光耦合裝置、光耦合裝置的制造方法和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光耦合裝置、光耦合裝置的制造方法和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。為了提高光耦合裝置的特性，光耦合裝置在發(fā)光元件和受光元件之間具有灌封樹脂和內(nèi)模樹脂。內(nèi)模樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且是具有透光性的樹脂。另外，內(nèi)模樹脂(MRI)含有芳環(huán)、和脂環(huán)式化合物。由此，通過減少環(huán)氧樹脂中的芳環(huán)比例，可以抑制樹脂的變質(zhì)。因此，可以抑制環(huán)氧樹脂固化物的透光性的下降，而且可以減少光信號的傳遞性能的劣化。
【專利說明】
光耦合裝置、光耦合裝置的制造方法和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
[00011將2015年2月25日提交的包括說明書、附圖和摘要在內(nèi)的日本專利申請No. 2015-035604的公開內(nèi)容全部引入本申請中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及光耦合裝置、光耦合裝置的制造方法和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0003] 光耦合器具有發(fā)光二極管等發(fā)光元件和光電晶體管等受光元件，將輸入的電信號 通過發(fā)光元件轉(zhuǎn)換為光，該光通過受光元件恢復(fù)為電信號，由此傳遞電信號。
[0004] 例如，在日本特開2008-189833號公報(bào)（專利文獻(xiàn)1)中，公開了通過熱固化性環(huán)氧 樹脂組合物的固化物密封發(fā)光元件和受光元件的光耦合器。
[0005] 另外，在日本特開2014-33124號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，公開了使用一次密封樹脂和 二次密封樹脂的光耦合器。一次密封樹脂含有一次密封用環(huán)氧樹脂、一次密封用酚醛樹脂 固化劑、一次密封用無機(jī)填料、和一次密封用脂肪酸蠟，二次密封樹脂含有二次密封用環(huán)氧 樹脂、二次密封用酚醛樹脂固化劑、二次密封用無機(jī)填料、和二次密封用脂肪酸蠟。一次密 封用樹脂和二次密封用樹脂中的至少一種樹脂含有脂肪酰胺蠟。
[0006] 另外，在日本特開2005-239901號公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中公開了被環(huán)氧樹脂組合物的 固化物密封的光半導(dǎo)體裝置。該環(huán)氧樹脂組合物是以在1分子內(nèi)具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧 樹脂(A)、酚醛樹脂固化劑(B)、固化促進(jìn)劑(C)、溶融破碎二氧化硅(D)為主成分的環(huán)氧樹脂 組合物。該環(huán)氧樹脂組合物還含有酚類抗氧化劑(E)作為必須成分。另外，該環(huán)氧樹脂組合 物的1mm厚的固化物相對于具有700nm至lOOOnm波長的光的透過率為15%以上，而且，在125 °C下處理1000小時(shí)后相對于波長為720nm的光的透過率保持率為50%以上。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-189833號公報(bào) [0010] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2014-33124號公報(bào) [0011] 專利文獻(xiàn)3:特開2005-239901號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 發(fā)明要解決的課題
[0013] 如上所述，光耦合器具有發(fā)光二極管等發(fā)光元件和光電晶體管等受光元件，將輸 入的電信號用發(fā)光元件轉(zhuǎn)換為光，該光用受光元件恢復(fù)為電信號，由此傳遞電信號。
[0014] 根據(jù)這種使用光的信號傳遞技術(shù)，可以電分離各個(gè)信號傳遞路徑。即，一次電路和 二次電路之間彼此電絕緣，并且它們之間的信號傳遞能夠經(jīng)由光進(jìn)行。
[0015] -次電路側(cè)的發(fā)光元件和二次電路側(cè)的受光元件之間通過具有透光性的樹脂彼 此絕緣是必要的。
[0016] 但是，根據(jù)本發(fā)明的研究，已經(jīng)確認(rèn)，在光耦合器中，由于樹脂的變色，樹脂的透光 性下降，因此需要對其進(jìn)行改善。
[0017] 其他課題和新的特征由本說明書的描述和附圖可知。
[0018] 解決課題的手段
[0019] 在本發(fā)明公開的實(shí)施方式中，如下簡單說明代表性例子的概要。
[0020] 本發(fā)明公開的一實(shí)施方式所示的光耦合裝置在第1元件和第2元件之間具有第1樹 脂和第2樹脂。第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性。另外， 第2樹脂含有芳環(huán)化合物和脂環(huán)式化合物。
[0021] 本發(fā)明公開的一實(shí)施方式所示的光耦合裝置的制造方法包括以下步驟:在第1元 件上形成第1樹脂，以及，使第1元件上的第1樹脂與第2元件彼此對置后在第2元件和第1樹 脂之間形成第2樹脂。第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性。 另外，環(huán)氧樹脂含有芳環(huán)、和脂環(huán)式化合物。
[0022] 本發(fā)明公開的一實(shí)施方式所示的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)是包括增幅電路部和與增幅電路 部連接的光耦合部的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。該光耦合部在第1元件和第2元件之間具有第1樹脂和 第2樹脂。第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性。另外，第2樹 脂含有芳環(huán)和脂環(huán)式化合物。
