點(diǎn)的使用的示例性圖示；
[0045]圖11圖示了在臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上使用不同的半導(dǎo)體探針測(cè)試位點(diǎn)的錯(cuò)開(kāi)圖案；
[0046]圖12示出了各種豎直劃片線(xiàn)和水平劃片槽中的黑色線(xiàn)，這些黑色代表在半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程完成之后半導(dǎo)體晶片切割裝置將半導(dǎo)體晶片鋸成單獨(dú)半導(dǎo)體器件的位置；
[0047]圖13示出了配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的構(gòu)造，其中沿著相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的指定周邊的所有單獨(dú)接合焊盤(pán)都與配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)成對(duì)；
[0048]圖14圖示了經(jīng)受半導(dǎo)體晶片切割過(guò)程的具有正常接合焊盤(pán)和對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的預(yù)切割和切割后的構(gòu)造；
[0049]圖15示出了配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的構(gòu)造，其中配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)被構(gòu)造成在尺寸上小于正常單獨(dú)接合焊盤(pán)并且以錯(cuò)開(kāi)構(gòu)造放置；以及
[0050]圖16圖示了可以進(jìn)行這里描述的半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程的計(jì)算機(jī)的示例。
【具體實(shí)施方式】
[0051]鑒于上述內(nèi)容，本公開(kāi)因而通過(guò)其各種方面、實(shí)施方式和/或具體特征或子部件中的一個(gè)或多個(gè)而實(shí)現(xiàn)下面具體指出的優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。本公開(kāi)提供了利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的先進(jìn)技術(shù)以及利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)進(jìn)行測(cè)試目的的半導(dǎo)體晶片構(gòu)造。
[0052]在針對(duì)由用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片100的半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程對(duì)單獨(dú)半導(dǎo)體器件200引起的損傷問(wèn)題而產(chǎn)生所公開(kāi)的創(chuàng)造性解決方案中，考慮到了許多設(shè)計(jì)因素。例如，考慮到使探針板607具有低的接觸力、較小的刮擦面積和/或較淺的刮擦深度。另外，在集成電路設(shè)計(jì)中，考慮到設(shè)置更健壯的單獨(dú)接合焊盤(pán)201的設(shè)計(jì)并且設(shè)置將抵抗損傷的更堅(jiān)固的材料。此外，對(duì)各種互連的封裝和設(shè)計(jì)給予考慮。這些考慮包括在接合線(xiàn)502和單獨(dú)接合焊盤(pán)201之間提供更好的附著，從接合線(xiàn)502本身減少單獨(dú)接合焊盤(pán)201上的應(yīng)力，并且提供更好的防護(hù)來(lái)防止由于晶片探測(cè)而可能穿過(guò)裂紋和其它受損區(qū)域的污染物。
[0053]其它工程考慮包括限制晶片探針觸壓(touchdown)的次數(shù)以使由于晶片探針601引起的損傷最小并將損傷保持在可接受限度內(nèi)。盡管是遞增的，但是對(duì)于晶片探測(cè)機(jī)構(gòu)和單獨(dú)接合焊盤(pán)之間的每次接觸，某種程度的損傷不可避免。因而，除了限制晶片探針觸壓的實(shí)際次數(shù)之外，還考慮到與每次晶片探針觸壓相關(guān)的力以及由接觸單獨(dú)接合焊盤(pán)的晶片探針引起的接觸圖案。例如，懸臂式探針卡通常限于三個(gè)晶片探針觸壓。豎直晶片探針通常限于五個(gè)晶片探針觸壓。利用半導(dǎo)體制造方法來(lái)創(chuàng)建極其小的機(jī)電系統(tǒng)的微機(jī)電(MEM)探針卡可以用于五個(gè)或可能更多的晶片探針觸壓。
[0054]在考慮半導(dǎo)體晶片的實(shí)際測(cè)試中的晶片探針觸壓要求時(shí)，并行并發(fā)探針(PCP)半導(dǎo)體晶片測(cè)試和動(dòng)態(tài)擴(kuò)展并行探針(DEPP)測(cè)試需要每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件進(jìn)行多次觸壓。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體晶片測(cè)試吞吐量增加越大，需要的晶片探針的觸壓數(shù)量就越大。然而，在分析半導(dǎo)體晶片測(cè)試過(guò)程中，確定了并不是對(duì)于單獨(dú)半導(dǎo)體器件200上的每個(gè)單獨(dú)接合焊盤(pán)201都需要在半導(dǎo)體測(cè)試過(guò)程中晶片探針601的觸壓。更具體地說(shuō)，晶片探針601的觸壓通常局限于電源接合焊盤(pán)、接地接合焊盤(pán)和可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)接合焊盤(pán)。DFT技術(shù)用來(lái)描述有效地操作的寬廣范圍的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，同時(shí)避免另選的強(qiáng)力過(guò)程，該強(qiáng)力過(guò)程要求單獨(dú)半導(dǎo)體器件在全操作模式下操作，就像在實(shí)際操作過(guò)程中將發(fā)生的那樣。
[0055]這里公開(kāi)的發(fā)明涉及利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的先進(jìn)方法的改進(jìn)以及利用放置在功能性劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的半導(dǎo)體晶片構(gòu)造。
