有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極；面對(duì)所述第一電極的第二電極；在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；在所述第一電極和所述發(fā)光層之間的空穴傳輸區(qū)；和在所述發(fā)光層和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所述發(fā)光層包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一個(gè)表示的第二材料，并且所述空穴傳輸區(qū)包括由式3表示的第三材料。所述有機(jī)發(fā)光裝置可具有高效率和長(zhǎng)壽命。
【專利說(shuō)明】
有機(jī)發(fā)光裝置
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002] 本申請(qǐng)要求于2015年3月3日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015- 0029854號(hào)的優(yōu)先權(quán)和利益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面設(shè)及有機(jī)發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0004] 有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)為自發(fā)光裝置，其具有寬視角、高對(duì)比度、短響應(yīng)時(shí)間、高亮 度和優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特征，并且可產(chǎn)生全色圖像。
[0005] 有機(jī)發(fā)光裝置可W包括布置在基板上的第一電極、W及順序在第一電極上形成的 空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層、電子傳輸區(qū)和第二電極。從第一電極提供的空穴穿過(guò)空穴傳輸區(qū)而傳 輸至發(fā)光層，并且由第二電極提供的電子穿過(guò)電子傳輸區(qū)而傳輸至發(fā)光層。載流子(例如， 空穴和電子)然后可在發(fā)光層中復(fù)合W產(chǎn)生激子。當(dāng)運(yùn)些激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時(shí)發(fā)光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面設(shè)及具有高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0007] 其它方面部分將會(huì)在接下來(lái)的說(shuō)明書(shū)中列出，部分將從說(shuō)明書(shū)中顯而易見(jiàn)，或可 通過(guò)實(shí)行目前的實(shí)施方式而認(rèn)識(shí)到。
[000引根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一電極;面對(duì)所述第一 電極的第二電極;在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層;在所述發(fā)光層和所述第 一電極之間的空穴傳輸區(qū)；W及在所述發(fā)光層和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所 述發(fā)光層包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一個(gè)表示的第二材料，且所述空 穴傳輸區(qū)包括由式3表示的第=材料：
[0009]式]
[0011]
[001^ 其中，在式1、2-1至2-5和3中，
[001引 Al適Ai4、A21、A22和A31各自獨(dú)立地選自苯、糞、郵晚、喀晚、哇嘟、異哇嘟、2，6-糞晚、 1，8-糞晚、1，5-糞晚、1，6-糞晚、1，7-糞晚、2，7-糞晚、哇喔嘟、獻(xiàn)嗦、哇挫嘟和增嘟；
[0014] Xll選自 0、S、N[ai2)al2-Ari2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[ai2)al2-Ari2]、B [(Li2 ) al2-A；r 12 巧口P ( = 0 )[山2 ) aU-Ar 12 ];
[001 引 X2 功 C(R23)或 N;
[0016] X22 為 C(R24)或 N;
[0017] Y 功 N[化 21)a2 廣 Ani];
[001 引 Y2 選自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C(R25KR26WPSi(R25)(R26);
[0019] X31選自 0、S和N[化 3i)a3廣Ani];
[0020] 1^1適山、L21、L22和L31至L34各自獨(dú)立地選自取代的或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取 代的或未取代的Ci-Cio亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10亞環(huán)締基、取代的或未取代的 Cl-Cio亞雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60亞芳基、取代的或未取代的C廣C60亞雜芳基、取 代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)；
[0021] all至al3、a21、a22和a31至a34各自獨(dú)立地選自0、1、2和3且當(dāng)all為2或更大時(shí)，兩 個(gè)或更多個(gè)彼此相同或不同，當(dāng)al2為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)^2彼此相同或不同，當(dāng) al3為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)^3彼此相同或不同，當(dāng)曰21為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L21 彼此相同或不同，當(dāng)曰22為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L22彼此相同或不同，當(dāng)曰31為2或更大 時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L31彼此相同或不同，當(dāng)a32為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L32彼此相同或不 同，當(dāng)曰33為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L33彼此相同或不同，且當(dāng)曰34為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更 多個(gè)L34彼此相同或不同；
[0022] Arii、Ari2、Ani 和 Ar22 各自獨(dú)立地選自 ETi 和 HT2;
[0023] Ani至Ar33各自獨(dú)立地為HT2;
[0024] 其中ETi是電子傳輸基團(tuán)且HT2是空穴傳輸基團(tuán)；
[002引 Rl適Ri6、R21至R26、R31和R32各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝 基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、取代的或未取代的Ci-Cso 烷基、取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl- C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的Cl-Cio雜環(huán)烷基、取代的或未 取代的C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的Cl-Cio雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取 代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C廣C60雜 芳基、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜 多環(huán)基團(tuán)、-Si(Qi)(Qs) (Q3)、-B(化）（化)和-N(Qs) (Q7);
[00%]化5和Ri6任選地彼此連接W形成飽和的或不飽和的環(huán)；
[0027] bll 至 614、621、622、631和632各自獨(dú)立地選自0、1、2和3;^及
[0028] 所述取代的C3-C1Q亞環(huán)烷基、取代的Cl-ClQ亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C1Q亞環(huán)締基、取 代的Ci-Cio亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的Ci-Cso亞雜芳基、取代的二價(jià)非芳族稠 合多環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的Cl-Cso烷基、取代的C2-C60締基、取 代的C2-C60烘基、取代的Cl-Cso烷氧基、取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的Cl-Cio雜環(huán)烷基、取代的 C3-C10環(huán)締基、取代的打-打0雜環(huán)締基、取代的〔6-〔60芳基、取代的〔6-〔60芳氧基、取代的〔6-〔60 芳硫基、取代的Ci-Cso雜芳基、取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價(jià)非芳族稠合雜 多環(huán)基團(tuán)中的至少一個(gè)取代基選自：
[0029] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣C60烷氧基；
[0030] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的Cl-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Cl-Cso燒 氧基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其 鹽、憐酸或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、扣-ClO雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、&-ClO雜環(huán)締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多 環(huán)基團(tuán)、-5；[(011)(012)(013)、-8(014)(01日)和-則016)(017);
[00川 C3-C1肺烷基、Cl-ClQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Cl-ClQ雜環(huán)締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)；
[0032] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C3-C10環(huán)烷基、扣-CiO雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、 Cl-Cl日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多 環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C廣CiQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Ci-CiQ雜環(huán)締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)、-SKQ21)(化2) (Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(化6) (Q27) ; W及 [003；3] -Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37);
