一種濕法硅片清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種濕法硅片清洗方法，包括以下步驟：步驟1、使用硫酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液清洗硅片上的有機物和金屬；步驟2、使用去離子水對硅片進行沖洗；步驟3、在50℃～60℃的溫度下，使用氫氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化層；步驟4、使用去離子水對硅片進行清洗；步驟5、在55℃～70℃的溫度下，在使用SC?1溶液對硅片進行清洗；步驟6、使用去離子水對硅片進行清洗；步驟7、在55℃～70℃的溫度下，使用SC?2溶液對硅片進行清洗；步驟8、使用HF溶液對硅片進行浸泡。本發(fā)明在清洗中使用了合適的溫度范圍，與現(xiàn)有的常溫的濕法清洗技術(shù)相比，反應(yīng)速率加快，則在相同的清洗程度之下，本發(fā)明所使用的氫氟酸等有害化學(xué)物質(zhì)減少。
【專利說明】
一種濕法硅片清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及硅片清洗方法，具體涉及一種濕法硅片清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體是由硅片制成的，由于硅片上的關(guān)鍵尺寸持續(xù)縮小，硅片表面在經(jīng)受工藝之前必須是清潔的?？刂普次圩钣行緩绞欠乐拐次垲w粒硅片。但是，一旦硅片表面被沾污，沾污物必須通過清洗排除。硅片清洗時為了去除其表面的污染物，包括顆粒、有機物、金屬、氧化物等。
[0003]現(xiàn)有的技術(shù)是使用濕化學(xué)法進行清洗。但是現(xiàn)有的方法中所使用的HF溶液過多，HF溶液使用較危險，對人體的危害較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開了一種濕法硅片清洗方法。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]—種濕法硅片清洗方法，包括以下步驟:
[0007]步驟1、使用硫酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液清洗硅片上的有機物和金屬；所述硫酸、過氧化氫和去離子水的體積比為H2SO4:Η2θ2: H2O = 400:20:1；
[0008]步驟2、使用去離子水對硅片進行沖洗；
[0009]步驟3、在5 O °C?6 O °C的溫度下，使用氫氟酸和水的混合物溶解娃片上的氧化層；所述氫氟酸和水的體積比為HF:H20 = 5:1 ；
[0010]步驟4、使用去離子水對硅片進行清洗；
[0011 ] 步驟5、在55 °C?70 °C的溫度下，在使用SC-1溶液對硅片進行清洗;所述SC-1中的溶液體積比為:NH4OH:Η202:Η20=1:4:20；
[0012]步驟6、使用去離子水對硅片進行清洗；
[0013]步驟7、在55°C?70 °C的溫度下，使用SC-2溶液對硅片進行清洗;所述SC-2中的溶液體積比為:HCl:H2O2:H20 = 1:1:50；
[0014]步驟8、使用HF溶液對硅片進行浸泡。
[0015]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0016]本發(fā)明在清洗中使用了合適的溫度范圍，與現(xiàn)有的常溫的濕法清洗技術(shù)相比，反應(yīng)速率加快，則在相同的清洗程度之下，本發(fā)明所使用的氫氟酸等有害化學(xué)物質(zhì)減少。而且本發(fā)明與現(xiàn)有的高溫的濕法清洗技術(shù)相比，本發(fā)明不必加熱到上百攝氏度，反應(yīng)條件更加溫和，而且節(jié)約了反應(yīng)所需能量。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明的流程圖。
【具體實施方式】
[0018]圖1是本發(fā)明的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明的步驟包括:
[0019]步驟1、使用硫酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液清洗硅片上的有機物和金屬；硫酸、過氧化氫和去離子水的體積比為:H2SO4:H2O2:H2O = 400:20: 10次不走可以去除掉娃片上的粒子。
[0020]步驟2、使用去離子水對硅片進行沖洗；
[0021 ] 步驟3、在500C?600C的溫度下，使用氫氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化層；所述氫氟酸和水的體積比為HF:H20 = 5:1。
[0022]步驟4、使用去離子水對硅片進行清洗；
[0023]步驟5、在55°C?70°C的溫度下，在使用SC-1溶液對硅片進行清洗;所述SC-1中的溶液體積比為:NH4OH = H2O2:H2O= 1:4:20;此步驟使用電化學(xué)法，用于去除硅片上的顆粒。氫氧根在硅片表面上積累負(fù)電荷，使得硅片表面的顆粒物被排斥而進入溶液。清洗液由金屬和有機物中俘獲電子并將其氧化，使之溶解在溶液中。
[0024]步驟6、使用去離子水對硅片進行清洗；
[0025]步驟7、在55°C?70°C的溫度下，使用SC-2溶液對硅片進行清洗;所述SC-2中的溶液體積比為:HCl =H2O2:H2O= 1: 1:50;此步驟用于去除硅片表面的金屬物質(zhì)，所以使用酸性溶液。
[0026]步驟8、使用HF溶液對硅片進行浸泡。此步驟用于停止硅片在空氣中被氧化，使得硅片表面保持高穩(wěn)定的清潔狀態(tài)。
[0027]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明不限于以上實施例?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種濕法硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、使用硫酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液清洗硅片上的有機物和金屬;所述硫酸、過氧化氫和去離子水的體積比為出304:11202:1120 = 400:20:1； 步驟2、使用去離子水對硅片進行沖洗； 步驟3、在500C?600C的溫度下，使用氫氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化層;所述氫氟酸和水的體積比為HF:H20 = 5:1 ； 步驟4、使用去離子水對硅片進行清洗； 步驟5、在55 °C?70°C的溫度下，在使用SC-1溶液對硅片進行清洗;所述SC-1中的溶液體積比為:NH4OH: H2O2: H2O = 1:4:20; 步驟6、使用去離子水對硅片進行清洗； 步驟7、在55°C?70°C的溫度下，使用SC-2溶液對硅片進行清洗;所述SC-2中的溶液體積比為:HC1:Η2θ2:H20 = 1:1:50； 步驟8、使用HF溶液對娃片進行浸泡。
【文檔編號】B08B3/08GK105914137SQ201610464167
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月23日
【發(fā)明人】呂耀安
【申請人】無錫宏納科技有限公司