[0056]在確定了晶片探針的觸壓通常限于電源接合焊盤(pán)、接地接合焊盤(pán)和DFT接合焊盤(pán)之后，進(jìn)一步確定這些特定的接合焊盤(pán)代表更經(jīng)常受到半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程損傷的關(guān)鍵接合焊盤(pán)。進(jìn)一步確定電源接合焊盤(pán)、接地接合焊盤(pán)和DFT接合焊盤(pán)的總數(shù)目與沿著單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊設(shè)置的單獨(dú)接合焊盤(pán)的總數(shù)目相比通常相對(duì)較小。圖7A中圖示了電源接合焊盤(pán)701、接地接合焊盤(pán)702、DFT接合焊盤(pán)703和所有其它單獨(dú)接合焊盤(pán)的示例性分配。如圖7A所示，更經(jīng)常受到半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程損傷的關(guān)鍵接合焊盤(pán)的總數(shù)目較小。
[0057]因而，本發(fā)明的一個(gè)方面是創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)臨時(shí)“犧牲接合焊盤(pán)”，這些臨時(shí)“犧牲接合焊盤(pán)”是上述關(guān)鍵接合焊盤(pán)的對(duì)應(yīng)配對(duì)物?？梢詾樗鶚?biāo)示的關(guān)鍵接合焊盤(pán)中的一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵接合焊盤(pán)創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。例如，可以為所有對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。另選地，可以為所識(shí)別的關(guān)鍵接合焊盤(pán)的子集(例如為DFT接合焊盤(pán))創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。在圖7B中圖示了為對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的示例性圖示。在圖7B中，已經(jīng)為每個(gè)對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)創(chuàng)建了臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。例如，臨時(shí)配對(duì)犧牲電源接合焊盤(pán)701S對(duì)應(yīng)于電源接合焊盤(pán)701 ο臨時(shí)配對(duì)犧牲接地接合焊盤(pán)702S對(duì)應(yīng)于接地接合焊盤(pán)702。臨時(shí)配對(duì)犧牲DFT接合焊盤(pán)703S對(duì)應(yīng)于DFT接合焊盤(pán)703。另一方面，剩余的非關(guān)鍵接合焊盤(pán)704中沒(méi)有一個(gè)接合焊盤(pán)具有臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。利用位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件的“頂部金屬層”上的金屬導(dǎo)體形成每個(gè)關(guān)鍵接合焊盤(pán)與每個(gè)對(duì)應(yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)之間的連接。
[0058]另外，因?yàn)橹皇桥R時(shí)地使用臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，諸如在一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程中使用所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所以配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)可以與對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)具有相同尺寸，或者它們可以在尺寸上比對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)小，這是因?yàn)榕R時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)僅僅用于探測(cè)。它們并不用于在隨后的組裝過(guò)程期間進(jìn)行接合線(xiàn)附接。例如，可以基于半導(dǎo)體探針可能遇到的半導(dǎo)體探針的觸壓的估計(jì)數(shù)目來(lái)確定臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的尺寸。因而，臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)可以?xún)H僅為它們對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)的尺寸的近似一半(50%)。在一些情況下，臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)可以?xún)H僅為它們對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)的尺寸的近似四分之一 (25%)。此外，在一些情況下，臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)可以不全都具有相同尺寸，而是可以根據(jù)預(yù)期使用考慮而以不同尺寸創(chuàng)建。在一些情況下，可以創(chuàng)建多于一個(gè)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)以與沿著單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊的單個(gè)正常接合焊盤(pán)對(duì)應(yīng)。
