半導(dǎo)體封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝方法，包括：提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成有焊盤圖形；在所述焊盤圖形上焊接焊料，且形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面所述焊料。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠降低焊料和半導(dǎo)體芯片之間發(fā)生斷裂的幾率，提高焊料和半導(dǎo)體芯片之間連接的可靠性。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與傳統(tǒng)的封裝技術(shù)相比，倒裝芯片封裝技術(shù)無(wú)需引線鍵合，能夠形成最短電路，降低電阻，縮小封裝體積，是芯片封裝的主流發(fā)展方向。如圖1所示，倒裝芯片封裝技術(shù)主要是在芯片10正面的I/O引出電極101上植上焊錫球102，然后通過(guò)回流焊接使焊錫球102和I/O引出電極101形成連接。之后將芯片10的正面朝下向著基板11，加熱以利用熔融的焊錫球102將芯片10與基板11相結(jié)合。
[0003]然而，現(xiàn)有的封裝技術(shù)中，芯片10和焊錫球102之間僅是通過(guò)I/O引出電極101連接，使得芯片10和焊錫球102之間的接合面積較小，容易導(dǎo)致連接處形成斷裂，降低連接的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體封裝方法，能夠降低焊料和半導(dǎo)體芯片之間發(fā)生斷裂的幾率，提高焊料和半導(dǎo)體芯片之間連接的可靠性。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種半導(dǎo)體封裝方法，包括:提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成有焊盤圖形;在所述焊盤圖形上焊接焊料，且形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料。
[0006]其中，所述焊料和所述焊盤圖形之間為焊接部;所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括:在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部，使所述補(bǔ)強(qiáng)部圍繞且連接所述焊接部。
[0007]其中，所述在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括:使所述焊料與所述補(bǔ)強(qiáng)部在所述半導(dǎo)體芯片表面上的垂直投影的外邊界對(duì)齊。
[0008]其中，所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括:采用低溫固化型介電材料在所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成具有彈性的補(bǔ)強(qiáng)部，并使所述補(bǔ)強(qiáng)部連接所述焊料。
[0009]其中，所述在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括:在所述半導(dǎo)體芯片的表面涂布正型感光低溫固化型介電材料，且使得所述焊料與焊料周圍的所述半導(dǎo)體芯片表面之間填充所述正型感光低溫固化型介電材料;采用正對(duì)所述半導(dǎo)體芯片表面的光線，以所述焊料為自對(duì)準(zhǔn)光罩對(duì)所述正型感光低溫固化型介電材料進(jìn)行曝光;進(jìn)行顯影處理，以除去被光照射的正型感光低溫固化型介電材料；固化未被光照射的正型感光低溫固化型介電材料，以形成所述補(bǔ)強(qiáng)部。
[0010]其中，所述焊盤圖形為第一電極層，所述在所述焊盤圖形上焊接焊料的步驟之前，包括:在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成介電層;在所述焊盤圖形上形成第二電極層;在所述焊盤圖形上焊接焊料的步驟包括:在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料;所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括:在所述介電層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部，并使所述補(bǔ)強(qiáng)部連接所述焊料。
[0011]其中，在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成介電層的步驟之前，包括:在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成鈍化層。
[0012]其中，在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料的步驟之前，包括:在所述介電層、所述焊盤圖形上形成濺射層;所述在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料的步驟包括:在所述焊盤圖形對(duì)應(yīng)的濺射層上形成所述第二電極層;在所述介電層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括:在所述介電層上的濺射層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部;所述在所述介電層上的濺射層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟之后，包括:除去未被所述補(bǔ)強(qiáng)部覆蓋的濺射層。
