一種環(huán)行器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及到通信技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種環(huán)行器，該環(huán)行器包括：接地層；微帶電路層，包括第一基板，對(duì)稱設(shè)置在所述第一基板相對(duì)的兩面的微帶電路，且兩個(gè)微帶電路之間通過第一金屬化通孔連通；共軸設(shè)置的第一鐵氧體和第二鐵氧體，且兩個(gè)鐵氧體與所述兩個(gè)微帶電路一一對(duì)應(yīng)連接，其中的第一鐵氧體和第二鐵氧體分別與所述接地層連接；永磁鐵，與所述第一鐵氧體和第二鐵氧體同軸設(shè)置，且位于所述第二鐵氧體之上。在上述實(shí)施例中，微帶電路不是直接濺射到鐵氧體上，而是通過蝕刻基板金屬鍍層實(shí)現(xiàn)，降低了加工工藝的難度，提升了批量加工的一致性。
【專利說明】
一種環(huán)行器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及到通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種環(huán)行器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著未來5G通信設(shè)備頻率升高、功率降低、通道數(shù)量增多，而現(xiàn)有技術(shù)中傳統(tǒng)微帶鐵氧體環(huán)行器，如圖1所示，在鐵氧體2上濺射微帶電路3，鐵氧體2與金屬基板4進(jìn)行焊接，微帶電路3上方用膠粘接永磁鐵I實(shí)現(xiàn)，其組合后的整體結(jié)構(gòu)見圖2。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)行器在鐵氧體上濺射微帶電路因高頻微帶電路線條較細(xì)、鐵氧體材料結(jié)構(gòu)疏松，加工工藝要求高，從而導(dǎo)致批量加工一致性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種環(huán)行器，低了加工工藝的難度，提升了批量加工的一致性。
[0004]在一個(gè)具體的實(shí)施例方式中，本發(fā)明提供了一種環(huán)行器，該環(huán)行器包括:
[0005]接地層；
[0006]微帶電路層，包括第一基板，對(duì)稱設(shè)置在所述第一基板相對(duì)的兩面的微帶電路，且兩個(gè)微帶電路之間通過第一金屬化通孔連通；
[0007]共軸設(shè)置的第一鐵氧體和第二鐵氧體，且兩個(gè)鐵氧體與所述兩個(gè)微帶電路--對(duì)應(yīng)連接，其中的第一鐵氧體和第二鐵氧體分別與所述接地層連接；
[0008]永磁鐵，與所述第一鐵氧體和第二鐵氧體同軸設(shè)置，且位于所述第二鐵氧體之上。
[0009]在上述實(shí)施例中，微帶電路不是直接濺射到鐵氧體上，而是通過蝕刻基板金屬鍍層實(shí)現(xiàn)，降低了加工工藝的難度，提升了批量加工的一致性。
[0010]在具體實(shí)施時(shí)，所述接地層還包括:第二基板，所述第二基板朝向所述第一鐵氧體的一面設(shè)置有第一接地層，所述第二基板背離所述第一鐵氧體的一面設(shè)置有第二接地層以及與所述第二接地層絕緣的焊盤;其中，所述第一接地層和第二接地層電連接，所述焊盤與所述微帶電路的信號(hào)支腳電連接。即通過信號(hào)支腳與焊盤之間的連接方便了環(huán)行器在安裝以及檢測時(shí)的連接。
[0011 ]在一鐵氧體具體設(shè)置時(shí)，該環(huán)行器還包括第三基板，且所述第三基板位于所述接地層與所述微帶電路層之間，且所述第三基板包裹所述第一鐵氧體。以及第四基板，且所述第四基板包裹所述第二鐵氧體。即通過第三基板和第四基板將鐵氧體固定，在具體設(shè)置時(shí)，兩個(gè)鐵氧體分別固定在第三基板和第四基板中，且多個(gè)基板之間層壓形成一體，完成環(huán)行器的組裝。此外，所述第一基板、第二基板及第三基板上設(shè)置有連通的第三金屬化通孔，所述微帶電路的信號(hào)支腳通過所述第三金屬化通孔與所述焊盤連接。通過第三金屬化通孔實(shí)現(xiàn)了微帶電路的信號(hào)支腳與焊盤的連接，方便了環(huán)行器的檢測及安裝，應(yīng)當(dāng)理解的是第三金屬化通孔與第一接地層和第二接地層絕緣，避免微帶電路出現(xiàn)接地的情況。
