一種熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，發(fā)光層的主體材料是供體和受體構(gòu)成的激基復(fù)合物，主體材料中摻雜TADF材料。供體的三線態(tài)能級高于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者能隙≥0.2eV，供體的HOMO能級絕對值≤5.3eV；受體的三線態(tài)能級高于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者能隙>0.2eV，受體的LUMO能級絕對值>2.0eV。TADF材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級，相差0~0.3eV；或TADF材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級，相差1.0eV以上，且其n-π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級的相差-0.1~0.1eV。
【專利說明】
一種熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件領(lǐng)域，具體涉及一種熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光 器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，現(xiàn)有技術(shù)中，有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層一般由主體材料摻雜染料構(gòu)成，傳 統(tǒng)的雙主體發(fā)光層為：雙主體摻雜熒光或磷光染料，這種雙主體發(fā)光層的主體材料不具備 熱延遲熒光效應(yīng)，染料也沒有熱延遲熒光特性。
[0003] 在電致激發(fā)的條件下，有機電致發(fā)光器件會產(chǎn)生25%的單線態(tài)和75%的三線態(tài)。傳 統(tǒng)的熒光材料由于自旋禁阻的原因只能利用25%的單線態(tài)激子，從而外量子效率僅僅限定 在5%以內(nèi)。幾乎所有的三線態(tài)激子只能通過熱的形式損失掉。為了提高有機電致發(fā)光器 件的效率，必須充分利用三線態(tài)激子。
[0004] 為了利用三線態(tài)激子，研究者提出了許多方法。最為顯著的是磷光材料的利用。磷 光材料由于引入了重原子，存在旋軌耦合效應(yīng)，因此可以充分利用75%的三線態(tài)，從而實現(xiàn) 100%的內(nèi)量子效率。然而磷光材料由于使用了稀有的重金屬，使得材料昂貴，不利于降低產(chǎn) 品的成本。如果熒光器件能夠很好的利用三線態(tài)激子則能很好地解決這個問題。研究者提 出了在熒光器件中利用三線態(tài)淬滅產(chǎn)生單線態(tài)來提高熒光器件的效率，但是這種方法理論 能達到的最大外量子效率僅僅有62. 5%，遠低于磷光材料。因此尋找新的技術(shù)充分利用熒光 材料的三線態(tài)能級提高發(fā)光效率是非常必要的。
[0005] 為了充分利用熒光器件中所產(chǎn)生的75%的三線態(tài)，提高器件的發(fā)光效率，降低器 件成本，Adachi等提出反向內(nèi)部轉(zhuǎn)換的概念，這樣可利用有機化合物，即不利用昂貴的金屬 配合物，實現(xiàn)可與磷光媲美的高效率。此概念已通過各種材料組合得以實現(xiàn)，如：利用激基 復(fù)合物（參見Adachi等，Nature Photonics, Vol6, p253, 2012);利用熱激發(fā)延遲突光材料 (參見 Adachi 等，Nature，Vol492, p234, 2012)。
[0006] 但此類0LED器件距離實用化水平較遠，壽命尚需提高，roll-off較為嚴重也需要 解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的有機電致發(fā)光器件。通過器件摻 雜結(jié)構(gòu)的設(shè)計，可以充分利用主體和染料中的三線態(tài)能量，提高效率的同時，也能增強器件 的使用壽命。
[0008] 本發(fā)明提供的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層所述發(fā)光層的主體 材料是由供體主體和受體主體構(gòu)成的激基復(fù)合物，所述主體材料中摻雜熱活化延遲熒光材 料， 其中，供體主體的三線態(tài)能級高于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙> 〇. 2eV ; 且，供體主體的HOMO能級絕對值< 5. 3eV ; 受體主體的三線態(tài)能級高于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙>〇. 2eV ;且，受體 主體的LUMO能級絕對值>2. OeV ; 所述熱活化延遲熒光材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于η- π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級， 并且相差為〇~〇. 3 eV之間；或者，所述熱活化延遲熒光材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于 η-π激發(fā)態(tài)的二線態(tài)能級，其差值為1.0 eV以上，并且，其η_ π激發(fā)態(tài)的第二二線態(tài)能級 和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級的差值為-0. 1~0. 1 eV。
[0009] 作為優(yōu)選技術(shù)方案，所述激基復(fù)合物的發(fā)射光譜與所述熱活化延遲熒光材料的吸 收光譜重疊。
[0010] 作為優(yōu)選技術(shù)方案，所述熱活化延遲熒光材料在發(fā)光層中所占比例為0.1重 量％-10重量％，更優(yōu)選為1重量％-5重量％。
[0011] 作為優(yōu)選技術(shù)方案，所述熱活化延遲熒光材料為存在電荷轉(zhuǎn)移躍遷的材料，熱活 化延遲熒光材料中同時存在給體基團單元和受體基團單元， 所述給體基團單元為一個給體基團或兩個以上的給體基團連接構(gòu)成的基團； 所述受體基團單元為一個受體基團或兩個以上的受體基團連接構(gòu)成的基團； 所述給體基團選自吲哚并咔唑基，咔唑基，聯(lián)咔唑基，三苯胺基，吩噁嗪基，Ci 6的烷基、 甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的剛噪并咔唑基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基 或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，c16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的 基團取代的聯(lián)咔唑基，Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的三苯胺 基，或者Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基； 所述受體基團選自萘基，蒽基，菲基，芘基，三嗪基，苯并咪唑基，氰基、吡啶基，砜基，菲 并咪唑基，萘并噻唑基，苯并噻唑基，噁二唑基，Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基 中一種以上的基團取代的萘基，Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基 團取代的蒽基，c16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的菲基， G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的花基，c i 6的烷基、甲氧 基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的二嚷基，Q 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯 基或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并咪唑基，Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶 基中一種以上的基團取代的批陡基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以 上的基團取代的諷基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的 菲并咪唑基；Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的萘并噻唑 基，c16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并噻唑基，c 16的 烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的噁-唑基； 其中，一種或多種所述給體基團單元與一種或多種所述受體基團單元直接連接形成熱 活化延遲熒光材料；或者，一種或多種所述給體基團單元和一種或多種所述受體基團單元 分別與連接基團連接形成熱活化延遲熒光材料，所述連接基團為具有空間位阻的基團。
[0012] 作為優(yōu)選技術(shù)方案，一種或兩種給體基團單元和一種或兩種受體基團單元分別與 連接基團連接形成熱活化延遲熒光材料，或者一種或兩種受體基團單元與一種或兩種給體 基團單元直接連接形成熱活化延遲熒光材料。
[0013] 進一步優(yōu)選地，所述連接基團選自螺芴基、苯基、聯(lián)苯基、C16的烷基或苯基的其中 至少一種取代的螺芴基、 Cl 6的烷基或苯基的其中至少一種取代的苯基或者Ci 6的烷基或苯 基的其中至少一種取代的聯(lián)苯基。
[0014] 進一步優(yōu)選地，所述給體基團選自以下基團：
[0015] 進一步優(yōu)選地，所述受體基團選自以下基團： :?