[0059]在一些情況下，可以將多個(gè)半導(dǎo)體晶片探針卡資源(探針卡觸頭)連接至單個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件接合焊盤(pán)單元(cell)(正常接合焊盤(pán)單元)，從而可以將更大電功率輸送到單個(gè)半導(dǎo)體器件。探針卡觸頭具有它們能夠承載的規(guī)定最大電流。該限度限制了單獨(dú)半導(dǎo)體探針卡觸頭在測(cè)試過(guò)程中能夠向單獨(dú)半導(dǎo)體器件輸送的電功率的量。典型地，為了在最少量的時(shí)間內(nèi)測(cè)試單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該單獨(dú)半導(dǎo)體器件將具有一定限定的電功率要求。然而，如果半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)不能輸送該要求的量的電功率，則必須放慢半導(dǎo)體測(cè)試以便避免由于半導(dǎo)體器件在測(cè)試過(guò)程中功率不足(功率匱乏)而引起錯(cuò)誤測(cè)試結(jié)果。對(duì)于大型多引腳數(shù)量器件，因?yàn)榘雽?dǎo)體測(cè)試接口硬件的電功率輸送的已知限制，通常有意地放慢測(cè)試。臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)方法允許多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)或單個(gè)大的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)和進(jìn)行測(cè)試的單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的電源焊盤(pán)和接地焊盤(pán)之間提供多個(gè)電流路徑。例如，如果每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體探針卡觸頭能夠處理IA的電流，則將兩個(gè)半導(dǎo)體探針觸頭連接至單獨(dú)半導(dǎo)體器件的電源焊盤(pán)單元將使可用的電流翻倍到2A?？梢岳迷摳郊与姽β蔬M(jìn)行單獨(dú)半導(dǎo)體器件的更快和更高效的測(cè)試。該附加電功率因而轉(zhuǎn)換成了較低的單獨(dú)半導(dǎo)體測(cè)試時(shí)間，這致使測(cè)試成本降低。以上描述的構(gòu)造變型中的關(guān)鍵點(diǎn)是，臨時(shí)犧牲接合焊盤(pán)可以單個(gè)地或組合地在總尺寸上構(gòu)造成超大，以適應(yīng)多探針卡觸頭，以便將更高的電功率輸送給單獨(dú)半導(dǎo)體器件的單個(gè)接合焊盤(pán)(焊盤(pán)單元)。
[0060]另外，在確定用于臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的最小尺寸時(shí)需要考慮其它因素。這些附加因素包括關(guān)于確保臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)滿(mǎn)足用于將采用的探針卡觸頭機(jī)構(gòu)的規(guī)范的考慮。例如，一些半導(dǎo)體探針卡使用懸臂針或槳。其它半導(dǎo)體探針卡使用豎直針，該豎直針采用點(diǎn)構(gòu)造或星形構(gòu)造。另有其它半導(dǎo)體探針卡使用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，該微機(jī)電系統(tǒng)可能要求尖銳或平坦觸頭。此外，半導(dǎo)體探針卡的接觸力在確定臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的最小厚度時(shí)也起到一定作用。此外，刮擦區(qū)域在確定最小表面面積中也起到一定作用，例如，在最壞情況下的方案中，半導(dǎo)體晶片探針標(biāo)記的外徑將確定最小表面面積。另外，在整個(gè)半導(dǎo)體晶片上的半導(dǎo)生探針?lè)胖镁纫彩侵匾目紤]。該因素添加到由刮擦標(biāo)記建立的最小面積。此外，半導(dǎo)體晶片探針觸頭的最小間隔可以進(jìn)一步增加最小面積或者減少最大面積。
[0061 ]在圖8中提供了分別與關(guān)鍵接合焊盤(pán)701、702和703對(duì)應(yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)701S、702S和703S的創(chuàng)建的示例性圖示。在圖8中，這些配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于各種水平和豎直劃片槽中。為了節(jié)省空間，用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)從彼此偏移，從而用于相鄰的單獨(dú)接合焊盤(pán)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)不背靠背定位。在該構(gòu)造中，豎直和水平劃片槽僅需要略微大于最大臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的尺寸。
[0062]有各種方式可以將臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)連接至它們對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵接合焊盤(pán)。一個(gè)特別有效的方式是利用重布線(xiàn)層(RDL) ADL是指單獨(dú)半導(dǎo)體器件的用于執(zhí)行最后一步互連的頂層金屬層。更具體地說(shuō)，重布線(xiàn)需要在半導(dǎo)體晶片表面上添加另一個(gè)導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層被圖案化和金屬化以在指定位置提供新的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。除了與原始接合焊盤(pán)的連接之外，該附加導(dǎo)電層與半導(dǎo)體晶片電隔離。
[0063]圖9A、9B、9C和9D示出了重布線(xiàn)導(dǎo)電層的創(chuàng)建的示例性圖示，該重布線(xiàn)導(dǎo)電層將“正常”接合焊盤(pán)與對(duì)應(yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)相連接，該對(duì)應(yīng)的臨時(shí)犧牲接合焊盤(pán)否則與半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件電絕緣。在圖9A中，設(shè)置在單獨(dú)半導(dǎo)體元件201上的正常金屬接合焊盤(pán)901利用氮化物鈍化層902部分覆蓋。在圖9B中，該氮化物鈍化層902覆蓋有具有大約3μπι厚度的聚酰亞胺層903。在圖9C中，具有至少25μπι的最小寬度的導(dǎo)電金屬線(xiàn)路904設(shè)置在該聚酰亞胺層上。在圖9D中，除了在單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常接合焊盤(pán)906的位置處以及在位于半導(dǎo)體晶片上的劃片槽中的對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)907的位置處將導(dǎo)電金屬線(xiàn)路904暴露出的開(kāi)口之外，在該導(dǎo)電金屬線(xiàn)路904上設(shè)置第二電介質(zhì)層905。
