有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：基板，包括用于實(shí)現(xiàn)第一顏色的多個(gè)第一發(fā)射部以及用于實(shí)現(xiàn)第二顏色的多個(gè)第二發(fā)射部；像素限定膜，用于限定多個(gè)第一發(fā)射部和多個(gè)第二發(fā)射部；多個(gè)像素電極，彼此分離并且分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一發(fā)射部；以及第一堆疊結(jié)構(gòu)，包括中間層和位于中間層上的對(duì)置電極，中間層包括發(fā)射第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層，第一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一發(fā)射部的第一發(fā)射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發(fā)射圖案部。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]2015年2月24日遞交給韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、名稱為“有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法”、編號(hào)為10-2015-0025911的韓國(guó)專利申請(qǐng)，通過(guò)引用整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]—個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為其中像素可各自包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的顯示設(shè)備。OLED可包括像素電極、面對(duì)像素電極的對(duì)置電極以及布置在像素電極與對(duì)置電極之間的發(fā)射層。在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，像素電極可具有根據(jù)各像素圖案化成的島形，并且對(duì)置電極可被成形為使得對(duì)置電極整體覆蓋各像素。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]—個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例可包括有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
[0006]實(shí)施例可通過(guò)提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備實(shí)現(xiàn)，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:基板，包括用于實(shí)現(xiàn)第一顏色的多個(gè)第一發(fā)射部和用于實(shí)現(xiàn)第二顏色的多個(gè)第二發(fā)射部;像素限定膜，用于限定多個(gè)第一發(fā)射部和多個(gè)第二發(fā)射部;多個(gè)像素電極，彼此分離并且分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)；以及第一堆疊結(jié)構(gòu)，包括中間層和位于中間層上的對(duì)置電極，中間層包括發(fā)射第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層，第一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第一發(fā)射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發(fā)射圖案部。
[0007]第一連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0008]第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可包括:第一區(qū)域，第一區(qū)域面對(duì)分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的像素電極；以及連接第一區(qū)域的第二區(qū)域。
[0009]第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層可包括:第三區(qū)域，第三區(qū)域位于分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的像素電極上；以及連接第三區(qū)域的第四區(qū)域。
[0010]像素限定膜可包括與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并且第三區(qū)域可位于分別與開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的位置處，且第四區(qū)域可以位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0011]第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可具有基本相同的圖案。
[0012]第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層可進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離對(duì)置電極的方向上位于有機(jī)發(fā)射層下的第一中間層，并且有機(jī)發(fā)射層可以位于對(duì)置電極與第一中間層之間。
[0013]第一中間層可包括空穴傳輸層。
[0014]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括第二堆疊結(jié)構(gòu)，第二堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于中間層上的對(duì)置電極，第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層包括發(fā)射第二顏色的光的有機(jī)發(fā)射層。第二堆疊結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括:分別與多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第二發(fā)射圖案部，以及位于像素限定膜上的第二連接圖案部，第二連接圖案部連接第二發(fā)射圖案部。
[0015]第二連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0016]第一連接圖案部中的至少一個(gè)與第二連接圖案部中的至少一個(gè)可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。
[0017]第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可包括:第五區(qū)域，第五區(qū)域面對(duì)分別與多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的像素電極；以及連接第五區(qū)域的第六區(qū)域。
[0018]第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層可包括:第七區(qū)域，第七區(qū)域位于分別與多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的像素電極上；以及連接第七區(qū)域的第八區(qū)域。
[0019]第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可具有基本相同的圖案。
[0020]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括位于第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極上的保護(hù)膜。
[0021]保護(hù)膜可具有與第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和對(duì)置電極基本相同的圖案。
[0022]第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可包括半透射金屬層，并且保護(hù)膜可以是透明的。
[0023]實(shí)施例可通過(guò)提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法實(shí)現(xiàn)，該方法包括:制備基板，該基板包括用于實(shí)現(xiàn)第一顏色的多個(gè)第一發(fā)射部以及用于實(shí)現(xiàn)第二顏色的多個(gè)第二發(fā)射部;形成多個(gè)像素電極，多個(gè)像素電極具有島形，以便彼此分離并且分別與基板的多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)；以及在基板上形成像素限定膜，像素限定膜包括與多個(gè)第一發(fā)射部和多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口；以及形成第一堆疊結(jié)構(gòu)，第一堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于中間層上的對(duì)置電極，中間層包括發(fā)射第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層，第一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第一發(fā)射圖案部，以及位于像素限定膜上的第一連接圖案部，第一連接圖案部連接第一發(fā)射圖案部。