[0012]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，該環(huán)行器還包括設(shè)置在所述第二鐵氧體與所述永磁鐵之間的第五基板;其中，
[0013]所述第一基板、第二基板、第三基板、第四基板及第五基板上設(shè)置有連通的第二金屬化通孔，所述第二鐵氧體通過所述第二金屬化通孔與所述第一接地層及第二接地層連接。通過設(shè)置的第五基板及其他的幾個(gè)電路基板實(shí)現(xiàn)了第二鐵氧體的接地。
[0014]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第二金屬化通孔的個(gè)數(shù)為多個(gè)，且多個(gè)第二金屬化通孔環(huán)繞設(shè)置在所述微帶電路的外側(cè)。
[0015]此外，為了進(jìn)一步的提高環(huán)行器的穩(wěn)定性，本實(shí)施例提供的環(huán)行器還包括溫補(bǔ)片，用于補(bǔ)償磁場在高低溫下的變化。該溫補(bǔ)片在具體設(shè)置時(shí)可以選擇不同的位置，在一種具體的設(shè)置方式中，所述溫補(bǔ)片設(shè)置在所述第二鐵氧體與所述永磁鐵之間、所述永磁鐵背離所述第二鐵氧體的一面或者所述接地層背離所述永磁鐵的一面。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)行器的分解示意圖；
[0017]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的環(huán)行器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4a?圖4c為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的接地層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5a?圖5c為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的第三基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的鐵氧體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7a?圖7c為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的微帶電路層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖8a?圖Sc為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的第四基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的第五基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的環(huán)行器的永磁鐵的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]1-永磁鐵2-鐵氧體3-微帶電路
[0028]4-金屬基板10-接地層101-上表面
[0029]1010-第一接地層1011-缺口 1012-金屬化通孔
[0030]1013-金屬化通孔102-下表面1020-焊盤1021-第二接地層
[0031]20-第三基板201-上表面2010-金屬化通孔
[0032]2011-通孔2012-金屬化通孔202-下表面
[0033]30-微帶電路層301-上表面3010-金屬化通孔
[0034]3011-第一微帶電路3013-第一金屬化通孔3014-金屬化通孔
[0035]302-下表面3021-第二微帶電路40-第四基板
[0036]401-上表面4011-金屬化通孔4012-金屬化通孔
[0037]402-下表面50-第五基板501-金屬化通孔
[0038]60-鐵氧體70-永磁鐵
【具體實(shí)施方式】
[0039]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種環(huán)行器，該環(huán)行器包括:
[0041]接地層10;
[0042]微帶電路層30，包括第一基板，對(duì)稱設(shè)置在所述第一基板相對(duì)的兩面的微帶電路，且兩個(gè)微帶電路之間通過第一金屬化通孔3013連通；
