芯片切割方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種芯片切割方法，其包括以下步驟：在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)；去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽；以及沿劃片槽切割待切割晶圓。該芯片切割方法中，在對(duì)待切割晶圓進(jìn)行切割的步驟之前，先去除了欲切割區(qū)上的鈍化層。鈍化層往往具有較高的應(yīng)力，且厚度較厚。在切割之前去除這層高應(yīng)力層，能夠降低后期的切割難度，使形成的劃片槽更容易被切開。同時(shí)，去除這層高應(yīng)力層，能夠改善欲切割區(qū)中各層的應(yīng)力不均勻性問題，使得后期切割的過程中，欲切割區(qū)的受力更加均衡，從而能夠促使劃片槽中產(chǎn)生的微裂紋更加均勻，有利于提高切割痕跡的平整性。以上各方面的因素均能夠改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。
【專利說明】
芯片切割方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本申請(qǐng)涉及芯片制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片切割方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，芯片設(shè)計(jì)和制造公司需要不斷地減少制造成本、提高 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。縮小晶圓上的劃片槽能夠有效提高單片晶圓內(nèi)的芯片數(shù)量，以200mm晶圓為 例，當(dāng)劃片槽由~60um縮小到~25um時(shí)，單片晶圓的芯片數(shù)量能夠增加~10%以上，極大 地減少了芯片的制造成本。因此窄劃片槽結(jié)構(gòu)將成為芯片制造的發(fā)展趨勢(shì)，具有廣闊的應(yīng) 用前景。
[0003] 當(dāng)劃片槽降至50um以下時(shí)，傳統(tǒng)的金剛刀切割技術(shù)由于機(jī)械刀片尺寸的限制已 經(jīng)不再適用，這時(shí)需要用到激光隱形切割技術(shù)。然而目前的激光隱形切割技術(shù)廣泛存在擴(kuò) 片困難的問題：在激光隱形切割芯片時(shí)，芯片中容易出現(xiàn)微裂紋均勻性差的問題，這最終會(huì) 導(dǎo)致這些連在一起的芯片在晶圓擴(kuò)片時(shí)不能完全分開，即使分開也容易造成芯片崩缺，使 芯片的良品率下降，從而對(duì)芯片廠商造成重大損失。
[0004] 申請(qǐng)內(nèi)容
[0005] 本申請(qǐng)旨在提供一種芯片的切割方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓切割時(shí)切割效果差 的問題。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種芯片切割方法，其包括以 下步驟：在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)；去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽；以 及沿劃片槽切割待切割晶圓。
[0007] 進(jìn)一步地，當(dāng)鈍化層為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，在去除欲切割區(qū)的鈍化層步驟中，可去除一層 或多層鈍化層。
[0008] 進(jìn)一步地，在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)的步驟包括：在待切割晶圓的芯片功能 區(qū)和焊盤上形成鈍化層；在不同的芯片功能區(qū)之間選定欲切割區(qū)；去除欲切割區(qū)表面上的 鈍化層以形成劃片槽的步驟包括：同時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū)上的鈍化層。
[0009] 進(jìn)一步地，同時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū)上的鈍化層的步驟包括：在鈍化層上形成掩 膜層；圖形化掩膜層，同時(shí)露出焊盤和欲切割區(qū)上的鈍化層；沿露出的鈍化層向下刻蝕，同 時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū)上的鈍化層。
[0010] 進(jìn)一步地，沿露出的鈍化層向下刻蝕的步驟中，采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方法。
[0011] 進(jìn)一步地，沿劃片槽切割待切割晶圓的步驟中，在待切割晶圓的背面進(jìn)行激光隱 形切割。
[0012] 進(jìn)一步地，沿劃片槽切割待切割晶圓的步驟之后，還包括對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行擴(kuò) 片的步驟。
[0013] 進(jìn)一步地，鈍化層為多層結(jié)構(gòu)，鈍化層中，由上至下第一層的材料為氮氧化硅、氮 化硅或二氧化硅。
[0014] 進(jìn)一步地，鈍化層中，由上至下第二層的材料為二氧化硅或一氧化硅。