[0024]第一堆疊結(jié)構(gòu)的第一連接圖案部可位于像素限定膜的上表面的一部分上。
[0025]第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可具有基本相同的圖案。
[0026]形成第一堆疊結(jié)構(gòu)可包括在所述基板上形成掩膜圖案，該掩膜圖案包括暴露多個(gè)第一發(fā)射部的開(kāi)口，以及連接多個(gè)第一發(fā)射部的第一非發(fā)射部，第一非發(fā)射部與像素限定膜的上表面的一部分相對(duì)應(yīng);在其上形成有掩膜圖案的基板的整個(gè)表面上形成中間層，該中間層包括發(fā)射第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層;在中間層上形成對(duì)置電極；以及去除掩膜圖案，使得保留分別與多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第一發(fā)射圖案部，并且保留與第一非發(fā)射部相對(duì)應(yīng)并連接第一發(fā)射圖案部的第一連接圖案部。
[0027]第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層可進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離對(duì)置電極的方向上位于有機(jī)發(fā)射層下的第一中間層，并且有機(jī)發(fā)射層可以位于對(duì)置電極與第一中間層之間。
[0028]第一中間層可包括空穴傳輸層。
[0029]該方法可進(jìn)一步包括形成第二堆疊結(jié)構(gòu)，該第二堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于中間層上的對(duì)置電極，該中間層包括發(fā)射第二顏色的光的有機(jī)發(fā)射層。第二堆疊結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括:分別與多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第二發(fā)射圖案部，以及位于像素限定膜上的第二連接圖案部，第二連接圖案部連接第二發(fā)射圖案部。
[0030]第二連接圖案部中的至少一個(gè)與第一連接圖案部中的至少一個(gè)可在像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。
[0031]第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極可具有基本相同的圖案。
[0032]該方法可進(jìn)一步包括在第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極上形成保護(hù)膜。
[0033]保護(hù)膜可具有與第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和對(duì)置電極基本相同的圖案。
【附圖說(shuō)明】
[0034]通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，特征將變得更加明顯，附圖中:
[0035]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性俯視圖；
[0036]圖2示出沿圖1的線A-A’和線B-B’截取的剖視圖；
[0037]圖3示出沿圖1的線C-C’截取的剖視圖；
[0038]圖4示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性俯視圖；
[0039]圖5示出其上布置有多個(gè)發(fā)射部的基板的示意性側(cè)視圖；
[0040]圖6示出圖5的俯視圖；
[0041]圖7和圖8示出描述形成具有第一圖案的第一堆疊結(jié)構(gòu)的過(guò)程的剖視圖；
[0042]圖9示出圖8的俯視圖；
[0043]圖10和圖11示出描述形成具有第二圖案的第二堆疊結(jié)構(gòu)的過(guò)程的剖視圖；
[0044]圖12示出圖11的俯視圖；
[0045]圖13和圖14示出描述形成具有第三圖案的第三堆疊結(jié)構(gòu)的過(guò)程的剖視圖；
[0046]圖15示出圖14的俯視圖；
[0047]圖16示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖；以及
[0048]圖17示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0049]現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述示例性實(shí)施例;然而，這些實(shí)施例可以不同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)解釋為限于本文給出的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使得本公開(kāi)將是透徹和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方式。
[0050]附圖中，同樣的附圖標(biāo)記始終指同樣的元素，因此不再重復(fù)冗余描述。
[0051]用于本文時(shí)，詞語(yǔ)“和/或”包括關(guān)聯(lián)所列項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。
[0052]應(yīng)當(dāng)理解，盡管本文中可使用詞語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各種部件，但這些部件不應(yīng)受這些詞語(yǔ)的限制。這些詞語(yǔ)僅用于將一個(gè)部件區(qū)別于另一個(gè)部件。
[0053]用于本文時(shí)，單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指不。
[0054]還應(yīng)進(jìn)一步理解，本文中使用的詞語(yǔ)“包括”和/或“包含”指明存在所敘述特征或部件，但不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它特征或部件。
[0055]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一層、區(qū)域或部件“形成”在另一層、區(qū)域或部件“上”時(shí)，其可以直接或間接形成在另一層、區(qū)域或部件上。亦即，例如，可能存在中間層、區(qū)域或部件。
[0056]為便于解釋，可能放大附圖中的元素的尺寸。換言之，由于附圖中的部件的尺寸和厚度為了便于解釋而被隨意示出，因此下面的實(shí)施例不限于此。
[0057]在特定實(shí)施例可被不同地實(shí)施時(shí)，可與所描述的順序不同地執(zhí)行特定的過(guò)程順序。例如，兩個(gè)連續(xù)地描述的過(guò)程可基本同時(shí)被執(zhí)行，或以與所描述的順序相反的順序執(zhí)行。
[0058]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一部件或?qū)釉诹硪徊考驅(qū)印吧稀睍r(shí)，該部件或?qū)涌芍苯釉诹硪徊考驅(qū)由?，或在中間部件和層上。進(jìn)一步，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一層在另一層“下”時(shí)，其可以直接在下面，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一層在兩層“之間”時(shí)，其可以是兩層之間僅有的層，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。
[0059]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性俯視圖。
[0060]參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括多個(gè)發(fā)射部(有源區(qū))，即第一至第三發(fā)射部Rl至R3。第一至第三發(fā)射部Rl至R3可布置為形成矩陣。第一至第三發(fā)射部Rl至R3可各自發(fā)射不同的光，且可各自對(duì)應(yīng)于一像素。例如，第一至第三發(fā)射部Rl至R3中的每一個(gè)可以是用于實(shí)現(xiàn)例如顯示紅色、綠色或藍(lán)色的像素。下文中，為便于描述，第一發(fā)射部Rl實(shí)現(xiàn)紅色，第二發(fā)射部R2實(shí)現(xiàn)綠色，第三發(fā)射部R3實(shí)現(xiàn)藍(lán)色，但示例性實(shí)施例不限于此。第一至第三發(fā)射部Rl至R3實(shí)現(xiàn)的顏色不限于紅色、綠色和藍(lán)色，只要實(shí)現(xiàn)全色即可。根據(jù)示例性實(shí)施例，可使用顏色的任意組合，例如，四種顏色，即紅色、綠色、藍(lán)色和白色的組合，只要實(shí)現(xiàn)全色即可。[0061 ] 像素電極210和第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可布置在基板100上。像素電極210可以以島型圖案化為對(duì)應(yīng)于第一至第三發(fā)射部Rl至R3而彼此隔開(kāi)。第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可圖案化為具有彼此連接的像網(wǎng)的圖案。第一堆疊結(jié)構(gòu)300可包括對(duì)應(yīng)于第一發(fā)射部Rl的第一發(fā)射圖案部300a，以及連接第一發(fā)射圖案部300a的第一連接圖案部300b，其中第一發(fā)射圖案部300a和第一連接圖案部300b可形成像網(wǎng)的第一圖案SI。第二堆疊結(jié)構(gòu)400可包括對(duì)應(yīng)于第二發(fā)射部R2的第二發(fā)射圖案部400a，以及連接第二發(fā)射圖案部400a的第二連接圖案部400b，其中第二發(fā)射圖案部400a和第二連接圖案部400b可形成像網(wǎng)的第二圖案S2。第三堆疊結(jié)構(gòu)500可包括對(duì)應(yīng)于第三發(fā)射部R3的第三發(fā)射圖案部500a，以及連接第三發(fā)射圖案部500a的第三連接圖案部500b，其中第三發(fā)射圖案部500a和第三連接圖案部500b可形成像網(wǎng)的第三圖案S3。
