蝕刻方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在對由氧化硅構(gòu)成的第1區(qū)域進(jìn)行蝕刻的技術(shù)中抑制由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域被削去且使處理時(shí)間較短的蝕刻方法。在本發(fā)明的蝕刻方法中，為了對第1區(qū)域進(jìn)行蝕刻而執(zhí)行一次以上的序列。一次以上的序列中的各個(gè)序列具有如下工序：在被處理體上形成含有碳氟化合物的堆積物的第1工序和利用堆積物所含有的碳氟化合物的自由基對第1區(qū)域進(jìn)行蝕刻的第2工序。在執(zhí)行一次以上的序列之后，生成含有碳氟化合物氣體的第2處理氣體的等離子體而對第1區(qū)域進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。
【專利說明】
蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種蝕刻方法，尤其是涉及一種通過針對被處理體進(jìn)行的等離子體處理來相對于由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域而選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子器件的制造過程中，有時(shí)對由氧化硅(S12)構(gòu)成的區(qū)域進(jìn)行用以形成孔或溝槽這樣的開口的處理。在這樣的處理中，如美國專利第7708859號說明書所記載地那樣，通常的做法是，通過將被處理體暴露在碳氟化合物氣體的等離子體中來對該區(qū)域進(jìn)行蝕刻。
[0003]另外，公知有一種相對于由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域而選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的技術(shù)。作為這樣的技術(shù)的一個(gè)例子，公知有一種SAC( Self — AlignedContact:自對位接觸)技術(shù)。在日本特開2000 — 307001號公報(bào)中記載有SAC技術(shù)。
[0004]作為SAC技術(shù)的處理對象的被處理體具有氧化硅制的第I區(qū)域、氮化硅制的第2區(qū)域、以及掩模。第2區(qū)域以劃分出凹部的方式設(shè)置，第I區(qū)域以將該凹部填埋且覆蓋第2區(qū)域的方式設(shè)置，掩模設(shè)置在第I區(qū)域上且在凹部之上提供開口。在以往的SAC技術(shù)中，如日本特開2000 — 307001號公報(bào)所記載地那樣，為了對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻而使用含有碳氟化合物氣體、氧氣、以及稀有氣體的處理氣體的等離子體。通過將被處理體暴露在該處理氣體的等離子體中，從而對第I區(qū)域的自掩模的開口暴露出的部分進(jìn)行蝕刻而形成上部開口。通過將被處理體進(jìn)一步暴露在處理氣體的等離子體中，從而對被第2區(qū)域包圍的部分、即凹部內(nèi)的第I區(qū)域自對位(日文:自己整合)地進(jìn)行蝕刻。由此，自對位地形成與上部開口相連續(xù)的下部開口。
[0005]專利文獻(xiàn)1:美國專利第7708859號說明書
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2000 — 307001號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的問題
[0008]在所述以往的技術(shù)中，在對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻而使第2區(qū)域暴露的時(shí)刻，產(chǎn)生沒有在第2區(qū)域的表面上形成保護(hù)該第2區(qū)域的膜的狀態(tài)。當(dāng)在該狀態(tài)下對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻時(shí)，會(huì)產(chǎn)生將第2區(qū)域削去這樣的現(xiàn)象。因而，需要抑制在第2區(qū)域暴露時(shí)該第2區(qū)域被削去的現(xiàn)象。另外，在這樣的技術(shù)中，需要使自處理開始起到處理結(jié)束為止所要求的時(shí)間較短。即，在選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的技術(shù)中，要求抑制由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域被削去且使處理時(shí)間較短。
[0009]用于解決問題的方案
[0010]在本發(fā)明的一技術(shù)方案中，提供一種蝕刻方法，其通過針對被處理體進(jìn)行的等離子體處理來相對于由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域而選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕亥|J。被處理體具有劃分出凹部的第2區(qū)域、以將該凹部填埋且覆蓋第2區(qū)域的方式設(shè)置的第I區(qū)域、以及設(shè)置在第I區(qū)域上的掩模，掩模在凹部之上提供具有寬度比該凹部的寬度大的開口。在該蝕刻方法中，為了在包括使第2區(qū)域暴露時(shí)在內(nèi)的期間內(nèi)對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻而執(zhí)行一次以上的序列。一次以上的序列中的各個(gè)序列具有如下工序:(a)在容納有該被處理體的處理容器內(nèi)生成含有碳氟化合物氣體的第I處理氣體的等離子體，以便在被處理體上形成含有碳氟化合物的堆積物；以及(b)利用堆積物所含有的碳氟化合物的自由基來對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻。另外，該蝕刻方法具有在執(zhí)行一次以上的序列之后的工序，在該工序中，利用在處理容器內(nèi)生成的、含有碳氟化合物氣體的第2處理氣體的等離子體來對第I區(qū)域進(jìn)行蝕亥IJ。在一技術(shù)方案中，能夠是，在生成第2處理氣體的等離子體的工序中，對第I區(qū)域連續(xù)地進(jìn)行蝕刻，直至到達(dá)凹部的底部。