[0016] 更優(yōu)選地，所述熱活化延遲熒光材料為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：












Ο 丄二/ ο
[0017] 優(yōu)選地，所述受體主體為具有式I ~ IV通式結(jié)構(gòu)其中之一的化合物：
式I 式I中Ar1，Ar2, Ar3分別為芳香碳氫環(huán)；R1，R2, R3分別為取代或未取代的烷基或烷氧 基辦1，？/，？73分別為取代或未取代的吡啶基；1111，1112，1113分別為0~4的整數(shù) ；111，112，113分 別為1~3的整數(shù)； 式II

式II中R11，R12, R13, R14分別代表b結(jié)構(gòu)；Ar n，Ar12分別為取代或未取代的芳基；nil， 1112，1113，1114分別為0~2的整數(shù)，且111，112，113，1114總和彡1; 式III
式III中，Z21表示為一種如a, b，C所示任意一種結(jié)構(gòu)；X 1和X 2均含有-CH-，或X 1是單 鍵X2是雙鍵，或X 1是雙鍵X2是單鍵；P為〇~3的整數(shù)；q為0~3的整數(shù)；L21為取代或未取代 的亞芳香基；Py 21為取代或未取代的吡啶基；n21為2~6的整數(shù)； 式IV
式IV中，L31，L32, L33分別代表單鍵，或取代或未取代的亞芳香基；Py 31，Py32, Py33分別代 表取代或未取代的吡啶基；n31，n32, n33分別為獨立的1~3的整數(shù)。
[0018] 進一步優(yōu)選地，所述受體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：
4-1 4-2

4_8 〇
[0019] 優(yōu)選地，所述供體主體為具有式I ~ III通式結(jié)構(gòu)的化合物： 式I
其中R51，R52, R53, R54, R55, R56分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧 基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基或取代或未取代的環(huán)氧基；n51，n52, n53， n54, n55和n56分別為0~5的整數(shù)； AH
其中R61，R62, R63, R64, R65, R66分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取 代或未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基或取代或未取代的環(huán)氧基；；m61，m62，m63分別 為獨立的1~2的整數(shù)；n61，n62, n63, n64, n65和n66分別為獨立的0~5的整數(shù)； 式III

式III中R71，R72, R73, R74分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或 未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基，或是如b所示結(jié)構(gòu)；R75, R76 分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烯基，取代或未取 代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基；m71為0或1 ;n71，n72, n73, n74, n75和n76分別為 〇~5的整數(shù)。
[0020] 進一步優(yōu)選地，所述供體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物： 5-1 5-2
5-3 5-4
5-5。
[0021] 本發(fā)明的優(yōu)點在于： 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中發(fā)光層的主體材料為雙主體形成的激基復(fù)合物，該激基 復(fù)合物為TADF激基復(fù)合物，其具有熱活化延遲熒光效應(yīng)，其三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移給了單線態(tài)， 然后傳遞給了摻雜染料；同時摻雜染料自身能量也從三線態(tài)轉(zhuǎn)向單線態(tài)。這樣一來，器件中 主體和染料的三線態(tài)能量得到了充分利用，提升了器件效率；且熱激發(fā)延遲熒光的能量轉(zhuǎn) 換過程和發(fā)光過程不在同一個材料(我們稱之為熱活化敏化過程)，從而有效地解決了高亮 度下roll-off下降嚴重的問題，使得器件的穩(wěn)定性進一步提高。
【附圖說明】
[0022] 圖1是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件發(fā)光層能量傳輸及發(fā)光示意圖； 圖2是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以 更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0024] 如圖2所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括在基板01上依次沉積彼此層疊的陽 極02、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03。
[0025] 本發(fā)明發(fā)光層的主體材料是由供體主體和受體主體構(gòu)成的激基復(fù)合物，所述主體 材料中摻雜熱活化延遲熒光材料， 其中，供體主體的三線態(tài)能級大于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙> 〇. 2eV ; 且，供體主體的HOMO能級絕對值< 5. 3eV ; 受體主體的三線態(tài)能級大于激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙>〇. 2eV ;且，受體 主體的LUM0能級絕對值>2. OeV。
[0026] B卩，本發(fā)明的激基復(fù)合物主體材料由供體主體（Donor Host)和受體主體 (Acceptor Host)兩種材料形成，這兩種材料必須滿足下面條件： T^-S^O. 2eV T^-S^ 0. 2eV I LUM0a I >2. OeV I H0M0d I ^ 5. 3eV 上述式中，?\Α表示受體的三線態(tài)能級，，T ?表示供體的三線態(tài)能級，S 1表示激基復(fù)合物 的單線態(tài)能級，LUM0A表示受體的LUM0能級，HOMO D表示供體的Η0Μ0能級。
[0027] 當(dāng)激基復(fù)合物滿足上述條件時，其為熱活化延遲熒光激基復(fù)合物（TADF激基復(fù)合 物），其具有熱活化延遲熒光效應(yīng)。