[0034] 其中化至Q7、Qii至Qi7、Q2i至Q27和跑1至跑7各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、^ 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C60烷基、 C2-C60締基、C2-C60烘基、C廣C冊(cè)烷氧基、Cs-Cio環(huán)烷基、打-Cl日雜環(huán)烷基、Cs-Cio環(huán)締基、打-CiO雜 環(huán)締基、Cs-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)。
【附圖說(shuō)明】
[0035] 與附圖結(jié)合，運(yùn)些和/或其它方面會(huì)由實(shí)施方式的下列描述變得顯而易見(jiàn)且更易 理解，附圖是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖。
[0036] 圖1描述了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 現(xiàn)在將更詳細(xì)地參考本發(fā)明的實(shí)施方式，其實(shí)例于附圖中闡述，其中相同的參考 數(shù)字通篇是指相同的元件。在運(yùn)方面，本發(fā)明實(shí)施方式可具有不同形式并且不應(yīng)解釋為限 于本文列出的描述。因此，通過(guò)參閱附圖僅在下面描述實(shí)施方式W解釋本申請(qǐng)說(shuō)明書(shū)的各 方面。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)列出的相關(guān)項(xiàng)目的任何和所有組合。諸 如"中的至少一個(gè)"或"選自…的至少一個(gè)"的表述，在一列要素之后時(shí)，修飾整列要素，而不 是修飾該列中的單個(gè)要素。此外，在描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)使用"可(可W ,may)"是指"本 發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式"。
[0038] 附圖為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置10的橫截面的示意圖。 有機(jī)發(fā)光裝置10包括第一電極110、空穴傳輸區(qū)130、發(fā)光層150、電子傳輸區(qū)170和第二電極 190。
[0039] 在下文，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu) 和其制備方法。
[0040] 如附圖中所示，基板可另外布置在第一電極110之下或在第二電極190之上?；?可為玻璃基板或透明塑料基板，各自具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、 易操作性和防水性(耐水性）。
[0041] 第一電極110可通過(guò)在基板上沉積或瓣射第一電極材料而形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是 陽(yáng)極時(shí)，第一電極材料可選自具有高功函W利于空穴注入的材料。第一電極110可W為反射 電極、半透射電極或透射電極。第一電極材料可為氧化銅錫（IT0)、氧化銅鋒（IZ0)、氧化錫 (Sn〇2)和/或氧化鋒(ZnO)，其可賦予第一電極110透明度和導(dǎo)電性。在一些實(shí)施方式中，為 了形成為半透射電極或反射電極的第一電極110,第一電極材可為選自儀(Mg)、侶(41)、侶- 裡(A^Li)、巧(Ca)、儀-銅(Mg-In)和儀-銀(Mg-Ag)中的至少一種。
[0042] 第一電極110可具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極 110可具有口0/Ag/口0的S層結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0043] 空穴傳輸區(qū)130、發(fā)光層150和電子傳輸區(qū)170W所述的次序在第一電極110上順序 堆疊。
[0044] 發(fā)光層150包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一個(gè)表示的第二材料， 且空穴傳輸區(qū)130包括由式3表示的第=材料：
[0046]
[0047] 在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[004引 An至Ai4、A21、A22和A31可各自獨(dú)立地選自苯、糞、化晚、喀晚、哇嘟、異哇嘟、2，6-糞 晚、1，8-糞晚、1，5-糞晚、1，6-糞晚、1，7-糞晚、2，7-糞晚、哇喔嘟、獻(xiàn)嗦、哇挫嘟和增嘟。 [0049] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，
[0化0] All至Ai4和A21可各自獨(dú)立地選自苯、糞、化晚、異哇嘟和哇喔嘟；W及 [00川 A22和A31可各自獨(dú)立地選自苯和糞。
[0化2] 在一些實(shí)施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，
[00對(duì) All和A21可各自獨(dú)立地選自苯、糞、化晚、異哇嘟和哇喔嘟；W及 [0化4] Ai2至Ai4、A22和A31可各自獨(dú)立地選自苯和糞。
[005引在式1 中，Xll 可選自0、5、則化12)312-4^2]、(：（扣5)(扣6)、51(扣5)(扣6)、？[化12)312- Ar 12 ]、B [ (； Li2 ) al2-A；ri2 ]和P ( = 0 ) [ (1^12 ) al2-A；r 12 ]。
[0056] 在式2-1至2-5中，X21可W為C(R23)或N，且拉2可W為C(R24)或N。
[0057] 例如，在式2-1至2-5中，&巧W為C(R23)，，且拉河W為C(R24)。
[005 引在式 2-1至 2-5 中，Y巧 W為N[化21)a2 廣AniL且 Y2 可選自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C (R25KR26)和 SKR25KR26)。
[0059] 在式3中，&巧選自0、S和N[化3i)a3廣Ani]。
[0060] 在式1、2-1至2-5和3中，Li適Li3、L2i、L22和L31至L3河各自獨(dú)立地選自取代的或未 取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的或未取代的Ci-Cio亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10亞環(huán) 締基、取代的或未取代的Cl-Cio亞雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60亞芳基、取代的或未取 代的Ci-Cso亞雜芳基、取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二 價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。
[0061 ] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，Lii至Li3可各自獨(dú)立地選自：
[0062] 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、 亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞 苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯 基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞化咯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞咪挫基、亞化挫基、亞 嚷挫基、亞異嚷挫基、亞嗯挫基、亞異嗯挫基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞 異嗎I噪基、亞嗎I噪基、亞嗎I挫基、亞嚷嶺基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞苯并哇嘟基、亞獻(xiàn)嗦 基、亞糞晚基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞增嘟基、亞巧挫基、亞菲晚基、亞叮晚基、亞菲咯 嘟基、亞吩嗦基、亞苯并咪挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞異苯并嚷挫基、亞苯并嗯 挫基、亞異苯并嗯挫基、亞=挫基、亞四挫基、亞嗯二挫基、亞=嗦基、亞二苯并巧喃基、亞二 苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基、亞二苯并巧挫基、亞嚷二挫基、亞咪挫并化晚基和亞咪挫并喀 晚基；W及
[0063] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、 亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那 締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧 基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞化咯基、亞嚷吩 基、亞巧喃基、亞咪挫基、亞化挫基、亞嚷挫基、亞異嚷挫基、亞嗯挫基、亞異嗯挫基、亞化晚 基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞異嗎I噪基、亞嗎I噪基、亞嗎I挫基、亞嚷嶺基、亞哇嘟基、 亞異哇嘟基、亞苯并哇嘟基、亞獻(xiàn)嗦基、亞糞晚基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞增嘟基、亞巧 挫基、亞菲晚基、亞叮晚基、亞菲咯嘟基、亞吩嗦基、亞苯并咪挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷 吩基、亞異苯并嚷挫基、亞苯并嗯挫基、亞異苯并嗯挫基、亞=挫基、亞四挫基、亞嗯二挫基、 亞=嗦基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基、亞二苯并巧挫基、亞嚷二挫 基、亞咪挫并化晚基和亞咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、扣-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、扣- C20烷氧基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、化晚基、 喀晚基、化嗦基、化嗦基、=嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基和哇挫嘟 基，
[0064] L21、L22和Lsi至L34可各自獨(dú)立地選自：
[0065] 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、 亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞 苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯 基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并 嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞二苯并巧挫基；W及
[0066] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、 亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那 締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧 基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃 基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧 挫基和亞二苯并巧挫基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸 或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊 締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、 苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯 并芳娃烷基和-Si (化1) (Q32)(化3)，W及