[0062]第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可分別包括中間層320至520(參照?qǐng)D2)，以及對(duì)置電極330至530(參照?qǐng)D2)。中間層320至520和對(duì)置電極330至530可被圖案化為具有基本相同的圖案。
[0063]根據(jù)對(duì)比示例，當(dāng)在基板100的整個(gè)表面上形成對(duì)置電極以整體覆蓋多個(gè)像素，SP第一至第三發(fā)射部Rl至R3時(shí)，可能例如由于對(duì)置電極的電阻而出現(xiàn)電壓降(IR降)，并且可能會(huì)出現(xiàn)亮度偏差。然而，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，對(duì)置電極330至530可與中間層320至520—起被圖案化，可防止對(duì)置電極330至530的電阻的增大，并且可減少或防止IR降和由此帶來(lái)的亮度偏差。
[0064]圖2示出沿圖1的線A-A’和線B-B’截取的剖視圖，并且圖3示出沿圖1的線C-C’截取的剖視圖。
[0065]基板100可由例如玻璃材料、金屬材料以及諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺之類(lèi)的塑料材料之類(lèi)的各種材料中的一種形成。根據(jù)一些實(shí)施例，相比于基板100由玻璃材料形成，當(dāng)基板100由塑料材料或金屬材料形成時(shí)，基板100可具有更高的柔性。由S12和/或SiNx形成的緩沖層可布置在基板100上，以防止雜質(zhì)滲入到基板100中。
[0066]基板100可包括多個(gè)發(fā)射部(有源區(qū))Rl至R3，以及圍繞發(fā)射部Rl至R3的非發(fā)射部(無(wú)源區(qū))NR。
[0067]像素電路PC可包括薄膜晶體管(TFT)和電容器，并且可電連接至像素電極210。像素電路PC的上表面可由大致平坦的絕緣膜150覆蓋。
[0068]像素電極210可形成在第一至第三發(fā)射部Rl至R3中的每一個(gè)中。像素電極210可布置在絕緣膜150上，并可對(duì)應(yīng)于第一至第三發(fā)射部Rl至R3中的每一個(gè)以島型被圖案化。像素電極210可電連接至像素電路PC的TFT。
[0069]像素電極210可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。當(dāng)像素電極210是(半)透明電極時(shí)，像素電極210可由例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅氧化物(ZnO)、銦氧化物(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)或鋁鋅氧化物(AZO)形成。當(dāng)像素電極210是反射電極時(shí)，反射膜可由銀(Ag)、鎂(Mg)、招(Al)、鈾(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成。根據(jù)示例性實(shí)施例，像素電極210可包括反射膜以及位于反射膜上由1!'0、120、2110或111203形成的膜，反射膜包括48、1%^1、？1?(1^11、祖、則、&、0或其化合物。
[0070]像素限定膜180可包括分別對(duì)應(yīng)于第一至第三發(fā)射部Rl至R3的開(kāi)口0P。像素限定膜180的開(kāi)口 OP可分別對(duì)應(yīng)于可從其發(fā)光的第一至第三發(fā)射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的區(qū)域可對(duì)應(yīng)于非發(fā)射部(無(wú)源區(qū))NR。像素電極210的上表面的至少一部分可不由像素限定膜180覆蓋。例如，開(kāi)口OP可形成在像素限定膜180中，并且像素電極210的上表面的一部分可不由像素限定膜180覆蓋。像素電極210的邊緣可由像素限定膜180覆蓋。像素限定膜180可包括由例如丙烯酸樹(shù)脂形成的有機(jī)絕緣膜。像素限定膜180可增大像素電極210的末端與對(duì)置電極330至530之間的距離，并且可防止在像素電極210的末端處產(chǎn)生電弧。
[0071]第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可獨(dú)立地，例如分離地，被圖案化。第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可具有其中順序堆疊有中間層320至520和對(duì)置電極330至530的結(jié)構(gòu)，并且分別具有第一至第三圖案SI至S3。
[0072]第一堆疊結(jié)構(gòu)300可具有包括第一發(fā)射圖案部300a和第一連接圖案部300b的第一圖案SI。第一發(fā)射圖案部300a中的每一個(gè)可布置在第一發(fā)射部Rl上，并且第一連接圖案部300b可布置在非發(fā)射部NR上，以連接第一發(fā)射圖案部300a。
[0073]第一堆疊結(jié)構(gòu)300可包括中間層320和堆疊在中間層320上的對(duì)置電極330，并且中間層320可包括第一中間層321、發(fā)射紅色光的有機(jī)發(fā)射層322和第二中間層323，這些層彼此順序堆置。
[0074]第一中間層321可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層321由高分子量材料形成時(shí)，第一中間層321可以是具有單層結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層(HTL)，并且可由聚-(3，4)_乙撐-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。當(dāng)?shù)谝恢虚g層321由低分子量材料形成時(shí)，第一中間層321可包括空穴注入層(HIL)和HTL。
[0075]有機(jī)發(fā)射層322可布置在第一中間層321上。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層322可包括作為基質(zhì)材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括以下至少之一 = PIQIr(乙酰丙酮)(雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(乙酰丙酮(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr(三(1-苯基喹啉)銥)和PtPEP(八乙基卟啉鉑)。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層322可包括熒光材料，例如PED:銪(DBM)3(苯酚)或二萘嵌苯。
[0076]第二中間層323可布置在有機(jī)發(fā)射層322上。在一些實(shí)施例中可省略第二中間層323。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層321和有機(jī)發(fā)射層322由高分子量材料形成時(shí)，第二中間層323可省略。當(dāng)?shù)谝恢虚g層321和有機(jī)發(fā)射層322由低分子量材料形成時(shí)，第二中間層323可被形成，使得增大發(fā)光特性。第二中間層323可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，并且可包括電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。
[0077]對(duì)置電極330可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)對(duì)置電極330是(半)透明電極時(shí)，對(duì)置電極330可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對(duì)置電極330可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據(jù)示例性實(shí)施例，對(duì)置電極330可包括由鋰(1^)、鈣(0&)、鋰氟化物(1^)/^、1^/^1^1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0078]當(dāng)對(duì)置電極330為反射電極時(shí)，反射電極可通過(guò)形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實(shí)施例中，對(duì)置電極330的結(jié)構(gòu)和材料可改變;例如，對(duì)置電極330可由另外的材料形成，并可具有多層結(jié)構(gòu)。