[0028] 如圖1所示，本發(fā)明雙主體形成的TADF激基復(fù)合物，其三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移給了單線 態(tài)，然后傳遞給了摻雜染料；同時摻雜染料自身能量也從三線態(tài)轉(zhuǎn)向單線態(tài)。這樣一來，器 件中主體和染料的三線態(tài)能量得到了充分利用，提升了器件效率；且熱激發(fā)延遲熒光的能 量轉(zhuǎn)換過程和發(fā)光過程不在同一個材料(我們稱之為熱活化敏化過程)，從而有效地解決了 高亮度下roll-off下降嚴重的問題，使得器件的穩(wěn)定性進一步提高。 本發(fā)明主體材料中摻雜的熱活化延遲熒光材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于η- π 激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級，并且相差為〇~〇. 3 eV之間；或者，所述熱活化延遲熒光材料的CT激 發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于η-η激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級，其差值為1.0 eV以上，并且，所述熱活 化延遲熒光材料的η- π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級的差值 為-0· 1~0· 1 eV〇
[0029] 本發(fā)明中的熱活化延遲熒光材料為CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)與（η-π )激發(fā)態(tài)的三線態(tài) 能級相差很?。ī杶〇. 3 eV)的材料以及兩者相差很大（彡1. 0 eV)但是（η-π )激發(fā)態(tài)的第 二三線態(tài)要稍小或稍高于CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)的材料(二者相差0~0.1 eV)。本發(fā)明所 選或者設(shè)計的材料在空間上都存在相互分離的給體基團和受體基團，從而導(dǎo)致了 HOMO與 LUM0能級的空間分離，減小了重疊積分，因此材料的CT態(tài)的單線態(tài)和三線態(tài)的能級差相差 很小。同時，所選用的菲并咪唑基，萘并噻唑基、苯并噻唑基或者蒽基的單線態(tài)和三線態(tài)能 級差在1. 〇 eV以上，也可以達到第二類材料的要求。
[0030] 本發(fā)明中所述的熱活化延遲熒光材料為存在電荷轉(zhuǎn)移躍遷的材料，熱活化延遲熒 光材料中同時存在給體基團單元和受體基團單元。其中，給體基團單元為一個給體基團或 兩個以上的給體基團連接構(gòu)成的基團；受體基團單元為一個受體基團或兩個以上的受體基 團連接構(gòu)成的基團； 具體的，主體材料的結(jié)構(gòu)可為donor-connection-acceptor或者為 donor-acceptor-donor 的結(jié)構(gòu)等。
[0031] 給體基團選自吲哚并咔唑基，咔唑基，二連咔唑基，三苯胺基，吩噁嗪基，Q 6的烷 基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的Π 引噪并咔唑基，G 6的烷基、甲氧基、乙 氧基或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，C16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以 上的基團取代的二苯并呋喃基，c 16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代 的三苯胺基，或者Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基； 受體基團選自萘基，蒽基，菲基，芘基，三嗪基，苯并咪唑基，氰基、吡啶基，砜基，菲并咪 唑基，萘并噻唑基，苯并噻唑基，噁二唑基，Q 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一 種以上的基團取代的萘基，c16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團 取代的恩基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的菲基，c i 6 的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的芘基，c16的烷基、甲氧基、 乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的二嚷基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基 或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并咪唑基，Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基 中一種以上的基團取代的批陡基，G 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上 的基團取代的諷基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的 菲并咪唑基；Ci 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的萘并噻唑 基，c16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并噻唑基或c 16 的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的噁二唑基； 其中，一種或多種所述給體基團單元與一種或多種所述受體基團單元直接連接形成熱 活化延遲熒光材料；或者，一種或多種所述給體基團單元和一種或多種所述受體基團單元 分別與連接基團連接形成熱活化延遲熒光材料，所述連接基團為具有空間位阻的基團。
[0032] 上述連接基團優(yōu)選選自螺芴基、苯基、聯(lián)苯基、Q 6的烷基或苯基的其中至少一種 取代的螺芴基、Q 6的烷基或苯基的其中至少一種取代的苯基或者q 6的烷基或苯基的其中 至少一種取代的聯(lián)苯基。
[0033] 給體基團優(yōu)選選自以下結(jié)構(gòu)：
[0034] 受體基團優(yōu)選選自以下結(jié)構(gòu)： j 9 , g
[
[0035] 具體地，熱活化延遲熒光材料選自具有以下結(jié)構(gòu)的化合物：
1-1 (Chem. Commun. , 2012, 48, 9580-9582)
1-2 (Angew. Chem. Int. Ed.，2012,51，11311-11315)
1-3 (Chem. Commun. 2012,48,11392-11394)
1-4 (J. Mater. Chem. C, 2013, 1, 4599-4604)
1-5 (J. Mater. Chem. C, 2013, 1, 4599-4604)
1-6 (Phys. Chem. Chem. Phys. , 2013, 15, 15850)
1-7 (Λ EST=0. 11，利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
1-8 (Λ EST=0. 14,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
