保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片、保護(hù)膜形成用復(fù)合片及加工物的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具備保護(hù)膜形成膜(1)、以及疊層于該保護(hù)膜形成膜(1)的一面或兩面的剝離片(21)的保護(hù)膜形成用片(2)，所述保護(hù)膜形成膜(1)在波長1064nm的透光率為55％以上、在波長550nm的透光率為20％以下。根據(jù)該保護(hù)膜形成用片(2)，能夠形成可以利用激光預(yù)先對半導(dǎo)體晶片等工件設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力進(jìn)行分割，并且不會通過肉眼觀察到存在于工件或加工物上的磨痕的保護(hù)膜。
【專利說明】
保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片、保護(hù)膜形成用復(fù)合片及加工 物的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及能夠在半導(dǎo)體晶片等工件、或者在對該工件進(jìn)行加工而得到的加工物 (例如半導(dǎo)體芯片)上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用(復(fù)合)片、以及由使用它 們而得到的帶保護(hù)膜的工件制造加工物的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，已使用被稱為倒裝(face down)方式的安裝法來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的制造。 在該方法中，在安裝具有形成有凸塊等電極的電路面的半導(dǎo)體芯片時，將半導(dǎo)體芯片的電 路面?zhèn)冉雍嫌谝€框等芯片搭載部。因此，會成為未形成電路的半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)嚷冻?的結(jié)構(gòu)。
[0003] 因此，為了對半導(dǎo)體芯片加以保護(hù)，多數(shù)情況下在半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)刃纬捎捎?質(zhì)的有機材料構(gòu)成的保護(hù)膜。該保護(hù)膜例如可使用專利文獻(xiàn)1或2所示那樣的半導(dǎo)體背面用 膜或切割膠帶一體型晶片背面保護(hù)膜而形成。
[0004]利用專利文獻(xiàn)1中的半導(dǎo)體背面用膜，可使波長532nm或1064nm下的透光率達(dá)到 20 %以下。由此，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)基于激光照射的打印加工，同時可以防止由激光對半導(dǎo)體元 件造成的不良影響。另外，利用專利文獻(xiàn)2中的晶片背面保護(hù)膜，可使可見光透射率達(dá)到 20%以下。由此，可減小因光線透過而對半導(dǎo)體元件造成的影響。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-28396號公報 [0008] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-235168號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010] 但是，在由半導(dǎo)體晶片等工件制造包含半導(dǎo)體芯片等的片狀體的加工物時，以往 通常會進(jìn)行如下的刀切加工:一邊對工件噴吹用于清洗等的液體一邊用旋轉(zhuǎn)切刀將工件切 斷，從而得到片狀體。但近年來，采用了能夠以干式法分割成片狀體的Stealth Dicing(注 冊商標(biāo))加工。在Stealth Dicing(注冊商標(biāo))加工中，照射開口度(ΝΑ)大的激光，使得在工 件內(nèi)部預(yù)先形成改質(zhì)層并使工件的表面附近所受的損傷為最小限度，然后在擴(kuò)片(expand) 工序等對工件施加力而得到片狀體。
[0011] 另一方面，在半導(dǎo)體芯片的背面通常殘留有因?qū)Π雽?dǎo)體晶片實施的背面研磨處理 加工而引起的磨痕。從半導(dǎo)體芯片外觀的觀點考慮，期望該磨痕可以不被肉眼識別，期望可 利用上述的保護(hù)膜加以掩蔽。
[0012] 本發(fā)明鑒于如上所述的實際情況而完成，其目的在于提供一種保護(hù)膜形成膜及保 護(hù)膜形成用（復(fù)合)片、以及使用它們由半導(dǎo)體芯片等的片狀體得到加工物的制造方法，所 述保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用（復(fù)合)片能夠形成可利用激光預(yù)先對半導(dǎo)體晶片等工件 設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力進(jìn)行分割，并且不會通過肉眼觀察到存在于工件或加工物上的 磨痕的保護(hù)膜。
[0013] 解決課題的方法
[0014] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人等進(jìn)行研究的結(jié)果得到了以下的新見解:在利用激 光在工件上預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層、并通過施加力而分割成片狀體的方法中，從用于在工件內(nèi)形 成改質(zhì)層的激光(在本說明書中，也稱為"加工用激光"）照射激光時，通過提高作為激光波 長的波長l〇64nm的透光率、同時使作為可見光范圍的基本中心區(qū)域的550nm的透光率降低， 可以同時實現(xiàn)通過激光在工件上預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層、并通過對工件施加力而分割成片狀體， 以及將存在于工件或加工物上的磨痕掩蔽至不會通過肉眼觀察到的水平。在此，作為對工 件賦予的力的具體例子，可以舉出在研磨工序中對工件賦予的力、在沖孔工序中對工件賦 予的力等。
[0015] 基于以上見解而完成的本發(fā)明如下所述。
[0016] g卩，第1，本發(fā)明涉及一種保護(hù)膜形成膜，其在波長1064nm的透光率為55%以上，在 波長550nm的透光率為20%以下(發(fā)明1) 〇
[0017] 對于上述發(fā)明（發(fā)明1)而言，所述保護(hù)膜形成膜可以含有有機系著色劑(發(fā)明2)。
[0018] 對于上述發(fā)明（發(fā)明2)而言，所述有機系著色劑可以含有顏料(發(fā)明3)。
[0019] 對于上述發(fā)明（發(fā)明1~3)而言，所述保護(hù)膜形成膜可以是由未固化的固化性粘接 劑構(gòu)成的單層(發(fā)明4)。
[0020] 對于上述發(fā)明（發(fā)明4)而言，所述固化性粘接劑可以含有平均粒徑0.01~3μπι的填 料(發(fā)明5)。
[0021] 對于上述發(fā)明（發(fā)明1~5)而言，所述保護(hù)膜形成膜的厚度可以為3~15μπι(發(fā)明 6)〇
[0022] 第2,本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成用片，其具備上述發(fā)明（發(fā)明1~6)所述的保護(hù)膜 形成膜、以及疊層于所述保護(hù)膜形成膜的一面或兩面的剝離片(發(fā)明7)。
[0023] 第3,本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具備在基材的一面?zhèn)券B層粘合劑層 而成的粘合片、和疊層于所述粘合片的所述粘合劑層側(cè)的上述發(fā)明（發(fā)明1~6)所述的保護(hù) 膜形成膜(發(fā)明8)。
[0024] 第4,本發(fā)明提供一種加工物的制造方法，該方法包括:通過使用上述發(fā)明（發(fā)明1 ~6)所述的保護(hù)膜形成膜、上述發(fā)明（發(fā)明7)所述的保護(hù)膜形成用片或上述發(fā)明（上述發(fā)明 8)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片在工件上形成保護(hù)膜而制造帶保護(hù)膜的工件，照射紅外區(qū)域 的激光并聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)的焦點，在所述工件內(nèi)部形成改質(zhì)層，對形成了所述改 質(zhì)層的工件賦予力，對形成了所述改質(zhì)層的工件進(jìn)行分割，得到作為加工物的多個片狀體 (發(fā)明9)。
[0025] 對于上述發(fā)明（發(fā)明9)而言，所述工件可以為半導(dǎo)體晶片、所述加工物可以為半導(dǎo) 體芯片(發(fā)明10)。
[0026] 發(fā)明的效果
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用(復(fù)合)片，可以形成能夠利用激光預(yù) 先對半導(dǎo)體晶片等工件設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力分割成片狀體，并且不會通過肉眼觀察 到存在于工件或加工物上的磨痕的保護(hù)膜。另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以利用激光在 工件內(nèi)部預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層，并施加力而對工件進(jìn)行分割，從而能夠得到作為加工物的半導(dǎo) 體芯片等片狀體。
【附圖說明】
[0028][圖1]是本發(fā)明的一個實施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。
[0029][圖2]是本發(fā)明的一個實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。
[0030][圖3]是本發(fā)明的另一實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。
[0031][圖4]是示出本發(fā)明的一個實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的使用例、具體來說 是示出第1疊層結(jié)構(gòu)體的剖面圖。
[0032][圖5]是示出本發(fā)明的實施例1、比較例2及3的保護(hù)膜的透光率譜圖的圖。