[0079]對(duì)置電極330可圖案化為布置在第一發(fā)射部Rl上和非發(fā)射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對(duì)置電極330的電阻而導(dǎo)致的IR降和由此帶來(lái)的亮度偏差。
[0080]第一堆疊結(jié)構(gòu)300可包括中間層320和布置在中間層320上的對(duì)置電極330，并且中間層320和對(duì)置電極330可具有基本相同的圖案。例如，中間層320和對(duì)置電極330可具有第一圖案SI。例如，對(duì)置電極330可包括與第一發(fā)射圖案部300a對(duì)應(yīng)且布置在第一發(fā)射部Rl中的區(qū)域(下文中，稱為第一區(qū)域)，以及與第一連接圖案部300b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第一區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第二區(qū)域)。中間層320可包括與第一發(fā)射圖案部300a對(duì)應(yīng)且布置在第一發(fā)射部Rl中的區(qū)域(下文中，稱為第三區(qū)域)，以及與第一連接圖案部300b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第三區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第四區(qū)域)。對(duì)置電極330的第一區(qū)域和中間層320的第三區(qū)域可彼此重疊，并且對(duì)置電極330的第二區(qū)域和中間層320的第四區(qū)域可彼此重疊。
[0081]由于第一發(fā)射圖案部300a的中間層320，即中間層320的第三區(qū)域，布置在像素電極210與對(duì)置電極330之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極330中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極330釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層322處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生紅色光。由于第一連接圖案部300b的中間層320，即中間層320的第四區(qū)域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第一堆疊結(jié)構(gòu)300的對(duì)置電極330時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0082]第二堆疊結(jié)構(gòu)400可具有包括第二發(fā)射圖案部400a和第二連接圖案部400b的第二圖案S2。第二發(fā)射圖案部400a中的每一個(gè)可布置在第二發(fā)射部R2上，并且第二連接圖案部400b可布置在非發(fā)射部NR上以連接第二發(fā)射圖案部400a。
[0083]第二堆疊結(jié)構(gòu)400可包括中間層420和堆疊在中間層420上的對(duì)置電極430，并且中間層420可包括第一中間層421、發(fā)射綠色光的有機(jī)發(fā)射層422和第二中間層423，這些層彼此順序堆置。
[0084]第一中間層421可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層421由高分子量材料形成時(shí)，第一中間層421可以是具有單層結(jié)構(gòu)并由PEDOT或PANI形成的HTL。當(dāng)?shù)谝恢虚g層421由低分子量材料形成時(shí)，第一中間層421可包括HIL和HTL。
[0085]有機(jī)發(fā)射層422可布置在第一中間層421上。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層422可包括作為基質(zhì)材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括面式三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3)。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層422可包括熒光材料，例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。
[0086]第二中間層423可布置在有機(jī)發(fā)射層422上。在一些實(shí)施例中可省略第二中間層423。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層421和有機(jī)發(fā)射層422由高分子量材料形成時(shí)，第二中間層423可省略。當(dāng)?shù)谝恢虚g層421和有機(jī)發(fā)射層422由低分子量材料形成時(shí)，第二中間層423可被形成，使得增大發(fā)光特性。第二中間層423可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，并且可包括ETL和/或EIL。
[0087]對(duì)置電極430可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)對(duì)置電極430是(半)透明電極時(shí)，對(duì)置電極430可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對(duì)置電極430可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據(jù)示例性實(shí)施例，對(duì)置電極430可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1、六1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0088]當(dāng)對(duì)置電極430為反射電極時(shí)，反射電極可通過(guò)形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實(shí)施例中，對(duì)置電極430的結(jié)構(gòu)和材料可改變;例如，對(duì)置電極430可由另外的材料形成，并可具有多層結(jié)構(gòu)。
[0089]對(duì)置電極430可圖案化為布置在第二發(fā)射部R2上和非發(fā)射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對(duì)置電極430的電阻而導(dǎo)致的IR降以及由此帶來(lái)的亮度偏差。
[0090]第二堆疊結(jié)構(gòu)400可包括中間層420和布置在中間層420上的對(duì)置電極430，并且中間層420和對(duì)置電極430可具有基本相同的圖案。例如，中間層420和對(duì)置電極430可具有第二圖案S2。例如，對(duì)置電極430可包括與第二發(fā)射圖案部400a對(duì)應(yīng)且布置在第二發(fā)射部R2中的區(qū)域(下文中，稱為第五區(qū)域)，以及與第二連接圖案部400b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第五區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第六區(qū)域)。中間層420可包括與第二發(fā)射圖案部400a對(duì)應(yīng)且布置在第二發(fā)射部R2中的區(qū)域(下文中，稱為第七區(qū)域)，以及與第二連接圖案部400b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第七區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第八區(qū)域)。對(duì)置電極430的第五區(qū)域和中間層420的第七區(qū)域可彼此重疊，并且對(duì)置電極430的第六區(qū)域和中間層420的第八區(qū)域可彼此重疊。
[0091]由于第二發(fā)射圖案部400a的中間層420，即中間層420的第七區(qū)域，布置在像素電極210與對(duì)置電極430之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極430中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極430釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層422處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生綠色光。由于第二連接圖案部400b的中間層420，即中間層420的第八區(qū)域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第二堆疊結(jié)構(gòu)400的對(duì)置電極430時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0092]第三堆疊結(jié)構(gòu)500可具有包括第三發(fā)射圖案部500a和第三連接圖案部500b的第三圖案S3。第三發(fā)射圖案部500a中的每一個(gè)可布置在第三發(fā)射部R3上，并且第三連接圖案部500b可布置在非發(fā)射部NR上以連接第三發(fā)射圖案部500a。