[0013]其中，所述提供半導(dǎo)體芯片的步驟包括:還提供封裝基板;所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟之后，包括:使所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)所述焊料焊接在所述封裝基板上。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝方法中，在半導(dǎo)體芯片的焊盤圖形上焊接焊料，且在半導(dǎo)體芯片的表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部，并使補(bǔ)強(qiáng)部連接部分焊料，由此通過(guò)補(bǔ)強(qiáng)部連接半導(dǎo)體芯片和焊料，可以增加焊料和半導(dǎo)體芯片之間的接合面積，能夠降低焊料和半導(dǎo)體芯片之間發(fā)生斷裂的幾率，有利于提高焊料和半導(dǎo)體芯片之間連接的可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)一種倒裝芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法一實(shí)施方式的流程圖；
[0017]圖3是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法一實(shí)施方式的流程示意圖，圖中示出各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；
[0018]圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法另一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片的表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部的流程示意圖，圖中示出步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；
[0019]圖5是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片的表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部的流程示意圖，圖中示出各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；
[0020]圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式的流程示意圖，圖中示出各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意；
[0021]圖7是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體芯片的表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部之后的流程示意圖，圖中示出步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意。
【具體實(shí)施方式】
[0022]在以下描述中闡述了具體的細(xì)節(jié)以便充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0023]針對(duì)【背景技術(shù)】中提到的缺陷，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝方法。下面將結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0024]參閱圖2，本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法一實(shí)施方式中，包括如下步驟:
[0025]步驟S201:提供半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片的表面上形成有焊盤圖形。
[0026]結(jié)合圖3，如圖3所示的步驟S301，首先提供半導(dǎo)體芯片20。其中半導(dǎo)體芯片20上的焊盤圖形201例如可以是位于半導(dǎo)體芯片20的正面，焊盤圖形201為半導(dǎo)體芯片20的輸入/輸出引出電極。
[0027]步驟S202:在焊盤圖形上焊接焊料，且形成補(bǔ)強(qiáng)部連接半導(dǎo)體芯片的表面和焊料。
[0028]結(jié)合圖3所示的步驟S302，在本實(shí)施方式中，先在焊盤圖形201上焊接焊料21，然后形成補(bǔ)強(qiáng)部22連接半導(dǎo)體芯片20的表面和焊料21。其中，圖3所示結(jié)構(gòu)作為一種示例，僅是示出了兩個(gè)焊盤圖形201，每個(gè)焊盤圖形201上分別焊接有焊料21，且每個(gè)焊料21和半導(dǎo)體芯片20之間分別通過(guò)一個(gè)補(bǔ)強(qiáng)部22連接，其中焊盤圖形201的數(shù)量可根據(jù)實(shí)際電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)置，對(duì)此不做限定。