[0011]在所述一技術(shù)方案的方法的序列中，在第2區(qū)域暴露時(shí)使碳氟化合物的堆積物形成在被處理體上，然后利用該堆積物中的自由基對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻。采用該序列，雖然蝕刻速度較低，但能夠?qū)Φ贗區(qū)域進(jìn)行蝕刻且抑制第2區(qū)域在暴露時(shí)被削去。在本方法中，在利用通過執(zhí)行該序列而形成的堆積物來保護(hù)第2區(qū)域的狀態(tài)下利用碳氟化合物氣體的等離子體對第I區(qū)域進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。在執(zhí)行序列之后利用碳氟化合物的等離子體對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的速度高于序列中的第I區(qū)域的蝕刻速度。因而，在本方法中，能夠兼顧抑制第2區(qū)域被削去和縮短第I區(qū)域的蝕刻所需的處理時(shí)間。
[0012]也可以是，在一技術(shù)方案中，一次以上的序列中的各個(gè)序列還具有在容納有被處理體的處理容器內(nèi)生成含有含氧氣體和非活性氣體的第3處理氣體的等離子體的工序。采用該技術(shù)方案，能夠利用氧的活性種來使形成于被處理體的堆積物的量適度地減少。因而，能夠防止掩模的開口和通過蝕刻而形成的開口被閉塞。另外，在該技術(shù)方案中，由于處理氣體中的含氧氣體被非活性氣體稀釋，因此能夠抑制堆積物被過量地去除。
[0013]也可以是，在一技術(shù)方案的一次以上的序列中的各個(gè)序列中，在生成第I處理氣體的等離子體的所述工序與利用碳氟化合物的自由基對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的所述工序之間，執(zhí)行生成第3處理氣體的等離子體的所述工序，該一次以上的序列中的各個(gè)序列在執(zhí)行利用碳氟化合物的自由基來對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的所述工序之后還具有在容納有被處理體的處理容器內(nèi)生成第3處理氣體的等離子體的工序。在執(zhí)行利用碳氟化合物的自由基對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的所述工序時(shí)，放出構(gòu)成附著在被處理體上的堆積物的物質(zhì)，該物質(zhì)再次附著在被處理體上，從而形成堆積物而使掩模的開口和通過蝕刻而形成的開口的寬度變窄，根據(jù)情況的不同，該堆積物有時(shí)還會(huì)使這些開口閉塞。采用該技術(shù)方案，在執(zhí)行利用碳氟化合物的自由基對第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的所述工序之后，使被處理體暴露在氧的活性種中，因此，能夠減少使開口的寬度變窄的堆積物，從而能夠更可靠地防止開口被閉塞。
[0014]發(fā)明的效果
[0015]如以上說明那樣，在選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻的技術(shù)中，能夠抑制由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域被削去且使處理時(shí)間較短。
【附圖說明】
[0016]圖1是表示一實(shí)施方式的蝕刻方法的流程圖。
[0017]圖2是對作為一實(shí)施方式的蝕刻方法的適用對象的被處理體進(jìn)行例示的剖視圖。
[0018]圖3是概略地表示能夠用于實(shí)施圖1所示的方法的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的圖。
[0019]圖4是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0020]圖5是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0021]圖6是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0022]圖7是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0023]圖8是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0024]圖9是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0025]圖10是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0026]圖11是表示在實(shí)施圖1所示的方法的各工序之后的被處理體的剖視圖。
[0027]圖12是表示另一實(shí)施方式的蝕刻方法的流程圖。
[0028]圖13是表示在執(zhí)行圖12所示的方法的工序ST14之后的被處理體的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下，參照附圖詳細(xì)說明各種實(shí)施方式。此外，在各附圖中，對于相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的附圖標(biāo)記。
[0030]圖1是表示一實(shí)施方式的蝕刻方法的流程圖。圖1所示的方法MT是通過針對被處理體進(jìn)行的等離子體處理來相對于由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域而對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域選擇性地進(jìn)行蝕刻的方法。
[0031]圖2是對作為一實(shí)施方式的蝕刻方法的適用對象的被處理體進(jìn)行例示的剖視圖。如圖2所示，被處理體、即晶圓W具有基板SB、第I區(qū)域R1、第2區(qū)域R2、以及后述的構(gòu)成掩模的有機(jī)膜0L。在一個(gè)例子中，晶圓W是能夠在鰭式場效應(yīng)晶體管的制造中途中制得的晶圓，晶圓W還具有隆起區(qū)域RA、含硅的防反射膜AL以及抗蝕劑掩模RM。
[0032]隆起區(qū)域RA以自基板SB隆起的方式設(shè)置。該隆起區(qū)域RA能夠構(gòu)成例如柵極區(qū)域。第2區(qū)域R2由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成，其設(shè)置在隆起區(qū)域RA的表面和基板SB的表面上。如圖2所示，該第2區(qū)域R2以劃分出凹部的方式延伸。在一個(gè)例子中，凹部的深度為大約150nm，凹部的寬度為大約20nmo