1-9 (Nature,2012, 492, 234)
1-10 (Nature,2012, 492, 234)
1-11 (Nature,2012, 492, 234)
1-12 (Nature,2012, 492, 234)
1-13 (Nature,2012, 492, 234)
1-14 (Nature,2012, 492, 234)
1-15 (AEST=0. 21，利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算） η η ：
2-1 (Λ EST=0. 15,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
2-2 ( AEST=0. 04,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算） 2-3
2-4 (J. AM. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709)
2-5 (J. AM. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709)
2-6 (Chem. Mater., 2013, 25 (18), pp 3766 - 3771)
2-7 ( AEST=0. 07,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
2-8 (Λ EST=0. 16,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
2-9 ( AEST=0. 09,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
2-10 (PRL，2013,110, 247401)
2-11 ( Λ EST=0. 06,利用 Gaussian 03/TD-DFT 計算）
2-12 (Appl. Phys. Lett., 2012, 101, 093306)
2-13 (Phys. Chem. Chem. Phys. 2013,15,15850)
2-14 ((J. Mater. Chem. C, 2013,1, 4599-4604)
2-15 (J. Mater. Chem. C, 2013, 1, 4599-4604)
3-1 (CC, DOI: 10.1039/c3cc47130f)
3-2 (CC, DOI: 10.1039/c3cc47130f)
3-3 (CT態(tài)的Λ EST=0. 03,同時局域態(tài)單線態(tài)與三線態(tài)能極差在1. 1 eV，利用Gaussian 03/TD-DFT 計算）
3-4 (CT態(tài)的Λ EST=0. 05,同時局域態(tài)單線態(tài)與三線態(tài)能極差在1. 2 eV，利用Gaussian 03/TD-DFT 計算）
3-5( CT態(tài)的Λ EST=0. 01，同時局域態(tài)單線態(tài)與三線態(tài)能極差在1. 4 eV利用Gaussian 03/TD-DFT 計算）
3-6 (AFM, DOI: 10. 1002/adfm. 201301750)

3-12。
[0036] 本申請中相關(guān)化合物的合成： 1、化合物1-7的合成 甘成1-/a,
3.34 g咔唑，3.22 g 3, 6-二溴咔唑，0.5 g Cul, 0.5g菲啰啉以及5.2 g碳酸鉀加入 到100 ml圓底燒瓶中，加入60 mlDMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時，隨后將反應(yīng)液 倒入水中，減壓抽濾得到固體。固體用色譜柱分離得到l-7a，產(chǎn)率為30%。
[0037] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 498 [M+H]+，元素分析：C36H23N3: C :86· 90，Η :4· 66，N : 8. 44〇
[0038] 合成 l-7b， 3. 11 g三溴苯,2.48 g對甲基苯硫酸，6 g碳酸鉀，1 g碘化亞銅加入到100 ml圓底燒 瓶中，加入50 ml的DMF，在氮氣氛圍下，100°C加熱24小時。隨后將反應(yīng)液倒入水中，減壓 抽濾得到固體。固體用色譜柱分離得到l_7b，產(chǎn)率為60%。
[0039] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 401 [M+H]+，元素分析：C20H17BrS，C :59· 85，Η :4· 27。
[0040] 合成 l-7c， 在冰水浴下，將溶于30 ml的l-7b緩慢滴加到1 g mCPBA的二氯甲烷溶液中，保持在 冰水浴中加完，隨后反應(yīng)12h。固體用色譜柱分離得到l-7c，產(chǎn)率為99%。
[0041] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 465 [M+H]+，元素分析：C20H17Br04S 2, C :86· 90, Η :4· 66， Ν ：8, 44〇
[0042] 合成 1-7， 4.97gl-7a，4.63g l-7b，0.5g Cul，0.5g 菲啰啉以及 5.2g 碳酸鉀加入到 100 ml圓底燒瓶中，加入60 ml DMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時，隨后將反應(yīng)液倒入水 中，減壓抽濾得到固體。固體用色譜柱分離得到1-7,產(chǎn)率為60%。
[0043] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 882 [M+H]+，元素分析：C56H39N30 4S2，C 76. 25，Η 4. 46，N 4. 76. 2、化合物1-4的合成 1-4的合成參照1-7,物質(zhì)檢測數(shù)據(jù)：質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MSm/z: 717 [Μ+Η]+，元素分析 C44H32N204S2, C ：73. 72, Η ：4. 50, N ：3. 91〇
[0044] 3、化合物1-8的合成
4.52 g g 四二本空腕隹tL介1J，kA漢o.4g慨EKW,刀口入到圓底 燒瓶中，再加入30 ml甲苯和20 ml水以及5 ml乙醇，在85°C下反應(yīng)48h。反應(yīng)結(jié)束用二 氯甲烷萃取，得到有機層，然后用色譜柱分離，得到1-8,產(chǎn)率為65%。
[0045] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 640 [M+H]+，元素分析：C45H29N5, C :84· 48, Η :4· 57, N : 10.95〇
[0046] 4、化合物2-1的合成
2. 43 g 2-la加入到0. 24 g NaH的超干DMF溶液中（30 ml)，室溫攪拌30 min，然后 將2. 54 g 2-lb的DMF溶液滴加到上述溶液中，加熱100度攪拌1小時，冷卻后倒入水中， 過濾固體，用色譜柱分離。得到2-1。