[0067] Q31至Q33可各自獨(dú)立地選自C廣Cl日烷基、扣-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、 苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基。
[0068] 在一些實(shí)施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，。1至^3可各自獨(dú)立地為選自由式3-1 至3-34表示的基團(tuán)中的一個(gè)，W及
[0069] L21、L22和L31至L34可各自獨(dú)立地為選自由式3-1至3-10、3-26至3-28、3-32和3-33表 示的基團(tuán)中的一個(gè)：
[0。7"
[0072] 在式 3-1 至 3-34 中，
[0073] Yii可選自0、S、S(=0)，S(=0)2、C(Z3) (Z4)、N(Zs)和Si(Zs) (Z7);
[0074] Zi至Z?可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-化、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C20 烷氧基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[00巧]dl可為選自1至4的整數(shù);d2可為選自1至3的整數(shù);d3可為選自1至6的整數(shù);d4可為 選自1至8的整數(shù);d5可為整數(shù)1或2;d6可為選自1至5的整數(shù);且*和*'可各自獨(dú)立地為與相 鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。
[0076] 在一些實(shí)施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至。3可各自獨(dú)立地為選自由式4-1 至4-26表示的基團(tuán)中的一個(gè)，W及
[0077] L2i、L22和L31至L34可各自獨(dú)立地為選自由式4-1、4-3、4-5至4-8和4-10至4-21表示 的基團(tuán)中的一個(gè)，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此：
[n07Rl
[0079] 在式4-1至4-26中，*和*'可各自獨(dú)立地為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。
[0080] 在式1、2-1至2-5和3中，all至al3、a21、a22和曰31至曰34可各自獨(dú)立地選自0、1、2和 3。在式1、2-1至2-5和3中，all指示Lii的數(shù)量，且當(dāng)all為0時(shí)，-(LiOai廣為單鍵，并且當(dāng)all 為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)^1可W彼此相同或不同。曰12、曰13、曰21、曰22和曰31至曰34的描述 可通過(guò)參考all的描述和式1、2-1至2-5和3的各自結(jié)構(gòu)而各自獨(dú)立地被理解。
[0081 ]在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[0082] Arii、Ari2、Ani和Ar22可各自獨(dú)立地選自ETi和HT2; W及
[0083] Ani 至 Ar33 可 W 為HT2。
[0084] 在此，ETi是電子傳輸基團(tuán)且HT2是空穴傳輸基團(tuán)。
[0085] 在式 1、2-1 至2-5和3 中，
[0086] Arii和Ari2可各自獨(dú)立地選自ETi和肌2，其中Arii和Ari2中的至少一個(gè)可W為ETi且 Aki和Ar22可W為HT2;或
[0087] Arii和Ari2可各自獨(dú)立地為HT2，其中Ani和Ar22各自獨(dú)立地選自ETi和HT2，且Ar2i和 Ak2中的至少一個(gè)可W為ETio
[0088] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，
[0089] Arii 可 W 為ETi，Xii 可選自 0、S、C(Ri 日）（Ri6)和 SKRi 日）（Ri6)且 Ani 和 Ar22 可 W 為HT2;
[0090] Aril 可 W 為61'1品1可選自^化12)312-4。2]、？[化12)312-4。2]、8[化12)312-4。2巧口？ (=0)[山2) ai2-A;r 12 ]且 Aru、Ani 和 Ar22 可 W 為肌2;或
[00川 Aril 可 W 為61'1品1可選自^化12)312-4。2]、？[化12)312-4。2]、8[化12)312-4。2巧口？ (=0)[山2)ai2-Ari2 ]、Ari2可 W 為ETi且Ani和Ar22可 W 為HT2。
[0092] ETi可選自取代的或未取代的Ci-Cio雜環(huán)烷基、取代的或未取代的Ci-Cio雜環(huán)締基、 取代的或未取代的Ci-Cso雜芳基和取代的或未取代的包括至少一個(gè)氮原子作為成環(huán)原子的 單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)（其中在取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)中排除 取代的或未取代的巧挫基）。
[OOW] 例如，E?？蛇x自：
[0094] 化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀 晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、 糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、嚷二挫基、咪挫 并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0095] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯 挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟 基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、 菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、=挫基、四挫 基、嗯二挫基、S嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、 氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci- Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、 屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、 苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫 基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Qsi)(化2) (Q33)、-B(Q34)地日）和-N(跑 6) (Q37) ; W及
[0096] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯 挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟 基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、 菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、=挫基、四挫 基、嗯二挫基、=嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基：苯基、糞基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫 基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷 吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基，其各自被選自W下的至少一個(gè)取代：気、-F、-C1、- 化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci- Cio烷基、C廣Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯 挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫 基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si (Q2I) (Q22) (Q23)、-B(Q24) (Q25)和-N(Q26) (Q27)，
[0097] 其中Q21至Q27和跑適跑7可各自獨(dú)立地選自C1-C20烷基、&-C2〇烷氧基、苯基和糞基。 [009引在一些實(shí)施方式中，ETi可選自由式5-1至5-41表示的基團(tuán)：
[01001
[0101] 在式 5-1 至 5-41 中，
[0102] Z"至Z43可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C廣C2G烷基和C廣C2G烷氧基；
[0103] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈 基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、 化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并 咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、= 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；
[0104] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、 異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟 基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯 并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基 和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其 鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫 基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟 基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪 挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-SKQ21)(化2) (Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(化6) (Q27) ; W及 [010引-Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37);
[0106] 其中Q21至Q27和跑適跑7可各自獨(dú)立地選自C廣打日烷基、C廣打日烷氧基、苯基和糞基；
[0107] n可為選自1至4的整數(shù);f2可為選自1至3的整數(shù);f3可為整數(shù)1或2;f4可為選自1 至6的整數(shù);且巧可為選自1至5的整數(shù)。
[010引例如，在式5-1至5-41中，
[0109] Z41至Z43可各自獨(dú)立地選自：
[0110]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci偏基和Ci-Ci偏氧基；