[0033]第I區(qū)域Rl由氧化硅(S12)構(gòu)成并設(shè)置在第2區(qū)域R2上。具體而言，第I區(qū)域Rl以將由第2區(qū)域R2劃分出的凹部填埋且覆蓋該第2區(qū)域R2的方式設(shè)置。
[0034]有機(jī)膜OL設(shè)置在第I區(qū)域Rl上。有機(jī)膜OL可由有機(jī)材料、例如無定形碳構(gòu)成。防反射膜AL設(shè)置在有機(jī)膜OL上。抗蝕劑掩模RM設(shè)置在防反射膜AL上?？刮g劑掩模RM在由第2區(qū)域R2劃分出的凹部上提供具有比該凹部的寬度大的寬度的開口?？刮g劑掩模RM的開口的寬度例如為60nm。這樣的抗蝕劑掩模RM的圖案能通過光刻技術(shù)形成。
[0035]在方法MT中，在等離子體處理裝置內(nèi)對圖2所示的晶圓W那樣的被處理體進(jìn)行處理。圖3是概略地表示能夠用于實(shí)施圖1所示的方法的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的圖。圖3所示的等離子體處理裝置10是電容耦合型等離子體蝕刻裝置，其包括大致圓筒狀的處理容器12。處理容器12的內(nèi)壁面由例如被陽極氧化處理后的鋁構(gòu)成。該處理容器12被安全接地。
[0036]在處理容器12的底部上設(shè)有大致圓筒狀的支承部14。支承部14由例如絕緣材料構(gòu)成。支承部14在處理容器12內(nèi)自處理容器12的底部沿鉛垂方向延伸。另外，在處理容器12內(nèi)設(shè)有載置臺H)。載置臺H)被支承部14支承。
[0037]載置臺PD在其上表面上保持晶圓W。載置臺H)具有下部電極LE和靜電卡盤ESC。下部電極LE包含第I板18a和第2板18b。第I板18a和第2板18b例如由鋁這樣的金屬構(gòu)成，其形成為大致圓盤形狀。第2板18b設(shè)置在第I板18a上，并與第I板18a電連接。
[0038]在第2板18b上設(shè)有靜電卡盤ESC。靜電卡盤ESC具有在一對絕緣層或者一對絕緣片之間配置有作為導(dǎo)電膜的電極的結(jié)構(gòu)。靜電卡盤ESC的電極經(jīng)由開關(guān)23與直流電源22電連接。該靜電卡盤E S C利用由來自直流電源2 2的直流電壓產(chǎn)生的庫侖力等靜電力吸附晶圓W。由此，靜電卡盤ESC能夠保持晶圓W。
[0039]在第2板18b的周緣部上以包圍晶圓W的邊緣和靜電卡盤ESC的方式配置有聚焦環(huán)FR。聚焦環(huán)FR是為了提高蝕刻的均勻性而設(shè)置的。聚焦環(huán)FR由根據(jù)蝕刻對象的膜的材料適當(dāng)?shù)剡x擇的材料構(gòu)成，例如可由石英構(gòu)成。
[0040]在第2板18b的內(nèi)部設(shè)有制冷劑流路24。制冷劑流路24構(gòu)成調(diào)溫機(jī)構(gòu)。將制冷劑從設(shè)于處理容器12的外部的冷卻單元經(jīng)由配管26a供給到制冷劑流路24。被供給到制冷劑流路24的制冷劑經(jīng)由配管26b返回到冷卻單元。這樣，制冷劑在制冷劑流路24與冷卻單元之間中循環(huán)。通過控制該制冷劑的溫度，能夠控制由靜電卡盤ESC支承的晶圓W的溫度。
[0041]此外，在等離子體處理裝置10中設(shè)有氣體供給管線28。氣體供給管線28將來自導(dǎo)熱氣體供給機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱氣體、例如He氣體供給到靜電卡盤ESC的上表面和晶圓W的背面之間。
[0042]此外，等離子體處理裝置10包括上部電極30。上部電極30在載置臺PD的上方與該載置臺ro相對配置。下部電極LE和上部電極30互相大致平行地設(shè)置。在上部電極30和下部電極LE之間形成有用于對晶圓W進(jìn)行等離子體處理的處理空間S。
[0043]上部電極30隔著絕緣性遮蔽構(gòu)件32被支承在處理容器12的上部。在一實(shí)施方式中，上部電極30能夠以與載置臺PD的上表面、即晶圓載置面之間的在鉛垂方向上的距離可變的方式構(gòu)成。上部電極30能夠具有電極板34和電極支承體36。電極板34面向處理空間S，在該電極板34上設(shè)有多個(gè)氣體噴射孔34a。該電極板34在一實(shí)施方式中由硅構(gòu)成。
[0044]電極支承體36用于將電極板34以裝拆自由的方式支承，電極支承體36例如可由鋁這樣的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。該電極支承體36可具有水冷卻結(jié)構(gòu)。在電極支承體36的內(nèi)部設(shè)有氣體擴(kuò)散室36a。與氣體噴出孔34a連通的多個(gè)氣體通流孔36b自該氣體擴(kuò)散室36a向下方延伸。此外，在電極支承體36上形成有用于向氣體擴(kuò)散室36a引導(dǎo)處理氣體的氣體導(dǎo)入口 36c，該氣體導(dǎo)入口 36c與氣體供給管38相連接。
[0045]氣體供給管38經(jīng)由閥組42和流量控制器組44與氣體源組40相連接。氣體源組40包括多個(gè)氣體源。在一個(gè)例子中，氣體源組40包括一個(gè)以上的碳氟化合物氣體的源、稀有氣體的源、氮?dú)?N2氣體)的源、氫氣(H2氣體)的源、以及含氧氣體的源。在一個(gè)例子中，一個(gè)以上的碳氟化合物氣體的源可包括C4F8氣體的源、CF4氣體的源、以及C4F6氣體的源。稀有氣體的源能夠是He氣體、Ne氣體、Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體這樣的任意的稀有氣體的源，在一個(gè)例子中是Ar氣體的源。另外，在一個(gè)例子中，含氧氣體的源能夠是氧氣(O2氣體)的源。此外，含氧氣體也可以是含有氧的任意的氣體，例如，也可以是CO氣體或CO2氣體這樣的氧化碳?xì)怏w。
[0046]閥組42具有多個(gè)閥，流量控制器組44具有質(zhì)量流量控制器這樣的多個(gè)流量控制器。氣體源組40的多個(gè)氣體源分別經(jīng)由閥組42的相應(yīng)的閥和流量控制器組44的相應(yīng)的流量控制器而與氣體供給管38相連接。
[0047]此外，在等離子體處理裝置10中，沉積物屏蔽件46沿著處理容器12的內(nèi)壁以裝拆自由的方式設(shè)置。沉積物屏蔽件46也設(shè)置在支承部14的外周。沉積物屏蔽件46用于防止蝕刻副生成物(沉積物)附著于處理容器12，其能夠通過在鋁材料上覆蓋Y2O3等陶瓷而構(gòu)成。