[0064]用于使單獨(dú)接合焊盤(pán)和/或?qū)?yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的物理?yè)p傷最小的上述過(guò)程的進(jìn)一步改進(jìn)是設(shè)計(jì)半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程以使半導(dǎo)體晶片探測(cè)針錯(cuò)開(kāi)，從而使得它們對(duì)于半導(dǎo)體晶片探測(cè)針與指定接合焊盤(pán)的每次觸壓都在該指定接合焊盤(pán)上具有不同坐標(biāo)。該過(guò)程為每個(gè)觸壓都提供了在指定接合焊盤(pán)上的不同觸壓位置。對(duì)指定接合焊盤(pán)的物理?yè)p傷被分布在該指定接合焊盤(pán)的更寬闊表面區(qū)域上，并且避免了對(duì)該指定接合焊盤(pán)造成更嚴(yán)重的物理?yè)p傷，如果由半導(dǎo)體晶片探測(cè)針?lè)磸?fù)使用同一個(gè)觸壓位置，則將會(huì)發(fā)生這種更嚴(yán)重的物理?yè)p傷。因而，經(jīng)受半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試的每個(gè)接合焊盤(pán)都將具有采取分布位置模式的由觸壓引起的探針損傷。
[0065]在圖10中提供了使用若干不同的半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試位點(diǎn)從而使得它們對(duì)于半導(dǎo)體晶片探測(cè)針與指定接合焊盤(pán)的每個(gè)觸壓在該指定接合焊盤(pán)上都具有不同坐標(biāo)的示例性圖示。在圖10中，圖示了四個(gè)不同的可能測(cè)試位點(diǎn)TS1、TS2、TS3和TS4，可以利用這些測(cè)試位點(diǎn)用于不同的測(cè)試目的，這些測(cè)試目的可能包括DFT測(cè)試、功率測(cè)試、接地測(cè)試和其它類(lèi)型的測(cè)試。
[0066]圖11示出了使用不同坐標(biāo)從而使得探針卡的探測(cè)針在單獨(dú)接合焊盤(pán)上具有不同測(cè)試位點(diǎn)位置的錯(cuò)開(kāi)圖案。在圖11中，半導(dǎo)體晶片探測(cè)裝置η在接合焊盤(pán)η上的第一觸壓位點(diǎn)TDl位于指定接合焊盤(pán)η的中心處。半導(dǎo)體晶片探測(cè)裝置η+1在接合焊盤(pán)η上的第二觸壓位點(diǎn)TD2位于接合焊盤(pán)η的右上角。半導(dǎo)體晶片探測(cè)裝置η+2在接合焊盤(pán)η上的第三觸壓位點(diǎn)TD3位于接合焊盤(pán)η的左下角。因而，對(duì)指定接合焊盤(pán)η的累計(jì)損傷表現(xiàn)出分布式的累積物理?yè)p傷圖案，由此避免如果不采用錯(cuò)開(kāi)的半導(dǎo)體晶片探測(cè)針模式將發(fā)生的更嚴(yán)重的物理?yè)p傷。
[0067]圖12示出了位于各種豎直劃片槽和水平劃片槽內(nèi)的黑色線(xiàn)，這些黑色線(xiàn)代表在半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程完成之后半導(dǎo)體晶片切割裝置將半導(dǎo)體晶片鋸成單獨(dú)半導(dǎo)體器件的位置。由于該切割裝置跟隨劃片槽，因此在切割過(guò)程期間這些臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)被毀壞。臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的毀壞沒(méi)有任何后果，因?yàn)閯?chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的主要目的在半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程中已經(jīng)完成。然而，該過(guò)程防止了每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的“正?！眴为?dú)接合焊盤(pán)被物理?yè)p傷，這種物理?yè)p傷可能導(dǎo)致“正?！眴为?dú)接合焊盤(pán)的電氣和/或機(jī)械故障。如果不創(chuàng)建并使用所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，當(dāng)然將會(huì)對(duì)“正?！眴为?dú)接合焊盤(pán)造成損傷。
[0068]現(xiàn)在將描述具有增強(qiáng)功能性劃片槽的半導(dǎo)體晶片的上述先進(jìn)構(gòu)造和用于產(chǎn)生具有增強(qiáng)功能性劃片槽的半導(dǎo)體晶片的先進(jìn)構(gòu)造的過(guò)程的變型。在該變型中，不是僅僅將測(cè)試所需的關(guān)鍵單獨(dú)接合焊盤(pán)配對(duì)，而是將每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的所有單獨(dú)接合焊盤(pán)與臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)配對(duì)。
[0069]在該變型中，要求如下:用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在每個(gè)內(nèi)部劃片槽內(nèi)彼此背靠背安裝。因而，在該構(gòu)造中，指定劃片槽必須是它們正常尺寸的兩倍，以便適應(yīng)兩個(gè)背靠背的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。該構(gòu)造在圖13中示出。然而，當(dāng)相對(duì)于正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸使得對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上較小時(shí)，可以使該構(gòu)造中的劃片槽的尺寸較小。在一定情況下，臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)僅僅需要大到足以允許半導(dǎo)體晶片探測(cè)針進(jìn)行物理接觸。當(dāng)允許半導(dǎo)體晶片探測(cè)針在對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的同一物理位置反復(fù)進(jìn)行觸壓時(shí)，可以將臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)減小到對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸的近似四分之一 (25%)。