[0047] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)疋51-]\^111/2:701[]\1+!1]+，元素分析：(： 48!13#2023，（：：82.26，!1 :4.60，^ 4. 0〇
[0048] 5、化合物2-2的合成 化合物2-2的合成參見2-1，方法與化合物2-1基本相同，區(qū)別在于將2-la換成二聯(lián)咔 唑。
[0049] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)疋51-]\^111/2:879 []\1+!1]+，元素分析：(：6。!13以 4023，(：：81.98，!1:4.36，^ 6. 37〇
[0050] 6、化合物2-7的合成
合成2_7a， 2· 25 g 2, 4-二氯-6-苯三嗪，2 g間溴苯硼酸，0· 05 g四三苯基膦鈀催化劑，以及5· 4 g碳酸鉀，加入到圓底燒瓶中，再加入30 ml甲苯和20 ml水以及5 ml乙醇，在85°C下反應(yīng) 48 h。反應(yīng)結(jié)束用二氯甲烷萃取，得到有機層，然后用色譜柱分離，得到2-7a，產(chǎn)率為58%。
[0051] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 466 [M+H]+，元素分析：C21H13Br2N 3, C :53· 99, Η :2· 80, N : 8. 99 〇
[0052] 合成 2-7， 4. 65 g 2-7a，3. 66 g吩噁嗪，0· 5 g Cul，0· 5 g菲啰啉以及5. 2 g碳酸鉀加入到100 ml圓底燒瓶中，加入60 ml DMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時，隨后將反應(yīng)液倒入水 中，減壓抽濾得到固體，固體用色譜柱分離得到2-7,產(chǎn)率為48%。
[0053] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 672 [Μ+Η]+·元素分析：C45H29N50 2，C :80. 46，H :4· 35，N : 4. 76。
[0054] 7、化合物2-8的合成 合成2_8a， 2.25 g 2, 4-二氯-6-苯三嗪，2 g對溴苯硼酸，0.05 g四三苯基膦鈀催化劑，以及5. 4 g碳酸鉀，加入到圓底燒瓶中，再加入30 ml甲苯和20 ml水以及5 ml乙醇，在85°C下反應(yīng) 48 h。反應(yīng)結(jié)束用二氯甲烷萃取，得到有機層，然后用色譜柱分離，得到2-8a，產(chǎn)率為55%。
[0055] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 466 [M+H]+，元素分析：C21H13Br2N3, C :53· 99, Η :2· 80， Ν ：8. 99〇
[0056]合成 2-8， 4. 65 g 2-8a，3. 66 g吩噁嗪，0· 5 g Cul，0· 5 g菲啰啉以及5. 2 g碳酸鉀加入到100 ml圓底燒瓶中，加入60 ml DMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時，隨后將反應(yīng)液倒入水 中，減壓抽濾得到固體，固體用色譜柱分離得到2-8,產(chǎn)率為56%。
[0057] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 640 [M+H]+，元素分析：C45H29N5, C :84· 48, Η :4· 57, N : 10.95〇
[0058] 8、化合物2-9的合成 2-9的合成參見2-7,區(qū)別在于換用不同的給體基團.，選用的咔唑替換吩噁嗪。4. 65 g 2-8a，3.0 g咔唑，0. 5 g Cul，0. 5 g菲啰啉以及5. 2 g碳酸鉀加入到100 ml圓底燒瓶中， 加入60 ml DMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時，隨后將反應(yīng)液倒入水中，減壓抽濾得 到固體，固體用色譜柱分離得到2-9,產(chǎn)率為50%。
[0059]質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 640 [M+H]+，元素分析：C45H29N5, C :84· 48, Η :4· 57, N : 10.95〇
[0060] 9、化合物2-11的合成 合成2_1 1，
3.32 8苯基吲哚咔唑，2.6782-氯-4,6-二苯三嗪，0.58(：111，0.5 8菲啰啉以及5.2 g碳酸鉀加入到100 ml圓底燒瓶中，加入60 ml DMF，在氮氣氛圍下加熱回流反應(yīng)48小時， 隨后將反應(yīng)液倒入水中，減壓抽濾得到固體。固體用色譜柱分離得到2-7,產(chǎn)率為48%。
[0061] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 564 [M+H]+，元素分析：C39H25N5, C :83· 10, Η :4· 47, N : 12. 43。
[0062] 10、化合物3-3的合成
合成3_3a, 3 ml吡啶加入到鄰苯二胺（0.6 g)和氯化亞砜（5ml)的混合溶液中，在60度溫度下攪 拌10小時，用二氯甲烷萃取，然后用大量的水清洗，得到固體。
[0063] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 205。
[0064] 合成 3_3b， 2. 25 g 3-3a，2 g苯硼酸，0.05 g四三苯基膦鈀催化劑，以及5.4 g碳酸鉀，加入到圓 底燒瓶中，再加入30 ml甲苯和20 ml水以及5 ml乙醇，在85°C下反應(yīng)48 h。反應(yīng)結(jié)束用 二氯甲烷萃取，得到有機層，然后用色譜柱分離，得到3-3a，產(chǎn)率為58%。
[0065] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)疋51_]\^111/2:246 []\1+!1]+。
[0066] 合成 3-3， 2.46 g 3-3b，2.39 g 4-硼酸三苯胺，0.05 g四三苯基膦鈀催化劑，以及5.4 g碳酸鉀， 加入到圓底燒瓶中，再加入30 ml甲苯和20 ml水以及5 ml乙醇，在85°C下反應(yīng)48h，反應(yīng) 結(jié)束用二氯甲烷萃取，得到有機層，然后用色譜柱分離，得到3-3,產(chǎn)率為58%。
[0067] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 456 [M+H]+，元素分析：C30H21N3S，C :79· 09, Η :4· 65, N : 9. 22。
[0068] 11、化合物3-4的合成 化合物3-4的合成參見化合物3-3,步驟基本相同，區(qū)別在于受體基團采用的是噻吩取 代的苯并噻唑。
[0069] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 462 [Μ+Η]+，元素分析：C2SH19N3S 2: C :72· 86, Η :4· 15, Ν : 9. 10〇
[0070] 12、化合物3-5的合成 化合物3-5的合成參見化合物3-3,步驟基本相同，區(qū)別在于：受體基團采用的是噻吩 取代的萘并噻唑。