[0033] 符號說明 [0034] 1···保護(hù)膜形成膜
[0035] 2…保護(hù)膜形成用片
[0036] 21…剝離片
[0037] 3、3A…保護(hù)膜形成用復(fù)合片
[0038] 4…粘合片
[0039] 41···基材
[0040] 42…粘合劑層 [0041] 5…夾具用粘合劑層
[0042] 6…半導(dǎo)體晶片
[0043] 7…環(huán)狀框
【具體實施方式】
[0044]以下，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。
[0045][保護(hù)膜形成膜]
[0046] 本實施方式涉及的保護(hù)膜形成膜用于在工件上、或者在對該工件進(jìn)行加工而得到 的加工物上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜由保護(hù)膜形成膜構(gòu)成，優(yōu)選由固化后的保護(hù)膜形成膜構(gòu) 成。作為工件，可列舉例如半導(dǎo)體晶片等，作為對該工件進(jìn)行加工而得到的加工物，可列舉 例如半導(dǎo)體芯片，但本發(fā)明并不限定于這些。需要說明的是，工件為半導(dǎo)體晶片的情況下， 保護(hù)膜形成于半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)?未形成凸塊等電極的一側(cè)）。
[0047] 1.物性
[0048]本實施方式的保護(hù)膜形成膜是在波長1064nm的透光率為55%以上、在波長550nm 的透光率為20%以下的膜。需要說明的是，本說明書中的透光率是未使用積分球而測定的 值，作為測定儀器，使用分光光度計。
[0049]從容易進(jìn)行利用激光預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層、并通過施加力而進(jìn)行分割的加工的觀點考 慮，本實施方式的保護(hù)膜形成膜優(yōu)選在l〇64nm的透光率為55%以上，更優(yōu)選為60%以上，特 別優(yōu)選為65%以上。從使上述的分割加工變得容易的觀點考慮，本實施方式的保護(hù)膜形成 膜在1064nm的透光率的上限沒有限定，通常為100%。
[0050]另一方面，例如在半導(dǎo)體芯片的背面通常會殘留有因?qū)Π雽?dǎo)體晶片實施的背面研 磨處理加工而引起的磨痕。在波長550nm(基本上是可見光范圍的中心）的透光率為如上所 述的20%以下時，保護(hù)膜形成膜成為不易透射可見光線的膜。因此，上述的磨痕可被保護(hù)膜 形成膜(保護(hù)膜)所掩蔽，基本不會被肉眼識別到。由此，可使半導(dǎo)體芯片等加工物的外觀優(yōu) 異。
[0051 ]從上述磨痕隱蔽性的觀點考慮，保護(hù)膜形成膜在波長550nm的透光率優(yōu)選為15% 以下，特別優(yōu)選為10%以下。如果保護(hù)膜形成膜在波長550nm的透光率為10%以下，即使在 保護(hù)膜形成膜較薄、其厚度為15μπι以下而變得容易看到磨痕的情況下，也容易隱蔽磨痕。需 要說明的是，從磨痕隱蔽性的觀點考慮，在波長550nm的透光率的下限沒有限定。如果使波 長550nm的透光率過度降低，則還存在難以使上述波長1064nm的透光率為55%以上的情況， 因此，波長550nm的透光率的下限通常為0.1 %左右，優(yōu)選為0.5%左右。
[0052]這里，本實施方式的保護(hù)膜形成膜可以由單層構(gòu)成，也可以由多層構(gòu)成，但從透光 率的控制容易性及制造成本方面考慮，優(yōu)選由單層構(gòu)成。保護(hù)膜形成膜由多層構(gòu)成的情況 下，從透光率的控制容易性方面考慮，優(yōu)選該多層整體上滿足上述的透光率。
[0053] 2.材料
[0054] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選由未固化的固化性粘接劑形成。該情況下，通過在將半導(dǎo)體晶 片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜之后使保護(hù)膜形成膜固化，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)膜強固地粘接于工 件，從而能夠在芯片等上形成具有耐久性的保護(hù)膜。
[0055]需要說明的是，保護(hù)膜形成膜由未固化的固化性粘接劑形成的情況下，該保護(hù)膜 形成膜的透光率無論在固化前還是固化后均基本不會發(fā)生變化。因此，如果固化前的保護(hù) 膜形成膜在波長l〇64nm的透光率為55%以上、在波長550nm的透光率為20%以下，則固化后 的保護(hù)膜形成膜(保護(hù)膜)在波長l〇64nm的透光率也為55%以上、在波長550nm的透光率也 為20%以下。
[0056] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選在常溫下具有粘合性、或通過加熱而發(fā)揮出粘合性。由此，在如 上所述地使半導(dǎo)體晶片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜上時，可以使兩者貼合。因此，可以在使 保護(hù)膜形成膜固化之前切實地進(jìn)行定位。
[0057] 構(gòu)成具有如上所述特性的保護(hù)膜形成膜的固化性粘接劑優(yōu)選含有固化性成分和 粘合劑聚合物成分。作為固化性成分，可使用熱固性成分、能量線固化性成分、或它們的混 合物，特別優(yōu)選使用熱固性成分。其理由在于，保護(hù)膜形成膜因具有上述的透光率而不適于 紫外線固化，優(yōu)選為熱固性。
[0058]作為熱固性成分，可列舉例如:環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂、聚 酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯并騸嗪樹脂等以及它們的混合物。這些 當(dāng)中，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂及它們的混合物。
[0059] 環(huán)氧樹脂具有受熱時成為三維網(wǎng)狀、從而形成強固的被膜的性質(zhì)。作為這樣的環(huán) 氧樹脂，可使用以往公知的各種環(huán)氧樹脂，通常優(yōu)選分子量300~2000左右的環(huán)氧樹脂，特 別優(yōu)選分子量300~500的環(huán)氧樹脂。此外，優(yōu)選將分子量330~400的常溫下為液態(tài)的環(huán)氧 樹脂與分子量400~2500、特別是500~2000的常溫下為固體的環(huán)氧樹脂以共混的形式使 用。另外，環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量優(yōu)選為50~5000g/eq。
[0060] 作為這樣的環(huán)氧樹脂，具體可列舉:雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚 酚醛清漆等酚類的縮水甘油醚;丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的縮水甘油醚;鄰苯二 甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的縮水甘油醚;苯胺、異氰脲酸酯等的氮原子上 鍵合的活潑氫經(jīng)縮水甘油基取代而成的縮水甘油基型或烷基縮水甘油基型的環(huán)氧樹脂；乙 烯基環(huán)己烷二環(huán)氧化物、3,4_環(huán)氧環(huán)己基甲基-3,4-二環(huán)己烷甲酸酯、2-(3,4-環(huán)氧）環(huán)己 基-5，5_螺(3,4_環(huán)氧)環(huán)己烷間二氧雜環(huán)己烷等這樣的通過將分子內(nèi)的碳-碳雙鍵進(jìn)行例 如氧化而導(dǎo)入了環(huán)氧的所謂脂環(huán)型環(huán)氧化物。此外，還可以使用具有聯(lián)苯骨架、雙環(huán)己二烯 骨架、萘骨架等的環(huán)氧樹脂。
[0061] 這些當(dāng)中，優(yōu)選使用雙酚系縮水甘油基型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂 及苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用1種，或?qū)?種以上組合使用。
[0062] 使用環(huán)氧樹脂的情況下，優(yōu)選組合使用作為助劑的熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化 劑。所述熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑是在室溫下不與環(huán)氧樹脂反應(yīng)、而通過加熱至一 定溫度以上會發(fā)生活化從而與環(huán)氧樹脂發(fā)生反應(yīng)的類型的固化劑。熱活性型潛伏性環(huán)氧樹 脂固化劑的活化方法包括:通過基于加熱的化學(xué)反應(yīng)而生成活性種（陰離子、陽離子）的方 法;在室溫附近穩(wěn)定地分散在環(huán)氧樹脂中、在高溫下與環(huán)氧樹脂相容/溶解而引發(fā)固化反應(yīng) 的方法;利用分子篩封閉型的固化劑使其在高溫下溶出而引發(fā)固化反應(yīng)的方法;利用微膠 囊的方法等。
[0063] 作為熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑的具體例，可列舉各種鐵鹽、或二元酸二酰 肼化合物、雙氰胺、胺加合物固化劑、咪唑化合物等高熔點活潑氫化合物等。這些熱活性型 潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑可以單獨使用1種、或?qū)?種以上組合使用。如上所述的熱活性型潛 伏性環(huán)氧樹脂固化劑優(yōu)選以相對于環(huán)氧樹脂1〇〇重量份為0.1~20重量份、特別優(yōu)選為0.2 ~10重量份、進(jìn)一步優(yōu)選為0.3~5重量份的比例使用。
[0064] 作為酚類樹脂，可以沒有特殊限制地使用烷基苯酚、多元酚、萘酚等酚類與醛類的 縮合物等。具體可使用:苯酚酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、對甲酚酚醛清漆樹脂、叔 丁基苯酚酚醛清漆樹脂、雙環(huán)戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯基苯酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹 月旨、或它們的改性物等。