[0029]其中，在一種實(shí)現(xiàn)方式中，補(bǔ)強(qiáng)部22為絕緣結(jié)構(gòu)連接在半導(dǎo)體芯片20和焊料21之間，在另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，補(bǔ)強(qiáng)部22也可以是導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0030]因此，本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片20和焊料21之間除了通過(guò)焊料21和焊盤圖形201焊接在一起之外，還利用補(bǔ)強(qiáng)部22連接半導(dǎo)體芯片20和焊料21，由此增加了半導(dǎo)體芯片20和焊料21之間的接合面積，提升連接處的機(jī)械強(qiáng)度，當(dāng)半導(dǎo)體芯片20掉落時(shí)補(bǔ)強(qiáng)部22可以吸收應(yīng)力，并阻礙裂縫延伸穿透界面，從而能夠降低半導(dǎo)體芯片20和焊料21之間發(fā)生斷裂的幾率，有利于提高連接的可靠性。
[0031 ]當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，也可以是先在半導(dǎo)體芯片20上形成補(bǔ)強(qiáng)部22，然后在焊盤圖形201上焊接焊料21，并使焊料21與補(bǔ)強(qiáng)部22連接。
[0032]參閱圖4，在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法另一實(shí)施方式中，焊料21為呈橢圓狀的焊錫球。焊料21和焊盤圖形201之間為焊接部30。
[0033]其中，形成補(bǔ)強(qiáng)部22連接半導(dǎo)體芯片20的表面和焊料21的步驟包括:在焊接部30周側(cè)的半導(dǎo)體芯片20表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部22，并使補(bǔ)強(qiáng)部22圍繞且連接焊接部30。即在本實(shí)施方式中，補(bǔ)強(qiáng)部22圍繞在焊錫球的周圍以形成凹槽結(jié)構(gòu)而包裹焊錫球的下半部分(即靠近焊接部30的下半部分焊錫球)，其形成在半導(dǎo)體芯片20的靠近焊接部30的周邊且與焊錫球(即焊料21)連接，并且補(bǔ)強(qiáng)部22與焊接部30的邊緣無(wú)縫對(duì)接。
[0034]其中，在制作過(guò)程中，可以利用光罩在半導(dǎo)體芯片20上形成如圖4所示的補(bǔ)強(qiáng)部22的圖案。更具體地，在形成補(bǔ)強(qiáng)部22的具體步驟中，先在半導(dǎo)體芯片20的表面和焊料21的表面上均涂布用于形成補(bǔ)強(qiáng)部22的正型感光材料，然后采用一道光罩對(duì)正型感光材料進(jìn)行曝光，曝光之后進(jìn)行顯影處理，以除去被光線照射的正型感光材料，之后固化剩余的正型感光材料從而得到圖4所示的補(bǔ)強(qiáng)部22。
[0035]本實(shí)施方式中，通過(guò)在焊接部30周圍都形成補(bǔ)強(qiáng)部22，可以進(jìn)一步增加焊料21和半導(dǎo)體芯片20之間的接合面積，從而進(jìn)一步提高焊料21和半導(dǎo)體芯片20之間連接的可靠性。此外，通過(guò)補(bǔ)強(qiáng)部22的凹槽結(jié)構(gòu)，在后續(xù)焊料21和封裝基板進(jìn)行焊接時(shí)，可以使得熔融的焊料不易于向外擴(kuò)張，能夠減小焊料21之丨司發(fā)生橋接的概率，有利于提尚基板組裝良率，且更有利于實(shí)現(xiàn)細(xì)間距組裝。
[0036]在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，形成補(bǔ)強(qiáng)部22連接半導(dǎo)體芯片20的表面和焊料21的步驟包括，采用低溫固化型介電材料在半導(dǎo)體芯片20的表面上形成具有彈性的補(bǔ)強(qiáng)部22，并使補(bǔ)強(qiáng)部22連接焊料21。通過(guò)形成具有彈性的補(bǔ)強(qiáng)部22，可以使得補(bǔ)強(qiáng)部22能夠更好地吸收應(yīng)力，從而可以進(jìn)一步降低焊料21和半導(dǎo)體芯片20之間的焊接部30發(fā)生斷裂的幾率。
[0037]參閱圖5，在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式中，進(jìn)一步地，焊料21與補(bǔ)強(qiáng)部22在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影的外邊界對(duì)齊。更具體地，如圖5所示，在焊接部30周側(cè)的半導(dǎo)體芯片20表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部22的步驟包括:
[0038]步驟S501，在半導(dǎo)體芯片20的表面和焊料21的表面涂布正型感光低溫固化型介電材料22’，且使得焊料21與焊料21周圍的半導(dǎo)體芯片20表面之間填充正型感光低溫固化型介電材料22’。
[0039]其中，正型感光低溫固化型介電材料22’具有彈性，以使得所形成的補(bǔ)強(qiáng)部22具有彈性。所述正型感光低溫固化型介電材料22’具體是指在低溫條件下固化的介電材料，且被光照后能夠被顯影液除去的介電材料。