[0048]在處理容器12的底部側(cè)且在支承部14和處理容器12的側(cè)壁之間設(shè)有排氣板48。排氣板48例如能夠通過在鋁材料上覆蓋Y2O3等陶瓷而構(gòu)成。在該排氣板48的下方且在處理容器12上設(shè)有排氣口 12e。排氣口 12e經(jīng)由排氣管52與排氣裝置50相連接。排氣裝置50具有渦輪分子栗等真空栗，排氣裝置50能夠使處理容器12內(nèi)減壓至目標(biāo)真空度。此外，在處理容器12的側(cè)壁上設(shè)有晶圓W的輸入輸出口 12g，該輸入輸出口 12g能夠利用閘閥54打開或關(guān)閉。
[0049]此外，等離子體處理裝置10還包括第I高頻電源62和第2高頻電源64。第I高頻電源62是產(chǎn)生等離子體生成用的第I高頻電力的電源，其產(chǎn)生例如27MHz?10MHz的頻率的高頻電力。第I高頻電源62通過匹配器66連接于下部電極LE。匹配器66是用于使第I高頻電源62的輸出阻抗和負(fù)荷側(cè)(下部電極LE側(cè))的輸入阻抗匹配的電路。此外，也可以是，第I高頻電源62通過匹配器66連接于上部電極30。
[0050]第2高頻電源64是產(chǎn)生用于向晶圓W吸引離子的高頻偏置電力的電源，其產(chǎn)生例如400kHz?13.56MHz的范圍內(nèi)的頻率的高頻偏置電力。第2高頻電源64經(jīng)由匹配器68連接于下部電極LE。匹配器68是用于使第2高頻電源64的輸出阻抗和負(fù)荷側(cè)(下部電極LE側(cè))的輸入阻抗匹配的電路。
[0051]另外，等離子體處理裝置10還包括電源70。電源70與上部電極30相連接。電源70向上部電極30施加用于將在處理空間S內(nèi)存在的正離子向電極板34吸引的電壓。在一個(gè)例子中，電源70是產(chǎn)生負(fù)的直流電壓的直流電源。在另一個(gè)例子中，電源70也可以是產(chǎn)生較低頻率的交流電壓的交流電源。自電源70施加于上部電極的電壓能夠是一 150V以下的電壓。即，利用電源70對上部電極30施加的電壓能夠是絕對值為150以上的負(fù)的電壓。當(dāng)自電源70向上部電極30施加這樣的電壓時(shí)，在處理空間S內(nèi)存在的正離子沖撞電極板34。由此，自電極板34放出二次電子和/或硅。被放出來的硅與在處理空間S內(nèi)存在的氟的活性種結(jié)合，從而降低氟的活性種的量。
[0052]此外，在一實(shí)施方式中，等離子體處理裝置10還可包括控制部Cnt。該控制部Cnt是包括處理器、存儲部、輸入裝置、顯示裝置等的計(jì)算機(jī)，其用于控制等離子體處理裝置10的各部分。在該控制部Cnt中，使用輸入裝置能夠?yàn)榱斯┎僮髡吖芾淼入x子體處理裝置10而進(jìn)行命令的輸入操作等，而且，利用顯示裝置能夠使等離子體處理裝置10的運(yùn)行狀況可視化地顯示。并且，在控制部Cnt的存儲部中存儲有用于利用處理器控制在等離子體處理裝置10中執(zhí)行的各種處理的控制程序、用于根據(jù)處理?xiàng)l件使等離子體處理裝置10的各部分執(zhí)行處理的程序、即處理制程。
[0053]以下，再次參照圖1來詳細(xì)說明方法MT。在以下的說明中，適當(dāng)參照圖2、圖4?圖
11。圖4?圖11是表示在實(shí)施方法MT的各工序之后的被處理體的剖視圖。此外，在以下的說明中，說明在方法MT中使用圖3所示的一個(gè)等離子體處理裝置10對圖2所示的晶圓W進(jìn)行處理的例子。
[0054]首先，在方法MT中，將圖2所示的晶圓W輸入到等離子體處理裝置10內(nèi)，并將該晶圓W載置在載置臺ro上，利用該載置臺ro來保持該晶圓W。
[0055]在方法MT中，接著，執(zhí)行工序STlο在工序STl中，對防反射膜AL進(jìn)行蝕刻。為此，在工序STl中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。該處理氣體含有碳氟化合物氣體。碳氟化合物氣體能夠含有例如C4F8氣體和CF4氣體中的一種以上的氣體。另外，該處理氣體還能夠含有稀有氣體、例如Ar氣體。另外，在工序STl中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序STl中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力，并向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0056]以下，例示工序STl中的各種條件。
[0057].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr( I.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0058].處理氣體
[0059]C4F8氣體:1sccm?30sccm
[0060]CF4 氣體:150sccm ?300sccm[0061 ] Ar 氣體:200sccm ?500sccm
[0062].等離子體生成用的高頻電力:300W?1000W
[0063]?高頻偏置電力:200W?500W
[0064].電源70的電壓:0V?一500V
[0065]?晶圓W的溫度:20°C?80°C
[0066]在工序STl中，生成處理氣體的等離子體，利用碳氟化合物的活性種對防反射膜AL的自抗蝕劑掩模RM的開口暴露出的部分進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果，如圖4所示，將防反射膜AL的整個(gè)區(qū)域中的、自抗蝕劑掩模RM的開口暴露出的部分去除。即，將抗蝕劑掩模RM的圖案轉(zhuǎn)印到防反射膜AL上，從而在防反射膜AL上提供開口的圖案被形成。此外，能夠利用控制部Cnt來對工序STl中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0067]在接下來的工序ST2中，對有機(jī)膜OL進(jìn)行蝕刻。為此，在工序ST2中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。該處理氣體能夠含有氫氣和氮?dú)狻４送?，在工序ST2中使用的處理氣體只要是能夠?qū)τ袡C(jī)膜進(jìn)行蝕刻的氣體，其就也可以是其他氣體、例如是含有氧氣的處理氣體。另外，在工序ST2中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序ST2中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力，并向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0068]以下，例示工序ST2中的各種條件。