[0015] 應(yīng)用本申請(qǐng)的芯片的切割方法，在對(duì)待切割晶圓進(jìn)行切割的步驟之前，先去除了 欲切割區(qū)上的鈍化層。鈍化層往往具有較高的應(yīng)力，且厚度較厚（一般約8Q00I )。在切割 之前去除這層高應(yīng)力層，能夠降低后期的切割難度，使形成的劃片槽更容易被切開。同時(shí)， 去除這層高應(yīng)力層，能夠改善欲切割區(qū)中各層的應(yīng)力不均勻性，使得后期切割的過程中，欲 切割區(qū)的受力更加均衡，從而能夠促使劃片槽中產(chǎn)生的微裂紋更加均勻。這就有利于提高 切割痕跡的平整性。此外，去除這層高應(yīng)力層，還能夠防止其在后期切割過程中發(fā)生崩裂破 壞芯片結(jié)構(gòu)。以上各方面的因素均能夠改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。
【附圖說明】
[0016] 構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示 意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0017] 圖1示出了本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中芯片切割方法的工藝流程示意圖；
[0018] 圖2至圖7示出了本申請(qǐng)一種實(shí)施方式中芯片切割方法各步驟所形成的基體的剖 面示意圖；
[0019] 圖2示出了在晶圓上形成多個(gè)芯片功能區(qū)，形成待切割晶圓后的基體的剖面示意 圖；
[0020] 圖3示出了在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)，去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層中的一 層，進(jìn)而形成劃片槽后的基體的剖面示意圖；
[0021] 圖4示出了在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)，去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層中的兩 層，進(jìn)而形成劃片槽后的基體的剖面示意圖；
[0022] 圖5示出了在待切割晶圓的芯片功能區(qū)和焊盤上形成鈍化層后的基體的剖面示 意圖；
[0023] 圖6示出了在不同的芯片功能區(qū)之間選定欲切割區(qū)，并同時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū) 上的鈍化層后的基體的剖面示意圖；
[0024] 圖7示出了沿劃片槽切割待切割晶圓，得到多個(gè)芯片后形成的基體的剖面示意 圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。
[0026] 需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于"包含"和/或"包 括"時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0027] 為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特 征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為"在其他器 件或構(gòu)造上方"或"在其他器件或構(gòu)造之上"的器件之后將被定位為"在其他器件或構(gòu)造下 方"或"在其他器件或構(gòu)造之下"。因而，示例性術(shù)語"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方 位），并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。
[0028] 正如【背景技術(shù)】部分所介紹的，現(xiàn)有的芯片切割方法存在切割效果差的問題。為了 解決這一問題，本申請(qǐng)
【申請(qǐng)人】提供了一種芯片的切割方法，如圖1所示，其包括以下步驟： 在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)；去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽；以及沿劃片 槽切割所述待切割晶圓。
[0029] 如【背景技術(shù)】部分所介紹的，在芯片制作過程中，往往是在同一個(gè)晶圓上形成多個(gè) 芯片功能區(qū)，再將這些芯片功能區(qū)連同晶圓一起通過切割的方式分離開，從而形成多個(gè)芯 片。在芯片功能區(qū)的制作過程中，會(huì)在晶圓上形成互連結(jié)構(gòu)層（包括金屬互連層、介質(zhì)層 等）。為將互連結(jié)構(gòu)層進(jìn)行隔離保護(hù)，提高最終芯片的電性能和使用性能，需要在互連結(jié)構(gòu) 層制作完畢后，在整個(gè)晶圓的上表面除了焊盤以外的區(qū)域形成鈍化層。