[0023]發(fā)明效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明中公開的以下所示的代表性實(shí)施方式所示的光耦合裝置，可以抑制裝 置內(nèi)的樹脂變色，可以提高光耦合裝置的特性。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明中公開的以下所示的代表性實(shí)施方式所示的光耦合裝置的制造方法， 可以制造出抑制該裝置內(nèi)的樹脂的變色和實(shí)現(xiàn)良好特性的光耦合裝置。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明中公開的以下所示的代表性實(shí)施方式所示的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可以抑制 構(gòu)成電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的裝置內(nèi)的樹脂的變色，可以提高該系統(tǒng)的特性。
【附圖說明】
[0027] 圖1是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。
[0028] 圖2是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖。
[0029] 圖3是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的平面圖。
[0030] 圖4是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖2的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0031]圖5是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的平面圖，是示出圖3的后續(xù)制造 步驟的平面圖。
[0032] 圖6是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖4的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0033] 圖7是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖6的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0034] 圖8是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖7的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0035] 圖9是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖8的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0036] 圖10是顯示實(shí)施方式1的光耦合裝置的制造步驟的截面圖，是示出圖9的后續(xù)制造 步驟的截面圖。
[0037] 圖11是示出比較例1的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。
[0038]圖12(A)~12(C)是示出樹脂界面的間隙發(fā)生機(jī)理的示意圖。
[0039]圖13(A)~13(C)是示出樹脂變色的機(jī)理的示意圖。
[0040] 圖14是示意性地示出芳環(huán)的氧化變色反應(yīng)的圖。
[0041] 圖15是示出比較例2的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。
[0042]圖16(A)~16(C)是示出樹脂變色抑制機(jī)理的示意圖。
[0043] 圖17(A)~17(C)是示出使用低硬度的有機(jī)硅樹脂固化物時(shí)的間隙的狀態(tài)的示意 圖。
[0044] 圖18(A)~18(C)是示出使用實(shí)施方式2的有機(jī)硅樹脂固化物時(shí)的間隙的狀態(tài)的示 意圖。
[0045]圖19是示出實(shí)施方式3的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的一例的說明圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046] 為方便起見，以下實(shí)施方式雖然將多個(gè)部分或?qū)嵤┓绞椒珠_進(jìn)行說明，但除非特 別說明，所述多個(gè)部分或?qū)嵤┓绞讲⒎窍嗷ブg沒有關(guān)系，它們之間的關(guān)系是:一方是另一 方的一部分或全部分的變形例、應(yīng)用例、詳細(xì)說明、或補(bǔ)充說明等。在以下的實(shí)施方式中，當(dāng) 提及要素的數(shù)量等(包括個(gè)數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)時(shí)，除非特別說明或除了原則上明顯限定 為特定數(shù)量的情況等以外，所述數(shù)量并不限定于特定的數(shù)量，可以為特定的數(shù)量以上或以 下。
[0047] 進(jìn)而，在以下的實(shí)施方式中，其構(gòu)成要素(也包括要素步驟等)未必是必須的，除非 特別說明或除了認(rèn)為原則上明顯必須的情況等以外。同樣地，在以下的實(shí)施方式中，當(dāng)提及 構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除非特別說明或除了認(rèn)為原則上明顯并非這樣的情況 等以外，也包括基本上相同或相似于所述形狀等的情況等。這與上述數(shù)量等(包括個(gè)數(shù)、數(shù) 值、量和范圍等)同樣。
[0048] 以下，基于附圖詳細(xì)說明優(yōu)選的實(shí)施方式。在用于說明實(shí)施方式的全部附圖中，具 有相同功能的部件標(biāo)記為相同或相關(guān)的符號，省略其重復(fù)說明。另外，在存在多個(gè)類似部件 (部位)的情況下，可以通過在統(tǒng)稱的符號中追加記號來表示各自的或特定的部位。另外，在 以下的實(shí)施方式中，除非特別必要，原則上不重復(fù)說明相同或相似的部分。
[0049] 另外，在實(shí)施方式所用的附圖中，即使是在截面圖中，為了更容易觀看附圖，也可 以省略剖面線。或者，即使是在平面圖中，為了更容易觀看附圖，也可以添加剖面線。
[0050] 在截面圖或平面圖中，各部位的大小與實(shí)際裝置的大小并不對應(yīng)，為了使附圖更 容易理解，可以相對放大地表示特定部位。在截面圖和平面圖彼此相對應(yīng)的情況下，也可以 采取同樣的情況。
[0051] (實(shí)施方式1)
[0052] 以下，參照附圖詳細(xì)說明本實(shí)施方式的光耦合裝置。
[0053] [結(jié)構(gòu)說明]