[0111] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯 并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[0112] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基： Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、哇嘟基、-Si (Q2I) (Q22) (〇23)、-B(Q24) (〇2日)和-N(Q26) (〇27) ; W及
[01 13] -Si(Qsi) (Q32) (Q33)、-B(Q34) (Q35)和-N(跑6) (Q37)，
[0114] 其中Q21至Q27和跑適跑7可各自獨(dú)立地選自Cl-打0烷基、C廣打0烷氧基、苯基和糞基。
[0115] 在一些實(shí)施方式中，HT2可選自苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá) 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；
[0116] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧 基、巧挫基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q34)(Q3日)和-N(跑6)(937);
[0117] 各自被選自C1-C20烷基和苯基的至少一個(gè)取代的苯基取代的苯基、戊搭締基、巧 基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締 基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并 五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并 巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；W及
[011 引-Si(Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(化）（化），
[0119] 其中化至化和跑1至跑7可各自獨(dú)立地選自Ci-Cio烷基、打-CiO烷氧基、苯基和糞基。
[0120] 例如，HT河選自：
[0121] -51(91)(92)(93)、-8(化）（化）和-則化）（化）；^及
[0122] 選自式7-1至7-9的基團(tuán)，
[0123] 其中化至化可各自獨(dú)立地選自Cl-打0烷基、C廣打0烷氧基、苯基和糞基：
[0125] 在式 7-1 至 7-9 中，
[0126] Y31 和Y3河各自獨(dú)立地選自單鍵、0、S、C(Z34)(Z35)、N(Z36WPSi(Z37)(Z38);
[0127] Z31至Z38可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、 阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C廣ClG烷基和C廣ClG烷氧基；
[0128] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 匆基、^苯并匆基、非那締基、非基、恩基、欠恩基、苯并非基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；W及
[0129] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C廣ClG烷基和C廣ClG烷氧基；
[0130] el可為選自1至5的整數(shù)，日2可為選自1至7的整數(shù)，日3可為選自1至3的整數(shù)，日4可為 選自I至4的整數(shù)，且*和*'可各自獨(dú)立地為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。
[0131] 例如，HT2可選自由式8-1至8-46表示的基團(tuán)：
[0132]

「019/11
[0135] 在式8-1至8-46中，*可W為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。
[0136] 在式1、2-1至2-5和3中，Rll至Ri6、R21至R26、R31和R32可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、- C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其 鹽、取代的或未取代的Cl-Cso烷基、取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60 烘基、取代的或未取代的Cl-Cso烷氧基、取代的或未取代的C3-C1G環(huán)烷基、取代的或未取代的 Ci-Cio雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的Ci-Cio雜環(huán)締基、取代 的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫 基、取代的或未取代的Ci-Cso雜芳基、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的 或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化)和-N(化）（化），其中化 至化如本文所定義；W及
[0137] 化5和Ri6可任選地彼此連接并且形成飽和的或不飽和的環(huán)。
[0138] 例如，Ris和Ri6可任選地彼此連接并且形成具有4至10個(gè)碳原子的飽和的或不飽和 的環(huán)。
[0139] 在一些實(shí)施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，Ri適Ri6可各自獨(dú)立地選自：
[0140]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0141] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽，和憐酸或其鹽；
[0142] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯 并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；
[0143] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基： 気、-F、-CU-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐 酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲 基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟 基、巧挫基、S嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和-Si(^i) (Q32KQ33); W及
[0144] -Si(Qi)(Q2)(Q3);
[0145] R2I至R26、R31和R32可各自獨(dú)立地選自：
[0146]氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0147] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基:気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽，和憐酸或其鹽；
[0148] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；
[0149] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán) 己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基和-Si(Qsi) (Q32) (Q33) ; W及
[0150] -Si(Qi)(Q2)(Q3);
[0151] 其中化至化和跑1至跑3各自獨(dú)立地選自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基。
[01對(duì)在一些實(shí)施方式中，在式1、2-1至2-5和3中，Ri適Ri6可各自獨(dú)立地選自：
[01對(duì)氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0154] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽，和憐酸或其鹽；
[0155] 苯基、糞基、巧基、菲基、化晚基、喀晚基、=嗦基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基； W及
[0156] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、菲基、化晚基、喀晚基、S嗦 基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、 腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Cio烷基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、菲 基、化晚基、喀晚基、S嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基和-Si(化1KQ32KQ33)，
[0157] R21至R26、R31和R32可各自獨(dú)立地選自：
[015引氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2偏基和C1-C2偏氧基；
[0159] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C廣C20烷基和C廣C20烷氧基：気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽，和憐酸或其鹽；
[0160] 苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二苯并巧喃基和二苯并嚷吩基；W及
[0161] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二苯并巧喃基 和二苯并嚷吩基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其 鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、菲基、巧挫基、二 苯并巧喃基、二苯并嚷吩基和-Si(化1)(932)(化3)，
[01創(chuàng)其中跑適跑河各自獨(dú)立地選自Ci-CiQ烷基、Ci-CiQ烷氧基、苯基和糞基。
[0163] 在式1、2-1至2-5和3中，bll至614、621、622、631和632可各自獨(dú)立地選自0、1、2和 3。在式1、2-1至2-5和3中，bll指示化1的數(shù)量，且當(dāng)bll為2或更大時(shí)，多個(gè)Rll可彼此相同或 不同。bl2至614、621、622、631和632的描述可通過(guò)參考611和式1、2-1至2-5和3的描述而各 自獨(dú)立地被理解。
[0164] 例如，在式1、2-1至2-5和3中，bll至614、621、622、631和632可各自獨(dú)立地選自0、1 和2,或，在一些實(shí)施方式中，選自0和1。
[0165]在一些實(shí)施方式中，第一材料可由式IA至IG中的任一個(gè)表示，第二材料可由式2 (1)至2(16)中的任一個(gè)表示，且第=材料可由式3A至3E中的任一個(gè)表示：
[01661 式.1A
[0167





[01巧]在式3A至3E中，A3i、X3i、L32至L34、a32至曰34、4蜘、1?31、1?32、631和632與本文所定義的 相同，R41至R46各自獨(dú)立地與在式3中定義的化1相同，且b43至b46各自獨(dú)立地與在式3中定義 的b31相同。
[0176]在一些實(shí)施方式中，第一材料可由式IA至IG中的一個(gè)表示，第二材料可由式2(1) 至2 (13)中的一個(gè)表示，且第=材料可由式3A至3E中的一個(gè)表示：
[017




[018
[0183] 在式IA至IG中，
[0184] Xii可選自 0、S、N[ ai2)ai2-Ari2]、C(Ri5)(Ri6)、Si (Ris) (Ri6)、P[ai2)ai2-Ari2]、B [(Li2 ) al2-A；r 12 巧口P ( = 0 )[山2 ) aU-Ar 12 ];
[01化]Aril和Aru中的至少一個(gè)可W為ETi;