[0065] 這些酚類樹脂所包含的酚羥基可通過加熱而容易地與上述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基發(fā) 生加成反應(yīng)而形成耐沖擊性高的固化物。因此，也可以將環(huán)氧樹脂與酚類樹脂組合使用。
[0066] 粘合劑聚合物成分可以對保護(hù)膜形成膜賦予適度的粘性，從而提高保護(hù)膜形成用 復(fù)合片3的操作性。粘合劑聚合物的重均分子量通常在2萬~200萬、優(yōu)選在5萬~150萬、特 別優(yōu)選在10萬~100萬的范圍。如果分子量過低，則會導(dǎo)致保護(hù)膜形成膜的成膜變得不充 分，如果過高，則會導(dǎo)致與其它成分的相容性變差，結(jié)果妨礙形成均勻的膜。作為這樣的粘 合劑聚合物，可使用例如丙烯酸類聚合物、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、聚氨酯樹脂、有機硅樹 月旨、橡膠類聚合物等，特別優(yōu)選使用丙烯酸類聚合物。
[0067] 作為丙烯酸類聚合物，可列舉例如：（甲基)丙烯酸酯單體與來源于（甲基）丙烯酸 衍生物的結(jié)構(gòu)單元形成的（甲基)丙烯酸酯共聚物。其中，作為（甲基)丙烯酸酯單體，優(yōu)選使 用烷基的碳原子數(shù)為1~18的（甲基)丙烯酸烷基酯，例如（甲基)丙烯酸甲酯、（甲基)丙烯酸 乙酯、（甲基)丙烯酸丙酯、（甲基)丙烯酸丁酯等。另外，作為（甲基)丙烯酸衍生物，可列舉例 如：（甲基)丙烯酸、（甲基)丙烯酸縮水甘油酯、（甲基)丙烯酸羥基乙酯等。
[0068] 上述當(dāng)中，如果使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為結(jié)構(gòu)單元而向丙烯酸類聚合物 中導(dǎo)入縮水甘油基，則可提高與上述的作為熱固性成分的環(huán)氧樹脂之間的相容性，使保護(hù) 膜形成膜固化后的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)提高，耐熱性提高。另外，上述當(dāng)中，如果使用丙烯 酸羥基乙酯等作為結(jié)構(gòu)單元而向丙烯酸類聚合物中導(dǎo)入羥基，則可控制對于工件的密合 性、粘合物性。
[0069] 使用丙烯酸類聚合物作為粘合劑聚合物的情況下，該聚合物的重均分子量優(yōu)選為 10萬以上、特別優(yōu)選為15萬~100萬。丙烯酸類聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度通常為40°C以下、 優(yōu)選為-70~20 °C左右。
[0070] 熱固性成分與粘合劑聚合物成分的配合比率如下：相對于粘合劑聚合物成分100 重量份，優(yōu)選以50~1500重量份、特別優(yōu)選以70~1000重量份、進(jìn)一步優(yōu)選以80~800重量 份配合熱固性成分。以這樣的比例配合熱固性成分和粘合劑聚合物成分時，可以在固化前 顯示出適度的粘性、從而使粘貼作業(yè)穩(wěn)定地進(jìn)行，另外，在固化后，可得到被膜強度優(yōu)異的 保護(hù)膜。
[0071] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選含有著色劑和/或填料，特別是，優(yōu)選含有著色劑及填料這兩 者。由此，能夠容易地將波長l〇64nm及波長550nm的透光率控制于上述范圍。另外，如果保護(hù) 膜形成膜含有填料，則能夠在將固化后的保護(hù)膜的硬度保持于高水平的同時，使耐濕性得 以提高。進(jìn)一步，能夠使固化后的保護(hù)膜的熱膨脹系數(shù)接近于半導(dǎo)體晶片的熱膨脹系數(shù)，由 此能夠減少加工過程中半導(dǎo)體晶片的翹曲。
[0072] 作為著色劑，可以使用例如無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知的著色 劑。其中，從容易得到550nm的光線的吸收大、1064nm的光線吸收小的保護(hù)膜形成膜、容易提 高透光率的控制性的觀點考慮，著色劑優(yōu)選含有有機系著色劑。另外，使用在550nm及 1064nm的透光率均較大的著色劑而得到550nm的透光率低、1064nm的透光率高的保護(hù)膜形 成膜的情況下，各透光率的上限或下限之差(所謂的余量(margin))存在變小的傾向。由于 保護(hù)膜形成膜因厚度不均而存在透光率變化，因此，余量小的保護(hù)膜形成膜的各透光率中 的任意透光率局部地超出上限或下限的可能性增加。如果是有機系著色劑，則550nm及 1064nm的透光率均容易使余量變大，因此可以降低透光率局部地超出上限或下限的可能 性。特別是保護(hù)膜形成膜薄、其厚度為15μπι以下的情況下，為了將550nm的透光率調(diào)整為較 低而增多保護(hù)膜形成膜中著色劑的配合量時，存在l〇64nm的透光率的控制困難的情況，并 且厚度不均導(dǎo)致的透光率變化也大，因此優(yōu)選使用有機系著色劑。從提高著色劑的化學(xué)穩(wěn) 定性(具體可以示例溶出困難程度、產(chǎn)生色轉(zhuǎn)移的困難程度、經(jīng)時變化的多少)的觀點考慮， 優(yōu)選著色劑由顏料構(gòu)成。因此，本實施方式的保護(hù)膜形成膜所含有的著色劑優(yōu)選由有機系 顏料構(gòu)成。
[0073] 作為有機系著色劑的有機系顏料及有機系染料，可以舉出例如:銨系色素、花青系 色素、部花青系色素、克酮酸系色素、方酸懲系色素、甘菊藍(lán)(azulenium)系色素、聚甲炔系 色素、萘醌系色素、吡喃傭系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內(nèi)酰亞胺系色素、偶氮系 色素、縮合偶氮系色素、靛藍(lán)系色素、紫環(huán)酮系色素、茈系色素、二曝嗪系色素、喹吖啶酮系 色素、異吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛系色素、金屬絡(luò)合物系色素(金 屬絡(luò)鹽染料）、二硫醇金屬絡(luò)合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色 素、二?嗪系色素、萘酚系色素、偶氮甲堿系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林 系色素等。
[0074] 有機系著色劑可以由1種材料構(gòu)成，也可以由多種材料構(gòu)成。從提高保護(hù)膜形成膜 的透光率譜圖的輪廓控制性的觀點、具體來說，從容易使波長550nm的透光率為20%以下且 使波長l〇64nm的透光率為55%以上的觀點考慮，本實施方式的保護(hù)膜形成膜所含有的著色 劑優(yōu)選由多種材料構(gòu)成。
[0075] 例如，如果以適當(dāng)?shù)谋壤浜献鳛辄S色系顏料的異吲哚啉酮系色素、作為藍(lán)色系 顏料的酞菁系色素、以及作為紅色系顏料的吡咯并吡咯二酮，則能夠容易地實現(xiàn)使波長 550nm的透光率為20%以下且使波長1064nm的透光率為55%以上。
[0076] 作為無機系顏料，可列舉例如:炭黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩 系色素、錯系色素、鉬系色素、舒系色素、鉑系色素、ΙΤ0(銦錫氧化物)系色素、ΑΤ0(鋪錫氧化 物)系色素等。
[0077] 本實施方式的保護(hù)膜形成膜中的著色劑也可以由有機系著色劑及無機系著色劑 構(gòu)成。
[0078] 保護(hù)膜形成膜中著色劑的配合量應(yīng)該在進(jìn)一步考慮保護(hù)膜形成膜的厚度的基礎(chǔ) 上適宜設(shè)定，使得保護(hù)膜形成膜的透光率譜圖為所期望的輪廓(包括使波長550nm的透光率 為20%以下且使波長1064nm的透光率為55%以上）。保護(hù)膜形成膜中著色劑的配合量過高 的情況下，保護(hù)膜形成膜的其它物性、例如對工件的粘接性也存在降低的傾向，因此，在進(jìn) 一步考慮這一點的情況下，優(yōu)選設(shè)定上述的配合量。
[0079]保護(hù)膜形成膜中著色劑的配合量(濃度)具體如下：優(yōu)選為0.05~25質(zhì)量％，更優(yōu) 選為0.1~20質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5~17.5質(zhì)量％。
[0080] 只要上述保護(hù)膜形成膜具有給定的光學(xué)特性(波長550nm的透光率為20%以下、波 長1064nm的透光率為55%以上），則著色劑的平均粒徑?jīng)]有限定。著色劑的平均粒徑過大的 情況下，有時無論波長如何均具有難以提高透光率的傾向。著色劑的平均粒徑過小的情況 下，產(chǎn)生這樣的著色劑難以獲得、操作性下降等這樣的次要問題的可能性增高。因此，著色 劑的平均粒徑優(yōu)選為1~500nm，更優(yōu)選為3~100nm，進(jìn)一步優(yōu)選為5~50nm。需要說明的是， 本說明書中的著色劑的平均粒徑是使用粒度分布測定裝置（日機裝株式會社制、Nanotrac Wave-UT151)、通過動態(tài)光散射法測得的值。
[0081] 作為填料，可列舉結(jié)晶二氧化硅、熔融二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅、或氧 化錯、玻璃球等無機填料。其中，優(yōu)選二氧化娃，更優(yōu)選合成二氧化娃，特別是，盡可能地除 去了成為導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生誤動作的主要原因的α射線的輻射源的類型的合成二氧化硅 是最適合的。作為填料的形狀，可列舉球形、針狀、無定形等，但優(yōu)選為球形，特別優(yōu)選為正 球形。填料為球形或正球形時，不易發(fā)生光線的漫反射，保護(hù)膜形成膜的透光率譜圖的輪廓 的控制變得容易。
[0082] 另外，作為添加至保護(hù)膜形成膜中的填料，除了上述無機填料以外，還可以配合功 能性的填料。作為功能性的填料，可列舉例如：以賦予芯片焊接后的導(dǎo)電性為目的的金、銀、 銅、鎳、鋁、不銹鋼、碳、陶瓷、或用銀包覆鎳、鋁等而成的導(dǎo)電性填料；以賦予導(dǎo)熱性為目的 的金、銀、銅、鎳、鋁、不銹鋼、硅、鍺等金屬材料、或它們的合金等導(dǎo)熱性填料等。