[0054]圖1是表示本實(shí)施方式的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。本實(shí)施方式的光耦合裝置 是光耦合器。圖1所示的本實(shí)施方式的光耦合裝置具有發(fā)光元件LED、受光元件ro和配置于 它們之間的2種樹脂(PR、MRI)。將輸入的電信號通過發(fā)光元件LED轉(zhuǎn)換為光，并通過將該光 用受光元件ro恢復(fù)成電信號，可以傳遞電信號。
[0055]發(fā)光元件(發(fā)光片)LED為接受電信號而輸出光信號的光電轉(zhuǎn)換元件。作為發(fā)光元 件LED，可以使用利用例如GaAs或AlGaAs等的發(fā)光二極管等。發(fā)光元件LED搭載在芯片搭載 部DPI上。芯片搭載部DPI是包含例如銅(Cu)等金屬的板狀部件。發(fā)光元件LED通過芯片粘接 材料固粘(粘接、固定)在芯片搭載部(模墊)DP1上。芯片粘接材料(安裝材料)為導(dǎo)電性的粘 接材料(導(dǎo)電糊）。在芯片搭載部DP 1的周邊，配置2條引線LD1。該2條引線LD1中的1條與芯片 搭載部DPI連接(參照圖3)。另外，發(fā)光元件LED的表面電極與另1條引線LD1通過電線W1電連 接。電線W1為包括例如金(Au)等金屬材料的線形部件(金屬細(xì)線）。
[0056]在發(fā)光元件LED上中形成有灌封樹脂PR。換句話說，芯片搭載部DPI上的發(fā)光元件 LED被灌封樹脂PR覆蓋。灌封樹脂PR必須具有絕緣性、且對具有光信號的波長的光必須具有 透光性。例如，可以使用有機(jī)硅樹脂固化物等作為灌封樹脂PR。在本實(shí)施方式中，將用作樹 月旨(PR和后述的MRI)原料的各種化合物的混合物稱為"樹脂組合物"，將該組合物的固化物 稱為"樹脂固化物"。
[0057]有機(jī)硅樹脂固化物是具有有機(jī)聚硅氧烷(具有-Si-0-Si-O-鏈作為主鏈且在Si上 具有有機(jī)基的結(jié)構(gòu))作為主鏈的高分子化合物。
[0058] 有機(jī)硅樹脂固化物對具有光信號的波長的光具有透光性。例如，每mm厚度的有機(jī) 硅樹脂固化物對具有700nm~lOOOnm范圍的波長的光的透過率為10%以上。另外，每mm厚度 的有機(jī)硅樹脂固化物對具有700nm~lOOOnm范圍的波長的光的反射率為90%以下。
[0059] 為了提高有機(jī)硅樹脂固化物的強(qiáng)度，可以在有機(jī)硅樹脂組合物中混合二氧化硅等 填料。填料(例如，二氧化硅)的含量優(yōu)選為20重量％以下，更優(yōu)選為0重量％。有機(jī)硅樹脂組 合物在涂布時(shí)，即在固化前，具有液體狀態(tài)。填料的含量超過20重量％時(shí)，有機(jī)硅樹脂的流 動(dòng)性降低。因此，發(fā)光元件LED的周圍不能均勻地被樹脂填充，導(dǎo)致發(fā)光元件LED的覆蓋性降 低。填料的含量超過20重量％時(shí)，固化后的有機(jī)硅樹脂的硬度變得過大，難以充分緩和施加 到發(fā)光元件LED上的應(yīng)力。
[0060] 受光元件PD是接受光信號而輸出電信號的光電轉(zhuǎn)換元件。作為受光元件PD，可以 使用例如發(fā)光二極管、光電晶體管、受光1C等。受光元件ro搭載在芯片搭載部(模墊)DP2上。 芯片搭載部DP2是包含例如銅(Cu)等金屬的板狀部件。受光元件PD通過芯片粘接材料固定 (粘接、固定)在芯片搭載部DP2上。芯片粘接材料(安裝材料)是導(dǎo)電性的粘接材料(導(dǎo)電性 糊）。在芯片搭載部DP2的周圍，配置多條引線LD2。多條引線LD2中的1條與芯片搭載部DP2連 接。另外，受光元件的表面電極與其他引線LD2分別通過電線W2電連接。電線W2是包含例 如金(Au)等金屬材料的線形部件(金屬細(xì)線）。
[0061] 受光元件PD和發(fā)光元件LED以互相面對的方式配置。即，如圖1所示，芯片搭載部 DPI和DP2以彼此隔著一定間距的方式上下配置，在芯片搭載部DPI的下側(cè)配置發(fā)光元件 LED，在芯片搭載部DP2的上側(cè)配置受光元件。予以說明，發(fā)光元件LED被灌封樹脂PR覆蓋。 灌封樹脂PR為透光性樹脂。
[0062]灌封樹脂PR與受光元件PD之間的空間以及它們的外周被內(nèi)模樹脂（透光性模樹 月旨)MRI密封。另外，內(nèi)模樹脂MRI的外周被外模樹脂(遮光性模樹脂)MRO密封。
[0063] 作為內(nèi)模樹脂MRI，可使用環(huán)氧樹脂固化物(環(huán)氧樹脂組合物的固化物）。該環(huán)氧樹 脂固化物不含氧化鈦等反射劑，且對具有光信號的波長的光具有透光性。例如，每mm厚度的 有機(jī)硅樹脂固化物對具有700nm~lOOOnm范圍的波長的光的透過率為10%以上。另外，每mm 厚度的有機(jī)硅樹脂固化物對具有700nm~lOOOnm范圍的波長的光的反射率為90%以下。
[0064] 另外，該環(huán)氧樹脂固化物可通過使環(huán)氧樹脂組合物中的主劑與固化劑反應(yīng)來形 成。通過將主劑(環(huán)氧樹脂）中的環(huán)氧基間經(jīng)由固化劑交聯(lián)，可使其固化和高分子化。每種主 劑和固化劑可以是單體、2~5聚體、低聚物(20聚體以下)和預(yù)聚物中的任一種。
[0065] 作為主劑，使用芳環(huán)比例小的化合物。作為芳環(huán)比例小的主劑，可以使用例如脂環(huán) 族環(huán)氧樹脂(例如，二環(huán)戊二烯系環(huán)氧樹脂等）、具有含氮環(huán)的環(huán)氧樹脂(例如，三嗪環(huán)系環(huán) 氧樹脂等)等。作為二環(huán)戊二烯系環(huán)氧樹脂，可使用以下的由式（1)表示的化合物?；蛘撸?為主劑，可以使用不包括芳環(huán)的化合物。
[0066]
[0067] 作為固化劑，使用芳環(huán)比例小的化合物。更優(yōu)選使用不包括芳環(huán)的化合物。作為不 包括芳環(huán)的固化劑，可以使用例如酸酐固化劑等。作為酸酐固化劑，可以使用以下的式(2) 表示的化合物。 1234 υ
2 通過使用芳環(huán)比例小的化合物作為主劑，環(huán)氧樹脂固化物中的芳環(huán)的比例變小， 因此可以抑制樹脂的變質(zhì)。 3 另外，通過使用芳環(huán)比例小的化合物作為固化劑，環(huán)氧樹脂固化物中的芳環(huán)的比 例變小，因此可以抑制樹脂的變質(zhì)。 4 以下，說明芳環(huán)比例大的主劑與芳環(huán)比例大的固化劑的反應(yīng)。通過具有作為主劑 的下式(3)表示的化合物和作為固化劑的下式(4)表示的化合物的組合物的反應(yīng)，可以生成 作為環(huán)氧樹脂固化物的下式(5)表示的化合物。即，式(3)表示的化合物中的環(huán)氧基與式(4) 表示的化合物中的0Η基反應(yīng)，從而進(jìn)行聚合反應(yīng)(參照式(3)、式(4)和式(5)中的虛線包圍 的部分）。