[0186] 。適山、曰11至A13、化適Ri6和bll至bl4與本文所定義的相同；
[0187] 在式 2(1)至 2(13)中，
[018引 Yi 可 W 為N[化 21)32 廣 Ani];
[0189] Y 河選自 N[化 22)a22-Ar22]、0、S、C(R25KR26WPSi(R25)(R26);
[0190] X2巧 W為C(R23)且拉河 W為C(R24);
[0191] Ani 和 Ar22 可 W 為HTi;
[0192] a21、a22、b21和b22可各自獨(dú)立地選自0、1、2和3;
[0193] 在式3A至3E中，
[0194] X3巧選自 0、S和N[化31)a3廣Ani];
[01巧]a31至a34、b31、b32和b43至b46可各自獨(dú)立地選自0、1、2和3;
[0196] A3i、Ar3i和Ar33與本文所定義的相同；
[0197] 在式2(1)至2(13)和式3A至3E中，
[019引 L21、L22和Lsi至L34可各自獨(dú)立地選自：
[0199] 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、 亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞 苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯 基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并 嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞二苯并巧挫基；W及
[0200] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、 亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那 締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧 基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃 基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧 挫基和亞二苯并巧挫基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸 或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊 締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、 苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯 并芳娃烷基和-Si (化1) (Q32)(化3);
[020。 R21至R26、R31、R32和R41至R46可各自獨(dú)立地選自：
[020^ 氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫 酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci偏基和Ci-Ci偏氧基；
[0203] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C廣Cio烷基和C廣Cio烷氧基:気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽和憐酸或其鹽；
[0204] 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；
[0205] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、 引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并 菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán) 己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33);W及
[0206] -Si(Qi) (Q2KQ3)，
[0207] 其中化至化和跑1至跑3可各自獨(dú)立地選自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基。
[0208] 在一些實(shí)施方式中，第一材料可選自化合物IOlA至189A和化合物IOlB至163B，第 二材料可選自化合物301A至373A和化合物30IB至460B，且第S材料可選自化合物501至 796：
[0209]

































[0243]
[0244] 在上文所述的化合物式中，化為苯基且Me為甲基。
[0245] 在一些實(shí)施方式中，第一材料可為選自化合物IOlA至189A中的一種，第二材料可 為選自化合物30IA至373A中的一種，且第=材料可為選自化合物501至796中的一種。
[0246] 在一些實(shí)施方式中，第一材料可為選自化合物IOlB至163B中的一種，且第二材料 可為選自化合物30IB至460B中的一種，且第=材料可為選自化合物501至796中的一種。
[0247] 當(dāng)發(fā)光層包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一個(gè)表示的第二材 料，W及空穴傳輸區(qū)包括由式3表示的第=材料時(shí)，發(fā)光層的激子區(qū)（例如，含有激子的發(fā)光 層的區(qū))被放大，因?yàn)榭昭蒞容易地從空穴傳輸區(qū)轉(zhuǎn)移至發(fā)光層，由此所得有機(jī)發(fā)光裝置 可具有高效率和長(zhǎng)壽命。
[0248] 空穴傳輸區(qū)可W包括選自空穴注入層化IL)、空穴傳輸層化化）、緩沖層和電子阻 擋層化化)中的至少一個(gè)。
[0249] 空穴傳輸區(qū)可具有由單種材料形成的單層結(jié)構(gòu)、由多種不同材料形成的單層結(jié) 構(gòu)、或具有由多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。
[0250] 例如，空穴傳輸區(qū)可具有由多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)、或空穴注入層/空穴傳 輸層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空穴傳輸層/緩沖層的結(jié)構(gòu)、空穴注 入層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)、空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)、或空穴傳輸層/電 子阻擋層的結(jié)構(gòu)，其中每種結(jié)構(gòu)的層W所述次序從第一電極110順序堆疊，但是本發(fā)明的實(shí) 施方式并不限于此。
[0251] 在一些實(shí)施方式中，發(fā)光層可W包括主體和滲雜劑，并且主體可W包括由式I表示 的第一材料和由式2-1至2-5表示的第二材料；
[0252] 空穴傳輸區(qū)可W包括選自空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一個(gè)，選自空穴傳輸 層和電子阻擋層中的至少一個(gè)可W包括由式3表示的第=材料。
[0253] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層時(shí)，通過(guò)一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn) 涂布、誘注、朗繆爾-布羅基特化angmuir-BlOdgett (LB))法、噴墨打印、激光打印和/或激光 誘導(dǎo)的熱成像化ITI)可在第一電極110上形成空穴注入層。
[0254] 當(dāng)空穴注入層通過(guò)真空沉積形成時(shí)，例如，取決于用于形成空穴注入層的化合物 和所需空穴注入層的結(jié)構(gòu)，真空沉積可在約l〇〇°C至約500°C范圍內(nèi)的沉積溫度和約1(T8托 至約ICT3托范圍內(nèi)的真空度下W約化Ol A/秒至約1 OOJl/秒范圍內(nèi)的沉積速率進(jìn)行。
[0255] 當(dāng)空穴注入層通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，取決于用于形成空穴注入層的化合物和所需 空穴注入層的結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)涂布可在約80°C至200°C范圍內(nèi)的溫度下W約2000巧m至約 500化pm范圍內(nèi)的涂布速率進(jìn)行。
[0256] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括空穴傳輸層時(shí)，通過(guò)一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn) 涂布、誘注、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI，可在第一電極110或空穴注入層上形成空 穴傳輸層。當(dāng)空穴傳輸層通過(guò)真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，沉積和涂布條件可與用于形 成空穴注入層的條件類似。
[0巧7]空穴傳輸區(qū)的厚度可W在約100 A至約1(),000 A，例如約100 A至約1，000 A的范 圍內(nèi)。當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層和空穴傳輸層兩者時(shí)，空穴注入層的厚度可在約100 A 至約10000 A，例如約100 A至約1000 A的范圍內(nèi)，并且空穴傳輸層的厚度可在約50 A至約 2000 A，例如約100 A至約1500 A的范圍內(nèi)。當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括電子阻擋層時(shí)，電子阻擋 層的厚度可W在約50 A至約800基，例如約100 A至約斌0 A的范圍內(nèi)。
[0258] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)、空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度在任意運(yùn)些范圍內(nèi) 時(shí)，可在驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有顯著增加下獲得空穴傳輸區(qū)的令人滿意的空穴傳輸性質(zhì)。
[0259] 除了上文所述的第=材料之外，空穴傳輸區(qū)還可W包括用于改善導(dǎo)電性的電荷產(chǎn) 生材料。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或非均勻地分散于整個(gè)空穴傳輸區(qū)中。
[0260] 電荷產(chǎn)生材料可W為例如P-滲雜劑。P-滲雜劑可W為選自W下的一種:釀衍生物、 金屬氧化物和含氯基化合物，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。例如，P-滲雜劑可W為釀 衍生物，諸如四氯基釀二甲燒（TCNQ)和/或2,3,5,6-四氣-四氯基-1,4-苯釀二甲燒(F4- TCNQ);金屬氧化物，諸如氧化鶴和/或氧化鋼;和/或化合物HT-Dl，但是本發(fā)明的實(shí)施方式 并不限于此： <化合物 HT-m> <F4-TCN〇> 幽；
[0262] 除了空穴注入層和空穴傳輸層之外，空穴傳輸區(qū)還可W包括選自緩沖層和電子阻 擋層中的至少一個(gè)。緩沖層可根據(jù)由發(fā)光層發(fā)射的光的波長(zhǎng)來(lái)補(bǔ)償光學(xué)共振距離。因此，可 改善包括緩沖層的有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光效率。緩沖層中的材料可W為也包括于空穴傳輸區(qū) 中的材料。電子阻擋層可防止或大致上阻擋來(lái)自電子傳輸區(qū)的電子的注入。
[0263] 通過(guò)使用（利用）一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、誘注、LB法、噴墨 打印、激光打印和/或LITI，可在空穴傳輸區(qū)130上形成發(fā)光層150。當(dāng)發(fā)光層150通過(guò)真空沉 積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，用于形成發(fā)光層150的沉積和涂布條件可W與用于形成空穴注入 層的沉積和涂布條件類似。
