增加共享接觸孔工藝窗口的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法，即對共享接觸孔的版圖進(jìn)行修正，主要包括：首先根據(jù)共享接觸孔與有源區(qū)及柵極的接觸區(qū)域，將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域；然后將所述兩個區(qū)域分別沿平行于劃分的方向進(jìn)行擴(kuò)展。本發(fā)明提供的方案中，通過將共享接觸孔劃分為單獨的兩個區(qū)域，使這兩個區(qū)域可根據(jù)實際版圖的狀況進(jìn)行修正，從而可增加共享接觸孔的工藝窗口，確保所形成的共享接觸孔與有源區(qū)及與柵極的連接無異常。
【專利說明】
増加共享接觸孔工藝窗口的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]靜態(tài)隨機(jī)存儲器(static random access memory SRAM)由于其低操作電壓和速度快的特點，廣泛的應(yīng)用在當(dāng)今的計算機(jī)系統(tǒng)和電子產(chǎn)品中。而在同樣的存儲容量下，SRAM的尺寸相較其它類型的存儲器的尺寸更大，為了保證SRAM能獲得最大的容量，因此在每一新的技術(shù)節(jié)點所使用的制造技術(shù)中，SRAM都使用到了所能允許的最小尺寸，同時又由于SRAM可以隨機(jī)訪問每個存儲單元，可以很方便的失效定位，因此每一新的技術(shù)節(jié)點制造技術(shù)的研發(fā)都選用SRAM作為研發(fā)平臺。隨著半導(dǎo)體器件尺寸微縮進(jìn)入10nm尺寸以內(nèi)，甚至達(dá)到28nm，SRAM的尺寸需要進(jìn)一步縮小，同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。
[0003]隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductorCOMS)制造技術(shù)進(jìn)入I OOnm工藝以下，光刻工藝的限制會讓SRAM器件物理尺寸的精確控制變得相當(dāng)困難。傳統(tǒng)的SRAM結(jié)構(gòu)在源區(qū)和柵極的形狀較為復(fù)雜，因此，一種簡化源區(qū)和柵極形狀的SRAM結(jié)構(gòu)日趨流行，其特點是有源區(qū)和柵極的形狀使用直線型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)的SRAM布局更加簡化，可大大降低制程中光刻工藝的難度。如圖1 a所示，這種簡化的SRAM結(jié)構(gòu)中，包括有源區(qū)11、柵極12、普通接觸孔13和共享接觸孔對14，所述共享接觸孔對14包括共享接觸孔141和共享接觸孔142，其中共享接觸孔141和142均同時連接有源區(qū)11和柵極12，通過采用共享接觸孔可縮短連線以到達(dá)節(jié)約面積的目的。具體的，共享接觸孔對14中的共享接觸孔與普通接觸孔13均為長方形，但大小不同，共享接觸孔對14中的共享接觸孔可把柵極12和有源區(qū)11直接相連。
[0004]為滿足電性要求，共享接觸孔與柵極及與有源區(qū)的接觸面積都需到達(dá)要求的規(guī)格范圍內(nèi)，因此在形成共享接觸孔的光刻工藝中，需確保曝光機(jī)的對準(zhǔn)精度無異常。然而，隨著電路密度的增加及關(guān)鍵尺寸越來越小，導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的間隔及接觸孔的尺寸也越來越小，甚至到達(dá)次微米以下，同時，由于曝光機(jī)自身的對準(zhǔn)精度的限制，當(dāng)尺寸越來越小的共享接觸孔出現(xiàn)輕微的位置偏差，都可能導(dǎo)致其與柵極或與有源區(qū)的接觸面積小于規(guī)格值，甚至導(dǎo)致其與柵極或與有源區(qū)連接失敗，從而產(chǎn)生電性異常的問題。
[0005]—種解決上述問題的方法是增大共享接觸孔的尺寸，從而可增加所述共享接觸孔與柵極及與有源區(qū)的接觸面積。但是，由于現(xiàn)有技術(shù)中SRAM中的共享接觸孔大多以成對的形式存在，如圖1a所示，即共享接觸孔對14，其中所述共享接觸孔對14中的兩個共享接觸孔之間的距離D較小，因此，當(dāng)單純的增大所述共享接觸孔141或共享接觸孔142的面積時，則于后續(xù)的共享接觸孔對14的形成過程中，很容易導(dǎo)致所述共享接觸孔對14之間產(chǎn)生橋接的問題。圖1 b為現(xiàn)有技術(shù)SRAM中通過整體擴(kuò)大共享接觸孔141和共享接觸孔142的面積的SRAM單元的版圖，如圖1b所示，單純的擴(kuò)大共享接觸孔的面積后，使得所述共享接觸孔對14之間的距離D更小，超出制程工藝的能力范圍，從而易導(dǎo)致共享接觸孔對產(chǎn)生橋接的現(xiàn)象。