[0030] 本申請(qǐng)所提供的上述切割方法，在對(duì)待切割晶圓進(jìn)行切割的步驟之前，先去除了 欲切割區(qū)上的鈍化層。鈍化層往往具有較高的應(yīng)力，且厚度較厚（一般約8綱減)。在切割 之前去除這層高應(yīng)力層，能夠降低后期的切割難度，使形成的劃片槽更容易被切開。同時(shí)， 去除這層高應(yīng)力層，能夠改善欲切割區(qū)中各層的應(yīng)力不均勻性，使得后期切割的過程中，欲 切割區(qū)的受力更加均衡，從而能夠促使劃片槽中產(chǎn)生的微裂紋更加均勻。這就有利于提高 切割痕跡的平整性。此外，去除這層高應(yīng)力層，還能夠防止其在后期切割過程中發(fā)生崩裂破 壞芯片結(jié)構(gòu)。以上各方面的因素均能夠改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。
[0031] 下面將更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式 可以由多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng) 理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí) 施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。
[0032] 以下將更為詳細(xì)地說明本申請(qǐng)所提供的上述芯片的切割方法：
[0033] 首先，在晶圓100上形成多個(gè)芯片功能區(qū)200,形成待切割晶圓，進(jìn)而形成如圖2所 示的基體結(jié)構(gòu)。在晶圓上形成多個(gè)芯片功能區(qū)的方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用的方 法。具體地，制作多個(gè)芯片功能區(qū)200的過程包括多個(gè)步驟，比如：在每一個(gè)芯片劃分區(qū)域 形成金屬互連結(jié)構(gòu)、在金屬互連結(jié)構(gòu)之間形成介質(zhì)層、在每一個(gè)金屬互連結(jié)構(gòu)的頂層金屬 層上方形成焊盤等，進(jìn)而形成待封裝晶圓。這些工藝步驟也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，在 此不再贅述。具體的待切割晶圓的結(jié)構(gòu)如下：待切割晶圓中每一個(gè)芯片功能區(qū)200包括位 于晶圓100上方的互連結(jié)構(gòu)層220 (包括金屬互連層、介質(zhì)層等）、位于互連結(jié)構(gòu)層220中金 屬互連層金屬區(qū)上方的焊盤230以及位于互連結(jié)構(gòu)層220上方除焊盤230以外區(qū)域上的鈍 化層210。不同的芯片功能區(qū)200的互連結(jié)構(gòu)層220之間通過介質(zhì)層201隔離開來。而在 各個(gè)金屬互連結(jié)構(gòu)的頂層金屬層上方形成焊盤，進(jìn)而形成待封裝晶圓之后，往往需要在待 封裝晶圓的正面表面上除焊盤以外的地方形成鈍化層，以起到保護(hù)芯片電路結(jié)構(gòu)的作用。 形成鈍化層之后，便形成了待切割晶圓。
[0034] 形成待切割晶圓之后，按照每一個(gè)芯片功能區(qū)200,在待切割晶圓上選定欲切割 區(qū)，去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，當(dāng)鈍化層為多 層結(jié)構(gòu)時(shí)，在去除欲切割區(qū)的鈍化層步驟中，可去除一層或多層鈍化層。對(duì)于鈍化層210而 言，往往具有多層結(jié)構(gòu)。此處的"多層"是指大于兩層。如圖2所示，鈍化層210由上至下 包括第一層211、第二層212及剩余層213。在實(shí)際操作過程中，可以去除欲切割區(qū)上鈍化 層的一層或多層。優(yōu)選地，去除欲切割區(qū)上鈍化層的一層，形成如圖3所示的基體結(jié)構(gòu)。更 優(yōu)選地，去除欲切割區(qū)上鈍化層的兩層，形成如圖4所示的基體結(jié)構(gòu)。
[0035] 在鈍化層中，位于上方的兩層往往具有較高的應(yīng)力和厚度。去除欲切割區(qū)上鈍化 層中的這些較高應(yīng)力層，既有利于改善后期的芯片切割效果，提高芯片的良品率，又能夠在 提高切割效果的基礎(chǔ)上縮短生產(chǎn)工序，提高上產(chǎn)效率。
[0036] 去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層的方法可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用的方法。在一 種優(yōu)選的實(shí)施方式中，去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層的步驟包括：在待切割晶圓的正面表 面上形成掩膜層；圖形化掩膜層，露出欲切割區(qū)表面上的鈍化層；以及沿露出的鈍化層向 下刻蝕，去除欲切割區(qū)上的鈍化層。本領(lǐng)域技術(shù)人員有能力選擇具體的刻蝕方法。優(yōu)選地， 沿露出的鈍化層向下刻蝕的步驟中，采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方法進(jìn)行刻蝕。此外，上述 切割方法適用于任意的待切割芯片，鈍化層的材料也可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用的鈍化 層材料。優(yōu)選地，鈍化層中由上至下第一層的材料為氮氧化硅、氮化硅或二氧化硅，第二層 的材料為二氧化硅或一氧化硅。