[0264] 當(dāng)有機(jī)發(fā)光裝置10為全色有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，可將發(fā)光層150圖案化為子像素，包括 紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層或藍(lán)色發(fā)光層。在一些實(shí)施方式中，發(fā)光層150可具有紅色發(fā)光層、 綠色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層的堆疊結(jié)構(gòu)，或可W包括于單個(gè)層中彼此混合的紅光發(fā)射材料、 綠光發(fā)射材料和藍(lán)光發(fā)射材料而發(fā)射白光。
[0265] 發(fā)光層150可W包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一個(gè)表示的第 二材料。
[0266] 發(fā)光層150的厚度可在約100: A至約:1，0艦A，例如約200 A至約600 A的范圍內(nèi)。 當(dāng)發(fā)光層的厚度在任意運(yùn)些范圍內(nèi)時(shí)，可在驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有顯著增加下獲得發(fā)光層的優(yōu)異的 發(fā)光特性。
[0267] 發(fā)光層150可W包括主體和滲雜劑。
[0268] 在發(fā)光層150中，主體可W包括由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中的任一個(gè) 表示的第二材料。
[0269] 發(fā)光層中的第一材料與第二材料的重量比率可W在約10:90至約90:10,例如約 20:80至約80: 20、或約25:75至約50:50的范圍內(nèi)。當(dāng)?shù)谝徊牧吓c第二材料的重量比率在任 意運(yùn)些范圍內(nèi)時(shí)，可有效平衡發(fā)光層150中的空穴轉(zhuǎn)移和電子轉(zhuǎn)移。
[0270] 滲雜劑可W包括選自巧光滲雜劑和憐光滲雜劑中的至少一種。
[0271] 憐光滲雜劑可W包括由式401表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物： 4' 401
[0272]
[0273] 在式 401 中，
[0274] M可選自銀（Ir)、銷（Pt)、餓（Os)、鐵(Ti)、錯(cuò)（Zr)、給化f)、館化U)、鋪（Tb)和鎊 (Tm)；
[0275] X401至X4日河各自獨(dú)立地為氮（-N-)或碳(-C-);
[0276] 環(huán)A4Q1和A4Q2可各自獨(dú)立地選自：
[0277] 取代的或未取代的苯、取代的或未取代的糞、取代的或未取代的巧、取代的或未取 代的螺-巧、取代的或未取代的巧、取代的或未取代的化咯、取代的或未取代的嚷吩、取代的 或未取代的巧喃、取代的或未取代的咪挫、取代的或未取代的化挫、取代的或未取代的嚷 挫、取代的或未取代的異嚷挫、取代的或未取代的嗯挫、取代的或未取代的異嗯挫、取代的 或未取代的化晚、取代的或未取代的化嗦、取代的或未取代的喀晚、取代的或未取代的化 嗦、取代的或未取代的哇嘟、取代的或未取代的異哇嘟、取代的或未取代的苯并哇嘟、取代 的或未取代的哇喔嘟、取代的或未取代的哇挫嘟、取代的或未取代的巧挫、取代的或未取代 的苯并咪挫、取代的或未取代的苯并巧喃、取代的或未取代的苯并嚷吩、取代的或未取代的 異苯并嚷吩、取代的或未取代的苯并嗯挫、取代的或未取代的異苯并嗯挫、取代的或未取代 的=挫、取代的或未取代的嗯二挫、取代的或未取代的=嗦、取代的或未取代的二苯并巧喃 和取代的或未取代的二苯并嚷吩；W及
[0278] 所述取代的苯、取代的糞、取代的巧、取代的螺-巧、取代的巧、取代的化咯、取代的 嚷吩、取代的巧喃、取代的咪挫、取代的化挫、取代的嚷挫、取代的異嚷挫、取代的嗯挫、取代 的異嗯挫、取代的化晚、取代的化嗦、取代的喀晚、取代的化嗦、取代的哇嘟、取代的異哇嘟、 取代的苯并哇嘟、取代的哇喔嘟、取代的哇挫嘟、取代的巧挫、取代的苯并咪挫、取代的苯并 巧喃、取代的苯并嚷吩、取代的異苯并嚷吩、取代的苯并嗯挫、取代的異苯并嗯挫、取代的= 挫、取代的嗯二挫、取代的=嗦、取代的二苯并巧喃和取代的二苯并嚷吩的至少一個(gè)取代基 選自：
[0279] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和CrCso烷氧基；
[0280] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的Ci-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Ci-Cso燒 氧基:気、-F、-Cl、-化、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其 鹽、憐酸或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、扣-Cio雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、&-Cio雜環(huán)締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多 環(huán)基團(tuán)、-N(Q4Oi) (〇4〇2)、-Si(Q4〇3) (〇4〇4) (〇4〇5)和-B(Q406) (〇4〇7);
[02川 C3-Cl肺烷基、Cl-ClQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Cl-ClQ雜環(huán)締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)；
[0282] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C3-C10環(huán)烷基、扣-Cio雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、 Cl-Cl日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多 環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C廣CiQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Ci-CiQ雜環(huán)締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)、-N(Qui) (〇412)、-Si(Q413) (〇414)(化15)和-B(Q416)(化17) ; W及 [028；3] -N(Q421) (Q422)、-Si(Q423) (Q424) (Q425)和-B(Q426) (Q427);
[0284] 其中Q401至Q407、Q"i至Q"7和Q421至Q427可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-化、-I、美圣 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Cso烷基、 C2-C60締基、C2-C60烘基、C廣C冊(cè)烷氧基、Cs-Cio環(huán)烷基、打-Cl日雜環(huán)烷基、Cs-Cio環(huán)締基、打-Cio雜 環(huán)締基、Cs-C日日芳基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)；
[0285] Lwi可W是有機(jī)配體；
[0286] XCl可W為1、2或3; W及
[0287] xc2可 W 為0、1、2或 3。
[028引L401可W為單價(jià)、二價(jià)、或S價(jià)有機(jī)配體。例如，L401可選自面素配體(例如，Cl或F)、 二酬配體(例如，乙酷丙酬化物、1，3-二苯基-1，3-丙烷二酬酸鹽、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚 燒二酬酸鹽和/或六氣丙酬酸鹽）、簇酸配體(例如，化晚甲酸鹽、二甲基-3-化挫簇酸鹽和/ 或苯甲酸鹽）、一氧化碳配體、異臘配體、氯基配體和憐配體(例如，麟和/或亞憐酸鹽），但是 本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0289] 在式401中，當(dāng)A401具有兩個(gè)或更多個(gè)取代基時(shí)，A401的兩個(gè)或更多個(gè)取代基可彼此 連接W形成飽和的或不飽和的環(huán)。
[0290] 在式401中，當(dāng)A402具有兩個(gè)或更多個(gè)取代基時(shí)，A402的兩個(gè)或更多個(gè)取代基可彼此 連接W形成飽和的或不飽和的環(huán)。
[0291] 在式401中，當(dāng)XCl為2或更大時(shí)，式401中的多個(gè)配
彼此相同或不 同。在式401中，當(dāng)XCl為2或更大時(shí)，一個(gè)配體的A401和/或A40河分別直接(例如，經(jīng)由單鍵） 或經(jīng)由在其間的連接基團(tuán)（例如，Ci-Cs亞烷基、C2-C5亞締基、-N(R'）-(其中R'為Ci-Cio烷基 或C6-C20芳基)和/或-C(=0)-)連接于不同相鄰配體的A401和/或A402。
[0292] 憐光滲雜劑可W包括化合物PDl至PD74中的至少一種，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并 不限于此：





[0299]
[0300] 在一些實(shí)施方式中，憐光滲雜劑可W包括PtOEP或PD75:
[03(
[0302] 基于100重量份的主體，發(fā)光層中滲雜劑的量可W在約0.01至約15重量份的范圍 內(nèi)，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0303] 電子傳輸區(qū)170可布置在發(fā)光層150上。
[0304] 電子傳輸區(qū)170可W包括選自空穴阻擋層化BU、電子傳輸層化化)和電子注入層 化IU中的至少一種，但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0305] 例如，電子傳輸區(qū)可具有電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)或空穴阻擋層/電子傳輸 層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中每種結(jié)構(gòu)的層W所述的次序從發(fā)光層順序堆疊，但是本發(fā)明的 實(shí)施方式并不限于此。
[0306] 電子傳輸區(qū)可W包括空穴阻擋層。當(dāng)發(fā)光層包括憐光滲雜劑時(shí)，空穴阻擋層可防 止或大致上阻擋=重峰激子和/或空穴從發(fā)光層擴(kuò)散到電子轉(zhuǎn)移層。
[0307] 當(dāng)電子傳輸區(qū)包括空穴阻擋層時(shí)，通過(guò)一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn) 涂布、誘注、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI，可在發(fā)光層上形成空穴阻擋層。當(dāng)空穴阻 擋層通過(guò)真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，用于形成空穴阻擋層的沉積和涂布條件可與用 于形成空穴注入層的沉積和涂布條件類似。
[0308] 空穴阻擋層可W包括，例如選自BCP和化hen中的至少一種，但是本發(fā)明的實(shí)施方 式并不限于此。
[0309]
[0310] 空穴阻擋層的厚度可在約20 A至約1,000 A，例如約30 A至約300 A的范圍內(nèi)。當(dāng) 空穴阻擋層的厚度在任意運(yùn)些范圍內(nèi)時(shí)，可在驅(qū)動(dòng)電壓無(wú)顯著增加下獲得空穴阻擋層的優(yōu) 異的空穴阻擋特性。
[0311] 電子傳輸區(qū)可W包括電子傳輸層。通過(guò)一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn) 涂布、誘注、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI，可在發(fā)光層或空穴阻擋層上形成電子傳 輸層。當(dāng)電子傳輸層通過(guò)真空沉積和/或旋轉(zhuǎn)涂布形成時(shí)，用于形成電子傳輸層的真空沉積 和涂布條件可與用于形成空穴注入層的真空沉積和涂布條件類似。