[0043]共軸設(shè)置的第一鐵氧體和第二鐵氧體，且兩個(gè)鐵氧體與所述兩個(gè)微帶電路一一對(duì)應(yīng)連接，其中的第一鐵氧體和第二鐵氧體分別與所述接地層10連接；
[0044]永磁鐵70，與所述第一鐵氧體和第二鐵氧體同軸設(shè)置，且位于所述第二鐵氧體之上。
[0045]在上述實(shí)施例中，微帶電路不是直接濺射到鐵氧體上，而是通過蝕刻基板金屬鍍層實(shí)現(xiàn)，鐵氧體單獨(dú)設(shè)置并與該微帶電路連接，并且各層通過層壓工藝壓合在一起，從而提升了器件的良率。
[0046]為了方便理解本實(shí)施例提供的環(huán)行器，下面結(jié)合具體的實(shí)施例以及附圖對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0047]如圖3所示，圖3示出了本實(shí)施例提供的環(huán)行器的結(jié)構(gòu)，該環(huán)行器包括多層基板，微帶電路、鐵氧體以及永磁鐵70均設(shè)置在基板上，其中該基板可以為印刷電路板、塑料板或者金屬板。
[0048]在本實(shí)施例中，環(huán)行器包括層疊的接地層10、第一鐵氧體、微帶電路層30、第二鐵氧體及永磁鐵70。為了方便理解，下面結(jié)合具體的附圖對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0049]如圖4a、圖4b和圖4c所示，本實(shí)施例中提供的接地層1包括:連接的第一接地層1010和第二接地層1021，其中，所述第一鐵氧體及所述第二鐵氧體均與所述第一接地層1010及第二接地層1021連接，具體的，接地層10采用PCB(印刷電路基板)，其包括:第二基板，所述第一接地層1010設(shè)置在所述第二基板朝向所述第一鐵氧體的一面，所述第二接地層1021設(shè)置在所述第二基板背離所述第一鐵氧體的一面，且所述第二基板背離所述第一鐵氧體的一面設(shè)置有與第二接地層1021絕緣的焊盤1020，該焊盤1020與所述微帶電路的每個(gè)信號(hào)支腳連接。如圖4a?圖4c所示，其中，PCB板的上表面101設(shè)置了第一接地層1010，該第一接地層1010為在PCB板上表面101形成的覆銅層。PCB板的下表面102設(shè)置了第二接地層1021，該第二接地層1021為在PCB下表面102上形成的覆銅層，此外，在下表面102上還設(shè)置了焊盤1020，其焊盤1020與第二接地層1021絕緣，該焊盤1020用于與微帶電路層30連接，使得環(huán)行器在測試時(shí)，微帶電路層30的信號(hào)支腳可以直接連接接地層10上的焊盤1020，方便環(huán)行器的測試和焊接。此外，該第二基板上設(shè)置了金屬化通孔1012，用于實(shí)現(xiàn)第二接地層1021的焊盤1020與微帶電路層30的連接，并且在第二基板的上表面設(shè)置了缺口 1011，用于避免第一接地層1010與金屬化通孔1012的連通;該第一基板上還設(shè)置了金屬化通孔1013，該金屬化通孔1013用于第二鐵氧體與第一接層1010及第二接地層1021的連接。
[0050]在本實(shí)施例中，為了方便鐵氧體的固定，本實(shí)施例提供了固定鐵氧體的基板。具體的，如圖5a及、圖5b圖5c所示，圖5a?圖5c示出了第三基板20的結(jié)構(gòu)。該第三基板20包裹第一鐵氧體將其固定，在設(shè)置時(shí)，第三基板20位于所述接地層10與所述微帶電路層30之間，且所述第三基板20上設(shè)置有用于容納所述第一鐵氧體的通孔2011。第一鐵氧體嵌入在通孔2011內(nèi)固定，具體的，在固定鐵氧體時(shí)，一并參考圖6，圖6示出了鐵氧體60的結(jié)構(gòu)，圖6中所示的鐵氧體6((第一鐵氧體及第二鐵氧體的結(jié)構(gòu)形狀相同，在此僅以圖6示出的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明)的結(jié)構(gòu)固定在通孔內(nèi)。