[0006]因此，如何增大共享接觸孔的工藝窗口，使得所共享接觸孔在光刻對準(zhǔn)精度的影響下發(fā)生位置偏移，而不會導(dǎo)致其與有源區(qū)或與柵極的連接異常，已成為一個不容忽視的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于對準(zhǔn)精度的影響，使共享接觸孔的位置發(fā)生偏移，導(dǎo)致共享接觸孔與有源區(qū)或與柵極的連接異常的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法，包括:
[0009]步驟Sll:提供一初始版圖，所述初始版圖包括多個共享接觸孔對，所述共享接觸孔對中的兩個共享接觸孔各自連接一個柵極和一個有源區(qū)，所述共享接觸孔對連接的兩個柵極相鄰，并且，所述共享接觸孔對連接的兩個有源區(qū)相鄰；
[0010]步驟S12:將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)上的第一區(qū)域和位于柵極上的第二區(qū)域；
[0011]步驟S13:將所述共享接觸孔對中的兩個第一區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第一尺寸，將所述共享接觸孔對中的兩個第二區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第二尺寸，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域擴(kuò)展的方向相反，并且，所述共享接觸孔對沿劃分方向間距最近的兩個區(qū)域的間距保持不變；
[0012]步驟S14:執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正；
[0013]步驟S15:輸出修正后的版圖。
[0014]可選的，于所述步驟S14之后、步驟S15之前還包括步驟S141:對共享接觸孔的工藝窗口進(jìn)行檢查，并判斷檢查結(jié)果，若檢查結(jié)果不符合共享接觸孔的工藝要求，則返回步驟S14。
[0015]可選的，共享接觸孔的工藝窗口檢查包括在最佳光刻條件和設(shè)定的焦深以及能量范圍內(nèi)，檢查共享接觸孔的邊緣誤差、圖形斷裂、圖形橋接以及共享接觸孔曝光后面積的允許范圍。
[0016]可選的，于所述步驟S141之后，還包括:
[0017]步驟S142:將修正后的版圖上的圖形復(fù)制于半導(dǎo)體襯底上；
[0018]步驟S143:收集形成于半導(dǎo)體襯底上的共享接觸孔的數(shù)據(jù)，并確認(rèn)是否符合制程規(guī)格;若不符合制程規(guī)格，則返回步驟S13，調(diào)整所述第一尺寸或第二尺寸的大小。
[0019]可選的，第一尺寸及第二尺寸的大小根據(jù)光刻工藝的對準(zhǔn)精度設(shè)定。
[0020]可選的，第一尺寸與第二尺寸的大小相同。
[0021]可選的，第一尺寸與第二尺寸均為6nm。
[0022]可選的，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正包括對所述版圖中的圖形尺寸整體增加或減少某一設(shè)定值，或者根據(jù)圖形的線寬和間距所屬范圍，按照設(shè)定的規(guī)則增加或減小圖形尺寸。
[0023]可選的，有源區(qū)及所述柵極均為直線型結(jié)構(gòu)。
[0024]可選的，修正前的所述共享接觸孔為矩形。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，具有如下有益效果:
[0026]本發(fā)明提供的一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法中，根據(jù)所述共享接觸孔與所述有源區(qū)及柵極的連接區(qū)域，將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域，所述兩個區(qū)域可獨立擴(kuò)展，從而可根據(jù)實際版圖的狀況，單獨設(shè)計所述兩個區(qū)域的擴(kuò)展方向及擴(kuò)展大小，增加共享接觸孔的面積，以摒除由于曝光對位精度的影響，而導(dǎo)致的共享接觸孔與有源區(qū)或與柵極的連接出現(xiàn)異常的問題，實現(xiàn)增大共享接觸孔的工藝窗口。
【附圖說明】
[0027]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中的一種SRAM單元的版圖；
[0028]圖1b為圖1a所不的現(xiàn)有技術(shù)中的一種SRAM單兀中擴(kuò)大共孚接觸孔面積后的版圖；
[0029]圖2為本發(fā)明一實施例的增加共享接觸孔工藝窗口的方法的示意圖；
[0030]圖3a為一種待修正的初始版圖；