[0093]第三堆疊結(jié)構(gòu)500可包括中間層520和堆疊在中間層520上的對(duì)置電極530，并且中間層520可包括第一中間層521、發(fā)射藍(lán)色光的有機(jī)發(fā)射層522和第二中間層523，這些彼此順序堆疊。
[0094]第一中間層521可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層521由高分子量材料形成時(shí)，第一中間層521可以是具有單層結(jié)構(gòu)并由PEDOT或PANI形成的HTL。當(dāng)?shù)谝恢虚g層521由低分子量材料形成時(shí)，第一中間層521可包括HIL和HTL。
[0095]有機(jī)發(fā)射層522可布置在第一中間層521上。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層522可包括作為基質(zhì)材料的蒽衍生物或咔唑基化合物，并且可包括作為摻雜材料的磷光體，磷光體包括F2lrpic、(F2ppy)2lr(tmd)或Ir(dfppz)3。根據(jù)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射層522可包括熒光材料，熒光材料包括例如以下之一:DPVB1、螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳烴(DSA)、PF0-基聚合物和PPV-基聚合物。
[0096]第二中間層523可布置在有機(jī)發(fā)射層522上。在一些實(shí)施例中可省略第二中間層523。例如，當(dāng)?shù)谝恢虚g層521和有機(jī)發(fā)射層522由高分子量材料形成時(shí)，第二中間層523可省略。當(dāng)?shù)谝恢虚g層521和有機(jī)發(fā)射層522由低分子量材料形成時(shí)，第二中間層523可被形成，使得增大發(fā)光特性。第二中間層523可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，并且可包括ETL和/或EIL。
[0097]對(duì)置電極530可以是具有透明度的(半)透明電極，或反射電極。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)對(duì)置電極530是(半)透明電極時(shí)，對(duì)置電極530可包括包含Ag和Mg的半透射金屬層。例如，對(duì)置電極530可由其中Ag的量高于Mg的量的Ag-Mg合金形成。根據(jù)示例性實(shí)施例，對(duì)置電極530可包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1、1%或其化合物形成的層，以及布置在該層上且由例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的(半)透明材料形成的另一層。
[0098]當(dāng)對(duì)置電極530為反射電極時(shí)，反射電極可通過(guò)形成包括例如L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg中至少之一的層而形成。在實(shí)施例中，對(duì)置電極530的結(jié)構(gòu)和材料可改變;例如，對(duì)置電極530可由另外的材料形成，并可具有多層結(jié)構(gòu)。
[0099]對(duì)置電極530可圖案化為布置在第三發(fā)射部R3上和非發(fā)射部NR的一部分(例如，像素限定膜180的上表面的一部分)上，可減小電阻，并且可減小或防止由對(duì)置電極530的電阻而導(dǎo)致的IR降以及由此帶來(lái)的亮度偏差。
[0100]第三堆疊結(jié)構(gòu)500可包括中間層520和布置在中間層520上的對(duì)置電極530，并且中間層520和對(duì)置電極530可具有基本相同的圖案。例如，中間層520和對(duì)置電極530可具有第三圖案S3。例如，對(duì)置電極530可包括與第三發(fā)射圖案部500a對(duì)應(yīng)且布置在第三發(fā)射部R3中的區(qū)域(下文中，稱為第九區(qū)域)，以及與第三連接圖案部500b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第九區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第十區(qū)域)。中間層520可包括與第三發(fā)射圖案部500a對(duì)應(yīng)且布置在第三發(fā)射部R3中的區(qū)域(下文中，稱為第i^一區(qū)域)，以及與第三連接圖案部500b對(duì)應(yīng)且布置在像素限定膜180的上表面的一部分上以連接第^^一區(qū)域的區(qū)域(下文中，稱為第十二區(qū)域)。對(duì)置電極530的第九區(qū)域和中間層520的第十一區(qū)域可彼此重疊，并且對(duì)置電極530的第十區(qū)域和中間層520的第十二區(qū)域可彼此重疊。
[0101]由于第三發(fā)射圖案部500a的中間層520，即中間層520的第十一區(qū)域，布置在像素電極210與對(duì)置電極530之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極530中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極530釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層522處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生藍(lán)色光。由于第三連接圖案部500b的中間層520，即中間層520的第十二區(qū)域，布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第三堆疊結(jié)構(gòu)500的對(duì)置電極530時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0102]由于第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可獨(dú)立且分離地圖案化，因此，至少兩個(gè)連接圖案部可在非發(fā)射部NR上，即在像素限定膜180的上表面的一部分上重疊。如圖1、圖2的線B-B’和圖3中所示，第一堆疊結(jié)構(gòu)300的第一連接圖案部300b和第三堆疊結(jié)構(gòu)500的第三連接圖案部500b可在像素限定膜180上重疊，第二堆疊結(jié)構(gòu)400的第二連接圖案部400b和第三堆疊結(jié)構(gòu)500的第三連接圖案部500b可在像素限定膜180上重疊，或者第一堆疊結(jié)構(gòu)300的第一連接圖案部300b和第二堆疊結(jié)構(gòu)400的第二連接圖案部400b可在像素限定膜180上重置。
[0103]在當(dāng)前實(shí)施例中，兩個(gè)連接圖案部在非發(fā)射部NR上，即在像素限定膜180上重疊。在示例性實(shí)施例中，三個(gè)連接圖案部可在非發(fā)射部NR上，即在像素限定膜180上重疊。
[0104]第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500的對(duì)置電極330至530可通過(guò)接觸外部電極電源線而接收電信號(hào)。根據(jù)示例性實(shí)施例，電信號(hào)可獨(dú)立地傳送給第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500的對(duì)置電極330至530。根據(jù)示例性實(shí)施例，電信號(hào)可同時(shí)地傳送給第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500的對(duì)置電極330至530。
[0105]圖4示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性俯視圖。
[0106]在示例性實(shí)施例中，以上參照?qǐng)D1至圖3描述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括發(fā)射不同的光且可以矩陣形式排布的第一至第三發(fā)射部Rl至R3。
[0107]參照?qǐng)D4，第一至第三發(fā)射部Rl至R3中的至少一個(gè)可以以菱形形式排布，或以例如蜂窩狀(pentile)形式之類(lèi)的多種形式中的一種排布。
[0108]圖5至圖15示出描述根據(jù)示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的視圖。
[0109]圖5示出基板100的示意性側(cè)視圖，在基板100上布置有多個(gè)發(fā)射部，即第一至第三發(fā)射部Rl至R3，并且圖6示出圖5的俯視圖。
[0110]參照?qǐng)D5和圖6，像素電路PC可形成在基板100上。像素電路PC可包括TFT和電容器。在形成像素電路PC之前，可在基板100上形成緩沖層，以防止雜質(zhì)滲入到基板100中。
[0111]像素電路PC可根據(jù)第一至第三發(fā)射部Rl至R3對(duì)應(yīng)于像素而形成，并且由具有大致平坦的上表面的絕緣膜150覆蓋。
[0112]然后，可在絕緣膜150上形成金屬膜，之后根據(jù)第一至第三發(fā)射部Rl至R3對(duì)金屬膜圖案化，以形成像素電極210。像素電極210可以以島型圖案化為對(duì)應(yīng)于第一至第三發(fā)射部Rl至R3而彼此隔開(kāi)，像素電極210的材料已在上文參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行了描述。