[0312] 在一些實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光裝置10可W包括在發(fā)光層150與第二電極190之間的 電子傳輸區(qū)170。電子傳輸區(qū)170可W包括選自電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。 [0313] 除BCP和I3phen (如上所示）之外，電子傳輸層還可W包括選自Alqs、BAlq、TAZ和 NTAZ(如下所示）中的至少一種：
[03141
[0315] 在一些實(shí)施方式中，電子傳輸層可W包括選自由式601表示的化合物和由式602表 示的化合物中的至少一種：
[0316] 式601
[0317] Ar601-[ (L60l)xel-E60l]xe2〇
[031引在式601中，
[0319] Arsoi可選自：
[0320]糞、庚搭締、巧、螺-巧、苯并巧、二苯并巧、非那締、菲、蔥、巧蔥、苯并菲、巧、屈、并 四苯、畦、巧、戊芬和巧并蔥；W及
[0321] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的糞、庚搭締、巧、螺-巧、苯并巧、二苯并巧、非那 締、菲、蔥、巧蔥、苯并菲、巧、屈、并四苯、畦、巧、戊芬和巧并蔥:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯 基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-C日日烷基、C2-C60 締基、C2-C60烘基、C廣Cs日烷氧基、C3-C1日環(huán)烷基、C廣Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、Ci-Cio雜環(huán)締 基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià) 非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)和-Si (化日1) ( 〇3日2 ) ( 〇3日3 )(其中化日1至跑03各自獨(dú)立地選自氨、Cl-Cso燒 基、Cs-Cso締基、Cs-Cso芳基和C廣Cso雜芳基）；
[0322] Lsoi可具有與本文定義的L201相同的定義；
[0323] Esoi可選自：
[0324] 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化 晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并 哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、 吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、 =挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫 基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基；W及
[0325] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫 基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫 基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、 巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并 嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二 苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、- I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20燒 基、C1-C20烷氧基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、 畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、 咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異 嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、增嘟基、巧挫基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、苯并巧喃 基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、=挫基、四挫基、嗯二挫基、= 嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀 晚基；
[0326] xel 可選自 0、1、2和3;W 及
[0327] xe2可選自 1、2、3和4。
[0328；
[0329] 在式602 中，
[0330] Xsil 可 W 為N或 C-(Xsil)XeSll-Rsil，Xsi2 可 W 為N或 C-(X612)xe612-R612，Xsi3可 W 為N或〔- (L613 )xe613-Rsi3，且選自Xsil至X613中的至少一個(gè)可W為N;
[0331] Lm至L616可各自獨(dú)立地具有與本文定義的L201相同的定義；
[0332] Rsii至R616可各自獨(dú)立地選自：
[0333] 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚 基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和=嗦基；W及
[0334] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并 巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟 基、哇挫嘟基、巧挫基和S嗦基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、奧基、巧 基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦 基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基和=嗦基；W及
[0335] xe611至xe616可各自獨(dú)立地選自0、1、2和3。
[0336] 由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可各自獨(dú)立地選自化合物ETl至 ET15：
[033引
[0339] 電子傳輸層的厚度可在約]00 A屯約1,000 A，例如約】50 A至約洗0 A的范圍內(nèi)。 當(dāng)電子傳輸層的厚度在任意運(yùn)些范圍內(nèi)時(shí)，可在驅(qū)動(dòng)電壓無(wú)顯著增加下獲得電子傳輸層的 優(yōu)異的電子傳輸特征。
[0340] 在一些實(shí)施方式中，除上文所述的材料之外，電子傳輸層還可W包括含金屬材料。 [CX341]含金屬材料可W包括Li絡(luò)合物。Li絡(luò)合物可W包括，例如化合物ET-DUS-^基哇 嘟裡、LiQ)和/或ET-D2:
[cm2;
[0343] 電子傳輸區(qū)可W包括利于電子從第二電極190注入的電子注入層。
[0344] 通過(guò)一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、誘注、LB法、噴墨打印、激光打 印和/或LITI，可在電子傳輸層上形成電子注入層。當(dāng)電子注入層通過(guò)真空沉積和/或旋轉(zhuǎn) 涂布形成時(shí)，用于電子注入層的真空沉積和涂布條件可W與用于空穴注入層的真空沉積和 涂布條件類似。
[0345] 電子注入層可W包括選自^。、船(：1、〔3。、^2〇、8曰0和^9中的至少一種。
[0346] 電子注入層的厚度可W在約IA至約100 A，例如約3 A至約撕A的范圍內(nèi)。當(dāng)電 子注入層的厚度在任意運(yùn)些范圍內(nèi)時(shí)，可在驅(qū)動(dòng)電壓無(wú)顯著增加下獲得電子注入層的令人 滿意的電子注入特征。
[0347] 第二電極190可布置在電子傳輸區(qū)170上。第二電極190可W為陰極，其是電子注入 電極。用于形成第二電極190的第二電極材料可W為具有低功函的的材料，諸如金屬、合金、 導(dǎo)電性化合物或其混合物。第二電極材料的非限制性實(shí)例可W包括裡化i)、儀(Mg)、侶 (Al)、侶-裡(A^Li)、巧(化）、儀-銅(Mg-In)和儀-銀(Mg-Ag)。在一些實(shí)施方式中，第二電極 材料可W為ITO和/或IZ0。第二電極190可W為反射電極、半透射電極或透射電極。
[0348] 在上文，已參考附圖描述了有機(jī)發(fā)光裝置10,但是本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0349] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 1-C60烷基"是指主鏈中具有1至60個(gè)碳原子的直鏈或支鏈脂 族單價(jià)控基。Ci-Cso烷基的非限制性實(shí)例可W包括甲基、乙基、丙基、異下基、仲下基、叔下 基、戊基、異戊基和己基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 1-C60亞烷基"是指具有與Ci-Cso烷基相同的結(jié) 構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0350] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)"Ci-Cs偏氧基"是指由-OAioi(其中Aioi為Ci-Cso烷基讀示的單 價(jià)基團(tuán)。Ci-Cs偏氧基的非限制性實(shí)例可W包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。
[0351] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 2-C60締基"是指沿著C2-C60烷基的碳鏈的一個(gè)或多個(gè)位置處 (例如，在C2-C60烷基的中間或任一末端)包括至少一個(gè)碳-碳雙鍵的控基。C2-C60締基的非限 制性實(shí)例可W包括乙締基、丙締基和下締基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 2-C60亞締基"是指具有與 C2-C60締基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[03對(duì)本文所使用的術(shù)語(yǔ)"C2-C60烘基"是指沿著C2-C60烷基的碳鏈的一個(gè)或多個(gè)位置處 (例如，在C2-C60烷基的中間或任一末端飽括至少一個(gè)碳-碳立鍵的控基。C2-C60烘基的非限 審雌實(shí)例可W包括乙烘基和丙烘基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"C2-C60亞烘基"是指具有與C2-C60烘 基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0353]本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 3-Cio環(huán)烷基"是指包括3至10個(gè)碳原子作為成環(huán)原子的單價(jià) 單環(huán)飽和控基。C3-C10環(huán)烷基的非限制性實(shí)例可W包括環(huán)丙基、環(huán)下基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán) 庚基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"C3-C10亞環(huán)烷基"是指具有與C3-C10環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基 團(tuán)。