[0070]該構(gòu)造可以在對(duì)進(jìn)行測(cè)試的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的所有區(qū)域進(jìn)行一般測(cè)試時(shí)使用，這是因?yàn)槊總€(gè)單獨(dú)接合焊盤(pán)都具有對(duì)應(yīng)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)來(lái)吸收由于半導(dǎo)體晶片探針的觸壓而引發(fā)的物理?yè)p傷。因而，好處是完全消除了在半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程中與正常單獨(dú)接合焊盤(pán)有關(guān)的大多數(shù)重大問(wèn)題。
[0071]圖14舉例說(shuō)明了具有正常接合焊盤(pán)和對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件在經(jīng)受半導(dǎo)體晶片切割過(guò)程之前的預(yù)切割構(gòu)造(圖14的左側(cè))。圖14還舉例說(shuō)明了具有正常接合焊盤(pán)和對(duì)應(yīng)的配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的單獨(dú)半導(dǎo)體器件在經(jīng)受半導(dǎo)體晶片切割過(guò)程之后的切割后構(gòu)造(圖14的右側(cè))。
[0072]現(xiàn)在將描述具有增強(qiáng)功能性劃片槽的半導(dǎo)體晶片的上述先進(jìn)構(gòu)造和用于產(chǎn)生具有增強(qiáng)功能性劃片槽的半導(dǎo)體晶片的先進(jìn)構(gòu)造的過(guò)程的另一個(gè)變型。在該另外的構(gòu)造變型中(該變型在圖15中圖示出)，臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)被構(gòu)造成在尺寸上比正常單獨(dú)接合焊盤(pán)小，并且以錯(cuò)開(kāi)構(gòu)造放置。在該錯(cuò)開(kāi)構(gòu)造中，尺寸減小的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)可以并排定位。因而，還可以減小劃片槽的尺寸。
[0073]圖16舉例說(shuō)明了可以實(shí)現(xiàn)以上描述的半導(dǎo)體晶片探針測(cè)試過(guò)程的計(jì)算機(jī)1200的實(shí)施例。計(jì)算機(jī)1200包括一組或多組計(jì)算機(jī)編程指令，這些計(jì)算機(jī)編程指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器1202中，并且能夠由計(jì)算機(jī)1200中的處理器1201執(zhí)行以進(jìn)行以上描述的過(guò)程。計(jì)算機(jī)1200在利用具體測(cè)試軟件適當(dāng)編程時(shí)變成專(zhuān)用目的計(jì)算機(jī)，該專(zhuān)用目的計(jì)算機(jī)被構(gòu)造成用于一組專(zhuān)門(mén)的測(cè)試操作和功能。
[0074]在圖6A和圖6B中所示的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)中使用的計(jì)算機(jī)可以以許多物理構(gòu)造中的一種構(gòu)造來(lái)呈現(xiàn)，包括被構(gòu)造成服務(wù)器或客戶(hù)終端。該計(jì)算機(jī)還可以與各種裝置(例如，臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)設(shè)備、電子平板、智能電話(huà)等)相關(guān)聯(lián)。
[0075]如圖16中所示，計(jì)算機(jī)1200包括處理器1201和存儲(chǔ)器1202，該存儲(chǔ)器1202是可以由計(jì)算機(jī)1200使用的一種或多種各種存儲(chǔ)器的代表。這些存儲(chǔ)器可以包括一個(gè)或更多個(gè)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器和可編程只讀存儲(chǔ)器等。計(jì)算機(jī)1200還包括至少一個(gè)顯示器1203，該至少一個(gè)顯示器1203可以以任何形式提供，包括陰極射線(xiàn)管、LED顯示器、IXD顯示器和等離子顯示器等。該顯示器可以包括用于例如通過(guò)觸敏屏進(jìn)行數(shù)據(jù)輸入的設(shè)備。另外的輸出裝置可以包括音頻輸出裝置，例如揚(yáng)聲器1209。
[0076]計(jì)算機(jī)1200進(jìn)一步包括一個(gè)或更多個(gè)輸入裝置。輸入裝置可以包括:一個(gè)或更多個(gè)字母數(shù)字輸入裝置1204，諸如鍵盤(pán);光標(biāo)控制器1205，諸如鼠標(biāo)、觸摸墊或操縱桿;和麥克風(fēng)1210。計(jì)算機(jī)1200還使得處理器1201能夠通過(guò)計(jì)算機(jī)1200外部的網(wǎng)絡(luò)1207與一個(gè)或更多個(gè)遠(yuǎn)程裝置1206通信。計(jì)算機(jī)1200內(nèi)部的通信主要使用總線(xiàn)1208。
[0077]在另選實(shí)施方式中，可以將專(zhuān)用硬件實(shí)現(xiàn)構(gòu)造成實(shí)現(xiàn)這里描述的方法中的一個(gè)或更多個(gè)，所述專(zhuān)用硬件實(shí)現(xiàn)例如是專(zhuān)用應(yīng)用集成電路、可編程邏輯陣列和其它硬件裝置?？梢园ǜ鞣N實(shí)施方式的設(shè)備和系統(tǒng)的應(yīng)用可以廣泛地包括各種電子和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。這里描述的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式可以使用兩個(gè)或更多個(gè)專(zhuān)用互連的硬件模塊或裝置(具有能夠在模塊之間通過(guò)模塊傳送的相關(guān)控制和數(shù)據(jù)信號(hào))實(shí)現(xiàn)功能或者實(shí)現(xiàn)為專(zhuān)用應(yīng)用集成電路的一部分。因而，本發(fā)明的系統(tǒng)涵蓋了軟件、固件和硬件實(shí)現(xiàn)。
[0078]根據(jù)本公開(kāi)的各種實(shí)施方式，這里描述的方法可以通過(guò)可由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行的軟件程序來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，在一個(gè)示例性的非限制實(shí)施方式中，實(shí)現(xiàn)可以包括分布式處理、組件/對(duì)象分布式處理和平行處理。另選地，可以將虛擬計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處理構(gòu)造成實(shí)現(xiàn)這里描述的一個(gè)或更多個(gè)方法或功能。