[0040]步驟S502，采用正對(duì)半導(dǎo)體芯片20表面的光線，以焊料21為自對(duì)準(zhǔn)光罩對(duì)正型感光低溫固化型介電材料22’進(jìn)行曝光。其中，如圖所示，以圖5的視圖為準(zhǔn)，光線50自焊料21上方垂直照射正型感光低溫固化型介電材料22’。
[0041]步驟S503，進(jìn)行顯影處理，以除去被曝光的正型感光低溫固化型介電材料22’。
[0042]本實(shí)施方式中，焊料21為呈橢圓狀的焊錫球，因此，當(dāng)光線50在焊料21上方正對(duì)半導(dǎo)體芯片20表面垂直照射時(shí)，在焊料21位于半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影區(qū)域AB內(nèi)的正型感光低溫固化型介電材料22’將會(huì)被焊料21所遮擋而未被光線50照射，而位于其他區(qū)域的正型感光低溫固化型介電材料22’則被光線50照射。
[0043]因此，在顯影處理之后，位于焊料21在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影區(qū)域AB內(nèi)的正型感光低溫固化型介電材料22’被保留，而其他區(qū)域的正型感光低溫固化型介電材料22’則被除去。
[0044]步驟S504，固化未被光照射的正型感光低溫固化型介電材料22’，以形成補(bǔ)強(qiáng)部22，由此使得所形成的補(bǔ)強(qiáng)部22與焊料21在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影的外邊界對(duì)齊。
[0045]其中，在低溫條件進(jìn)行固化。
[0046]通過(guò)上述方式，采用焊料21為自對(duì)準(zhǔn)光罩進(jìn)行曝光以形成補(bǔ)強(qiáng)部22，能夠簡(jiǎn)化工藝，節(jié)省成本。
[0047]可以理解的是，補(bǔ)強(qiáng)部22的截面形狀和所在位置并不限于上述實(shí)施方式所描述的形狀和位置，補(bǔ)強(qiáng)部22在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影的外邊界還可以是在焊料21的垂直投影外邊界之外，例如圖4所示的結(jié)構(gòu)。或者補(bǔ)強(qiáng)部22在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影的外邊界還可以是在焊料21的垂直投影外邊界之內(nèi)。并且，補(bǔ)強(qiáng)部22的截面形狀也可以是不規(guī)則圖形等，只要使補(bǔ)強(qiáng)部22連接半導(dǎo)體芯片20和焊料21即可。
[0048]在其他實(shí)施方式中，補(bǔ)強(qiáng)部22的材料還可以是高溫固化型介電材料，且可以是負(fù)型感光介電材料，對(duì)此不做限定。并且，焊料21還可以是呈圓柱體、方體、錐體等形狀，此外，焊料21可以是其他的焊接材料。
[0049]另外，在其他的實(shí)施方式中，也可以采用額外的光罩對(duì)正型感光低溫固化型介電材料22’進(jìn)行曝光，利用光罩遮擋位于焊料21在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影區(qū)域內(nèi)的介電材料22’，以形成圖5所示的補(bǔ)強(qiáng)部22，使得補(bǔ)強(qiáng)部22和焊料21在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影的外邊界對(duì)齊。此時(shí)用于曝光的光線可以是斜對(duì)半導(dǎo)體芯片20的表面。
[0050]參閱圖6，在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式中，焊盤圖形201為第一電極層，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝方法包括如下步驟:
[0051 ]步驟S601，提供半導(dǎo)體芯片20，在半導(dǎo)體芯片20除焊盤圖形201之外的其他表面上依次形成鈍化層25、介電層23。通過(guò)鈍化層25可以保護(hù)半導(dǎo)體芯片20。
[0052]步驟S602，在介電層23、焊盤圖形201上形成濺射層26。其中，可以采用濺射的工藝形成濺射層26，濺射層26具有導(dǎo)電性。
[0053]步驟S603，在焊盤圖形201上的濺射層26上形成第二電極層24，并在第二電極層24上焊接焊料21。其中，可以采用光刻膠、電解化學(xué)鍍等工藝形成第二電極層24。因此，本實(shí)施方式中，在焊盤圖形201上焊接焊料21的具體步驟包括:在焊盤圖形201上的第二電極層24上焊接焊料21。
[0054]步驟S604，在濺射層26的表面涂布正型感光低溫固化型介電材料22’，并且使得焊料21和濺射層26的表面之間填充正型感光低溫固化型介電材料22’。
[0055]步驟S605，對(duì)正型感光低溫固化型介電材料22’進(jìn)行曝光，并進(jìn)行顯影處理，以除去被光照射的正型感光低溫固化型介電材料22’，并保留位于焊料21在半導(dǎo)體芯片20表面上的垂直投影區(qū)域內(nèi)的正型感光低溫固化型介電材料22’，具體的曝光過(guò)程可參考圖5所示的實(shí)施例進(jìn)行，對(duì)此不再一一贅述。