[0031]圖3b為圖3a所示的初始版圖通過采用本發(fā)明一實施例的增加共享接觸孔工藝窗口的方法修正后的版圖；
[0032]圖4a為本發(fā)明一實施例的共享接觸孔的第一種劃分方式及擴(kuò)展方向的示意圖；
[0033]圖4b為本發(fā)明一實施例的共享接觸孔的第二種劃分方式及擴(kuò)展方向的示意圖；
[0034]圖4c為本發(fā)明一實施例的共享接觸孔的第三種劃分方式及擴(kuò)展方向的示意圖；
[0035]圖4d為本發(fā)明一實施例的共享接觸孔的第四種劃分方式及擴(kuò)展方向的示意圖。
【具體實施方式】
[0036]本發(fā)明提供一種通過對版圖進(jìn)行修正以此來增加共享接觸孔的工藝窗口，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于曝光時對準(zhǔn)精度的限制，易產(chǎn)生共享接觸孔的位置產(chǎn)生偏差，從而導(dǎo)致共享接觸孔與有源區(qū)及與柵極的連接出現(xiàn)異常的問題。
[0037]圖2為本發(fā)明一實施例的增加共享接觸孔工藝窗口的方法的示意圖。如圖2所示，所述增加共享接觸孔工藝窗口的方法，包括:
[0038]步驟Sll:提供一初始版圖，所述初始版圖包括多個共享接觸孔對，所述共享接觸孔對中的兩個共享接觸孔各自連接一個柵極和一個有源區(qū)，所述共享接觸孔對連接的兩個柵極相鄰，并且，所述共享接觸孔對連接的兩個有源區(qū)相鄰；
[0039]步驟S12:將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)上的第一區(qū)域和位于柵極上的第二區(qū)域；
[0040]步驟S13:將所述共享接觸孔對中的兩個第一區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第一尺寸，將所述共享接觸孔對中的兩個第二區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第二尺寸，位于同一共享接觸孔中的第一區(qū)域和第二區(qū)域擴(kuò)展的方向相反，并且，所述共享接觸孔對沿劃分方向間距最近的兩個區(qū)域的間距保持不變；
[0041 ]步驟S14:執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正；
[0042]步驟S15:輸出修正后的版圖。
[0043]本發(fā)明提供的一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法，將所述共享接觸孔劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的擴(kuò)展方向及擴(kuò)展大小均為彼此獨立的。從而，在實際生產(chǎn)的過程中，可根據(jù)版圖的實際狀況，將所述共享接觸孔的第一區(qū)域與第二區(qū)域往相對空曠區(qū)域擴(kuò)展，從而可在制程能力的范圍內(nèi)，增大共享接觸孔的面積，從而即使由于光刻對準(zhǔn)精度的影響而使共享接觸孔產(chǎn)生了位置偏差，也不會造成所述共享接觸孔與有源區(qū)或與柵極的連接異常的問題，從而增大了共享接觸孔的工藝窗口。
[0044]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0045]首先，執(zhí)行步驟Sll，提供一初始版圖。
[0046]圖3a為一種SRAM的版圖，以下以該版圖作為初始版圖，對本發(fā)明提供的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖3a所示，所述SRAM版圖包括:有源區(qū)21、柵極22、普通接觸孔23以及共享接觸孔對24。優(yōu)選的，所述有源區(qū)21及柵極22均為直線型結(jié)構(gòu)，修正前的共享接觸孔對24中的共享接觸孔為矩形。其中，所述初始版圖中包括多個共享接觸孔對24，所述共享接觸孔對24中的兩個共享接觸孔141和142各自連接一個柵極22和一個有源區(qū)21，所述共享接觸孔對14連接的兩個柵極22相鄰，并且，所述共享接觸孔對14連接的兩個有源區(qū)21相鄰。
[0047]接著，執(zhí)行步驟S12，將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)上的第一區(qū)域和位于柵極上的第二區(qū)域。
[0048]圖3b為采用本發(fā)明一實施例的增加共享接觸孔工藝窗口的方法對圖3a所示的SRAM版圖進(jìn)行修正后的示意圖，如圖3b所示，將所述共享接觸孔對24中的共享接觸孔241劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)21上的第一區(qū)域241a和位于柵極22上的第二區(qū)域241b;同樣的，所述共享接觸孔對24中的共享接觸孔242也劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)21上的第一區(qū)域242a和位于柵極22上的第二區(qū)域242b。