[0069].處理容器內(nèi)壓力:50mTorr(6.65Pa)?200mTorr(26.6Pa)
[0070].處理氣體
[0071]N2 氣體:200sccm ?400sccm
[0072]H2 氣體:200sccm ?400sccm
[0073].等離子體生成用的高頻電力:500W?2000W
[0074]?高頻偏置電力:200W?500W
[0075].電源70的電壓:0V
[0076]?晶圓W的溫度:20 Γ?80 Γ
[0077]在工序ST2中，生成處理氣體的等離子體，對有機(jī)膜OL的自防反射膜AL的開口暴露出的部分進(jìn)行蝕刻。另外，也對抗蝕劑掩模RM進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果，如圖5所示，將抗蝕劑掩模RM去除，并將有機(jī)膜OL的整個(gè)區(qū)域中的、自防反射膜AL的開口暴露出的部分去除。即，將防反射膜AL的圖案轉(zhuǎn)印到有機(jī)膜OL上，從而在有機(jī)膜OL上提供開口MO的圖案被形成，由該有機(jī)膜OL生成掩模MK。此外，能夠利用控制部Cnt來對工序ST2中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0078]在一實(shí)施方式中，在執(zhí)行工序ST2之后執(zhí)行工序ST3。在工序ST3中，對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻，直至使第2區(qū)域R2即將暴露為止。即，對該第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻，直至在第2區(qū)域R2上稍微留有第I區(qū)域Rl為止。為此，在工序ST3中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。該處理氣體含有碳氟化合物氣體。另外，該處理氣體還能夠含有稀有氣體、例如Ar氣體。另外，該處理氣體還能夠含有氧氣。另外，在工序ST3中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序ST3中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力，并向下部電極LE來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0079]在工序ST3中，生成處理氣體的等離子體，利用碳氟化合物的活性種對第I區(qū)域Rl的自掩模MK的開口暴露出的部分進(jìn)行蝕刻。對該工序ST3的處理時(shí)間進(jìn)行設(shè)定，使得在該工序ST3結(jié)束時(shí)在第2區(qū)域R2上留有規(guī)定膜厚的第I區(qū)域Rl。執(zhí)行該工序ST3的結(jié)果是，如圖6所示，局部地形成上部開口 U0。此外，能夠利用控制部Cnt來對工序ST3中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0080]在此，在后述的工序ST11中，選擇這樣的條件:相比第I區(qū)域RI的蝕刻，成為堆積物的形成為優(yōu)先的模式、即堆積模式，該堆積物的形成是指在具有第I區(qū)域Rl的晶圓W的表面上形成含有碳氟化合物的堆積物。另一方面，在工序ST3中，選擇這樣的條件:相比堆積物的形成，成為第I區(qū)域Rl的蝕刻為優(yōu)先的模式、即蝕刻模式。因此，在一個(gè)例子中，在工序ST3中利用的碳氟化合物氣體能夠含有C4F8氣體和CF4氣體中的一種以上的氣體。該例子中的碳氟化合物氣體是氟原子數(shù)與碳原子數(shù)之比(即，氟原子數(shù)/碳原子數(shù))高于在工序STll中利用的碳氟化合物氣體的氟原子數(shù)與碳原子數(shù)之比(即，氟原子數(shù)/碳原子數(shù))的碳氟化合物氣體。另外，在一個(gè)例子中，為了提高碳氟化合物氣體的解離度，能夠?qū)⒃诠ば騍T3中利用的等離子體生成用的高頻電力設(shè)定為比在工序STll中利用的等離子體生成用的高頻電力大的電力。采用這些例子，能夠?qū)崿F(xiàn)蝕刻模式。另外，在一個(gè)例子中，能夠?qū)⒃诠ば騍T3中利用的高頻偏置電力也設(shè)定為比工序STl I的高頻偏置電力的大的電力。采用該例子，能夠提高被向晶圓W吸引的離子的能量，從而能夠?qū)Φ贗區(qū)域Rl高速地進(jìn)行蝕刻。
[0081 ]以下，例示工序ST3中的各種條件。
[0082].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr(1.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0083].處理氣體
[0084]C4F8氣體:1sccm?30sccm
[0085]CF4 氣體:50sccm ?150sccm
[0086]Ar 氣體:500sccm ?100sccm
[0087]02氣體:1sccm?30sccm
[0088].等離子體生成用的高頻電力:500W?2000W
[0089]?高頻偏置電力:500W?2000W
[0090].電源70的電壓:0V?600V
[0091]?晶圓W的溫度:20 °C?80 °C
[0092]在一實(shí)施方式中，接著，執(zhí)行工序ST4。在工序ST4中，在處理容器12內(nèi)生成含有含氧氣體的處理氣體的等離子體。為此，在工序ST4中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。在一個(gè)例子中，該處理氣體能夠含有作為含氧氣體的氧氣。另外，處理氣體還能夠含有稀有氣體(例如Ar氣體)或氮?dú)膺@樣的非活性氣體。另外，在工序ST4中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序ST4中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力。此外，在工序ST4中，也可以不向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0093]在工序ST4中，生成氧的活性種，利用該氧的活性種使掩模MK的開口MO的上端部分?jǐn)U大。具體而言，如圖7所示，以使掩模MK的劃分出開口 MO的上端部分的上側(cè)肩部形成錐形的方式對該上側(cè)肩部進(jìn)行蝕刻。由此，即使在以后的工序中生成的堆積物附著在掩模MK的劃分出開口MO的面上，也能夠減少該開口MO的寬度的縮小量。此外，能夠利用控制部Cnt對工序ST4中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0094]在此，在后述的工序ST12中，使在序列SQ中形成的微量的堆積物減少，但需要抑制堆積物的過量的減少。另一方面，工序ST4是為了使掩模MK的開口 MO的上端部分的寬度擴(kuò)大而執(zhí)行的工序，而要求其處理時(shí)間較短。