[0113]可在其上形成有像素電極210的基板100上形成有機(jī)絕緣膜，然后將有機(jī)絕緣膜圖案化，以形成像素限定膜180。像素限定膜180可具有暴露像素電極210的上表面的至少一部分的開(kāi)口 0P。像素限定膜180的開(kāi)口 OP可分別對(duì)應(yīng)于第一至第三發(fā)射部Rl至R3，并且布置有像素限定膜180的區(qū)域可對(duì)應(yīng)于非發(fā)射部NR。
[0114]圖7和圖8示出描述形成具有第一圖案SI的第一堆疊結(jié)構(gòu)300的過(guò)程的剖視圖，并且圖9示出圖8的俯視圖。
[0115]參照?qǐng)D7，可形成第一掩膜圖案Ml以覆蓋基板100的整個(gè)表面，但第一發(fā)射部Rl和非發(fā)射部NR的用于連接第一發(fā)射部Rl的第一區(qū)域(下文中，稱為第一非發(fā)射部)NR1除外。圖7的附圖標(biāo)記01指代第一掩膜圖案Ml的、可暴露第一發(fā)射部Rl和第一非發(fā)射部NRl的開(kāi)口。第一非發(fā)射部NRl可以是與第一堆疊結(jié)構(gòu)300的第一連接圖案部300b對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其可經(jīng)由后面描述的剝離工藝形成。
[0116]第一掩膜圖案Ml可由聚合物材料形成。在實(shí)施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且?guī)缀醪挥绊懼虚g層320。
[0117]然后，可在其上形成有第一掩膜圖案Ml的基板100上順序形成中間層320和對(duì)置電極330。中間層320可包括第一中間層321、實(shí)現(xiàn)紅色的有機(jī)發(fā)射層322和第二中間層323。第一中間層321、有機(jī)發(fā)射層322、第二中間層323和對(duì)置電極330已在上面參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行了描述。
[0118]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一掩膜圖案Ml的厚度可比中間層320和對(duì)置電極330的厚度之和更厚。可形成在第一發(fā)射部Rl和用于連接第一發(fā)射部Rl的第一非發(fā)射部NRl上的中間層320和對(duì)置電極330可與可形成在第一掩膜圖案Ml上的中間層320和對(duì)置電極330不連續(xù)。
[0119]參照?qǐng)D8和圖9，第一掩膜圖案Ml可用剝離工藝去除。具有第一圖案SI的第一堆疊結(jié)構(gòu)300可在第一掩膜圖案Ml去除時(shí)形成在基板100上。
[0120]如圖8和圖9所不，第一堆疊結(jié)構(gòu)300可包括分別對(duì)應(yīng)于第一發(fā)射部Rl的第一發(fā)射圖案部300a，以及連接第一發(fā)射圖案部300a的第一連接圖案部300b，其中第一發(fā)射圖案部300a和第一連接圖案部300b形成第一圖案SI。第一堆疊結(jié)構(gòu)300的第一發(fā)射圖案部300a可布置在通過(guò)像素限定膜180的開(kāi)口 OP暴露的像素電極210上，并且第一堆疊結(jié)構(gòu)300的第一連接圖案部300b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0121]由于第一發(fā)射圖案部300a的中間層320布置在像素電極210與對(duì)置電極330之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極330中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極330釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層322處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生紅色光。由于第一連接圖案部300b的中間層320布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第一堆疊結(jié)構(gòu)300的對(duì)置電極330時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0122]圖10和圖11示出描述形成具有第二圖案S2的第二堆疊結(jié)構(gòu)400的過(guò)程的剖視圖，并且圖12示出圖11的俯視圖。
[0123]參照?qǐng)D10，可形成第二掩膜圖案M2以覆蓋基板100的整個(gè)表面，但第二發(fā)射部R2和非發(fā)射部NR的用于連接第二發(fā)射部R2的第二區(qū)域(下文中，稱為第二非發(fā)射部)NR2除外。圖10的附圖標(biāo)記02指代第二掩膜圖案M2的、可暴露第二發(fā)射部R2和第二非發(fā)射部NR2的開(kāi)口。第二非發(fā)射部NR2可以是與第二堆疊結(jié)構(gòu)400的第二連接圖案部400b對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其可經(jīng)由后面描述的剝離工藝形成。
[0124]第二掩膜圖案M2可由聚合物材料形成。在實(shí)施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且?guī)缀醪挥绊懼虚g層420。
[0125]然后，可在其上形成有第二掩膜圖案M2的基板100上順序形成中間層420和對(duì)置電極430。中間層420可包括第一中間層421、實(shí)現(xiàn)綠色的有機(jī)發(fā)射層422和第二中間層423。第一中間層421、有機(jī)發(fā)射層422、第二中間層423和對(duì)置電極430已在上面參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行了描述。
[0126]根據(jù)示例性實(shí)施例，第二掩膜圖案M2的厚度可比中間層420和對(duì)置電極430的厚度之和更厚?？尚纬稍诘诙l(fā)射部R2和用于連接第二發(fā)射部R2的第二非發(fā)射部NR2上的中間層420和對(duì)置電極430可與可形成在第二掩膜圖案M2上的中間層420和對(duì)置電極430不連續(xù)。
[0127]參照?qǐng)D11和圖12，第二掩膜圖案M2可用剝離工藝去除。具有第二圖案S2的第二堆疊結(jié)構(gòu)400可在第二掩膜圖案M2去除時(shí)形成在基板100上。
[0128]如圖11和12所示，第二堆疊結(jié)構(gòu)400可具有第二圖案S2，第二圖案S2包括分別對(duì)應(yīng)于第二發(fā)射部R2的第二發(fā)射圖案部400a以及連接第二發(fā)射圖案部400a的第二連接圖案部400b。第二堆疊結(jié)構(gòu)400的第二發(fā)射圖案部400a可布置在通過(guò)像素限定膜180的開(kāi)口 OP暴露的像素電極210上，并且第二堆疊結(jié)構(gòu)400的第二連接圖案部400b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0129]由于第二發(fā)射圖案部400a的中間層420布置在像素電極210與對(duì)置電極430之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極430中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極430釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層422處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生綠色光。由于第二連接圖案部400b的中間層420布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第二堆疊結(jié)構(gòu)400的對(duì)置電極430時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0130]圖13和圖14示出描述形成具有第三圖案S3的第三堆疊結(jié)構(gòu)500的過(guò)程的剖視圖，并且圖15示出圖14的俯視圖。
[0131]參照?qǐng)D13，可形成第三掩膜圖案M3以覆蓋基板100的整個(gè)表面，但第三發(fā)射部R3和非發(fā)射部NR的用于連接第三發(fā)射部R3的第三區(qū)域(下文中，稱為第三非發(fā)射部)NR3除外。圖13的附圖標(biāo)記03指代第三掩膜圖案M3的、可暴露第三發(fā)射部R3和第三非發(fā)射部NR3的開(kāi)口。第三非發(fā)射部NR3可以是與第三堆疊結(jié)構(gòu)500的第三連接圖案部500b對(duì)應(yīng)的區(qū)域，其可經(jīng)由后面描述的剝離工藝形成。
[0132]第三掩膜圖案M3可由聚合物材料形成。在實(shí)施例中，聚合物材料可在剝離工藝期間令人滿意地在溶劑中溶解，且?guī)缀醪挥绊懼虚g層520。
[0133]然后，可在其上形成有第三掩膜圖案M3的基板100上順序形成中間層520和對(duì)置電極530。中間層520可包括第一中間層521、實(shí)現(xiàn)藍(lán)色的有機(jī)發(fā)射層522和第二中間層523。第一中間層521、有機(jī)發(fā)射層522、第二中間層523和對(duì)置電極530已在上面參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行了描述。