[0071] 質(zhì)譜數(shù)據(jù)：ESI-MS m/z: 512 [Μ+Η]+，元素分析：C32H21N 3S2: C :75· 12, Η :4· 15, Ν : 8. 21。
[0072] 本發(fā)明中，受體主體為具有式I ~ IV通式結(jié)構(gòu)其中之一的化合物：
式I 式I中Ar1，Ar2, Ar3分別為芳香碳氫環(huán)；R1，R2, R3分別為取代或未取代的烷基或烷氧 基辦1，？/，？73分別為取代或未取代的吡啶基；1111，1112，1113分別為0~4的整數(shù) ；111，112，113分 別為1~3的整數(shù)；
式II
式II中R11，R12, R13, R14分別代表b結(jié)構(gòu)；Ar n，Ar12分別為取代或未取代的芳基；nil， 1112，1113，1114分別為0~2的整數(shù)，且111，112，113，1114總和彡1; 式III
式III中，Z21表示為一種如a, b，C所示任意一種結(jié)構(gòu)；X 1和X 2均含有-CH-，或X 1是單 鍵X2是雙鍵，或X 1是雙鍵X2是單鍵；P為〇~3的整數(shù)；q為0~3的整數(shù)；L21為取代或未取代 的亞芳香基；Py 21為取代或未取代的吡啶基；n21為2~6的整數(shù)； 式IV
式IV中，L31，L32, L33分別代表單鍵，或取代或未取代的亞芳香基；Py 31，Py32, Py33分別代 表取代或未取代的吡啶基；n31，n32, n33分別為獨立的1~3的整數(shù)。
[0073] 具體地，所述受體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：
4-1 4-2
4-6
a ? c 4-7 4_8 〇
[0074] 所述供體主體為具有式I ~ III通式結(jié)構(gòu)的化合物： 式I
其中R51，R52, R53, R54, R55, R56分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧 基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基或取代或未取代的環(huán)氧基；n51，n52, n53， n54, n55和n56分別為0~5的整數(shù)； 式II
其中R61，R62, R63, R64, R65, R66分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取 代或未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基或取代或未取代的環(huán)氧基；；m61，m62，m63分別 為獨立的1~2的整數(shù)；n61，n62, n63, n64, n65和n66分別為獨立的0~5的整數(shù)； 式III

式III中R71，R72, R73, R74分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或 未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基，或是如b所示結(jié)構(gòu)；R75, R76 分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烯基，取代或未取 代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基；m71為0或1 ;n71，n72, n73, n74, n75和n76分別為 〇~5的整數(shù)。
[0075] 具體地，所述供體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物： 5-1
5-2
5-3
5-4
5-5。
[0076] 本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器件實施例：陽極可以采用無機材料或有機導(dǎo)電聚合物。 無機材料一般為氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等金屬氧化物或金、銅、銀 等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ΙΤ0 ;有機導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉（以下 簡稱PED0T/PSS)、聚苯胺（以下簡稱PANI)中的一種。
[0077] 陰極一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合 金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。本發(fā)明中陰極優(yōu)選為層疊的LiF層和A1層 (LiF層在外側(cè))。
[0078] 空穴傳輸層的材料可以選自芳胺類和枝聚物類低分子材料，優(yōu)選NPB。
[0079] 電子傳輸層的材料可采用有機金屬配合物(如Alq3、Gaq3、BAlq或Ga (Saph-q))或 其他常用于電子傳輸層的材料，如芳香稠環(huán)類(如pentacene、花）或鄰菲略啉類(如Bphen、 BCP)化合物。
[0080] 本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件還可在陽極和空穴傳輸層之間具有空穴注入層，所述 空穴注入層的材料例如可采用4, 4'，4' ' -三（3-甲基苯基苯胺）三苯胺摻雜F4TCNQ，或者 采用銅酞菁（CuPc )，或可為金屬氧化物類，如氧化鑰，氧化錸。
[0081] 上述各層的厚度可采用本領(lǐng)域中這些層常規(guī)的厚度。
[0082] 本發(fā)明還提供所述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括在基板01上依次沉積彼 此層疊的陽極02、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03,然后封裝。
[0083] 基板可以是玻璃或是柔性基片，所述柔性基片可采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物 材料或者薄金屬片。所述層疊及封裝可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意合適方法。
[0084] 下文通過實施例進一步說明本發(fā)明。
[0085] 實施例1 本實施例中制備了具有不同熱活化延遲熒光材料摻雜濃度的發(fā)光器件，這些器件具有 如圖2所示的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層的主體材料激基復(fù)合物(供體主體為5-2 (m-MTDATA)，受體主體 為4-5 (t-Bu-PBD))，主體材料中摻雜的熱活化延遲熒光材料為2-7 。熱活化延遲熒光 材料為2-7,其三線態(tài)能級大于其單線態(tài)能級，二者差值< 0. 2eV，（η- π )激發(fā)態(tài)的第一三 線態(tài)稍小于CT激發(fā)態(tài)的第一三線態(tài)（0. 1 eV):