[0083 ] 填料(特別是二氧化娃填料）的平均粒徑優(yōu)選為0.01~1 ΟμL?、更優(yōu)選為0.01~3μηι、 特別優(yōu)選為0.03~2μπι、進(jìn)一步優(yōu)選為0.05~Ιμπι。填料的平均粒徑為Ο.ΟΙμπι以上時，容易將 波長550nm的透光率控制于20%以下、從而使半導(dǎo)體芯片等上的磨痕不會被肉眼觀察到。另 一方面，填料的平均粒徑超過10M時，存在導(dǎo)致保護(hù)膜形成膜的表面狀態(tài)變差的隱患。另 外，填料的平均粒徑超過3μπι時，有時會因紅外線的漫反射而導(dǎo)致難以控制保護(hù)膜形成膜的 透光率譜圖的輪廓的情況。需要說明的是，本說明書中的填料的低于lym的平均粒徑是使用 粒度分布測定裝置（日機裝株式會社制，Nanotrac Wave-UT 151)、通過動態(tài)光散射法而測得 的值。另外，填料的Ιμπι以上的平均粒徑是使用粒度分布測定裝置（日機裝株式會社制， Microtrac MT3000II)、通過激光衍射/散射法而測得的值。
[0084]保護(hù)膜形成膜中的填料(特別是二氧化硅填料）的配合量優(yōu)選為10~80質(zhì)量％、特 別優(yōu)選為20~70質(zhì)量％、進(jìn)一步優(yōu)選為30~65質(zhì)量％。填料的配合量在上述范圍時，容易將 波長550nm的透光率控制于20%以下，從而使半導(dǎo)體芯片等上的磨痕不會被肉眼觀察到。另 外，存在保護(hù)膜形成膜(保護(hù)膜)在紅外線區(qū)域的透光率得以保持，從而容易控制保護(hù)膜形 成膜的透光率譜圖的輪廓的傾向。
[0085] 保護(hù)膜形成膜還可以含有偶聯(lián)劑。通過含有偶聯(lián)劑，在保護(hù)膜形成膜固化后，能夠 在不破壞保護(hù)膜的耐熱性的情況下提高保護(hù)膜與工件之間的粘接性/密合性，并且能夠使 耐水性(耐濕熱性)提高。作為偶聯(lián)劑，從其通用性和成本優(yōu)勢等方面考慮，優(yōu)選硅烷偶聯(lián) 劑。
[0086] 作為硅烷偶聯(lián)劑，可列舉例如：γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基 丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙 基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、Ν-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅 燒、Ν_6_(氛基乙基)-γ -氛基丙基甲基二乙氧基硅烷、Ν-苯基-γ -氛基丙基二甲氧基硅烷、 γ -脲丙基三乙氧基硅烷、γ -巰丙基三甲氧基硅烷、γ -巰丙基甲基二甲氧基硅烷、雙(3-三 乙氧基甲硅烷基丙基）四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基 硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。這些硅烷偶聯(lián)劑可以單獨使用1種，或?qū)?種以 上混合使用。
[0087] 為了調(diào)節(jié)固化前的凝聚力，保護(hù)膜形成膜也可以含有有機多異氰酸酯化合物、有 機多亞胺化合物、有機金屬螯合化合物等交聯(lián)劑。另外，為了抑制靜電、提高芯片的可靠性， 保護(hù)膜形成膜還可以含有抗靜電劑。此外，為了提高保護(hù)膜的阻燃性能、提高作為組件的可 靠性，保護(hù)膜形成膜還可以含有磷酸化合物、溴化合物、磷系化合物等阻燃劑。
[0088] 為了有效發(fā)揮作為保護(hù)膜的功能，保護(hù)膜形成膜的厚度優(yōu)選為3~300μπι，更優(yōu)選 為5~200μηι，進(jìn)一步優(yōu)選為7~100μπι。另外，在要求保護(hù)膜形成膜薄膜化的情況下，保護(hù)膜 形成膜的厚度優(yōu)選為3~15μηι，更優(yōu)選為5~13μηι，進(jìn)一步優(yōu)選為7~Ι?μπι。本實施方式的保 護(hù)膜形成膜保持高的紅外線透光率，并且可見光透光率降低，即使在如上所述的薄膜化的 情況下，也能夠發(fā)揮上述效果。
[0089][保護(hù)膜形成用片]
[0090] 圖1是本發(fā)明的一個實施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖1所示，本實施方 式的保護(hù)膜形成用片2具備保護(hù)膜形成膜1、和疊層于保護(hù)膜形成膜1的一面(在圖1中，為下 側(cè)的面)的剝離片21而構(gòu)成。需要說明的是，剝離片21在使用保護(hù)膜形成用片2時被剝離。
[0091] 剝離片21在保護(hù)膜形成用片2被使用之前的期間內(nèi)對保護(hù)膜形成膜1加以保護(hù)，但 其并不是必須的。剝離片21的構(gòu)成是任意的，可列舉膜本身相對于保護(hù)膜形成膜1具有剝離 性的塑料膜、及利用剝離劑等對塑料膜進(jìn)行剝離處理而成的材料。作為塑料膜的具體例，可 列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及 聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴膜。作為剝離劑，可使用有機硅類、氟類、長鏈烷基類等，在這些當(dāng) 中，優(yōu)選廉價且可獲得穩(wěn)定性能的有機硅類。對于剝離片21的厚度沒有特殊限制，但通常為 20~250μηι左右。
[0092] 如上所述的剝離片21也可以疊層在保護(hù)膜形成膜1的另一面(在圖1中，為上側(cè)的 面）。此時，優(yōu)選使一側(cè)的剝離片21的剝離力大而成為重剝離型剝離片、并使另一側(cè)剝離片 21的剝離力小而成為輕剝離型剝離片。
[0093] 為了制造本實施方式的保護(hù)膜形成用片2,在剝離片21的剝離面(具有剝離性的 面;通常為實施了剝離處理的面，但并不限定于此)形成保護(hù)膜形成膜1。具體而言，制備含 有構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑、和根據(jù)需要而進(jìn)一步添加的溶劑的保護(hù)膜形成膜 用涂布劑，并利用輥涂機、刮刀式涂布機、輥刀涂布機、氣刀涂布機、模涂機、棒涂機、凹版涂 布機、淋幕涂布機等涂布機將其涂布于剝離片21的剝離面并進(jìn)行干燥，從而形成保護(hù)膜形 成膜1。
[0094]以下，針對使用本實施方式的保護(hù)膜形成用片2,作為一例而由作為工件的半導(dǎo)體 晶片制造帶保護(hù)膜的芯片的方法進(jìn)行說明。首先，在表面形成有電路、且經(jīng)過了背面研磨處 理加工的半導(dǎo)體晶片的背面粘貼保護(hù)膜形成用片2的保護(hù)膜形成膜1。此時，也可以根據(jù)需 要對保護(hù)膜形成膜1進(jìn)行加熱，以使其發(fā)揮出粘合性。
[0095]接著，將剝離片21從保護(hù)膜形成膜1剝離。然后，使保護(hù)膜形成膜1固化而形成保護(hù) 膜，從而得到帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片。保護(hù)膜形成膜1為熱固性粘接劑的情況下，將保護(hù)膜 形成膜1在給定溫度下加熱適當(dāng)?shù)臅r間即可。需要說明的是，保護(hù)膜形成膜1的固化也可以 在切割工序后進(jìn)行。
[0096]在如上所述地獲得帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片之后，根據(jù)需要對其保護(hù)膜照射激光， 進(jìn)行激光打印。需要說明的是，該激光打印也可以在保護(hù)膜形成膜1的固化前進(jìn)行。
[0097]接著，將進(jìn)行了激光打印的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片設(shè)置于分割加工用激光照射裝 置中，檢測被保護(hù)膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片的表面位置后，使用加工用激光在半導(dǎo)體晶片內(nèi)形 成改質(zhì)層。在這樣得到的改質(zhì)層內(nèi)部形成的由半導(dǎo)體晶片及保護(hù)膜構(gòu)成的疊層體的保護(hù)膜 一側(cè)的面是能夠粘貼切割片。而且，通過實施使切割片拉伸的擴(kuò)片(expand)工序，對帶保護(hù) 膜的半導(dǎo)體晶片6賦予力(主面內(nèi)方向的拉伸力）。其結(jié)果，粘貼在切割片上的上述疊層體被 分割，得到具有保護(hù)膜的芯片（帶保護(hù)膜的芯片）。然后，使用拾取裝置，從切割片拾取帶保 護(hù)膜的芯片。
[0098]對于如上所述地獲得的帶保護(hù)膜的芯片而言，由于其因背面研磨處理加工而引起 的磨痕被保護(hù)膜所掩蔽而不會被肉眼識別到，因此外觀優(yōu)異。另外，通過隔著保護(hù)膜由加工 用激光光源對用于形成該帶保護(hù)膜的芯片的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片照射激光，可以在被保 護(hù)膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層。因此，通過利用激光由帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片 預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力來進(jìn)行分割的方法，可以制造帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。 [0099][保護(hù)膜形成用復(fù)合片]
[0100]圖2是本發(fā)明的一個實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。如圖2所示，本實 施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3具備在基材41的一面疊層粘合劑層42而成的粘合片4、疊層 于粘合片4的粘合劑層42側(cè)的保護(hù)膜形成膜1、以及疊層于保護(hù)膜形成膜1的與粘合片4相反 側(cè)的周邊部的夾具用粘合劑層5而構(gòu)成。夾具用粘合劑層5是用于將保護(hù)膜形成用復(fù)合片3 粘接于環(huán)狀框等夾具的層。
[0101]實施方式涉及的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3用于在加工工件時粘貼于該工件而保持該 工件、同時在該工件上或者在對該工件進(jìn)行加工而得到的加工物上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜 由保護(hù)膜形成膜1構(gòu)成，優(yōu)選由固化后的保護(hù)膜形成膜1構(gòu)成。