[0049]接著，執(zhí)行步驟S13，具體如圖3b所示，將所述共享接觸孔對24中的第一區(qū)域241a和242a分別沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第一尺寸，將所述共享接觸孔對24中的第二區(qū)域241b和242b分別沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第二尺寸;并且位于同一共享接觸孔中的第一區(qū)域和第二區(qū)域擴(kuò)展的方向相反，即共享接觸孔241中的第一區(qū)域241a和第二區(qū)域241b的擴(kuò)展方向相反，所述共享接觸孔242中的第一區(qū)域242a和第二區(qū)域242b的擴(kuò)展方向相反;并且所述共享接觸孔對24沿劃分方向間距最近的兩個區(qū)域的間距保持不變，于圖3a和圖3b所示的SRAM版圖中，所述共享接觸孔對24沿劃分方向間距最近的兩個區(qū)域分別為共享接觸孔241中的第一區(qū)域241a和共享接觸孔242中的第一區(qū)域242a，所述第一區(qū)域241a與第一區(qū)域242a之間的距離D保持不變。由于所述共享接觸孔對之間的距離D通常都比較小，若往共享接觸孔對之間的區(qū)域擴(kuò)展，則會使得共享接觸孔對之間的距離更小，易使共享接觸孔對之間產(chǎn)生橋接的問題。因此，本實施例中所述共享接觸孔對中的兩個第一區(qū)域241a和242a分別沿著相互背離的方向擴(kuò)展。
[0050]此外，圖4a_圖4d中舉例性的示出了共享接觸孔對24的四種劃分方式及擴(kuò)展方向的示意圖。具體的，于不同的SRAM版圖中，可根據(jù)SRAM版圖的實際狀況對所述共享接觸孔對24中的共享接觸孔進(jìn)行擴(kuò)展，同時保持共享接觸孔對24中，沿劃分方向間距最近的兩個共享接觸孔之間的距離D保持不變，
[0051]進(jìn)而可在原有的分辨率范圍內(nèi)，增加共享接觸孔的面積，增大共享接觸孔的工藝窗P O
[0052]優(yōu)選的，所述第一區(qū)域擴(kuò)展的第一尺寸與所述第二區(qū)域擴(kuò)展的第二尺寸的小大可根據(jù)光刻工藝的對準(zhǔn)精度設(shè)定。具體的，當(dāng)所述第一區(qū)域擴(kuò)展的第一尺寸與第二區(qū)域擴(kuò)展的第二尺寸均大于或等于光刻工藝的對準(zhǔn)精度時，則即使在曝光過程中，由于光刻對準(zhǔn)精度的影響造成所形成的共享接觸孔發(fā)生位置偏移，也不會導(dǎo)致共享接觸孔與有源區(qū)或與柵極的接觸面積小于規(guī)格值，確保共享接觸孔與有源區(qū)或與柵極的連接無異常?？蛇x的，所述第一尺寸與所述第二尺寸的大小相同。例如，所述第一尺寸與所述第二尺寸可均為6nm。
[0053]步驟S14:執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。其中，所述光學(xué)鄰近效應(yīng)修正包括對所述版圖中的圖形尺寸整體增加或減少某一設(shè)定值，或者根據(jù)圖形的線寬和間距所屬范圍，按照設(shè)定的規(guī)則增加或減小圖形尺寸。
[0054]本實施例中，于步驟S14之后還包括:
[0055]步驟S141:對共享接觸孔的工藝窗口進(jìn)行檢查，并判斷檢查結(jié)果;若檢查結(jié)果不符合共享接觸孔的工藝要求，則返回步驟S14。
[0056]其中，所述共享接觸孔的工藝窗口檢查為對光學(xué)鄰近效應(yīng)修正后的圖形進(jìn)行仿真，從而對共享接觸孔的工藝窗口進(jìn)行檢查，查找光學(xué)鄰近效應(yīng)修正后的版圖中是否含有不符合工藝規(guī)范的圖形，對不符合工藝規(guī)范的圖形進(jìn)行尺寸的調(diào)整。所述共享接觸孔的工藝窗口檢查包括在最佳光刻條件和設(shè)定的焦深以及能量范圍內(nèi)，檢查共享接觸孔的邊緣誤差、圖形斷裂、圖形橋接以及共享接觸孔曝光后面積的允許范圍。
[0057]通常，在版圖設(shè)計完成后，會根據(jù)版圖制作掩膜版以應(yīng)用于光刻工藝中。因此，通過在制造掩膜版之前增加一道工藝窗口檢查，可將版圖中的潛在問題在掩膜版生產(chǎn)之前查找出來，并及時解決，減少資源浪費，節(jié)約成本。
[0058]優(yōu)選的方案中，于所述步驟S141之后，還包括:
[0059]步驟S142，將修正后的版圖上的圖形復(fù)制于半導(dǎo)體襯底上；
[0060]步驟S143，收集形成于半導(dǎo)體襯底上的共享接觸孔的數(shù)據(jù)，并確認(rèn)是否符合制程規(guī)格，若不符合制程規(guī)格，則返回步驟S13，調(diào)整所述第一尺寸或第二尺寸的大小。