[0095]以下，例示工序ST4中的各種條件。
[0096].處理容器內(nèi)壓力:30mTorr(3.99Pa)?200mTorr(26.6Pa)
[0097].處理氣體
[0098]02 氣體:50sccm ?500sccm
[0099]Ar 氣體:200sccm ?1500sccm
[0100].等離子體生成用的高頻電力:100W?500W
[0101]?高頻偏置電力:OW?200W
[0102].電源70的電壓:0V
[0103]?晶圓W的溫度:20 °C?200 °C
[0104]接著，在方法MT中，為了在包括使第2區(qū)域R2暴露時(shí)在內(nèi)的期間內(nèi)對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻而執(zhí)行一次以上的序列SQ。在序列SQ中，首先，執(zhí)行工序STll。在工序STll中，在容納有晶圓W的處理容器12內(nèi)生成處理氣體(第I處理氣體)的等離子體。為此，在工序STll中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。該處理氣體含有碳氟化合物氣體。另外，該處理氣體還能夠含有稀有氣體、例如Ar氣體。另外，在工序STll中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，工序STl I中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力。
[0105]在工序STll中，生成含有碳氟化合物氣體的處理氣體的等離子體，解離了的碳氟化合物堆積在晶圓W的表面上而形成堆積物DP(參照圖8)。能夠利用控制部Cnt對該工序STl I中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0106]如上所述，在工序STll中，選擇成為堆積模式的條件。因此，在一個(gè)例子中，作為碳氟化合物氣體而利用C4F6氣體。
[0107]以下，例示工序STll中的各種條件。
[0108].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr(1.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0109].處理氣體C4F6氣體:2sccm?1sccm
[0110]Ar 氣體:500sccm ?1500sccm
[0111].等離子體生成用的高頻電力:100W?500W
[0112]?高頻偏置電力:OW
[0113]?電源70的電壓:0V?600V
[0114]?晶圓W的溫度:20°C?200°C
[0115]在一實(shí)施方式的序列SQ中，接著，執(zhí)行工序ST12。在工序ST12中，在處理容器12內(nèi)生成含有含氧氣體和非活性氣體的處理氣體(第3處理氣體)的等離子體。為此，在工序ST12中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。在一個(gè)例子中，該處理氣體含有作為含氧氣體的氧氣。另外，在一個(gè)例子中，該處理氣體含有作為非活性氣體的Ar氣體這樣的稀有氣體。非活性氣體也可以是氮?dú)狻Ａ硗?，在工序ST12中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，工序ST12中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力。在工序STl2中，也可以不向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0116]在工序ST12中，生成氧的活性種，利用該氧的活性種來使晶圓W上的堆積物DP的量適度地減少(參照圖9)。其結(jié)果，能夠防止開口MO和上部開口 UO被過量的堆積物DP閉塞。另夕卜，由于在工序ST12中利用的處理氣體中的氧氣被非活性氣體稀釋，因此能夠抑制堆積物DP被過量地去除。能夠利用控制部Cnt對該工序ST12中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0117]以下，例示工序ST12中的各種條件。
[0118].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr(1.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0119]?處理氣體
[0120]02 氣體:2sccm ?20sccm
[0121]Ar 氣體:500sccm ?1500sccm
[0122].等離子體生成用的高頻電力:100W?500W
[0123]?高頻偏置電力:OW
[0124].電源70的電壓:0V
[0125]?晶圓W的溫度:20 °C?200 °C
[0126]在一實(shí)施方式中，能夠是，各次的序列SQ的工序ST12執(zhí)行兩秒以上，且在工序ST12中以Inm/每秒以下的速度對堆積物DP進(jìn)行蝕刻。在使用等離子體處理裝置10那樣的等離子體處理裝置來執(zhí)行序列SQ時(shí)，為了在工序STll、工序ST12、以及工序ST13的各工序之間進(jìn)行轉(zhuǎn)變，需要花費(fèi)時(shí)間對氣體進(jìn)行切換。因而，若考慮到穩(wěn)定放電所需的時(shí)間，則工序ST12需要執(zhí)行兩秒以上。然而，當(dāng)這樣的時(shí)間長度的期間內(nèi)的堆積物DP的蝕刻速度過高時(shí)，用于保護(hù)第2區(qū)域R2的堆積物有可能被過量地去除。因此，在工序ST12中，以Inm/每秒以下的速度對堆積物DP進(jìn)行蝕刻。由此，能夠?qū)π纬稍诰AW上的堆積物DP的量適度地進(jìn)行調(diào)整。此外，能夠通過自所述條件中選擇處理容器內(nèi)的壓力、處理氣體中的氧被稀有氣體稀釋的程度、即氧濃度和等離子體生成用的高頻電力來實(shí)現(xiàn)工序STl 2中的、堆積物DP被以Inm/每秒以下的速度蝕刻。