[0102] 作為一例，實施方式涉及的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3可用于在進(jìn)行作為工件的半導(dǎo) 體晶片的切割加工時保持半導(dǎo)體晶片、同時在經(jīng)切割而得到的半導(dǎo)體芯片上形成保護(hù)膜， 但并不限定于此。此時的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的粘合片4通常被稱為切割片。
[0103] 1.粘合片
[0104]本實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的粘合片4具備基材41、和疊層于基材41的一 面的粘合劑層42而構(gòu)成。
[0105] 1-1.基材
[0106] 粘合片4的基材41只要是適于工件的加工、例如半導(dǎo)體晶片的切割及擴(kuò)片的基材 即可，對其構(gòu)成材料并無特殊限定，通常由以樹脂類的材料為主要材料的膜（以下稱為"樹 脂膜"）構(gòu)成。
[0107] 作為樹脂膜的具體例，可列舉：低密度聚乙烯（LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯 (LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基 戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯樹脂膜等聚烯烴類膜;乙烯-乙酸乙烯酯共聚物 膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等烯屬共聚物膜;聚氯乙 烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯類膜;聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯 膜等聚酯類膜;聚氨酯膜;聚酰亞胺膜;聚苯乙烯膜;聚碳酸酯膜;氟樹脂膜等。另外，還可以 使用這些樹脂的交聯(lián)膜、離聚物膜這樣的改性膜。上述的基材41可以是由這些當(dāng)中的1種形 成的膜，此外，也可以是組合了這些當(dāng)中的2種以上的疊層膜。需要說明的是，本說明書中的 "(甲基)丙烯酸"表示丙烯酸及甲基丙烯酸這兩者。對于其它類似的用語也作同樣理解。
[0108] 上述當(dāng)中，從環(huán)境安全性、成本等方面考慮，優(yōu)選聚烯烴類膜，其中優(yōu)選耐熱性優(yōu) 異的聚丙烯膜。采用聚丙烯膜時，能夠在不破壞粘合片4的擴(kuò)片適應(yīng)性及芯片的拾取適應(yīng)性 的情況下對基材41賦予耐熱性。通過使基材41具有這樣的耐熱性，即使在將保護(hù)膜形成用 復(fù)合片3粘貼于工件的狀態(tài)下使保護(hù)膜形成膜1熱固化的情況下，也能夠抑制粘合片4的松 弛的發(fā)生。
[0109] 對于上述樹脂膜，為了提高其與疊層于其表面的粘合劑層42之間的密合性，可以 根據(jù)需要對其一面或兩面實施基于氧化法、凹凸化法等的表面處理、或底涂處理。作為上述 氧化法，可列舉例如電暈放電處理、等離子體放電處理、鉻酸處理(濕式）、火焰處理、熱風(fēng)處 理、臭氧、紫外線照射處理等，另外，作為凹凸化法，可列舉例如噴砂法、噴鍍處理法等。
[0110] 對于基材41而言，也可以在上述樹脂膜中含有著色劑、阻燃劑、增塑劑、抗靜電劑、 潤滑劑、填料等各種添加劑。
[0111] 對于基材41的厚度而言，只要可使在使用保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的各工序中適當(dāng) 地發(fā)揮出功能就沒有特殊限定。優(yōu)選為20~450μπι、更優(yōu)選為25~400μπι、特別優(yōu)選為50~ 350μηι的范圍。
[0112] 本實施方式中的粘合片4的基材41的斷裂伸長率以在23°C、相對濕度50%時測定 的值計優(yōu)選為100%以上、特別優(yōu)選為200~1000%。這里，斷裂伸長率是在基于JIS K7161: 1994(IS0 527-1 1993)的拉伸試驗中、試驗片破壞時的試驗片長度相對于原始長度的伸長 率。上述的斷裂伸長率為100%以上的基材41不易在擴(kuò)片工序中發(fā)生斷裂，容易使將工件切 割而形成的芯片間隔開。
[0113] 另外，本實施方式中的粘合片4的基材41的25%應(yīng)變時拉伸應(yīng)力優(yōu)選為5~15N/ 10mm、最大拉伸應(yīng)力優(yōu)選為15~50MPa。這里，25%應(yīng)變時拉伸應(yīng)力及最大拉伸應(yīng)力是通過 基于JIS K7161:1994的試驗測定的。如果25%應(yīng)變時拉伸應(yīng)力為5N/10mm以上、最大拉伸應(yīng) 力為15MPa以上，則在將工件粘貼于切割片1之后固定于環(huán)狀框等框體時，可抑制基材2發(fā)生 松弛，能夠防止發(fā)生傳輸錯誤。另一方面，如果25%應(yīng)變時拉伸應(yīng)力為15N/10mm以下、最大 拉伸應(yīng)力為50MPa以下，則在擴(kuò)片工序中能夠抑制切割片1自身從環(huán)狀框剝離。需要說明的 是，上述的斷裂伸長率、25%應(yīng)變時拉伸應(yīng)力、最大拉伸應(yīng)力是指針對基材41的原膜的長度 方向進(jìn)行測定而得到的值。
[0114] 1-2.粘合劑層
[0115] 本實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的粘合片4所具備的粘合劑層42可以由非能 量線固化性粘合劑構(gòu)成，也可以由能量線固化性粘合劑構(gòu)成。作為非能量線固化性粘合劑， 優(yōu)選為具有所需要的粘合力及再剝離性的粘合劑，可使用例如:丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘 合劑、有機硅類粘合劑、聚氨酯類粘合劑、聚酯類粘合劑、聚乙烯基醚類粘合劑等。這些當(dāng) 中，優(yōu)選與保護(hù)膜形成膜1的密合性高、能夠在切割工序等中有效抑制工件或加工物的脫落 的丙稀酸類粘合劑。
[0116] 另一方面，能量線固化性粘合劑由于會因能量線照射而導(dǎo)致粘合力降低，因此在 欲使工件或加工物與粘合片4分離時，可以通過進(jìn)行能量線照射而容易地使它們分離。 [0117]粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，優(yōu)選保護(hù)膜形成用復(fù)合片3中 的粘合劑層42經(jīng)過了固化。將能量線固化性粘合劑固化而成的材料由于通常彈性模量高、 且表面的平滑性高，因此在使與由這樣的材料形成的固化部分接觸著的保護(hù)膜形成膜3固 化而形成保護(hù)膜時，保護(hù)膜的與該固化部分接觸著的表面的平滑性(光澤)變高，作為芯片 的保護(hù)膜而非常美觀。另外，在對表面平滑性高的保護(hù)膜實施激光打印時，其打印文字的視 覺辨認(rèn)性得到提高。
[0118]構(gòu)成粘合劑層42的能量線固化性粘合劑可以以具有能量線固化性的聚合物為主 成分，也可以以不具有能量線固化性的聚合物與能量線固化性的多官能單體和/或低聚物 的混合物為主成分。
[0119] 以下，針對能量線固化性粘合劑以具有能量線固化性的聚合物為主成分的情況進(jìn) 行說明。
[0120] 具有能量線固化性的聚合物優(yōu)選側(cè)鏈導(dǎo)入了具有能量線固化性的官能團(tuán)（能量線 固化性基團(tuán)）的（甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下也稱為"能量線固化型聚合物(A)"）。 該能量線固化型聚合物（A)優(yōu)選為使具有含官能團(tuán)單體單元的（甲基）丙烯酸類共聚物 (al)、和具有與其官能團(tuán)鍵合的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)反應(yīng)而得到的聚合物。
[0121] 丙烯酸類共聚物(al)包含來源于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元、和來源于（甲基)丙烯 酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元。
[0122] 作為丙烯酸類共聚物(al)的結(jié)構(gòu)單元的含官能團(tuán)單體優(yōu)選為在分子內(nèi)具有聚合 性的雙鍵、和羥基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等官能團(tuán)的單體。
[0123] 作為上述含官能團(tuán)單體的更具體的例子，可列舉：（甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、（甲 基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯等，這些可以 單獨使用或?qū)?種以上組合使用。
[0124] 作為構(gòu)成丙烯酸類共聚物(al)的（甲基)丙烯酸酯單體，可使用烷基的碳原子數(shù)為 1~20的（甲基)丙烯酸烷基酯、（甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯、（甲基)丙烯酸芐酯。這些當(dāng)中，特別 優(yōu)選使用烷基的碳原子數(shù)為1~18的（甲基)丙烯酸烷基酯，例如（甲基)丙烯酸甲酯、（甲基） 丙烯酸乙酯、（甲基)丙烯酸丙酯、（甲基)丙烯酸正丁酯、（甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。
[0125] 丙烯酸類共聚物(al)中的上述來源于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元的含有比例通常 為3~100質(zhì)量％、優(yōu)選為5~40質(zhì)量％，來源于（甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元 的含有比例通常為0~97質(zhì)量％、優(yōu)選為60~95質(zhì)量％。
[0126] 丙烯酸類共聚物(al)可通過使如上所述的含官能團(tuán)單體、和（甲基)丙烯酸酯單體 或其衍生物按照常規(guī)方法進(jìn)行共聚而得到，但除了這些單體以外，還可以共聚二甲基丙烯 酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
[0127] 通過使上述具有含官能團(tuán)單體單元的丙烯酸類共聚物(al)和具有與其官能團(tuán)鍵 合的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)反應(yīng)，可得到能量線固化型聚合物(A)。