[0061]本實施例中，將修正后的版圖通過現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝復(fù)制于半導(dǎo)體襯底上，再根據(jù)形成于半導(dǎo)體襯底上的共享接觸孔的數(shù)據(jù)，可判斷修正后的版圖是否符合現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝的要求，進(jìn)一步通過對版圖再次進(jìn)行修正，從而可更為精確的獲得符合實際生產(chǎn)工藝的版圖。該優(yōu)選的方案，尤其的可適應(yīng)于當(dāng)對共享接觸孔上的第一區(qū)域或第二區(qū)域所擴(kuò)展的尺寸較大的情況，例如，尺寸為6nm時。
[0062]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于，包括: 步驟Sll:提供一初始版圖，所述初始版圖包括多個共享接觸孔對，所述共享接觸孔對中的兩個共享接觸孔各自連接一個柵極和一個有源區(qū)，所述共享接觸孔對連接的兩個柵極相鄰，并且，所述共享接觸孔對連接的兩個有源區(qū)相鄰； 步驟S12:將所述共享接觸孔劃分為兩個區(qū)域，分別為位于有源區(qū)上的第一區(qū)域和位于柵極上的第二區(qū)域； 步驟S13:將所述共享接觸孔對中的兩個第一區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第一尺寸，將所述共享接觸孔對中的兩個第二區(qū)域沿平行于劃分方向擴(kuò)展一第二尺寸，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域擴(kuò)展的方向相反，并且，所述共享接觸孔對沿劃分方向間距最近的兩個區(qū)域的間距保持不變； 步驟S14:執(zhí)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正； 步驟S15:輸出修正后的版圖。2.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:于所述步驟S14之后、步驟S15之前還包括步驟S141:對共享接觸孔的工藝窗口進(jìn)行檢查，并判斷檢查結(jié)果，若檢查結(jié)果不符合共享接觸孔的工藝要求，則返回步驟S14。3.如權(quán)利要求2所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述共享接觸孔的工藝窗口檢查包括在最佳光刻條件和設(shè)定的焦深以及能量范圍內(nèi)，檢查共享接觸孔的邊緣誤差、圖形斷裂、圖形橋接以及共享接觸孔曝光后面積的允許范圍。4.如權(quán)利要求2所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:于所述步驟S141之后，還包括: 步驟S142:將修正后的版圖上的圖形復(fù)制于半導(dǎo)體襯底上； 步驟S143:收集形成于半導(dǎo)體襯底上的共享接觸孔的數(shù)據(jù)，并確認(rèn)是否符合制程規(guī)格；若不符合制程規(guī)格，則返回步驟S13，調(diào)整所述第一尺寸或第二尺寸的大小。5.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述第一尺寸及第二尺寸的大小根據(jù)光刻工藝的對準(zhǔn)精度設(shè)定。6.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述第一尺寸與第二尺寸的大小相同。7.如權(quán)利要求7所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述第一尺寸與第二尺寸均為6nm。8.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述光學(xué)鄰近效應(yīng)修正包括對所述版圖中的圖形尺寸整體增加或減少某一設(shè)定值，或者根據(jù)圖形的線寬和間距所屬范圍，按照設(shè)定的規(guī)則增加或減小圖形尺寸。9.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸孔工藝窗口的方法，其特征在于:所述有源區(qū)及所述柵極均為直線型結(jié)構(gòu)。10.如權(quán)利要求1所述的增加共享接觸控工藝窗口的方法，其特征在于:修正前的所述共享接觸孔為矩形。
【文檔編號】H01L21/768GK105895586SQ201610317214
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年5月13日
【發(fā)明人】曹清晨, 黃榮瑞
【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司