[0072]
[0073] 在使用這樣的芳環(huán)比例大的主劑和這樣的芳環(huán)比例大的固化劑時(shí)，環(huán)氧樹脂固化 物中的芳環(huán)的比例變大。
[0074] 另一方面，通過使用芳環(huán)比例小的主劑和芳環(huán)比例小的固化劑，可減小環(huán)氧樹脂 固化物中的芳環(huán)的比例，由此可以抑制樹脂的變質(zhì)。詳情如后所述。
[0075] 另外，在作為內(nèi)模樹脂MRI使用的環(huán)氧樹脂固化物中，為了提高固化物的強(qiáng)度，可 以在環(huán)氧樹脂組合物中混合二氧化硅等填料。另外，通過混合二氧化硅等填料，可以降低含 有金屬的引線LD1或LD2與內(nèi)模樹脂MRI之間的熱膨脹系數(shù)的差。二氧化硅等填料相對于環(huán) 氧樹脂組合物(主劑、固化劑)例如以約60~90重量％的比例混合。
[0076] 另外，為了確保透光性，優(yōu)選在作為內(nèi)模樹脂MRI使用的環(huán)氧樹脂組合物中不添加 氧化鈦等反射劑和碳等著色劑。
[0077]為了防止來自外部的光的入射，以覆蓋內(nèi)模樹脂MRI的方式提供外模樹脂MR0。因 此，外模樹脂MR0具有遮光性。作為外模樹脂MR0,可以使用例如黑色的環(huán)氧樹脂固化物等。
[0078] 在本實(shí)施方式的光耦合裝置中，通過引線LD1，將電信號供給發(fā)光元件LED，發(fā)光元 件LED響應(yīng)電信號而發(fā)光。通過該發(fā)光元件LED發(fā)出的光經(jīng)由灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物） PR和內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI入射到受光元件PD中。然后，在受光元件PD中，光轉(zhuǎn)換 為電信號，將該電信號經(jīng)由引線LD2傳遞到連接有引線LD2的裝置(未圖示）中。
[0079] [制法說明]
[0080] 圖2~圖10是顯示本實(shí)施方式的光耦合裝置的制造步驟的截面圖或平面圖。
[0081 ]如圖2所示，在引線框LF的芯片搭載部DPI上搭載發(fā)光元件LED。例如，在引線框LF 的芯片搭載部DPI上涂布芯片粘接材料(未圖示），在其上搭載并固定發(fā)光元件LED。引線框 LF具有芯片搭載部DPI與配置在該DPI外周的引線LD1的多個(gè)組合通過框F連接的結(jié)構(gòu)。在該 引線框LF的芯片搭載部DPI上搭載發(fā)光元件LED。引線框LF的形狀沒有限制，例如，可以如圖 3所示那樣使用引線框LF。如圖3所示，在芯片搭載部DPI的周圍配置2條引線LD1，2條引線 LD1中的1條與芯片搭載部DPI連接。
[0082]接著，如圖4和圖5所示，將發(fā)光元件LED的表面電極和引線LD1通過電線W1連接在 一起（引線接合步驟）。在圖5中，用圓形示出發(fā)光元件LED的表面電極。
[0083]接著，如圖6所示，在芯片搭載部DPI上的發(fā)光元件LED上滴落液狀或糊狀的灌封樹 脂PR，從而用灌封樹脂PR覆蓋發(fā)光元件LED。作為灌封樹脂PR，例如使用有機(jī)硅樹脂固化物 等。例如，涂布液狀的有機(jī)硅樹脂組合物，然后通過實(shí)施加熱處理使之固化。加熱溫度為例 如約160 °C~200 °C。然后，將有機(jī)硅樹脂固化物冷卻至室溫(常溫）。
[0084]通過這樣用灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR覆蓋發(fā)光元件LED，可以保護(hù)發(fā)光元 件LED。尤其是，對于發(fā)光元件LED來說，大多使用GaAs、AlGaAs等所謂的化合物半導(dǎo)體。這樣 的化合物半導(dǎo)體與例如硅等半導(dǎo)體相比，更硬且脆。因此，通過用柔軟的有機(jī)硅樹脂固化物 覆蓋使用這樣的材料的發(fā)光元件LED，可以緩和施加到發(fā)光元件LED上的應(yīng)力。有機(jī)硅樹脂 固化物與環(huán)氧樹脂固化物相比，柔軟性更高。尤其是，由于施加應(yīng)力可能導(dǎo)致發(fā)光元件LED 的發(fā)光特性劣化，通過用柔軟的有機(jī)硅樹脂固化物覆蓋發(fā)光元件LED，可以抑制發(fā)光特性劣 化。另外，通過只覆蓋發(fā)光元件LED的附近，可以抑制由于與內(nèi)部樹脂之間的熱膨脹差而產(chǎn) 生的變形。
[0085]接著，在芯片搭載部DP2上搭載受光元件PD。例如，如圖7所示，在引線框LF的芯片 搭載部DP2上涂布芯片粘接材料(未圖示），在其上搭載和固定受光元件ro。用于受光元件ro 的引線框LF具有芯片搭載部DP2和配置在該DP2外周的多條引線LD2的多個(gè)組合通過框F連 接的結(jié)構(gòu)。接著，將連接受光元件的多個(gè)表面電極和多條引線LD2分別通過電線W2連接在 一起（引線接合步驟）。
[0086]在此，在芯片搭載部DPI上搭載發(fā)光元件LED后，在芯片搭載部DP2上搭載受光元件 PD，但這些步驟的順序并不限定于此。另外，雖然在圖7中未在受光元件PD上形成灌封樹脂 PR，但是，可以在受光元件ro上形成灌封樹脂PR。然而，在使用例如硅等半導(dǎo)體作為受光元 件ro時(shí)，不大可能發(fā)生應(yīng)力變形。因此，可以省略灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR。
[0087]接著，如圖8所示，使其上搭載有發(fā)光元件LED的引線框LF與其上搭載有受光元件 PD的引線框LF彼此對置，以通過成形模具M(jìn)l來夾持雙方的引線框LF。在此，根據(jù)需要，可以 通過加壓加工等將2條引線框LF的引線LD1、LD2加工成期望的形狀。
[0088]在通過成形模具M(jìn)l夾持2條引線框LF的情況下，向成形模具M(jìn)l間的空間（空腔）內(nèi) 注入(填充)環(huán)氧樹脂組合物，然后將該樹脂組合物實(shí)施加熱處理，以形成內(nèi)模樹脂MRI。將 在成形模具M(jìn)l內(nèi)形成的空間中供給密封樹脂并使之如上述那樣固化的密封方法稱為傳遞 模塑法。
[0089] 在此，本實(shí)施方式中，作為內(nèi)模樹脂MRI使用環(huán)氧樹脂固化物。特別是使用由上述 的各自芳環(huán)比例小的主劑與固化劑的反應(yīng)(熱固化、聚合、交聯(lián)、高分子化)形成的環(huán)氧樹脂 固化物。本實(shí)施方式的情況也是使主劑中的環(huán)氧基與固化劑反應(yīng)而進(jìn)行聚合。該反應(yīng)通過 加熱進(jìn)行。通過這樣來縮小環(huán)氧樹脂固化物中的芳環(huán)的比例，如后述的那樣，可以抑制樹脂 的變質(zhì)。由此，可以抑制環(huán)氧樹脂固化物的透光性的下降，且可以降低光信號的傳遞性能的 劣化。加熱溫度例如為約160°C~200°C。然后，將上述環(huán)氧樹脂冷卻至室溫。