[0037] 本申請(qǐng)所提供的上述芯片切割方法中，只要在切割待切割晶圓之前去除欲切割區(qū) 表面上的鈍化層，就能夠改善芯片的切割效果。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，在待切割晶圓上 選定欲切割區(qū)的步驟包括：在待切割晶圓的芯片功能區(qū)和焊盤上形成鈍化層；在不同的芯 片功能區(qū)之間選定欲切割區(qū)，進(jìn)而形成如圖5所示的基體結(jié)構(gòu)；去除欲切割區(qū)表面上的鈍 化層以形成劃片槽的步驟包括：同時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū)上的鈍化層，進(jìn)而形成如圖6所 示的基體結(jié)構(gòu)。
[0038] 如前文所述，在芯片制造的前段工序中，在各個(gè)芯片功能區(qū)的金屬互連結(jié)構(gòu)的頂 層金屬層上方形成焊盤后，便能夠得到待封裝晶圓。然而，出于保護(hù)芯片電路結(jié)構(gòu)的目的， 需要在待封裝晶圓的正面表面上除焊盤以外的地方形成鈍化層。在待封裝晶圓的正面表面 上除焊盤以外的地方形成鈍化層時(shí)，往往是先在待封裝晶圓的正面表面上形成一整層鈍化 層，形成如圖5所示的基體結(jié)構(gòu)后，再去除位于各焊盤上方的鈍化層，以露出各焊盤。本申 請(qǐng)上述的方法中，在去除位于各焊盤上方的鈍化層的同時(shí)，一并去除欲切割區(qū)上的鈍化層， 進(jìn)而形成如圖6所示的基體結(jié)構(gòu)。這樣能夠簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序，提高芯片生產(chǎn)效率。且上述方 法中，去除焊盤上方的鈍化層和欲切割區(qū)上的鈍化層的方法可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用 的方法。
[0039] 在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿露出的鈍化層向下刻蝕，同時(shí)去除焊盤和欲切割區(qū) 上的鈍化層的步驟中，采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方法。根據(jù)鈍化層形成材料的不同，本領(lǐng) 域技術(shù)人員有能力選自具體的刻蝕工藝，在此不再贅述。
[0040] 完成了去除欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽的步驟之后，沿劃片槽切割待 切割晶圓，進(jìn)而形成如圖7所示的基體結(jié)構(gòu)，將各芯片功能區(qū)連同晶圓分離開來，得到多個(gè) 芯片。具體的切割方法可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所慣用的方法。一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，在 切割待切割晶圓形成多個(gè)芯片的步驟中，在待切割晶圓的背面進(jìn)行激光隱形切割，得到多 個(gè)芯片。此處的"待切割晶圓的背面"是指與待切割晶圓中芯片功能區(qū)的一側(cè)相對(duì)應(yīng)的另 一側(cè)。在待切割晶圓的背面進(jìn)行激光隱形切割，有利于防止切割過程中產(chǎn)生的碎肩傷害焊 盤表面，進(jìn)而能夠提高芯片的良品率。更優(yōu)選地，在沿劃片槽切割待切割晶圓的步驟之后， 還包括對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行擴(kuò)片的步驟。擴(kuò)片能夠進(jìn)一步減少對(duì)芯片的傷害，提高芯片的 良品率。
[0041] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)描述，這些實(shí)施例不能理解為限制本 申請(qǐng)所要求保護(hù)的范圍。
[0042] 提供晶圓，在晶圓上的每一個(gè)芯片劃分區(qū)域形成金屬互連結(jié)構(gòu)、在金屬互連結(jié)構(gòu) 之間形成介質(zhì)層、在每一個(gè)金屬互連結(jié)構(gòu)的頂層金屬層上方形成焊盤，進(jìn)而形成待封裝晶 圓；
[0043] 實(shí)施例1
[0044] 選取上述待封裝晶圓，在待封裝晶圓的正面除焊盤以外的表面上形成鈍化層，該 鈍化層由上至下包括三層結(jié)構(gòu)，形成待切割晶圓。其中第一層鈍化層的材料為氮氧化硅，第 二層鈍化層的材料為二氧化硅。
[0045] 選定待切割晶圓的欲切割區(qū)，在待切割芯片的正面形成掩膜層，按照設(shè)定的欲切 割區(qū)圖形化掩膜層后，干法刻蝕以去除欲切割區(qū)的鈍化層的第一層，然后剝離掩膜層，形成 劃片槽；
[0046] 用激光隱形切割法沿劃片槽切割待切割晶圓的背面，擴(kuò)片后，得到多個(gè)芯片。
[0047] 實(shí)施例2
[0048] 選取上述待封裝晶圓，在待封裝晶圓的正面除焊盤以外的表面上形成鈍化層，該 鈍化層由上至下包括三層結(jié)構(gòu)，形成待切割晶圓。其中第一層的材料為氮氧化硅，第二層的 材料為二氧化硅。
[0049] 選定待切割晶圓的欲切割區(qū)，在待切割芯片的正面形成掩膜層，按照設(shè)定的欲切 割區(qū)圖形化掩膜層后，干法刻蝕以去除欲切割區(qū)上的鈍化層中的第一層和第二層鈍化層， 然后剝離掩膜層，形成劃片槽；
[0050] 用激光隱形切割法沿劃片槽切割待切割晶圓的背面，擴(kuò)片后，得到多個(gè)芯片。
[0051] 實(shí)施例3