[0051]在組裝時(shí)，第三基板20設(shè)置在第二基板與第一電路基板之間，且三個(gè)基板通過壓合固定連接。應(yīng)當(dāng)理解的是，第一鐵氧體固定在第三基板20內(nèi)時(shí)，第一鐵氧體與第一接地層1010承壓接觸，實(shí)現(xiàn)第一鐵氧體的接地連接。此外，第三基板20上設(shè)置了用于實(shí)現(xiàn)第二鐵氧體與第一接地層1010連接的金屬化通孔2012，以及用于微帶電路層30與焊盤1020連接的金屬化通孔2010，以實(shí)現(xiàn)第二鐵氧體與第一接地層1010的連接，微帶電路層30與焊盤1020的連接。參考圖5a，第三基板20分為上表面201和下表面202，并且在第三基板20上設(shè)置了多個(gè)金屬化通孔(2010、2012)，該金屬化通孔貫穿整個(gè)第三基板20，一并參考圖5b和圖5c，圖5b和圖5c分別示出了第三基板20的上表面201結(jié)構(gòu)和下表面202結(jié)構(gòu)，由圖5b和圖5c可以明顯的看出，第三基板20上設(shè)置的多個(gè)金屬化通孔以及容納第一鐵氧體的通孔。
[°°52] 一并參考圖8a?圖8c，圖8a?圖8c示出了用于固定第二鐵氧體的第四基板40，該第四基板40的結(jié)構(gòu)與第三基板20的結(jié)構(gòu)類似。唯一的區(qū)別在于，第四基板40位于微帶電路層30上，因此，無需設(shè)置微帶電路層30與焊盤1020的金屬化通孔。具體的，該環(huán)行器還包括第四基板40，且所述第四基板40包裹第二鐵氧體，具體的，該第四基板40上設(shè)置有用于容納所述第二鐵氧體的通孔4011，以及用于實(shí)現(xiàn)第二鐵氧體與第一接地層1010連接的金屬化通孔4012。如圖8a?圖8c所示，在本實(shí)施例中，第四基板40包含上表面401和下表面402，且由圖Sb和圖Sc上看出，本實(shí)施例中的第四基板40上設(shè)置的容納第二鐵氧體的通孔4011貫穿整個(gè)第四基板40，此外，用于連接第二鐵氧體及第一接地層1010的金屬化通孔4012也貫穿整個(gè)第四基板40，且一并參考圖5b和圖5c，第四基板40上設(shè)置了用于第二鐵氧體與第一接地層1010連接的金屬化通孔4012，與第三基板20上用于連接第二鐵氧體與第一接地層1010的金屬化通孔2012——對(duì)應(yīng)。
[0053]如圖7a?圖7c所示，圖7a?圖7c示出了微帶電路層30的結(jié)構(gòu)。該微帶電路層30包括第一基板，以及對(duì)稱設(shè)置在該第一基板兩個(gè)表面的微帶電路，且兩個(gè)微帶電路之間通過第一金屬化通孔3013連接。具體的，如圖7a所示，圖7a示出了微帶電路層30的側(cè)視圖，該第一基板分為上表面301和下表面302，一并參考圖7b和圖7c，如圖7b所示，在第一基板的上表面301設(shè)置了第一微帶電路3011，如圖7c所示，在第一基板的下表面302設(shè)置了第二微帶電路3021，且第一微帶電路3011和第二微帶電路3021之間通過設(shè)置的第一金屬化通孔3013連通。通過第一金屬化通孔3013將兩個(gè)微帶電路連接成一體從而等效成現(xiàn)有技術(shù)中在鐵氧體上濺射的微帶電路層。此外，為了實(shí)現(xiàn)微帶電路與焊盤1020的連接，較佳的，第一基板上在微帶電路的信號(hào)支腳處設(shè)置了金屬化通孔3010，該金屬化通孔3010與第三基板20的金屬化通孔2010及第二基板上的金屬化通孔1012—一對(duì)應(yīng)連通形成第三金屬化通孔，從而使得微帶電路的信號(hào)支腳與焊盤1020連接。此外，第一基板上設(shè)置了用于第二鐵氧體與第一接地層1010連接的金屬化通孔3014，該金屬化通孔3014與及第三基板20上的金屬化通孔2012—一對(duì)應(yīng)連通。
[0054]如圖9所示，為了方便第二鐵氧體的接地，在本實(shí)施例中，設(shè)置了第五基板50，該第五基板50上設(shè)置在第二鐵氧體與永磁鐵70之間，且在設(shè)置時(shí)，第五基板50上朝向第二鐵氧體的一面設(shè)置了金屬化通孔501，且該金屬化通孔501與設(shè)置在第四基板40上的金屬化通孔4012、設(shè)置在第一基板上的金屬化通孔3014、設(shè)置在第三基板20上的金屬化通孔2012及設(shè)置在第二基板上的1013—一對(duì)應(yīng)連通形成第二金屬化通孔，實(shí)現(xiàn)第二鐵氧體與第一接地層1010及第二接地層1021的接地連接。此外，一并參考圖10，永磁鐵70設(shè)置在第五基板50背離第二鐵氧體的一面。
[0055]在本實(shí)施例中，為了提高整個(gè)環(huán)行器的效果，所述第二金屬化通孔的個(gè)數(shù)為多個(gè)，且多個(gè)第二金屬化通孔環(huán)繞設(shè)置在所述微帶電路的外側(cè)。在本實(shí)施例中，第二金屬通孔設(shè)置在微帶電路周圍，起到地隔離的作用，防止信號(hào)的泄露及外界信號(hào)的干擾。