本實施例的器件結(jié)構(gòu)如下： ITO (150nm)/NPB (40 nm)/5-2:4-5: (0· 1%、1.0 %、5 %、10 %)熱活化延遲熒光材 料（30nm)/ Alq3 (20nm)/LiF (0.5nm)/Al (150 nm) 其中，熱活化延遲熒光材料2-7之前的括號中的百分比表示不同的摻雜濃度，在本實 施例以及下文中，摻雜濃度均為重量％。
[0086] 所述有機電致發(fā)光器件的具體制備方法如下： 首先，利用洗滌劑和去離子水對玻璃基片進行清洗，并放置在紅外燈下烘干，在玻璃上 濺射一層陽極材料，膜厚為150nm ; 然后，把上述帶有陽極的玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至1 X 10- 4 Pa，在上述陽極層 膜上繼續(xù)蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，成膜速率為0. lnm/s，蒸鍍膜厚為40 nm。
[0087] 在空穴傳輸層上蒸鍍發(fā)光層，采用雙源共蒸的方法進行，按照激基復(fù)合物與熱活 化延遲熒光材料的質(zhì)量百分比通過膜厚監(jiān)控儀，調(diào)整成膜速率進行控制。蒸鍍膜厚為30 nm〇
[0088] 在發(fā)光層之上，繼續(xù)蒸鍍一層Alq3材料作為電子傳輸層，其蒸鍍速率為0. 1 nm/s， 蒸鍍總膜厚為20 nm ; 最后，在上述發(fā)光層之上依次蒸鍍LiF層和A1層作為器件的陰極層，其中LiF層的蒸 鍛速率為0.01~0.02 nm/s，厚度為0.5 nm，Al層的蒸鍛速率為1.0 nm/s，厚度為150 nm。
[0089] 對比例1 以與上述實施例1相同的方法制備有機電致發(fā)光器件，該器件結(jié)構(gòu)如下： IT0( 150nm)/NPB(40 nm)/激基復(fù)合物（供體主體為m-MTDATA ，受體主體為t-Bu-PBD ，二者質(zhì)量比 1:1 )/ Alq3 (20nm)/LiF (0.5nm)/Al (150 nm) 激基復(fù)合物的供體主體為m-MTDATA，受體主體為t-Bu-PBD。 將上面實施例1和對比例1的有機電致發(fā)光器件的性能表示在下表1中： 表1
由表1可以看出，激基復(fù)合物由熱活化延遲熒光材料摻雜后，其發(fā)光效率和外量子效 率均比未摻雜例(對比例1)高，且τ9。壽命也明顯高于對比例1 。
[0090] 并且，在熱活化延遲熒光材料的摻雜濃度在1%-5%的范圍時，尤其可獲得高發(fā)光 效率。
[0091] 實施例2 本實施例中制備了具有不同熱活化延遲熒光材料摻雜濃度的發(fā)光器件，這些器件具有 如圖2所示的結(jié)構(gòu)。發(fā)光層的主體材料激基復(fù)合物(供體主體為5-2,受體主體為4-4)，主 體材料中摻雜的熱活化延遲熒光材料為3-6 。熱活化延遲熒光材料為3-6,其三線態(tài)能 級大于其單線態(tài)能級，二者差值< 〇. 2eV，CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)與（η- π )激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能 級差很大（1. 3 eV)且（η-π )激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)要高于其CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)。 以與上述實施例1相同的方法制備有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如下： ΙΤ0 (150nm)/NPB (40 nm)/激基復(fù)合物(供體主體為5-2,受體主體為4-4): (0. 1%、 1 %、5 %、10 %)熱活化延遲熒光材料 3-6 (30nm)/ Alq3 (20nm)/LiF (0.5nm)/Al (150 nm) 對比例2 以與上述實施例1相同的方法制備有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如下： ITO (150nm)/NPB (40 nm)/激基復(fù)合物（供體主體為5-2,受體主體為4-4) (30nm)/ Bphen (20nm)/LiF (0. 5nm)/A1 (150 nm) 實施例2和對比例2的有機電致發(fā)光器件的性能如下表2所示： 表2
由表2可以看出，激基復(fù)合物由熱活化延遲熒光材料摻雜后，其發(fā)光效率和外量子效 率均比未摻雜例(對比例2)高，且T9。壽命也明顯高于對比例2并且，在熱活化延遲熒光材 料的摻雜濃度在1%_5%的范圍時，尤其可獲得高發(fā)光效率。
[0092] 實施例3 為測試本發(fā)明的主體材料對有機電致發(fā)光器件性能的影響，本實施例以與上述實施例 1相同的方法制備有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如下： 11'0(15〇11111)/即8(4〇11111)/激基復(fù)合物（47.5%供體主體：47.5%受體主體）：5%熱 活化延遲突光材料（30nm)/ Bphen (20nm)/LiF (0.5nm)/Al (150 nm)。
[0093] 有機電致發(fā)光器件的性能表示在下表3中： 表3
以上所述實施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實施例，本發(fā)明的保護范圍 不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的 保護范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書為準。
【主權(quán)項】
1. 一種熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，其特征在于，所述發(fā)光層的主 體材料是由供體主體和受體主體構(gòu)成的激基復(fù)合物，所述主體材料中摻雜熱活化延遲熒光 材料， 其中，供體主體的三線態(tài)能級高于所述激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙 彡0. 2eV ;且，供體主體的HOMO能級絕對值彡5. 3eV ; 受體主體的三線態(tài)能級高于所述激基復(fù)合物的單線態(tài)能級，二者的能隙>〇. 2eV ;且， 受體主體的LUMO能級絕對值>2. OeV ; 所述熱活化延遲熒光材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于η- π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級， 并且相差為〇~〇. 3 eV之間；或者，所述熱活化延遲熒光材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級高于 η-π激發(fā)態(tài)的二線態(tài)能級，其差值為1.0 eV以上，并且，其η-π激發(fā)態(tài)的第二二線態(tài)能級 和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級的差值為-0. 1~0.1 eV。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述激基 復(fù)合物的發(fā)射光譜與所述熱活化延遲熒光材料的吸收光譜重疊。