[0090] 在該步驟中，發(fā)光元件LED和受光元件ro通過內(nèi)模樹脂MRI彼此一體化。具體地，在 灌封樹脂PR和受光元件ro之間形成內(nèi)模樹脂MRI。另外，以圍繞灌封樹脂PR和受光元件ro及 它們之間的區(qū)域的方式，形成內(nèi)模樹脂MRI。在發(fā)光元件LED和受光元件ro之間，配置有灌封 樹脂PR和內(nèi)模樹脂MRI，但是由于這些樹脂如前所述具有透光性，因此對光信號的傳遞沒有 阻礙。例如，每mm厚度的各個(gè)灌封樹脂PR和內(nèi)模樹脂MRI對具有700nm~1 OOOnm范圍的波長 的光的透過率為10%以上。另外，每mm厚度的各個(gè)灌封樹脂PR和內(nèi)模樹脂MRI對具有700nm ~lOOOnm范圍的波長的光的反射率為90%以下。
[0091]通過采用這樣的雙模結(jié)構(gòu)（由灌封樹脂PR和內(nèi)模樹脂MRI得到的密封體結(jié)構(gòu)），可 以提高耐受電壓。采用雙模結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的光耦合裝置的耐受電壓為例如10kv以上。
[0092] 進(jìn)而，如前所述，由于使用芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂組合物，因此可以抑制樹脂的變 質(zhì)。特別是如車載用光耦合裝置那樣即使在高溫環(huán)境下使用本發(fā)明裝置的情況下，也可以 抑制樹脂的變質(zhì)，并可以抑制光的傳遞特性的下降。
[0093] 因此，可以延長裝置的壽命。具體地，如后所述，在高溫長時(shí)間保存試驗(yàn)中，特性可 以在150 °C維持10000小時(shí)以上。
[0094]接著，如圖9所示，通過成形模具M(jìn)2來夾持從內(nèi)模樹脂MRI突出的引線框LF。在該狀 態(tài)下，在成形模具M(jìn)2間的空間（空腔）內(nèi)且在內(nèi)模樹脂MRI的外周，注入環(huán)氧樹脂組合物，然 后實(shí)施加熱處理。由此，形成覆蓋內(nèi)模樹脂MRI的外模樹脂MR0。作為外模樹脂MR0，可以使用 例如黑色的環(huán)氧樹脂固化物等。在該外模樹脂MR0中，芳環(huán)的比例可以比內(nèi)模樹脂MRI大。作 為外模樹脂MR0,例如可以使用這樣的固化物:作為主劑使用上述的式(3)表示的化合物、作 為固化劑使用上述的式(4)表示的化合物、向它們中添加碳等著色劑而形成的組合物的固 化物。例如，向成形模具M(jìn)2間的空間（空腔）內(nèi)注入上述組合物，然后實(shí)施加熱處理。加熱溫 度為例如約160°C~200°C。然后，將上述環(huán)氧樹脂固化物冷卻至室溫。
[0095] 接著，如圖10所示，從引線框LF切割出引線LD1、LD2，將從外模樹脂MR0突出的引線 (外引線部)LD1、LD2彎曲。在此，可以在切斷引線LD1、LD2的同時(shí)將它們彎曲。
[0096] 通過以上的步驟，可以形成本實(shí)施方式的光耦合裝置。
[0097] 如上所述，在本實(shí)施方式中，使用芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂固化物作為內(nèi)模樹脂 MRI，因此可以抑制內(nèi)模樹脂MRI的改性。
[0098] 圖11為示出比較例1的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。在圖11的光耦合裝置中，例 如，作為內(nèi)模樹脂MRI，使用芳環(huán)比例大的環(huán)氧樹脂組合物。
[0099] 芳環(huán)比例大的環(huán)氧樹脂固化物的例子包括:主劑中使用含苯環(huán)的環(huán)氧樹脂(例如， 鄰甲酚醛型環(huán)氧樹脂等）的固化物、使用酚類固化劑作為固化劑的固化物、上述式(5)表示 的化合物的固化物等。在使用這樣的環(huán)氧樹脂固化物的情況下，在灌封樹脂PR和內(nèi)模樹脂 MRI之間產(chǎn)生間隙。
[0100] 參照圖12說明這樣的間隙的產(chǎn)生。圖12(A)~12(C)是示出樹脂界面的間隙發(fā)生機(jī) 理的示意圖。覆蓋圖12(A)所示的發(fā)光元件LED的灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR的表面沒 有化學(xué)鍵，因此，灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR與內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI沒有化 學(xué)鍵合。另外，這些樹脂是彼此不同的材料，因此它們的熱膨脹系數(shù)彼此不同。例如，有機(jī)硅 樹脂(400ppm)和環(huán)氧樹脂(22ppm)的熱膨脹系數(shù)彼此相差1個(gè)數(shù)量級以上。因此，如圖12(B) 所示，在形成內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI的過程中，將其加熱、然后冷卻至室溫時(shí)，在灌 封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR和內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI之間的界面剝落，由此產(chǎn) 生間隙S(圖12(C))。
[0101] 另外，在樹脂間產(chǎn)生間隙S時(shí)，由于間隙S內(nèi)的空氣(氧）的影響，內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹 脂固化物)MRI變色。參照圖13(A)至圖14說明該變色。圖13(A)~13(C)是示出樹脂變色機(jī)理 的示意圖。圖14是示意性示出芳環(huán)的氧化變色反應(yīng)的圖。如圖13(A)所示，在灌封樹脂(有機(jī) 硅樹脂固化物)PR和內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI之間的界面產(chǎn)生間隙S的情況下，空氣 (氧)侵入間隙的內(nèi)部（圖13(B))。由于該氧，環(huán)氧樹脂發(fā)生氧化變色。特別是芳環(huán)的反應(yīng)性 高，由氧化產(chǎn)生的碳化合物基團(tuán)（自由基)與芳環(huán)(苯環(huán))結(jié)合，以致切斷C = C鍵、C-C鍵、C-R 鍵等（圖14)。苯環(huán)因 π電子而具有高的電子密度，從而容易被自由基攻擊。通過該反應(yīng)，產(chǎn)生 新的碳化合物基團(tuán)（自由基），使得環(huán)氧樹脂固化物的氧化變色反應(yīng)以鏈反應(yīng)的方式進(jìn)行 (圖13(C))。特別是在高溫的環(huán)境下，氧化變色反應(yīng)易于進(jìn)行。