[0052] 選取上述待封裝晶圓，在待封裝晶圓的正面的整個(gè)表面上形成鈍化層，該鈍化層 由上至下包括三層結(jié)構(gòu)。其中第一層的材料為氮氧化硅，第二層的材料為二氧化硅。
[0053] 選定待切割晶圓的欲切割區(qū)，在鈍化層表面上形成掩膜層，按照設(shè)定的欲切割區(qū) 和焊盤區(qū)域圖形化掩膜層，干法刻蝕以去除焊盤上的所有鈍化層和欲切割區(qū)上的所有鈍化 層，然后剝離掩膜層，得到待切割晶圓，形成劃片槽；
[0054] 用激光隱形切割法沿劃片槽切割待切割晶圓的背面，擴(kuò)片后，得到多個(gè)芯片。
[0055] 對(duì)比例1
[0056] 選取上述待封裝晶圓，在待封裝晶圓的正面除焊盤以外的表面上形成鈍化層，該 鈍化層由上至下包括三層結(jié)構(gòu)，形成待切割芯片。其中鈍化層的第一層的材料為氮氧化硅， 第二層的材料為二氧化硅。
[0057] 選定待切割晶圓的欲切割區(qū)，用激光隱形切割法沿欲切割區(qū)切割待切割晶圓的背 面，擴(kuò)片后，得到多個(gè)芯片。
[0058] 測(cè)試：
[0059] 1.先采用光學(xué)顯微鏡對(duì)上述實(shí)施例1至3和對(duì)比例1中制作得到的芯片進(jìn)行目 檢，觀察芯片的邊緣有無破損或氮氧化硅、氮化硅的粘連。
[0060] 2.采用芯片良率測(cè)試儀對(duì)上述實(shí)施例1至3和對(duì)比例1中制作得到的芯片進(jìn)行良 品率測(cè)量，綜合上述的目檢結(jié)果，計(jì)算各實(shí)施例和對(duì)比例中得到的芯片的良品率。測(cè)量結(jié)果 見表1 :
[0061] 表 1
[0062]
[0063] 從以上的數(shù)據(jù)中，可以看出，采用本申請(qǐng)上述的切割方法，本申請(qǐng)實(shí)施例1至3中 所得到的芯片具有更高的良品率。這就表明，在切割晶圓之前，去除欲切割區(qū)上具有較高應(yīng) 力的純化層，能夠有效提尚切割效果，進(jìn)而提尚芯片的良品率。
[0064] 以上僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人 員來說，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種芯片切割方法，其特征在于，包括以下步驟： 在待切割晶圓上選定欲切割區(qū)； 去除所述欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽；以及 沿所述劃片槽切割所述待切割晶圓。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割方法，其特征在于，當(dāng)所述鈍化層為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，在去除 所述欲切割區(qū)的鈍化層步驟中，可去除一層或多層所述鈍化層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割方法，其特征在于， 在所述待切割晶圓上選定欲切割區(qū)的步驟包括：在所述待切割晶圓的芯片功能區(qū)和焊 盤上形成鈍化層；在不同的所述芯片功能區(qū)之間選定所述欲切割區(qū)； 去除所述欲切割區(qū)表面上的鈍化層以形成劃片槽的步驟包括：同時(shí)去除所述焊盤和所 述欲切割區(qū)上的鈍化層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的切割方法，其特征在于，同時(shí)去除所述焊盤和所述欲切割區(qū) 上的鈍化層的步驟包括： 在所述鈍化層上形成掩膜層； 圖形化所述掩膜層，同時(shí)露出所述焊盤和所述欲切割區(qū)上的鈍化層；以及 沿露出的所述鈍化層向下刻蝕，同時(shí)去除所述焊盤和所述欲切割區(qū)上的鈍化層。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的切割方法，其特征在于，沿露出的所述鈍化層向下刻蝕的步 驟中，采用干法刻蝕或濕法刻蝕的方法。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割方法，其特征在于，沿所述劃片槽切割所述待切割晶圓 的步驟中，在所述待切割晶圓的背面進(jìn)行激光隱形切割。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的切割方法，其特征在于，沿所述劃片槽切割所述待切割晶圓 的步驟之后，還包括對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行擴(kuò)片的步驟。8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述鈍化層為多層結(jié)構(gòu)，所述鈍化層 中，由上至下第一層的材料為氮氧化硅、氮化硅或二氧化硅。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述鈍化層中，由上至下第二層的材 料為二氧化硅或一氧化硅。
【文檔編號(hào)】H01L21/78GK105895582SQ201510039555
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2015年1月26日
【發(fā)明人】呼翔, 彭坤, 陳文甫, 趙連國(guó), 王海蓮, 王峰, 李磊, 吳亮
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司