[0056]此外，在本實(shí)施例中，該環(huán)行器還包括溫補(bǔ)片，用于補(bǔ)償磁場在高低溫下的變化。通過該溫補(bǔ)片提供的磁場補(bǔ)償，從而保證環(huán)行器在一定的溫度變化環(huán)境中穩(wěn)定工作。此外，在設(shè)置該環(huán)行器時(shí)，所述溫補(bǔ)片設(shè)置在所述第二鐵氧體與所述永磁鐵之間、所述永磁鐵背離所述第二鐵氧體的一面或者所述接地層背離所述永磁鐵的一面(第二接地層)。在具體設(shè)置時(shí)，可以根據(jù)需要設(shè)置在不同的位置。
[0057]通過上述描述可以看出，本實(shí)施例提供的環(huán)行器采用多層基板結(jié)構(gòu)，微帶電路通過蝕刻在基板的金屬鍍層實(shí)現(xiàn)，把鐵氧體等主要部件嵌入到基板內(nèi)部，用層壓工藝把各層壓合在一起實(shí)現(xiàn)環(huán)行器功能，同時(shí)在器件的底部留有焊盤進(jìn)行焊接。
[0058]微帶電路不是直接濺射到鐵氧體上，而是通過蝕刻基板金屬鍍層實(shí)現(xiàn)，鐵氧體嵌入到基板內(nèi)部，各層基板通過層壓工藝壓合在一起，同時(shí)微帶電路通過通孔連接到底部焊盤，從而提升了器件的良率，焊盤放到底部方便測試和焊接。
[0059]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種環(huán)行器，其特征在于，包括: 接地層； 微帶電路層，包括第一基板，對(duì)稱設(shè)置在所述第一基板相對(duì)的兩面的微帶電路，且兩個(gè)微帶電路之間通過第一金屬化通孔連通； 共軸設(shè)置的第一鐵氧體和第二鐵氧體，且兩個(gè)鐵氧體與所述兩個(gè)微帶電路一一對(duì)應(yīng)連接，其中的第一鐵氧體和第二鐵氧體分別與所述接地層連接； 永磁鐵，與所述第一鐵氧體和第二鐵氧體同軸設(shè)置，且位于所述第二鐵氧體之上。2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)行器，其特征在于，所述接地層包括:第二基板，所述第二基板朝向所述第一鐵氧體的一面設(shè)置有第一接地層，所述第二基板背離所述第一鐵氧體的一面設(shè)置有第二接地層以及與所述第二接地層絕緣的焊盤;其中，所述第一接地層和第二接地層電連接，所述焊盤與所述微帶電路的信號(hào)支腳電連接。3.如權(quán)利要求2所述的環(huán)行器，其特征在于，還包括第三基板，且所述第三基板位于所述接地層與所述微帶電路層之間，且所述第三基板包裹所述第一鐵氧體。4.如權(quán)利要求3所述的環(huán)行器，其特征在于，還包括第四基板，且所述第四基板包裹所述第二鐵氧體。5.如權(quán)利要求4所述的環(huán)行器，其特征在于，所述第一基板、第二基板及第三基板上設(shè)置有連通的第三金屬化通孔，所述微帶電路的信號(hào)支腳通過所述第三金屬化通孔與所述焊盤連接。6.如權(quán)利要求5所述的環(huán)行器，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第二鐵氧體與所述永磁鐵之間的第五基板;其中， 所述第一基板、第二基板、第三基板、第四基板及第五基板上設(shè)置有連通的第二金屬化通孔，所述第二鐵氧體通過所述第二金屬化通孔與所述第一接地層及第二接地層連接。7.如權(quán)利要求6所述的環(huán)行器，其特征在于，所述第二金屬化通孔的個(gè)數(shù)為多個(gè)，且多個(gè)第二金屬化通孔環(huán)繞設(shè)置在所述微帶電路的外側(cè)。8.如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的環(huán)行器，其特征在于，還包括溫補(bǔ)片，用于補(bǔ)償磁場在高低溫下的變化。9.如權(quán)利要求8所述的環(huán)行器，其特征在于，所述溫補(bǔ)片設(shè)置在所述第二鐵氧體與所述永磁鐵之間、所述永磁鐵背離所述第二鐵氧體的一面或者所述接地層背離所述永磁鐵的一面。
【文檔編號(hào)】H01P1/387GK105896010SQ201610161894
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年3月21日
【發(fā)明人】張如, 李揚(yáng)興, 張華鋒, 高男
【申請(qǐng)人】華為技術(shù)有限公司, 綿陽西磁科技有限公司