[0079]盡管已經(jīng)參照若干個(gè)示例性實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，已經(jīng)使用的措辭是描述和示例性措辭，而不是限制性措辭。在不脫離本發(fā)明在其各個(gè)方面中的范圍和精神的情況下，可以在所附權(quán)利要求的范圍進(jìn)行改變，如當(dāng)前闡述和修改的一樣。盡管已經(jīng)參照具體手段、材料和實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不受限于所公開(kāi)的具體細(xì)節(jié)，相反，本發(fā)明延及到如在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有功能上等價(jià)的結(jié)構(gòu)、方法和用途。
[0080]盡管可以將非臨時(shí)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)示出為單個(gè)介質(zhì)，但是術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”包括單個(gè)介質(zhì)或多個(gè)介質(zhì)，諸如集中式或分布式數(shù)據(jù)庫(kù)和/或存儲(chǔ)一組或多組指令的相關(guān)超高速緩沖存儲(chǔ)器和服務(wù)器。術(shù)語(yǔ)“非臨時(shí)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”應(yīng)該還包括能夠存儲(chǔ)、編碼或承載由處理機(jī)執(zhí)行的一組指令或致使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行這里公開(kāi)的任何一個(gè)或多個(gè)方法或操作的任何介質(zhì)。
[0081]在一具體非限制性的示例性實(shí)施方式中，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括諸如存儲(chǔ)卡之類(lèi)的固態(tài)存儲(chǔ)器或容納一個(gè)或多個(gè)非易失性只讀存儲(chǔ)器的其它封裝。另外，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或其它易失性可再寫(xiě)存儲(chǔ)器。此外，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括諸如磁盤(pán)或磁帶之類(lèi)的磁光或光學(xué)介質(zhì)或捕獲諸如通過(guò)傳輸介質(zhì)傳送的信號(hào)之類(lèi)的載波信號(hào)的其它存儲(chǔ)器件。因而，所述公開(kāi)被認(rèn)為包括任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或其中可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或指令的其它等同物或后續(xù)媒體。
[0082]盡管本說(shuō)明書(shū)描述了可以參照具體標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議在【具體實(shí)施方式】中實(shí)現(xiàn)的組件和功能，但是本公開(kāi)不限于這些標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議。例如，用于互聯(lián)網(wǎng)和其它分組交換網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)代表現(xiàn)有技術(shù)狀態(tài)的示例。這些標(biāo)準(zhǔn)被具有基本相同功能的更快或更高效的等同物周期性地取代。因而，具有相同或類(lèi)似功能的替換標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議被認(rèn)為是其等同物。
[0083]這里描述的實(shí)施方式的圖示是為了提供各種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的一般理解。這些圖示不是為了用作利用這里描述的結(jié)構(gòu)或方法的設(shè)備和系統(tǒng)的所有元素和特征的完整描述。在閱讀所述公開(kāi)之后許多其它實(shí)施方式對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的。從所述公開(kāi)可利用和推導(dǎo)出其它實(shí)施方式，使得在不脫離該公開(kāi)的范圍的情況下可進(jìn)行結(jié)構(gòu)和邏輯替換和改變。另外，這些圖示僅僅是代表性的，并且可能不是按照比例繪制的。圖示中的一些比例可能被夸大，而其它比例可能被最小化。因而，所述公開(kāi)和附圖應(yīng)被認(rèn)為是示例性而非限制性的。
[0084]所述公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式在這里可以被單獨(dú)地和/或共同地稱(chēng)為術(shù)語(yǔ)“發(fā)明”，這僅僅是為了方便而不是為了特意將該申請(qǐng)的范圍限制于任何具體發(fā)明或發(fā)明構(gòu)思。此外，盡管這里已經(jīng)圖示并描述了【具體實(shí)施方式】，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，被設(shè)計(jì)成實(shí)現(xiàn)相同或類(lèi)似目的的任何隨后布置可以取代所示的【具體實(shí)施方式】。該公開(kāi)旨在覆蓋各種實(shí)施方式的任何和所有隨后的改變和修改。通過(guò)閱讀說(shuō)明書(shū)，上述實(shí)施方式的組合以及這里沒(méi)有明確描述的其它實(shí)施方式對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的。
[0085]該公開(kāi)的摘要是在該摘要不會(huì)用來(lái)解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義這個(gè)認(rèn)識(shí)下提交的。另外，在上述【具體實(shí)施方式】中，為了使得該公開(kāi)流暢易懂，將各種特征一起編組或在單個(gè)實(shí)施方式中描述。并不是要將該公開(kāi)解釋為反映了所要求保護(hù)的實(shí)施方式需要比在每個(gè)權(quán)利要求中明確闡述的更多的特征這種意愿。相反，如以下權(quán)利要求反映的，發(fā)明主題內(nèi)容可能涉及少于任何一個(gè)公開(kāi)實(shí)施方式的所有特征的特征。因而，以下權(quán)利要求結(jié)合在【具體實(shí)施方式】中，且每個(gè)權(quán)利要求獨(dú)立地存在，單獨(dú)地限定所要求保護(hù)的主題內(nèi)容。