[0056]步驟S606，將未被正型感光低溫固化型介電材料22’覆蓋的濺射層26除去，并對(duì)正型感光低溫固化型介電材料22’進(jìn)行低溫固化，從而形成補(bǔ)強(qiáng)部22。其中，濺射層26位于補(bǔ)強(qiáng)部22和介電層23之間，以及位于第二電極層24和焊盤圖形201之間。
[0057]本實(shí)施方式中，通過(guò)增加一層介電層23和第二電極層24，能夠在一定程度上增加焊料21和半導(dǎo)體芯片20之間連接的機(jī)械強(qiáng)度，有利于進(jìn)一步提高連接的可靠性。
[0058]參閱圖7，在本發(fā)明半導(dǎo)體封裝方法又一實(shí)施方式中，提供半導(dǎo)體芯片20的步驟包括，還提供封裝基板70。
[0059]其中，在半導(dǎo)體芯片20的表面上形成補(bǔ)強(qiáng)部22的步驟之后，包括步驟，使半導(dǎo)體芯片20通過(guò)焊料21焊接在封裝基板70上。其中，半導(dǎo)體芯片20通過(guò)倒裝的方式封裝在封裝基板70上。
[0060]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成有焊盤圖形； 在所述焊盤圖形上焊接焊料，且形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊料和所述焊盤圖形之間為焊接部； 所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括: 在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部，使所述補(bǔ)強(qiáng)部圍繞且連接所述焊接部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括: 使所述焊料與所述補(bǔ)強(qiáng)部在所述半導(dǎo)體芯片表面上的垂直投影的外邊界對(duì)齊。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括: 采用低溫固化型介電材料在所述半導(dǎo)體芯片的表面上形成具有彈性的補(bǔ)強(qiáng)部，并使所述補(bǔ)強(qiáng)部連接所述焊料。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述焊接部周側(cè)的半導(dǎo)體芯片表面上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括: 在所述半導(dǎo)體芯片的表面涂布正型感光低溫固化型介電材料，且使得所述焊料與焊料周圍的所述半導(dǎo)體芯片表面之間填充所述正型感光低溫固化型介電材料； 采用正對(duì)所述半導(dǎo)體芯片表面的光線，以所述焊料為自對(duì)準(zhǔn)光罩對(duì)所述正型感光低溫固化型介電材料進(jìn)行曝光； 進(jìn)行顯影處理，以除去被光照射的正型感光低溫固化型介電材料； 固化未被光照射的正型感光低溫固化型介電材料，以形成所述補(bǔ)強(qiáng)部。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述焊盤圖形為第一電極層，所述在所述焊盤圖形上焊接焊料的步驟之前，包括: 在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成介電層； 在所述焊盤圖形上形成第二電極層； 在所述焊盤圖形上焊接焊料的步驟包括: 在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料； 所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟包括: 在所述介電層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部，并使所述補(bǔ)強(qiáng)部連接所述焊料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成介電層的步驟之前，包括: 在所述半導(dǎo)體芯片除所述焊盤圖形之外的其他表面上形成鈍化層。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料的步驟之前，包括: 在所述介電層、所述焊盤圖形上形成濺射層； 所述在所述焊盤圖形上的第二電極層上焊接所述焊料的步驟包括: 在所述焊盤圖形對(duì)應(yīng)的濺射層上形成所述第二電極層； 在所述介電層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟包括: 在所述介電層上的濺射層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部； 所述在所述介電層上的濺射層上形成所述補(bǔ)強(qiáng)部的步驟之后，包括: 除去未被所述補(bǔ)強(qiáng)部覆蓋的濺射層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供半導(dǎo)體芯片的步驟包括:還提供封裝基板； 所述形成補(bǔ)強(qiáng)部連接所述半導(dǎo)體芯片的表面和所述焊料的步驟之后，包括: 使所述半導(dǎo)體芯片通過(guò)所述焊料焊接在所述封裝基板上。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK105914151SQ201610241089
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月18日
【發(fā)明人】劉建宏
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司