[0102] 通過這樣的環(huán)氧樹脂固化物的氧化變色，環(huán)氧樹脂固化物的透光性下降，且光信 號的傳遞性能劣化。
[0103] 圖15是示出比較例2的光耦合裝置的構(gòu)成的截面圖。如圖15中所示的比較例2的光 耦合裝置那樣，例如在發(fā)光元件LED和受光元件PD之間配置灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物） PR的情況下，由于灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR和內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI之間 的界面產(chǎn)生于發(fā)光元件LED的兩側(cè)，因此環(huán)氧樹脂固化物受氧化變色反應(yīng)的影響小。換言 之，不會(huì)產(chǎn)生光信號的傳輸路徑交差于發(fā)光元件LED和受光元件PD之間而導(dǎo)致的環(huán)氧樹脂 固化物的變色。然而，在發(fā)光元件LED和受光元件ro之間配置灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物） PR的比較例2的結(jié)構(gòu)中，介由間隙S在發(fā)光側(cè)和受光側(cè)之間產(chǎn)生火花，導(dǎo)致耐受電壓下降。
[0104] 另一方面，如本實(shí)施方式這樣，通過采用雙模結(jié)構(gòu)（由灌封樹脂PR和內(nèi)模樹脂MRI 構(gòu)成的密封體結(jié)構(gòu)），可以提高耐受電壓。進(jìn)而，在使用芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂固化物的情 況下，可以抑制上述氧化變色反應(yīng)的進(jìn)行。由此，可以抑制光信號的傳遞性能的劣化。另外， 即使在高溫的環(huán)境下，也能抑制光信號的傳遞性能的劣化，由此可以延長高溫下的壽命。例 如，在高溫長時(shí)間保存試驗(yàn)中，特性可以在150°C維持10000小時(shí)以上。
[0105] 圖16(A)~16(C)是示出抑制樹脂變色的機(jī)理的示意圖。如圖16(A)所示，通過使用 芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂固化物，即使產(chǎn)生間隙S，環(huán)氧樹脂固化物的氧化變色反應(yīng)也不大可 能進(jìn)行，因此，可以抑制環(huán)氧樹脂固化物的氧化變色。
[0106] 為了縮小環(huán)氧樹脂固化物中的芳環(huán)的比例，如圖16(B)所示，將主劑中的芳環(huán)置換 為脂環(huán)族化合物。例如，將苯環(huán)置換為二環(huán)戊二烯。另外，為了縮小環(huán)氧樹脂固化物中的芳 環(huán)的比例，如圖16(C)所示，將固化劑從具有芳環(huán)的化合物變更為不包括芳環(huán)的化合物。例 如，將苯酚變更為酸酐。
[0107] (實(shí)施例）
[0108] 在表1中，示出芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂固化物的氧化變色試驗(yàn)結(jié)果。作為環(huán)氧樹脂 組合物，使用環(huán)氧樹脂組合物A、環(huán)氧樹脂組合物B、環(huán)氧樹脂組合物C這3種。每種環(huán)氧樹脂 組合物均具有芳環(huán)比例降低的主劑和芳環(huán)比例降低的固化劑。作為比較例(Ref)，芳環(huán)比例 大的環(huán)氧樹脂組合物，具體地，具有含鄰甲酚醛清漆的主劑和含有苯酚的固化劑的環(huán)氧樹 脂組合物也同樣地進(jìn)行試驗(yàn)。
[0109] 使每種環(huán)氧樹脂組合物固化，將1mm厚的該固化物的試片在150°C恒溫槽(空氣中） 中放置500小時(shí)。在該試驗(yàn)中，將環(huán)氧樹脂固化物的表面暴露在空氣中，因此，本試驗(yàn)是比制 品狀態(tài)下進(jìn)行的試驗(yàn)加速的試驗(yàn)。在制品狀態(tài)下，內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI被外模樹 月旨MRO覆蓋，空氣(氧）的供給路徑極少，因此變色進(jìn)行得比表1中所示的值慢。例如，制品狀 態(tài)中150°CX10000小時(shí)后的環(huán)氧樹脂固化物的變色的程度與本試驗(yàn)中在150°CX500小時(shí) 后試片中的環(huán)氧樹脂固化物的顏色對應(yīng)。
[0110] [表 1]
[0111]
[0112] ~如表1所示，在比較例(Ref)的情況下，初期階段為白色的試片隨著經(jīng)過24小時(shí)、48 小時(shí)、168小時(shí)、300小時(shí)、500小時(shí)的時(shí)間，進(jìn)行變色，試片500小時(shí)后變成深褐色。
[0113] 另一方面，關(guān)于芳環(huán)比例降低的環(huán)氧樹脂組合物，確認(rèn)使用組合物A~C任一種的 試片(環(huán)氧樹脂固化物)經(jīng)過500小時(shí)后沒有發(fā)生變色。由此判明，通過使用芳環(huán)比例降低的 環(huán)氧樹脂固化物，可以在制品狀態(tài)下在150 °C維持10000小時(shí)以上的特性。
[0114] (總結(jié)）
[0115] 這樣，通過使用芳環(huán)比例小的化合物作為主劑(環(huán)氧樹脂），環(huán)氧樹脂固化物中的 芳環(huán)的比例變小，從而可以抑制樹脂的變質(zhì)。
[0116] 芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂的例子包括:含有芳環(huán)和脂環(huán)式化合物的環(huán)氧樹脂。另外， 使該環(huán)氧樹脂固化而形成的環(huán)氧樹脂固化物含有芳環(huán)和脂環(huán)式化合物。環(huán)氧樹脂或固化物 中的脂環(huán)式化合物的比例優(yōu)選為20%以上。脂環(huán)式化合物的比例（脂環(huán)式化合物的數(shù)量/環(huán) 氧樹脂或固化物中的芳環(huán)數(shù)量和脂環(huán)式化合物數(shù)量的合計(jì)）用X 100%計(jì)算?；蛘?，可以使 用不包括芳環(huán)的環(huán)氧樹脂或固化物。
[0117] 上述的鄰甲酚醛型環(huán)氧樹脂(主劑)如式(6)所示。
[0118] 、.