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述熱活 化延遲熒光材料在發(fā)光層中所占比例為0. 1重量°/^1〇重量％。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述熱活 化延遲熒光材料在發(fā)光層中所占比例為1重量°/^5重量％。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述熱活 化延遲熒光材料為存在電荷轉(zhuǎn)移躍遷的材料，熱活化延遲熒光材料中同時存在給體基團單 元和受體基團單元， 所述給體基團單元為一個給體基團或兩個以上的給體基團連接構(gòu)成的基團； 所述受體基團單元為一個受體基團或兩個以上的受體基團連接構(gòu)成的基團； 所述給體基團選自吲哚并咔唑基，咔唑基，聯(lián)咔唑基，三苯胺基，吩噁嗪基，C1 6的烷基、 甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的剛噪并咔唑基，C1 6的烷基、甲氧基、乙氧基 或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，C16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的 基團取代的聯(lián)咔唑基，C 16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的三苯胺 基，或者C16的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基； 所述受體基團選自萘基，蒽基，菲基，芘基，三嗪基，苯并咪唑基，氰基、吡啶基，砜基，菲 并咪唑基，萘并噻唑基，苯并噻唑基，噁二唑基，C16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基 中一種以上的基團取代的萘基，C 16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基 團取代的蒽基，C16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的菲基， C1 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的花基，C i 6的烷基、甲氧 基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的二嚷基，C1 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯 基或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并咪唑基，C16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶 基中一種以上的基團取代的批陡基，C 1 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以 上的基團取代的諷基，C1 6的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的 菲并咪唑基；C16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的萘并噻唑 基，C 16的烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或吡啶基中一種以上的基團取代的苯并噻唑基，C16的 烷基、甲氧基、乙氧基、苯基或批陡基中一種以上的基團取代的噁-唑基； 其中，一種或多種所述給體基團單元與一種或多種所述受體基團單元直接連接形成熱 活化延遲熒光材料；或者，一種或多種所述給體基團單元和一種或多種所述受體基團單元 分別與連接基團連接形成熱活化延遲熒光材料，所述連接基團為具有空間位阻的基團。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，一種或兩 種給體基團單元和一種或兩種受體基團單元分別與連接基團連接形成熱活化延遲熒光材 料，或者一種或兩種受體基團單元與一種或兩種給體基團單元直接連接形成熱活化延遲熒 光材料。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述連接 基團選自螺芴基、苯基、聯(lián)苯基、C1 6的烷基或苯基的其中至少一種取代的螺芴基、C1 6的烷 基或苯基的其中至少一種取代的苯基或者C1 6的烷基或苯基的其中至少一種取代的聯(lián)苯 基。8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述給體 基團選自以下基團： 式IV式IV中，L31，L32, L33分別代表單鍵，或取代或未取代的亞芳香基；Py 31，Py32, Py33分別代 表取代或未取代的吡啶基；n31，n32, n33分別為獨立的1~3的整數(shù)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述受 體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：4-1,其中R61，R62, R63, R64, R65, R66分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取 代或未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基或取代或未取代的環(huán)氧基；；m61，m62，m63分別 為獨立的1~2的整數(shù)；n61，n62, n63, n64, n65和n66分別為獨立的0~5的整數(shù)；式III中R71，R72, R73, R74分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或 未取代的烯基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基，或是如b所示結(jié)構(gòu)；R75, R76 分別代表取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烯基，取代或未取 代的環(huán)烷基，取代或未取代的環(huán)氧基；m71為O或I ;n71，n72, n73, n74, n75和n76分別為 〇~5的整數(shù)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熱活化敏化熒光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述供 體主體為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：
【文檔編號】H01L51/54GK105895811SQ201510038024
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年1月26日
【發(fā)明人】段煉, 謝靜, 劉嵩, 張東東, 趙菲
【申請人】北京維信諾科技有限公司, 清華大學(xué)