[0086]以上公開(kāi)的主題內(nèi)容應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性而非限制性的，并且所附權(quán)利要求旨在覆蓋落入本公開(kāi)的真實(shí)精神和范圍內(nèi)的所有這種修改、改進(jìn)和其它實(shí)施方式。因而，在由法律允許的最大范圍內(nèi)，本公開(kāi)的范圍應(yīng)由如下權(quán)利要求及其等同物可允許的最寬泛解釋來(lái)確定，并且不應(yīng)該受到以上詳細(xì)描述的制約或限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種使用臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該半導(dǎo)體晶片包括位于該半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，所述方法包括: 以如下構(gòu)造在所述半導(dǎo)體晶片上布置單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該構(gòu)造具有水平行的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)水平行之間具有功能性水平劃片槽，并且該構(gòu)造具有豎直列的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)豎直列之間具有功能性豎直劃片槽，其中所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件包括沿著每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)； 創(chuàng)建臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于功能性水平劃片槽或功能性豎直劃片槽中，并且電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)； 使用半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)對(duì)所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件的一部分進(jìn)行電氣測(cè)試，在半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程中，該半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)與所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)進(jìn)行物理接觸；以及 在完成所述電氣測(cè)試之后當(dāng)從所述半導(dǎo)體晶片切割出所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件時(shí)將所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)毀壞。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該方法進(jìn)一步包括: 創(chuàng)建多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)包括位于功能性水平劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)和位于功能性豎直劃片槽中的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，每個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)被電連接至單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該方法進(jìn)一步包括: 確定單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的哪個(gè)正常單獨(dú)接合焊盤(pán)對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的；以及 僅僅為所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的被確定為關(guān)鍵的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)設(shè)置臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中將被設(shè)計(jì)成用于單獨(dú)半導(dǎo)體器件測(cè)試的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)指定為對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中將被設(shè)計(jì)成用于供應(yīng)電功率和提供電接地的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)指定為對(duì)所述半導(dǎo)體晶片探測(cè)過(guò)程來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上比位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)小。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)為位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸的約50 %。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)為位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)的尺寸的約25 %。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述多個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)包括超大臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)以適應(yīng)用于向單獨(dú)半導(dǎo)體器件的單個(gè)正常接合焊盤(pán)提供更高電功率輸送的多個(gè)半導(dǎo)體探針卡觸頭。 