r
[0119] 為了降低芳環(huán)的比例，代替式(6)表示的化合物，使用上述由式（1)表示的化合物 (二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂(主劑））。即，將苯環(huán)的部分置換為二環(huán)戊二烯(參照圖16(B))。
[0120] 在這種情況下，在主劑中的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)(括號內(nèi)的結(jié)構(gòu)）中，芳環(huán)和脂環(huán)式化合 物的比例為1:1。例如，當(dāng)用A表示芳環(huán)、用B表示脂環(huán)式化合物時(shí)，該結(jié)構(gòu)為-(A-B)n-。在這 種情況下，脂環(huán)式化合物的比例為約50%。
[0121] 或者，可以用使用含氮環(huán)（例如，三嗪環(huán)）的環(huán)氧樹脂來代替芳環(huán)。在這種情況下， 芳環(huán)的比例減小。芳環(huán)比例小的環(huán)氧樹脂的例子包括含有芳環(huán)和含氮環(huán)的環(huán)氧樹脂。通過 固化該環(huán)氧樹脂而形成的環(huán)氧樹脂固化物含有芳環(huán)和含氮環(huán)。環(huán)氧樹脂或固化物中的含氮 環(huán)的比例優(yōu)選為20%以上?；蛘?，可以使用不包括芳環(huán)的環(huán)氧樹脂或固化物。
[0122] 另外，使用不包括芳環(huán)的化合物(例如，酸酐)等作為固化劑。
[0123] 在本實(shí)施方式中，將環(huán)氧樹脂固化物用作內(nèi)模樹脂MRI，但也可以將有機(jī)硅樹脂固 化物用作內(nèi)模樹脂MRI。有機(jī)硅樹脂固化物不含氧化鈦等反射劑，對具有光信號的波長的光 具有透光性。例如，每_厚度的有機(jī)硅樹脂固化物對于具有700nm~lOOOnm范圍的波長的光 的透過率為10 %以上。另外，每mm厚度的有機(jī)娃樹脂固化物對于具有700nm~1 OOOnm范圍的 波長的光的反射率為90%以下。有機(jī)硅樹脂固化物的原子間的結(jié)合能比環(huán)氧樹脂固化物 大，因此與環(huán)氧樹脂固化物相比不易分解。另外，有機(jī)硅樹脂固化物即使在分解(氧化)的情 況下，由于變成了Si0 2這樣的透光性高的化合物，因此不易發(fā)生變色。因此，可以減少光信 號的傳遞性能的劣化。
[0124] (實(shí)施方式2)
[0125] 本實(shí)施方式中，說明實(shí)施方式1的光耦合裝置的應(yīng)用例。
[0126] 在實(shí)施方式1中，使用有機(jī)硅樹脂固化物作為灌封樹脂PR，在有機(jī)硅樹脂固化物 中，可以使用邵氏A硬度為15~30的橡膠狀的有機(jī)硅樹脂固化物作為灌封樹脂PR。
[0127] 通過使用這樣的有機(jī)硅樹脂固化物，除了實(shí)施方式1的效果(提高耐受電壓，延長 高溫壽命)以外，可以進(jìn)一步穩(wěn)定光信號的傳遞特性。
[0128] 也考慮了使用例如凝膠狀的、柔軟的、低硬度(邵氏A硬度低于20)的有機(jī)硅樹脂固 化物。通過使用這樣的凝膠狀的、柔軟的、具有低硬度的有機(jī)硅樹脂固化物，可以追隨內(nèi)模 樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI的表面的凹凸而使灌封樹脂(有機(jī)硅樹脂固化物)PR變形。此時(shí)， 可以填埋實(shí)施方式1中說明的樹脂間的間隙（樹脂可緊密貼合在一起），由此能夠降低氧的 侵入，并能減少內(nèi)模樹脂(環(huán)氧樹脂固化物)MRI的變色。
[0129] 但是，凝膠狀的、柔軟的、具有低硬度的有機(jī)硅樹脂固化物具有粘性，因此，由于溫 度變化(溫度的上下變化、回流、溫度循環(huán)等），樹脂間的接合面的位置容易變動(dòng)。例如，如圖 17(A)~17(C)所示，當(dāng)溫度變化時(shí)（例如，常溫(25°C) -回流溫度(260°C)-冷卻（25°C))， 位于光信號的傳遞路徑中的間隙S的位置和大小發(fā)生變化。這種情況下，光信號的傳遞特性 發(fā)生變化。還可能引起內(nèi)聚破壞。圖17(A)~17(C)是表示使用低硬度的有機(jī)硅樹脂固化物 時(shí)的間隙狀態(tài)的示意圖。
[0130] 另一方面，如圖18(A)~18(C)所示，當(dāng)使用具有一定程度的高度、例如邵氏A硬度 15~30的橡膠狀的有機(jī)硅樹脂固化物時(shí)，與使用低硬度的有機(jī)硅樹脂固化物的情況相比， 可能產(chǎn)生間隙S，并可能受到氧的影響，但是間隙S的位置和大小的變化減少。另外，關(guān)于受 氧的影響，通過降低實(shí)施方式1中說明的環(huán)氧樹脂固化物中的芳環(huán)比例，可以避免樹脂變色 的問題。圖18(A)~18(C)是示出使用本實(shí)施方式的有機(jī)硅樹脂固化物時(shí)的間隙狀態(tài)的示意 圖。
[0131] 這樣，通過組合例如邵氏A硬度為15~30的橡膠狀的有機(jī)硅樹脂固化物和芳環(huán)比 例低的環(huán)氧樹脂固化物，除了實(shí)施方式1的效果以外，還可以穩(wěn)定化光信號的傳遞特性。
[0132] (實(shí)施方式3)
[0133] 本實(shí)施方式中，說明實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?中說明的光耦合裝置的應(yīng)用例。實(shí)施 方式1或?qū)嵤┓绞?中說明的光耦合裝置的應(yīng)用場所沒有特別限制，例如，本裝置可用于以 下說明的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
[0134] 圖19是顯示本實(shí)施方式的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（電力轉(zhuǎn)換裝置)的一例的說明圖（電路方 框圖）。
[0135] 圖19所示的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)具有電動(dòng)機(jī)Μ0Τ等負(fù)荷、逆變器(增幅電路部）INV、電源 BAT、控制器(控制電路)CTC、和光耦合器(光耦合裝置、光耦合部)PC。在此，作為電動(dòng)機(jī)Μ0Τ， 使用三相電動(dòng)機(jī)。三相電動(dòng)機(jī)以通過相位彼此不同的三相電壓驅(qū)動(dòng)的方式構(gòu)成。光耦合器 PC是插入到構(gòu)成逆變器INV的電路和構(gòu)成控制器CTC的電路之間的光耦合部。光耦合器PC具 有使逆變器INV和控制器CTC彼此之間電絕緣、而且從控制器CTC向逆變器INV傳遞信號的功 能。
[0136] 在圖19的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，電源BAT與逆變器INV連接，從而使電源BAT的電壓（電 力）被供給到逆變器INV。另外，通過在電源BAT和逆變器INV之間插入未圖示的變流器或繼 電器，可以轉(zhuǎn)換供給到逆變器INV的電壓，或開關(guān)電源BAT和逆變器INV的連接狀態(tài)。
[0137] 電動(dòng)機(jī)Μ0Τ與逆變器INV連接，使得從電源BAT供給到逆變器INV的直流電壓(直流 電力)通過逆變器INV變換為交流電壓(交流電力），以供給到電動(dòng)機(jī)Μ0Τ。電動(dòng)機(jī)Μ0Τ被從逆 變器INV供給的交流電壓(交流電力)驅(qū)動(dòng)。
[0138] 控制器(控制器)CTC也與逆變器INV連接，通過該控制器CTC，控制逆變器INV。即， 從電源BAT向逆變器INV供給直流電壓(直流電力），將其通過由控制器CTC控制的逆變器INV 轉(zhuǎn)換為交流電壓(交流電力），然后供給到電動(dòng)機(jī)Μ0Τ，從而可以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)Μ0Τ?？刂破鰿TC 例如由ECU(Electronic Control Unit:電子控制單元）構(gòu)成，且內(nèi)置有MCU(Micro Contro 11 er Unit:微控制單元)等控制用半導(dǎo)體芯片。