[0128] 含不飽和基團(tuán)化合物(a2)所具有的取代基可根據(jù)丙烯酸類共聚物(al)所具有的 含官能團(tuán)單體單元的官能團(tuán)的種類而適當(dāng)選擇。例如，官能團(tuán)為羥基、氨基或取代氨基的情 況下，作為取代基，優(yōu)選為異氰酸酯基或環(huán)氧基，官能團(tuán)為環(huán)氧基的情況下，作為取代基，優(yōu) 選為氨基、羧基或氮雜環(huán)丙基。
[0129] 另外，含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的每1分子中包含1~5個、優(yōu)選包含1~2個能量線 聚合性的碳-碳雙鍵。作為這樣的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的具體例，可列舉例如:2_甲基 丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α_二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯酰基異氰酸 酯、烯丙基異氰酸酯、1，1_(雙丙烯酰氧基甲基）乙基異氰酸酯;通過二異氰酸酯化合物或多 異氰酸酯化合物與（甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應(yīng)而得到的丙烯酰基單異氰酸酯化合物;通 過二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、及（甲基)丙烯酸羥基乙酯的反 應(yīng)而得到的丙烯?；鶈萎惽杷狨セ衔铮唬谆?丙烯酸縮水甘油酯；（甲基)丙烯酸、（甲基） 丙稀酸2 -( I-氣雜環(huán)丙基）乙酯、2_乙烯基_2__:唑琳、2_異丙烯基_2_嘯唑琳等。
[0130] 相對于上述丙烯酸類共聚物(al)的含官能團(tuán)單體每100當(dāng)量，通常以10~100當(dāng) 量、優(yōu)選以20~95當(dāng)量的比例使用含不飽和基團(tuán)化合物(a2)。
[0131] 在丙烯酸類共聚物(al)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的反應(yīng)中，可根據(jù)官能團(tuán)與取 代基的組合而對反應(yīng)的溫度、壓力、溶劑、時間、催化劑的有無、催化劑的種類進(jìn)行適當(dāng)選 擇。由此，丙烯酸類共聚物(al)中存在的官能團(tuán)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)中的取代基發(fā) 生反應(yīng)，不飽和基團(tuán)被導(dǎo)入到丙烯酸類共聚物(al)中的側(cè)鏈，從而得到能量線固化型聚合 物(A) 〇
[0132] 這樣獲得的能量線固化型聚合物(A)的重均分子量優(yōu)選為1萬以上、特別優(yōu)選為15 萬~150萬、進(jìn)一步優(yōu)選為20萬~100萬。需要說明的是，本說明書中的重均分子量(Mw)是利 用凝膠滲透色譜法(GPC法)測定并換算成聚苯乙烯的值。
[0133] 在能量線固化性粘合劑以具有能量線固化性的聚合物為主成分的情況下，能量線 固化性粘合劑也可以進(jìn)一步含有能量線固化性的單體和/或低聚物(B)。
[0134] 作為能量線固化性的單體和/或低聚物(B)，可使用例如多元醇與（甲基)丙烯酸形 成的酯等。
[0135] 作為這樣的能量線固化性的單體和/或低聚物(B)，可列舉例如：（甲基）丙烯酸環(huán) 己酯、（甲基)丙烯酸異冰片酯等單官能性丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三（甲基)丙烯酸酯、季 戊四醇三（甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基)丙烯酸酯、1， 4_ 丁二醇二（甲基)丙烯酸酯、1，6_己二醇二（甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基)丙烯酸酯、 二羥甲基三環(huán)癸烷二（甲基)丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯類、聚酯低聚（甲基)丙烯酸酯、 聚氨酯低聚（甲基)丙烯酸酯等。
[0136] 在配合能量線固化性的單體和/或低聚物(B)的情況下，能量線固化性粘合劑中能 量線固化性的單體和/或低聚物(B)的含量優(yōu)選為5~80質(zhì)量％、特別優(yōu)選為20~60質(zhì)量％。
[0137] 這里，在使用紫外線作為用于使能量線固化性樹脂組合物固化的能量線的情況 下，優(yōu)選添加光聚合引發(fā)劑(C)，通過使用該光聚合引發(fā)劑(C)，可減少聚合固化時間及光線 照射量。
[0138] 作為光聚合引發(fā)劑(C)，具體可列舉:二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯 偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香 雙甲醚、2，4-二乙基噻唑酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、芐基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭 姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、聯(lián)芐、丁二酮、氯蒽醌、2,4,6_三甲基芐基二苯基氧化膦、N，N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(l-丙烯基）苯基]丙 酮}、2,2_二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨使用，也可以將2 種以上組合使用。
[0139] 相對于能量線固化型聚合物(A)(配合能量線固化性的單體和/或低聚物(B)的情 況下，相對于能量線固化型聚合物(A)及能量線固化性的單體和/或低聚物(B)的總量100質(zhì) 量份）100質(zhì)量份，光聚合引發(fā)劑(C)的使用量優(yōu)選在0.1~10質(zhì)量份、特別優(yōu)選在0.5~6質(zhì) 量份的范圍。
[0140] 在能量線固化性粘合劑中，除了上述成分以外，還可以適當(dāng)?shù)嘏浜掀渌煞帧Ｗ鳛?其它成分，可列舉例如不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)、交聯(lián)劑(E)等。
[0141] 作為不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)，可列舉例如聚丙烯酸 酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，優(yōu)選重均分子量(Mw)為3000~250萬的聚合物或低 聚物。
[0142] 作為交聯(lián)劑(E)，可使用與能量線固化型聚合物(A)等所具有的官能團(tuán)具有反應(yīng)性 的多官能化合物。作為這樣的多官能化合物的例子，可列舉:異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、 胺化合物、三聚氰胺化合物、氮雜環(huán)丙烷化合物、肼化合物、醛化合物、I惡唑啉化合物、金屬 醇鹽化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應(yīng)性酚醛樹脂等。
[0143] 通過在能量線固化性粘合劑中配合上述其它成分(D)、（E)，能夠改善固化前的粘 合性及剝離性、固化后的強度、與其它層的粘接性、保存穩(wěn)定性等。上述其它成分的配合量 沒有特殊限定，可在相對于能量線固化型聚合物(A)100質(zhì)量份為0~40質(zhì)量份的范圍適當(dāng) 確定。
[0144] 以下，針對能量線固化性粘合劑以不具有能量線固化性的聚合物成分與能量線固 化性的多官能單體和/或低聚物的混合物為主成分的情況進(jìn)行說明。
[0145] 作為不具有能量線固化性的聚合物成分，可使用例如與前面所述的丙烯酸類共聚 物(al)同樣的成分。能量線固化性樹脂組合物中的不具有能量線固化性的聚合物成分的含 量優(yōu)選為20~99.9質(zhì)量％、特別優(yōu)選為30~80質(zhì)量％。
[0146] 作為能量線固化性的多官能單體和/或低聚物，可選擇與前面所述的成分(B)相同 的多官能單體和/或低聚物。不具有能量線固化性的聚合物成分與能量線固化性的多官能 單體和/或低聚物的配合比如下:相對于聚合物成分1〇〇質(zhì)量份，多官能單體和/或低聚物優(yōu) 選為10~150質(zhì)量份、特別優(yōu)選為25~100質(zhì)量份。
[0147] 在該情況下，也可以與上述同樣地適當(dāng)配合光聚合引發(fā)劑(C)、交聯(lián)劑(E)。
[0148] 對于粘合劑層42的厚度而言，只要可在使用保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的各工序中適 當(dāng)?shù)匕l(fā)揮出功能就沒有特殊限定。具體優(yōu)選為1~50μηι、特別優(yōu)選為2~30μηι、進(jìn)一步優(yōu)選為 3 ~20μπι。
[0149] 作為構(gòu)成夾具用粘合劑層5的粘合劑，優(yōu)選為具有所需要的粘合力及再剝離性的 粘合劑，可使用例如:丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑、有機硅類粘合劑、聚氨酯類粘合劑、 聚酯類粘合劑、聚乙烯基醚類粘合劑等。這些當(dāng)中，優(yōu)選與環(huán)狀框等夾具的密合性高、能夠 在切割工序等中有效抑制保護(hù)膜形成用復(fù)合片3從環(huán)狀框等剝離的丙烯酸類粘合劑。需要 說明的是，也可以使作為芯材的基材介于夾具用粘合劑層5的厚度方向的中間部分。
[0150] 另一方面，從對于環(huán)狀框等夾具的粘接性的觀點考慮，夾具用粘合劑層5的厚度優(yōu) 選為5~200μπι、特別優(yōu)選為10~100μπι。
[0151] 2.保護(hù)膜形成用復(fù)合片的制造方法
[0152] 保護(hù)膜形成用復(fù)合片3優(yōu)選如下制造:在分別制作包含保護(hù)膜形成膜1的第1疊層 體和包含粘合片4的第2疊層體之后，使用第1疊層體及第2疊層體并將保護(hù)膜形成膜1與粘 合片4疊層，但并不限定于此。