[0134]根據(jù)示例性實(shí)施例，第三掩膜圖案M3的厚度可比中間層520和對(duì)置電極530的厚度之和更厚?？尚纬稍诘谌l(fā)射部R3和用于連接第三發(fā)射部R3的第三非發(fā)射部NR3上的中間層520和對(duì)置電極530可與可形成在第三掩膜圖案M3上的中間層520和對(duì)置電極530不連續(xù)。
[0135]參照?qǐng)D14和圖15，第三掩膜圖案M3可用剝離工藝去除。具有第三圖案S3的第三堆疊結(jié)構(gòu)500可在第三掩膜圖案M3去除時(shí)形成在基板100上。
[0136]如圖14和圖15所示，第三堆疊結(jié)構(gòu)500可包括分別對(duì)應(yīng)于第三發(fā)射部R3的第三發(fā)射圖案部500a，以及連接第三發(fā)射圖案部500a的第三連接圖案部500b，其中第三發(fā)射圖案部500a和第三連接圖案部500b形成第三圖案S3。第三堆疊結(jié)構(gòu)500的第三發(fā)射圖案部500a可布置在通過(guò)像素限定膜180的開(kāi)口 OP暴露的像素電極210上，并且第三堆疊結(jié)構(gòu)500的第三連接圖案部500b可布置在像素限定膜180的上表面的一部分上。
[0137]由于第三發(fā)射圖案部500a的中間層520布置在像素電極210與對(duì)置電極530之間，因此，當(dāng)電信號(hào)施加于像素電極210和對(duì)置電極530中的每一個(gè)時(shí)，作為從像素電極210和對(duì)置電極530釋放出的、可在有機(jī)發(fā)射層522處結(jié)合的空穴和電子而產(chǎn)生的激子，可從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)以產(chǎn)生藍(lán)色光。由于第三連接圖案部500b的中間層520布置在像素限定膜180的未布置像素電極210之處上，因此，即使當(dāng)電信號(hào)施加于第三堆疊結(jié)構(gòu)500的對(duì)置電極530時(shí)，也不會(huì)發(fā)光。
[0138]在實(shí)施例中，第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可在圖5至圖15中順序形成。由于第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500可獨(dú)立地，例如單獨(dú)地，被圖案化，因此可改變圖案化順序。
[0139]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500的中間層320至520和對(duì)置電極330至530可被一起圖案化，從而可不需要用于圖案化對(duì)置電極330至530的分離過(guò)程。由于中間層320至520的上表面可在被對(duì)置電極330至530覆蓋的同時(shí)被圖案化，因此，中間層320至520的上表面可被對(duì)置電極330至530保護(hù)，并且可減小雜質(zhì)被布置在中間層320至520與對(duì)置電極330至530之間的可能性。
[0140]圖16示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。
[0141]參照?qǐng)D16，可在第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500的對(duì)置電極330至530中至少之一上布置保護(hù)膜600。根據(jù)一些示例性實(shí)施例，當(dāng)對(duì)置電極330至530為包括例如Ag-Mg合金的金屬的(半)透明電極時(shí)，在對(duì)置電極330至530暴露于氧并被氧化時(shí)會(huì)降低透明度，但當(dāng)在對(duì)置電極330至530上布置有保護(hù)膜600時(shí)，可防止對(duì)置電極330至530的氧化。
[0142]保護(hù)膜600可包括傳導(dǎo)材料或非傳導(dǎo)(絕緣)材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為頂發(fā)射型時(shí)，保護(hù)膜600可包括具有透明度的有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為底發(fā)射型時(shí)，保護(hù)膜600可包括不透明材料。
[0143]在制造第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500時(shí)，保護(hù)膜600可與中間層320至520以及對(duì)置電極330至530—起被圖案化。保護(hù)膜600可具有與中間層320至520和對(duì)置電極330至530基本相同的圖案。
[0144]圖17示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。
[0145]參照?qǐng)D17，可在基板100上布置保護(hù)膜600’，以覆蓋第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500。例如，可在基板100上形成保護(hù)膜600’，以整體覆蓋第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500中的全部。
[0146]保護(hù)膜600’可包括傳導(dǎo)材料或非傳導(dǎo)(絕緣)材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為頂發(fā)射型時(shí)，保護(hù)膜600’可包括具有透明度的有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料。根據(jù)示例性實(shí)施例，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為底發(fā)射型時(shí)，保護(hù)膜600 ’可包括不透明材料。
[0147]可經(jīng)由與第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500分離的過(guò)程來(lái)形成保護(hù)膜600’。例如，可在形成第一至第三堆疊結(jié)構(gòu)300至500之后，形成保護(hù)膜600 ’，以覆蓋基板100的整個(gè)表面。
[0148]如上所述，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，可提供其中通過(guò)減小IR降而抑制亮度偏差出現(xiàn)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0149]本文中已公開(kāi)了示例性實(shí)施例，并且盡管采用了特定的詞語(yǔ)，但這些詞語(yǔ)僅以通用和描述性的意義上來(lái)使用和解釋，而不用于限制目的。在一些實(shí)例中，到遞交本申請(qǐng)為止，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，顯而易見(jiàn)的是，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元素可單獨(dú)使用，或可與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元素結(jié)合使用，除非另有特別指示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可在不背離所附權(quán)利要求給出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出形式上和細(xì)節(jié)上的多種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備，包括: 基板，包括用于實(shí)現(xiàn)第一顏色的多個(gè)第一發(fā)射部和用于實(shí)現(xiàn)第二顏色的多個(gè)第二發(fā)射部； 像素限定膜，用于限定所述多個(gè)第一發(fā)射部和所述多個(gè)第二發(fā)射部； 多個(gè)像素電極，彼此分離并且分別與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)；以及第一堆疊結(jié)構(gòu)，包括中間層和位于所述中間層上的對(duì)置電極，所述中間層包括發(fā)射所述第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層， 所述第一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:分別與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第一發(fā)射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第一連接圖案部，所述第一連接圖案部連接所述第一發(fā)射圖案部。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述對(duì)置電極包括: 第一區(qū)域，面對(duì)分別與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)像素電極；以及 連接所述第一區(qū)域的第二區(qū)域。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述中間層包括: 第三區(qū)域，位于分別與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)像素電極上；以及 連接所述第三區(qū)域的第四區(qū)域。