[0127]在序列SQ中，接著，執(zhí)行工序ST13。在工序ST13中，對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻。為此，在工序ST13中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。該處理氣體含有非活性氣體。在一個(gè)例子中，非活性氣體能夠是Ar氣體這樣的稀有氣體。或者，非活性氣體也可以是氮?dú)?。另外，在工序ST13中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序ST13中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力。另外，在工序STl3中，向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。
[0128]以下，例示工序ST13中的各種條件。
[0129].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr(1.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0130]?處理氣體
[0131]Ar 氣體:500sccm ?1500sccm
[0132].等離子體生成用的高頻電力:100W?500W
[0133]?高頻偏置電力:20W?300W
[0134]在工序ST13中，生成非活性氣體的等離子體，離子被向晶圓W吸引。然后，利用堆積物DP所含有的碳氟化合物的自由基對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻(參照圖10)。能夠利用控制部Cnt對該工序ST13中的所述等離子體處理裝置10的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制。
[0135]在方法MT中，序列SQ是在包含使第2區(qū)域R2暴露時(shí)在內(nèi)的期間內(nèi)執(zhí)行的。在序列SQ的工序ST11中，如圖8所示，在晶圓W上形成堆積物DP O此外，在圖8中，示出了對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻而使第2區(qū)域R2暴露并在該第2區(qū)域R2上形成有堆積物DP的狀態(tài)。該堆積物DP保護(hù)第2區(qū)域R2ο然后，在序列SQ的工序STl2中，如圖9所示，使在工序STl I中形成的堆積物DP的量減少。然后，在序列SQ的工序ST13中，利用堆積物DP所含有的碳氟化合物的自由基對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻。通過該序列SQ，使第2區(qū)域R2暴露并利用堆積物DP來保護(hù)第2區(qū)域R2，第I區(qū)域Rl的位于由第2區(qū)域R2提供的凹部內(nèi)的部分被稍微蝕刻。由此，如圖10所示，逐漸形成下部開口 L0。
[0136]序列SQ重復(fù)一次以上。因而，如圖1所示，在執(zhí)行工序ST13之后，在工序STJ中，對是否滿足停止條件進(jìn)行判斷。在序列SQ被執(zhí)行了規(guī)定次數(shù)時(shí)，判斷為滿足停止條件。在工序STJ中，在判斷為不滿足停止條件的情況下，自工序STll起執(zhí)行序列SQ。另一方面，在工序STJ中，在判斷為滿足停止條件的情況下，接著執(zhí)行工序ST5。
[0137]在工序ST5中，進(jìn)一步對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻。在工序ST5中，從自氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇出的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體(第2處理氣體)ο該處理氣體含有碳氟化合物氣體。另外，該處理氣體還能夠含有稀有氣體、例如Ar氣體。另外，該處理氣體還能夠含有氧氣。另外，在工序ST5中，通過使排氣裝置50工作而將處理容器12內(nèi)的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且，在工序ST5中，向下部電極LE供給來自第I高頻電源62的高頻電力。另外，向下部電極LE供給來自第2高頻電源64的高頻偏置電力。此外，在工序ST5中，能夠自電源70對上部電極30施加具有負(fù)的電壓值的電壓。
[0138]在工序ST5中，生成處理氣體的等離子體，利用碳氟化合物的活性種對第I區(qū)域Rl的位于凹部內(nèi)的部分進(jìn)行蝕刻。在一實(shí)施方式的工序ST5中，如圖11所示，對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻，直至使凹部的底部暴露。即，在工序ST5中，處理氣體的等離子體連續(xù)地生成而繼續(xù)對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻，直至凹部的底部。
[0139]在該工序ST5中，選擇這樣的條件:相比碳氟化合物的堆積物的形成，成為利用碳氟化合物的活性種對第I區(qū)域Rl進(jìn)行的蝕刻為優(yōu)先的模式、即蝕刻模式。因此，在一個(gè)例子中，在工序ST5中利用的碳氟化合物氣體是C4F6氣體。此外，在工序ST5中利用的碳氟化合物氣體也可以能夠含有C4F8氣體和CF4氣體中的一種以上的氣體。另外，在一個(gè)例子中，為了提高碳氟化合物氣體的解離度，能夠?qū)⒃诠ば騍T5中利用的等離子體生成用的高頻電力設(shè)定為比在工序STll中利用的等離子體生成用的高頻電力大的電力。采用這些例子，能夠?qū)崿F(xiàn)蝕刻模式。另外，在一個(gè)例子中，能夠?qū)⒃诠ば騍T5中利用的高頻偏置電力也設(shè)定為比工序STll的高頻偏置電力的大的電力。采用該例子，能夠提高被向晶圓W吸引的離子的能量，從而能夠?qū)Φ贗區(qū)域Rl高速地進(jìn)行蝕刻。
[0140]以下，例示工序ST5中的各種條件。
[0141].處理容器內(nèi)壓力:10mTorr(1.33Pa)?50mTorr(6.65Pa)
[0142].處理氣體
[0143]C4F6 氣體:2sccm ?1sccm
[0144]Ar 氣體:500sccm ?2000sccm
[0145]O2 氣體:2sccm ?20sccm
[0146].等離子體生成用的高頻電力:100W?500W
[0147]?高頻偏置電力:20W?300W
[0148].電源70的電壓:0V?900V
[0149]?晶圓W的溫度:20 cC?200 cC