[0153] 在制造第1疊層體時，在第1剝離片的剝離面形成保護(hù)膜形成膜1。具體而言，配制 含有構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑、和根據(jù)需要而進(jìn)一步含有的溶劑的保護(hù)膜形成 膜用涂布劑，并利用輥涂機、刮刀式涂布機、輥刀涂布機、氣刀涂布機、模涂機、棒涂機、凹版 涂布機、淋幕涂布機等涂布機將其涂布于第1剝離片的剝離面并進(jìn)行干燥，從而形成保護(hù)膜 形成膜1。接著，在保護(hù)膜形成膜1的露出面上疊合第2剝離片的剝離面并進(jìn)行壓合，得到保 護(hù)膜形成膜1被2片剝離片夾持而成的疊層體(第1疊層體）。
[0154] 在該第1疊層體中，也可以根據(jù)需要而實施半切，從而將保護(hù)膜形成膜1(及第2剝 離片）制成所期望的形狀、例如圓形等。該情況下，對于因半切而產(chǎn)生的保護(hù)膜形成膜1及第 2剝離片的殘余部分，適當(dāng)除去即可。
[0155] 另一方面，在制造第2疊層體時，在第3剝離片的剝離面涂布含有構(gòu)成粘合劑層42 的粘合劑和根據(jù)需要而進(jìn)一步含有的溶劑的粘合劑層用涂布劑，并使其干燥，從而形成粘 合劑層42。然后，將基材41壓合于粘合劑層42的露出面上，得到由包含基材41及粘合劑層42 的粘合片4和第3剝離片構(gòu)成的疊層體(第2疊層體）。
[0156] 這里，在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，可以在該階段對粘合 劑層42照射能量線而使粘合劑層42固化，也可以在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后使粘合劑層 42固化。另外，在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后使粘合劑層42固化的情況下，可以在切割工序 前使粘合劑層42固化，也可以在切割工序后使粘合劑層42固化。
[0157] 作為能量線，通?？墒褂米贤饩€、電子束等。能量線的輻照量因能量線的種類而不 同，在使用例如紫外線的情況下，以光量計，優(yōu)選為50~1 OOOmJ/cm2、特別優(yōu)選為100~ 500mJ/cm2。另外，在使用電子束的情況下，優(yōu)選為10~lOOOkrad左右。
[0158] 在如上所述獲得第1疊層體及第2疊層體之后，在將第1疊層體中的第2剝離片剝離 的同時，將第2疊層體中的第3剝離片剝離，使第1疊層體中露出的保護(hù)膜形成膜1與第2疊層 體中露出的粘合片4的粘合劑層42疊合并進(jìn)行壓合。對于粘合片4,也可以根據(jù)需要進(jìn)行半 切，從而將其制成所期望的形狀、例如具有大于保護(hù)膜形成膜1的直徑的圓形等。該情況下， 對于因半切而產(chǎn)生的粘合片4的殘余部分，適當(dāng)除去即可。
[0159]這樣，可得到由在基材41上疊層粘合劑層42而成的粘合片4、疊層于粘合片4的粘 合劑層42側(cè)的保護(hù)膜形成膜1、以及疊層于保護(hù)膜形成膜1的與粘合片4相反側(cè)的第1剝離片 構(gòu)成的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3。最后，在將第1剝離片剝離之后，在保護(hù)膜形成膜1的與粘合 片4相反側(cè)的周邊部形成夾具用粘合劑層5。夾具用粘合劑層5也可通過與上述粘合劑層42 同樣的方法進(jìn)行涂布而形成。
[0160] 3.保護(hù)膜形成用復(fù)合片的使用方法
[0161] 以下，針對使用本實施方式涉及的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3,作為一例而由作為工件 的半導(dǎo)體晶片制造帶保護(hù)膜的芯片的方法進(jìn)行說明。
[0162] 如圖4所示，將保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的保護(hù)膜形成膜1粘貼于半導(dǎo)體晶片6,并將 夾具用粘合劑層5粘貼于環(huán)狀框7。在將保護(hù)膜形成膜1粘貼于半導(dǎo)體晶片6時，可以根據(jù)需 要對保護(hù)膜形成膜1進(jìn)行加熱，以使其發(fā)揮出粘合性。
[0163] 然后，使保護(hù)膜形成膜1固化而形成保護(hù)膜，得到具有在作為能夠拉伸的切割片發(fā) 揮作用的粘合片4的粘合劑層42-側(cè)的面疊層帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片6而成的結(jié)構(gòu)的疊層 結(jié)構(gòu)體(在本說明書中，將該疊層結(jié)構(gòu)體也稱為"第一疊層結(jié)構(gòu)體"）。圖4所示的第一疊層結(jié) 構(gòu)體還具備夾具用粘合劑層5及環(huán)狀框7。對于保護(hù)膜形成膜1而言，在熱固性粘接劑的情況 下，可以在給定溫度下對保護(hù)膜形成膜1加熱合適的時間。需要說明的是，保護(hù)膜形成膜1的 固化可以在利用激光形成改質(zhì)層之后進(jìn)行。
[0164] 如上所述得到具備帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片6的第一疊層結(jié)構(gòu)體后，根據(jù)需要隔著 粘合片4對該保護(hù)膜照射激光，進(jìn)行激光打印。需要說明的是，該激光打印也可以在保護(hù)膜 形成膜1固化之前進(jìn)行。
[0165] 接著，將第一疊層結(jié)構(gòu)體設(shè)置于分割加工用激光照射裝置中，檢測出被保護(hù)膜1覆 蓋的半導(dǎo)體晶片6的表面位置后，使用加工用激光在半導(dǎo)體晶片6內(nèi)形成改質(zhì)層。然后，通過 實施使作為切割片發(fā)揮作用的粘合片4拉伸的擴(kuò)片工序，對帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片6賦予力 (主面內(nèi)方向的拉伸力）。其結(jié)果，粘貼在粘合片4上的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片6被分割，得到 具有保護(hù)膜的芯片（帶保護(hù)膜的芯片）。然后，使用拾取裝置，從粘合片4拾取帶保護(hù)膜的芯 片。
[0166] 對于如上所述地獲得的帶保護(hù)膜的芯片而言，由于其因背面研磨處理加工而引起 的磨痕被保護(hù)膜所掩蔽而不會被肉眼識別到，因此外觀優(yōu)異。另外，通過隔著保護(hù)膜由加工 用激光光源對用于形成該帶保護(hù)膜的芯片的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片照射激光，可以在被保 護(hù)膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層。因此，通過利用激光由帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片 預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力來進(jìn)行分割的方法，可以制造帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。
[0167] 4.保護(hù)膜形成用復(fù)合片的其它實施方式
[0168] 圖3是本發(fā)明的另一實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的剖面圖。如圖3所示，本實 施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3A具備在基材41的一面疊層粘合劑層42而成的粘合片4、和 疊層于粘合片4的粘合劑層42側(cè)的保護(hù)膜形成膜1而構(gòu)成。實施方式中的保護(hù)膜形成膜1在 面方向上與工件基本相同或比工件略大地形成，并且相比于粘合片4在面方向上更小地形 成。從而使未疊層保護(hù)膜形成膜1的部分的粘合劑層42能夠粘貼于環(huán)狀框等夾具。
[0169] 本實施方式的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3A的各構(gòu)件的材料及厚度等與前面所述的保 護(hù)膜形成用復(fù)合片3的各構(gòu)件的材料及厚度相同。但在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑 形成的情況下，優(yōu)選對于粘合劑層42的與保護(hù)膜形成膜1接觸的部分使能量線固化性粘合 劑固化，而對于除此之外的部分，不使能量線固化性粘合劑固化。由此，可以提高使保護(hù)膜 形成膜1固化而成的保護(hù)膜的平滑性(光澤），同時能夠?qū)⑾鄬τ诃h(huán)狀框等夾具的粘接力保 持于高水平。
[0170]需要說明的是，在保護(hù)膜形成用復(fù)合片3A的粘合片4的粘合劑層42的與基材41相 反側(cè)的周邊部，也可以另外設(shè)置與前面所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的夾具用粘合劑層5同 樣的夾具用粘合劑層。
[0171]以上所說明的實施方式是為了使本發(fā)明易于理解而記載的，其并不是用于限定本 發(fā)明的記載。因此，上述實施方式中公開的各要素也包括在屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)所作 出的一切設(shè)計變更及等同物。
[0172] 例如，在保護(hù)膜形成用復(fù)合片3、3A的保護(hù)膜形成膜1的與粘合片4相反的一側(cè)，也 可以疊層剝離片。
[0173] 實施例
[0174]以下，結(jié)合實施例等對本發(fā)明進(jìn)行更為詳細(xì)的說明，但本發(fā)明的范圍并不受這些 實施例等的限定。
[0175][實施例1]
[0176]按照表1所示的配比（換算成固體成分)將以下的各成分混合，并利用甲乙酮進(jìn)行 稀釋使得固體成分濃度達(dá)到61質(zhì)量％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑。
[0177] (A-1)粘合劑聚合物：由丙烯酸正丁酯10質(zhì)量份、丙烯酸甲酯70質(zhì)量份、甲基丙烯 酸縮水甘油酯5質(zhì)量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質(zhì)量份共聚而成的（甲基）丙烯酸酯共聚物 (重均分子量:80萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:-1°C)
[0178] (A-2)粘合劑聚合物：由丙烯酸甲酯85質(zhì)量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質(zhì)量份共聚 而成的（甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量:40萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:4°C)