包括不同尺寸的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，其中。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)從彼此偏移，從而使得用于相鄰的單獨(dú)接合焊盤(pán)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)不背靠背定位。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)背靠背定位。12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該方法進(jìn)一步包括: 為所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的所有正常單獨(dú)接合焊盤(pán)提供臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中將指定的功能性水平劃片槽和指定的功能性豎直劃片槽構(gòu)造成具有足以適應(yīng)之間具有非導(dǎo)電間隔的背靠背定位的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)的寬度。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)通過(guò)使用重布線(xiàn)層電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)，該重布線(xiàn)層是設(shè)置在半導(dǎo)體晶片表面上的導(dǎo)電層并且不然則與所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件電隔離。15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法，該方法進(jìn)一步包括: 使所述半導(dǎo)體晶片測(cè)試機(jī)和所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)之間的多個(gè)物理接觸在所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的位置錯(cuò)開(kāi)，從而使得每個(gè)物理接觸都位于所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)上的不同位置。16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片的方法， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上比所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)小，并且位于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件之間的豎直和/或水平劃片槽中的所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)以并排構(gòu)造布置。17.—種半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片構(gòu)造有用于測(cè)試所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述半導(dǎo)體晶片包括: 以如下構(gòu)造布置在所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，該構(gòu)造具有水平行的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)水平行之間具有功能性水平劃片槽，并且該構(gòu)造具有豎直列的單獨(dú)半導(dǎo)體器件，其中在單獨(dú)半導(dǎo)體器件的每組兩個(gè)豎直列之間具有功能性豎直劃片槽，其中所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件包括沿著每個(gè)單獨(dú)半導(dǎo)體器件的周邊的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)；以及 臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)位于一個(gè)或多個(gè)功能性水平劃片槽和/或一個(gè)或多個(gè)功能性豎直劃片槽中，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)均電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)，所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)僅在所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件被從所述半導(dǎo)體晶片物理分開(kāi)之前測(cè)試位于所述半導(dǎo)體晶片上的單獨(dú)半導(dǎo)體器件。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片， 其中所述臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在尺寸上小于位于所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片， 其中每個(gè)臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)通過(guò)使用重布線(xiàn)層電連接至位于單獨(dú)半導(dǎo)體器件上的對(duì)應(yīng)的正常單獨(dú)接合焊盤(pán)，該重布線(xiàn)層是設(shè)置在半導(dǎo)體晶片表面上的導(dǎo)電層并且不然則與所述單獨(dú)半導(dǎo)體器件電隔離。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片， 其中用于相鄰的單獨(dú)半導(dǎo)體器件的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)從彼此偏移，從而使得用于相鄰的單獨(dú)接合焊盤(pán)的臨時(shí)配對(duì)犧牲接合焊盤(pán)在豎直劃片槽或水平劃片槽中不背靠背定位。
【文檔編號(hào)】H01L23/50GK105874584SQ201480071769
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年12月24日
【發(fā)明人】霍華德·H·小羅伯茨
【申請(qǐng)人】塞勒林特有限責(zé)任公司