5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中: 所述像素限定膜包括與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并且所述第三區(qū)域位于分別與所述開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的位置處，并且所述第四區(qū)域位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述中間層和所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述對(duì)置電極具有相同的圖案。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中: 所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述中間層進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離所述對(duì)置電極的方向上位于所述有機(jī)發(fā)射層下的第一中間層，并且 所述有機(jī)發(fā)射層位于所述對(duì)置電極與所述第一中間層之間。8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一中間層包括空穴傳輸層。9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括第二堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于該中間層上的對(duì)置電極，所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層包括發(fā)射所述第二顏色的光的有機(jī)發(fā)射層， 其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:分別與所述多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第二發(fā)射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第二連接圖案部，所述第二連接圖案部連接所述第二發(fā)射圖案部。10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一連接圖案部中的至少一個(gè)與所述第二連接圖案部中的至少一個(gè)在所述像素限定膜的所述上表面的所述一部分上彼此重疊。12.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極包括: 第五區(qū)域，面對(duì)分別與所述多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)像素電極；以及 連接所述第五區(qū)域的第六區(qū)域。13.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層包括: 第七區(qū)域，位于分別與所述多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)像素電極上；以及 連接所述第七區(qū)域的第八區(qū)域。14.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極具有相同的圖案。15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括位于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極上的保護(hù)膜。16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述保護(hù)膜具有與所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和對(duì)置電極相同的圖案。17.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中: 所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極包括半透射金屬層，并且 所述保護(hù)膜是透明的。18.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括: 制備基板，所述基板包括用于實(shí)現(xiàn)第一顏色的多個(gè)第一發(fā)射部和用于實(shí)現(xiàn)第二顏色的多個(gè)第二發(fā)射部； 形成多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極具有島形，以便彼此分離并且分別與所述基板的所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)； 在所述基板上形成像素限定膜，所述像素限定膜包括與所述多個(gè)第一發(fā)射部和所述多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 ；以及 形成第一堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于所述中間層上的對(duì)置電極，所述中間層包括發(fā)射所述第一顏色的光的有機(jī)發(fā)射層， 所述第一堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:與所述多個(gè)第一發(fā)射部分別相對(duì)應(yīng)的第一發(fā)射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第一連接圖案部，所述第一連接圖案部連接所述第一發(fā)射圖案部。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述第一連接圖案部位于所述像素限定膜的上表面的一部分上。20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極具有相同的圖案。21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成第一堆疊結(jié)構(gòu)包括: 在所述基板上形成掩膜圖案，所述掩膜圖案包括暴露所述多個(gè)第一發(fā)射部的開(kāi)口以及連接所述多個(gè)第一發(fā)射部的第一非發(fā)射部，所述第一非發(fā)射部與所述像素限定膜的上表面的一部分相對(duì)應(yīng)； 在其上形成有所述掩膜圖案的所述基板的整個(gè)表面上形成所述中間層，所述中間層包括發(fā)射所述第一顏色的光的所述有機(jī)發(fā)射層； 在所述中間層上形成所述對(duì)置電極；以及 去除所述掩膜圖案，使得保留分別與所述多個(gè)第一發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的所述第一發(fā)射圖案部，并保留與所述第一非發(fā)射部相對(duì)應(yīng)并連接所述第一發(fā)射圖案部的所述第一連接圖案部。22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中: 所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離所述對(duì)置電極的方向上位于所述有機(jī)發(fā)射層下的第一中間層，并且 所述有機(jī)發(fā)射層位于所述對(duì)置電極與所述第一中間層之間。23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述第一中間層包括空穴傳輸層。24.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括形成第二堆疊結(jié)構(gòu)，所述第二堆疊結(jié)構(gòu)包括中間層和位于該中間層上的對(duì)置電極，該中間層包括發(fā)射所述第二顏色的光的有機(jī)發(fā)射層， 其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:分別與所述多個(gè)第二發(fā)射部相對(duì)應(yīng)的第二發(fā)射圖案部，以及位于所述像素限定膜上的第二連接圖案部，所述第二連接圖案部連接所述第二發(fā)射圖案部。25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第二連接圖案部中的至少一個(gè)與所述第一連接圖案部中的至少一個(gè)在所述像素限定膜的上表面的一部分上彼此重疊。26.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極具有相同的圖案。27.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)置電極上形成保護(hù)膜。28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述保護(hù)膜具有與所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的中間層和對(duì)置電極相同的圖案。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105914221SQ201610053924
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年1月27日
【發(fā)明人】鄭知泳, 樸正善, 申旼洙, 黃仁性
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司