[0179] (B-1)雙酸A型環(huán)氧樹脂(三菱化學(xué)株式會社制，jER828,環(huán)氧當(dāng)量184~194g/eq)
[0180] (B-2)雙酸A型環(huán)氧樹脂(三菱化學(xué)株式會社制，jER1055,環(huán)氧當(dāng)量800~900g/eq)
[0181] (B-3)二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂(DIC公司制，Epiclon HP-7200HH，環(huán)氧當(dāng)量255~ 260g/eq)
[0182] (C-1)熱活性潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑:雙氰胺(ADEKA公司制，Adeka Hardener EH-3636AS，活潑氫量 21g/eq)
[0183] (C-2)熱活性潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑:雙氰胺(三菱化學(xué)株式會社制，DICY7,活潑 氫量 2lg/eq)
[0184] (D)固化促進(jìn)劑：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑（四國化成工業(yè)株式會社制， CUREZOL 2PHZ-PW)
[0185] (E-1)二氧化硅填料(Admatechs 公司制，SC2050MA，平均粒徑 0·5μπι)
[0186] (Ε-2)二氧化娃填料(Admatechs公司制，SCI 050-MLQ，平均粒徑 0 · 3μηι)
[0187] (F)硅烷偶聯(lián)劑(信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，ΚΒΜ403)
[0188] (G)無機系著色劑:炭黑(三菱化學(xué)株式會社制，麵Α650,平均粒徑28nm)
[0189] (Η)有機系著色劑：酞菁系藍(lán)色顏料（用3倍質(zhì)量的苯乙烯-丙烯酸類樹脂將 Pigment Blue 15:3粘固而得到的顏料）、異吲噪啉酮系黃色顏料（用3倍質(zhì)量的苯乙稀-丙 稀酸類樹脂將Pigment Yellow 139粘固而得到的顏料)及吡略并吡略二酮系紅色顏料(用3 倍質(zhì)量的苯乙稀-丙稀酸類樹脂將Pigment Red 264粘固而得到的顏料）以38:18:44(藍(lán)： 黃:紅，質(zhì)量比）混合而成的顏料
[0190]準(zhǔn)備了在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面形成有機硅類的剝離劑層而成的 第1剝離片(琳得科株式會社制：SP-PET382150,厚度38μπι)、和在PET膜的一面形成有機硅類 的剝離劑層而成的第2剝離片(琳得科株式會社制:SP-PET381031，厚度38μπι)。
[0191]利用刮刀式涂布機在第1剝離片的剝離面上涂布前面所述的保護(hù)膜形成膜用涂布 劑，然后用烘箱在120Γ干燥2分鐘，形成了厚度23μπι的保護(hù)膜形成膜。接著，使第2剝離片的 剝離面疊合于保護(hù)膜形成膜并使兩者貼合，得到了由第1剝離片（圖1中的剝離片21)、保護(hù) 膜形成膜(圖1中的保護(hù)膜形成膜1)(厚度:23μπι)、及第2剝離片構(gòu)成的保護(hù)膜形成用片。
[0192] [實施例2]
[0193] 除了將構(gòu)成保護(hù)膜形成膜的各成分的種類及配合量如表1所示地進(jìn)行變更，并使 保護(hù)膜形成膜的厚度為?ομπι以外，與實施例1同樣地制造了保護(hù)膜形成用片。
[0194] [比較例1~3]
[0195] 除了將構(gòu)成保護(hù)膜形成膜的各成分的種類及配合量如表1所示地進(jìn)行變更以外， 與實施例1同樣地制造了保護(hù)膜形成用片
[0196] [試驗例1]<透光率的測定>
[0197] 從實施例及比較例中得到的保護(hù)膜形成用片上將第2剝離片剝離，并在烘箱內(nèi)、在 大氣氛圍下于130°C加熱2小時，使保護(hù)膜形成膜熱固化而制成保護(hù)膜。然后，將第1剝離片 剝離。
[0198] 使用分光光度計（SMMADZU公司制、UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600)測 定上述保護(hù)膜的透光率，并提取出波長550nm及波長1064nm(紅外線）下的透光率（％)。測定 使用了附帶的大型樣品室MPC-3100,在未使用內(nèi)置的積分球的情況下進(jìn)行了測定。結(jié)果如 表1所示。圖5示出實施例1以及比較例2和3的保護(hù)膜的透光率譜圖。
[0199] [試驗例2] <磨痕隱蔽性評價>
[0200] 從實施例及比較例中得到的保護(hù)膜形成用片上將第2剝離片剝離，使保護(hù)膜形成 用膜露出。將上述保護(hù)膜形成用膜利用帶貼片機(琳得科株式會社制Adwill RAD-3600F/ 12)在加熱至70°C的同時粘貼于經(jīng)過了#2000研磨的硅晶片(直徑200mm、厚度350μπι)的研磨 面上，接著，將第1剝離片剝離。然后，于130Γ加熱2小時，使保護(hù)膜形成用膜固化而制成保 護(hù)膜，得到了帶保護(hù)膜的硅晶片。
[0201]對所得帶保護(hù)膜的硅晶片10片利用肉眼進(jìn)行觀察，確認(rèn)是否能透過保護(hù)膜而觀察 到硅晶片的研磨面的磨痕。將全部帶保護(hù)膜的硅晶片均未觀察到磨痕的情況評價為磨痕掩 蔽性良好(A)，將哪怕有1片觀察到了磨痕的情況評價為磨痕掩蔽性不良（B)。結(jié)果如表1所 不。
[0202][試驗例3] <分割加工性評價>
[0203] 使用Laser Saw(DISC0公司制，DFL7360)對于試驗例2得到的帶保護(hù)膜硅晶片進(jìn)行 了包括以下工序的分割加工。
[0204](工序1)在帶保護(hù)膜的硅晶片上粘貼切割膠帶(琳得科株式會社制，D-821HS)，將 切割膠帶的端部粘貼于環(huán)狀框。
[0205] (工序2)將粘貼有切割膠帶的帶保護(hù)膜的硅晶片及環(huán)狀框設(shè)置于Laser Saw的給 定位置，使得能夠從保護(hù)膜及切割膠帶側(cè)照射激光。
[0206] (工序3)進(jìn)行被保護(hù)膜覆蓋的硅晶片的表面位置檢測之后，設(shè)定加工用激光的激 光焦點位置，從保護(hù)膜側(cè)對帶保護(hù)膜的硅晶片照射來自加工用激光的波長l〇64nm的激光， 在娃晶片內(nèi)形成改質(zhì)層。
[0207] (工序4)將帶保護(hù)膜的硅晶片、切割片及環(huán)狀框設(shè)置于分離擴(kuò)片機（Die S 印 arator)(DISC0 公司制，DDS2300)，進(jìn)行擴(kuò)片。
[0208] 對于工序4,通過能(A)否(B)沿著預(yù)定分割線將所有芯片分割，對分割加工性(對 于利用激光在工件上預(yù)先設(shè)置改質(zhì)層，并通過施加力進(jìn)行分割的方法的適應(yīng)性)進(jìn)行了評 價。結(jié)果示于表1。
[0209] [表1]
[0210]
[0211] 由表1可知，在波長550nm的透光率為20%以下、在波長1064nm的透光率為55%以 上的實施例的保護(hù)膜形成膜的磨痕隱蔽性及分割加工性兩者均優(yōu)異。
[0212] 工業(yè)實用性
[0213] 本發(fā)明的保護(hù)膜形成膜及保護(hù)膜形成用（復(fù)合）片可適用于由半導(dǎo)體晶片制造具 有保護(hù)膜的芯片。另外，本發(fā)明的制造方法適合于沒有邊切削工件邊切出的工序，可干凈地 制造片狀體。
【主權(quán)項】
1. 一種保護(hù)膜形成膜，其在波長l〇64nm的透光率為55%以上、在波長550nm的透光率為 20%以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成膜，其中，所述保護(hù)膜形成膜含有有機系著色劑。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成膜，其中，所述有機系著色劑包含顏料。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的保護(hù)膜形成膜，其中，所述保護(hù)膜形成膜是由未 固化的固化性粘接劑構(gòu)成的單層。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)膜形成膜，其中，所述固化性粘接劑含有平均粒徑0.01~ 3μηι的填料。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的保護(hù)膜形成膜，其中，所述保護(hù)膜形成膜的厚度 為3~15ym〇7. -種保護(hù)膜形成用片，其具備： 權(quán)利要求1~6中任一項所述的保護(hù)膜形成膜、和 疊層于所述保護(hù)膜形成膜的一面或兩面的剝離片。8. -種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具備： 在基材的一面?zhèn)券B層粘合劑層而成的粘合片、和 疊層于所述粘合片的所述粘合劑層側(cè)的權(quán)利要求1~6中任一項所述的保護(hù)膜形成膜。9. 一種加工物的制造方法，該方法包括： 通過使用權(quán)利要求1~6中任一項所述的保護(hù)膜形成膜、權(quán)利要求7所述的保護(hù)膜形成 用片或權(quán)利要求8所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片在工件上形成保護(hù)膜而制造帶保護(hù)膜的工 件， 照射紅外區(qū)域的激光并聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)的焦點，在所述工件內(nèi)部形成改質(zhì) 層， 對形成了所述改質(zhì)層的工件賦予力，對形成了所述改質(zhì)層的工件進(jìn)行分割，得到作為 加工物的多個片狀體。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中，所述工件是半導(dǎo)體晶片，所述加工物是半導(dǎo) 體芯片。
【文檔編號】H01L21/301GK105934811SQ201580005141
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年1月21日
【發(fā)明人】山本大輔, 米山裕之
【申請人】琳得科株式會社