[0139] 逆變器INV具有與三相對應(yīng)的6個(gè)IGBT(Insulated Gate Bipolar Trans istor: 絕緣柵雙極型晶體管）1 〇。即，在三相的各相中，在從電源BAT供給到逆變器INV的電源電位 (VCC)與電動(dòng)機(jī)Μ0Τ的輸入電位之間、以及在電動(dòng)機(jī)Μ0Τ的輸入電位與接地電位(GND)之間分 別連接有IGBT 10。
[0140] 通過用控制器CTC控制流過IGBT 10的電流，驅(qū)動(dòng)(旋轉(zhuǎn)）電動(dòng)機(jī)Μ0Τ。即，通過用控 制器CTC控制IGBT 10的開/關(guān)，可以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)Μ0Τ。
[0141] 這種情況下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)Μ0Τ的相對大的電流流過的逆變器INV與控制信號等相 對小的電流流過的控制器CTC電連接在一起時(shí)，有可能在控制器CTC 一側(cè)產(chǎn)生噪音。
[0142] 因此，如圖19所示，通過插入具有使逆變器INV和控制器CTC之間相互電絕緣、且能 夠從控制器CTC向逆變器INV傳遞信號的功能的光耦合器PC，可以提高電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠 性。
[0143] 進(jìn)而，作為用于上述電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的光耦合器PC，通過使用實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?2中說明的光耦合裝置，可以提高電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠性。
[0144] 以上，基于優(yōu)選實(shí)施方式具體說明了本發(fā)明人的發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些 優(yōu)選實(shí)施方式，可以在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)對本發(fā)明進(jìn)行各種變更。例如，在實(shí)施方 式1中，例示了光耦合器來作為光耦合裝置，然而也可以將實(shí)施方式1中說明的樹脂應(yīng)用于 光M0SFET。
[0145] 附圖標(biāo)記
[0146] 10 IGBT
[0147] BAT 電源
[0148] CTC控制器
[0149] DPI芯片搭載部
[0150] DP2芯片搭載部
[0151] INV逆變器
[0152] LD1 引線
[0153] LD2 引線
[0154] LED發(fā)光元件 [0155] LF引線框 [0156] Ml成形模具 [0157] M2成形模具
[0158] Μ0Τ電動(dòng)機(jī)
[0159] MRI內(nèi)模樹脂
[0160] MR0外模樹脂
[0161] PC光耦合器
[0162] PD受光元件
[0163] PR灌封樹脂
[0164] S 間隙
[0165] W1 電線
[0166] W2 電線
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 光耦合裝置，其包括： 搭載在第1搭載部上的第1元件， 與上述第1元件電連接的第1引線， 覆蓋上述第1元件的第1樹脂， 搭載在第2搭載部上的第2元件， 與上述第2元件電連接的第2引線，和 配置在上述第2元件和上述第1樹脂之間的第2樹脂； 其中，上述第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性，且 上述第2樹脂含有芳環(huán)、和脂環(huán)式化合物。2. 權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，其中，上述第2樹脂不包括芳環(huán)。3. 權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，其中，上述環(huán)氧樹脂為由式(1)表示的環(huán)氧樹脂，4. 權(quán)利要求3所述的光耦合裝置，其中，上述固化劑不包括芳環(huán)。5. 權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，其中，上述第1樹脂為有機(jī)硅樹脂固化物。6. 權(quán)利要求1所述的光親合裝置，其中，每mm厚的上述第2樹脂對于具有700nm~1000 nm 范圍的波長的光的透過率為10%以上。7. 權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，其中，每mm厚的上述第2樹脂對于具有700nm~1000 nm 范圍的波長的光的反射率為90%以下。8. 光耦合裝置的制造方法，包括以下步驟： (a) 提供具有第1搭載部和第1引線的第1引線框以及具有第2搭載部和第2引線的第2引 線框， (b) 在上述第1搭載部上搭載第1元件， (c) 在上述第1元件上形成第1樹脂， (d) 在上述第2搭載部上搭載第2元件， (e) 使上述第1元件上的第1樹脂與上述第2元件彼此對置，以便在上述第2元件和上述 第1樹脂之間形成第2樹脂； 其中，上述第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性， 上述環(huán)氧樹脂含有芳環(huán)、和脂環(huán)式化合物。9. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，上述(e)步驟為通過用上述固化劑 熱固化上述環(huán)氧樹脂而形成上述第2樹脂的步驟。10. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，上述環(huán)氧樹脂不包括芳環(huán)。11. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，上述環(huán)氧樹脂為由式（1)表示的環(huán) 氧樹脂，12. 權(quán)利要求11所述的光耦合裝置的制造方法，其中，上述固化劑不包括芳環(huán)。13. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，上述第1樹脂為有機(jī)硅樹脂固化 物。14. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，每mm厚的上述第2樹脂對于具有 700nm~1000 nm范圍的波長的光的透過率為10%以上。15. 權(quán)利要求8所述的光耦合裝置的制造方法，其中，每mm厚的上述第2樹脂對于具有 700nm~1000 nm范圍的波長的光的反射率為90%以下。16. 電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其包括增幅電路部和與上述增幅電路部連接的光耦合部，其中，上 述光耦合部具有： 搭載在第1搭載部上的第1元件， 與上述第1元件電連接的第1引線， 覆蓋上述第1元件的第1樹脂， 搭載在第2搭載部上的第2元件， 與上述第2元件電連接的第2引線，和 配置在上述第2元件和上述第1樹脂之間的第2樹脂； 其中，上述第2樹脂是具有環(huán)氧樹脂和固化劑的組合物的固化物，且具有透光性， 上述第2樹脂含有芳環(huán)、和脂環(huán)式化合物。
【文檔編號】H01L31/12GK105932073SQ201511005839
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年12月29日
【發(fā)明人】野邑由起夫
【申請人】瑞薩電子株式會(huì)社