[0150]在所述方法MT的序列SQ中，在第2區(qū)域R2暴露時(shí)使碳氟化合物的堆積物DP形成在晶圓W上，然后利用該堆積物DP中的自由基對第I區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻。采用這樣的序列SQ，雖然蝕刻速度較低，但能夠?qū)Φ贗區(qū)域Rl進(jìn)行蝕刻且抑制第2區(qū)域在暴露時(shí)被削去。在方法MT中，在利用通過執(zhí)行該序列SQ而形成的堆積物DP來保護(hù)第2區(qū)域R2的狀態(tài)下執(zhí)行工序ST5。在工序ST5中，利用碳氟化合物氣體的等離子體對第I區(qū)域進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。該工序ST5中的第I區(qū)域Rl的蝕刻速度高于序列SQ中的第I區(qū)域Rl的蝕刻速度。因而，與重復(fù)地執(zhí)行序列SQ而將第I區(qū)域RI蝕刻至凹部的底部的情況下的處理時(shí)間相比，方法M T的處理時(shí)間大幅縮短。因此，采用方法MT，能夠同時(shí)抑制第2區(qū)域R2被削去和縮短第I區(qū)域Rl的蝕刻所需的處理時(shí)間。
[0151]以下，說明另一實(shí)施方式的蝕刻方法。圖12是表示另一實(shí)施方式的蝕刻方法的流程圖。圖13是表示在執(zhí)行圖12所示的方法的工序ST14之后的被處理體的剖視圖。圖12所示的方法MT2的序列SQ還包括在執(zhí)行工序ST13之后執(zhí)行的工序ST14，在這點(diǎn)上，方法MT2與方法MT不同。該工序ST14是與工序ST12相同的工序。作為工序ST14的處理中的條件，能夠采用與工序ST12的處理有關(guān)的所述條件。
[0152]如上所述，在工序ST13中，離子被向晶圓W吸引。由此，自晶圓W放出構(gòu)成堆積物DP的物質(zhì)，該物質(zhì)再次附著在晶圓W上，從而如圖10所示那樣形成堆積物DP而使開口MO和下部開口LO的寬度變窄。根據(jù)情況的不同，該堆積物DP有時(shí)還會(huì)使開口MO和下部開口LO閉塞。在方法MT2中，通過執(zhí)行工序ST14，與工序ST12同樣地，使圖10所示的晶圓W暴露在氧的活性種中。由此，如圖13所示，能夠減少使開口MO和下部開口 LO的寬度變窄的堆積物DP，從而能夠更可靠地防止開口 MO和下部開口 LO被閉塞。
[0153]以上，說明了各種實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于所述實(shí)施方式，而能夠構(gòu)成各種變形形態(tài)。例如，在實(shí)施方法MT和方法MT2的過程中，向下部電極LE供給等離子體生成用的高頻電力，但也可以向上部電極30供給該高頻電力。另外，在實(shí)施方法MT和方法MT2時(shí)，能夠使用等離子體處理裝置10以外的等離子體處理裝置。具體而言，能夠使用如電感耦合型等離子體處理裝置或用于利用微波這樣的表面波來生成等離子體的等離子體處理裝置那樣的任意的等離子體處理裝置來實(shí)施方法MT和方法MT2。
[0154]另外，在方法MT的序列SQ中，也可以改變工序ST11、工序ST12、以及工序ST13的執(zhí)行順序。例如，在方法MT的序列SQ中，也可以在執(zhí)行工序ST13之后執(zhí)行工序ST12。
[0155]附圖標(biāo)記說明
[0156]10、等離子體處理裝置；12、處理容器；30、上部電極；PD、載置臺；LE、下部電極；ESC、靜電卡盤;40、氣體源組;42、閥組;44、流量控制器組;50、排氣裝置;62、第I高頻電源；64、第2高頻電源;Cnt、控制部;W、晶圓;R1、第I區(qū)域;R2、第2區(qū)域;0L、有機(jī)膜;AL、防反射膜；MK、掩模;DP、堆積物。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蝕刻方法，其通過針對被處理體進(jìn)行的等離子體處理來相對于由氮化硅構(gòu)成的第2區(qū)域而選擇性地對由氧化硅構(gòu)成的第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻，其中， 所述被處理體具有劃分出凹部的所述第2區(qū)域、以將該凹部填埋且覆蓋所述第2區(qū)域的方式設(shè)置的所述第I區(qū)域、以及設(shè)置在所述第I區(qū)域上的掩模，該掩模在所述凹部之上提供具有寬度比該凹部的寬度大的開口， 該蝕刻方法包括一次以上的序列和在執(zhí)行所述一次以上的序列之后的的第3工序，該一次以上的序列是為了在包括使所述第2區(qū)域暴露時(shí)在內(nèi)的期間內(nèi)對所述第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻而執(zhí)行的， 該一次以上的序列中的各個(gè)序列具有如下工序: 第I工序，在該第I工序中，在容納有所述被處理體的處理容器內(nèi)生成含有碳氟化合物氣體的第I處理氣體的等離子體，以便在所述被處理體上形成含有碳氟化合物的堆積物；以及 第2工序，在該第2工序中，利用所述堆積物所含有的碳氟化合物的自由基來對所述第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻， 在所述第3工序中，利用在所述處理容器內(nèi)生成的、含有碳氟化合物氣體的第2處理氣體的等離子體來對所述第I區(qū)域進(jìn)行蝕刻。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中， 在所述第3工序中，對所述第I區(qū)域連續(xù)地進(jìn)行蝕刻，直至所述凹部的底部。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其中， 所述一次以上的序列中的各個(gè)序列還具有第4工序，在該第4工序中，在容納有所述被處理體的所述處理容器內(nèi)生成含有含氧氣體和非活性氣體的第3處理氣體的等離子體的工序。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蝕刻方法，其中， 在所述一次以上的序列中的各個(gè)序列中，在所述第I工序與所述第2工序之間，執(zhí)行所述第4工序， 所述一次以上的序列中的各個(gè)序列在執(zhí)行所述第2工序之后還具有所述第4工序。
【文檔編號】H01L21/311GK105914144SQ201610098824
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月23日
【發(fā)明人】渡邊光, 辻晃弘
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社