[0354]本文所使用的術(shù)語(yǔ)"Ci-Cio雜環(huán)燒堂'是指包括至少一個(gè)選自N、0、Si、P和S的雜原 子作為成環(huán)原子和1至10個(gè)碳原子作為剩余成環(huán)原子的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。Ci-Cio雜環(huán)烷基的非 限制性實(shí)例可W包括四氨巧喃基和四氨嚷吩基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 I-Cio亞雜環(huán)烷基"是 指具有與Ci-Cio雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0?5]本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 3-Cio環(huán)締基"是指在C3-C10環(huán)締基的環(huán)中包括3至10個(gè)碳原子 作為成環(huán)原子和至少一個(gè)雙鍵并且不具有芳香性的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。C3-C10環(huán)締基的非限制 性實(shí)例可W包括環(huán)戊締基、環(huán)己締基和環(huán)庚締基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 3-Cio亞環(huán)締基"是指 具有與C3-C10環(huán)締基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0356] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂廣Cio雜環(huán)締基"是指在其環(huán)中包括至少一個(gè)選自N、0、Si、P和 S的雜原子作為成環(huán)原子、1至10個(gè)碳原子作為剩余成環(huán)原子和至少一個(gè)雙鍵的單價(jià)單環(huán)基 團(tuán)。Ci-Cio雜環(huán)締基的非限制性實(shí)例可W包括2,3-二氨巧喃基和2,3-二氨嚷吩基。本文所使 用的術(shù)語(yǔ)"Ci-Cio亞雜環(huán)締基"是指具有與Ci-Cio雜環(huán)締基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0357] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 6-C60芳基"是指包括具有6至60個(gè)碳原子作為成環(huán)原子的碳 環(huán)芳族系統(tǒng)的單價(jià)基團(tuán)，并且本文所使用的C6-C60亞芳基是指包括具有6至60個(gè)碳原子作為 成環(huán)原子的碳環(huán)芳族系統(tǒng)的二價(jià)基團(tuán)。C6-C60芳基的非限制性實(shí)例可W包括苯基、糞基、蔥 基、菲基、巧基和屈基。當(dāng)C6-C60芳基和/或C6-C60亞芳基包括兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí)，各個(gè)環(huán)可W 彼此稠合。
[0358] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂廣C60雜芳基"是指具有包括至少一個(gè)選自N、0、P和S的雜原子 作為成環(huán)原子和1至60個(gè)碳原子作為剩余成環(huán)原子的碳環(huán)芳族系統(tǒng)的單價(jià)基團(tuán)。本文所使 用的術(shù)語(yǔ)乂 1-C60亞雜芳基"是指具有包括至少一個(gè)選自N、0、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原 子和1至60個(gè)碳原子作為剩余成環(huán)原子的碳環(huán)芳族系統(tǒng)的二價(jià)基團(tuán)。Ci-Cso雜芳基的非限制 性實(shí)例可W包括化晚基、喀晚基、化嗦基、化嗦基、S嗦基、哇嘟基和異哇嘟基。當(dāng)Ci-Cso雜芳 基和/或Ci-Cso亞雜芳基包括兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí)，各個(gè)環(huán)可W彼此稠合。
[0359] 本文所使用術(shù)語(yǔ)"C6-C60芳氧基"是指由-〇Ai〇2(其中Ai〇2為C6-C60芳基)表示的單價(jià) 基團(tuán)，并且本文所使用的術(shù)語(yǔ)乂 6-C60芳硫基"是指由-SAi〇3(其中Ai〇3為C6-C60芳基)表示的單 價(jià)基團(tuán)。
[0360] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)"單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)"是指運(yùn)樣的單價(jià)基團(tuán)，其具有彼此 稠合的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，只有碳原子作為成環(huán)原子(例如，具有8至60個(gè)碳原子)且不具有總 體芳香性。單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例可W包括巧基。本文所使用的二價(jià)非 芳族稠合多環(huán)基團(tuán)是指具有與單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0361] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)"單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)"是指運(yùn)樣的單價(jià)基團(tuán)，其具有彼 此稠合的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，具有至少一個(gè)選自N、0、Si、P和S的雜原子作為成環(huán)原子和碳原 子作為剩余成環(huán)原子(例如，具有1至60個(gè)碳原子)且不具有總體芳香性。單價(jià)非芳族稠合雜 多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例可W包括巧挫基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)"是指具有與單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。
[0362] 如本文所使用，所述取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的Ci-Cio亞雜環(huán)烷基、取代的C3- Cio亞環(huán)締基、取代的Ci-Cio亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的Ci-Cso亞雜芳基、取代的 二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的Ci-Cso烷基、取代的 C2-C60締基、取代的C2-C60烘基、取代的Cl-Cs偏氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的Cl-Cio雜環(huán) 烷基、取代的C3-C10環(huán)締基、取代的Cl-Cio雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、 取代的C6-C60芳硫基、取代的Cl-Cso雜芳基、取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價(jià) 非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)中的至少一個(gè)取代基選自：
[0363] 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、CrCso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣Cso烷氧基；
[0364] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的Ci-Cs偏基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Ci-Cso燒 氧基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其 鹽、憐酸或其鹽、C3-C10環(huán)烷基、扣-Cio雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、&-ClO雜環(huán)締基、C6-C60芳基、 C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多 環(huán)基團(tuán)和-5;[(011)(012)(013);
[0365] C3-C1肺烷基、Cl-ClQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Cl-ClQ雜環(huán)締基、C6-C6Q芳基、C6-C60芳 氧基、Cs-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)；
[0366] 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C3-C10環(huán)烷基、扣-CiO雜環(huán)烷基、C3-C10環(huán)締基、 Cl-Cl日雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C6日芳氧基、C6-C6日芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多 環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、扣-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C6日烘基、扣-Cso 烷氧基、C3-C1Q環(huán)烷基、C廣CiQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Ci-CiQ雜環(huán)締基、Cs-Csq芳基、Cs-Cso芳 氧基、C6-C60芳硫基、Cl-Cso雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán) 和-Si(Q21)(胞0(Q23);W及
[0367] -Si(Qsi) (Q32) (933)，
[036引其中Qll至化3、Q21至Q23和跑1至Q33可各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-C1、-化、-I、徑基、 氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-C日日烷基、C2- Cso締基、C2-C60烘基、CrCs日烷氧基、Cs-Cio環(huán)烷基、打-Cl日雜環(huán)烷基、Cs-Cio環(huán)締基、打-Cl日雜環(huán) 締基、C6-C60芳基、C廣C60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。
[0369] 如本文所使用，表述"Pb"指示苯基，表述"Me"指示甲基，表述巧t"指示乙基，并且 表述"ter-Bu"或巧U"'指示叔下基。
[0370] 在下文，將參考合成例和實(shí)施例更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的化合物和 包括所述化合物的有機(jī)發(fā)光裝置。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。在描述合成實(shí)施例 時(shí)使用的表述"使用B代替A"指示A的摩爾當(dāng)量與B的摩爾當(dāng)量相等。
[0371 ]實(shí)施例 [0巧。實(shí)施例1
[037；3] 將厚度為15 Q/cnr'(MX_) A)的氧化銅錫（ITO)玻璃基板(得自Corning Inc.)切成 50mm X 50mmX 0.5mm的大小，在異丙醇和純水中各自超聲處理10分鐘，然后用UV和臭氧清潔 10分鐘。
[0374] 將2-TNATA(得自Duksan Hi-Metal Co Ltd)真空-沉積在所制備的ITO玻璃基板 (在此，陽(yáng)極）上W形成具有600 A厚度的空穴注入層，并將化合物587(得自Duksan Hi- Metal Co Ltd)真空-沉積在空穴注入層上W形成具有300 A厚度的電子阻擋層，從而形成 空穴傳輸區(qū)。
[0375] 將作為主體的化合物108B(得自化inil Steel Co丄td.)和化合物426B(得自 Toray IndustriesJnc.)和作為滲雜劑的PD75(得自Universal Display Coloration)W 50:50:10的重量比率共沉積W形成具有400 A厚度的發(fā)光層。然后，將Alq3沉積在發(fā)光層 上W形成具有300 A厚度的電子傳輸層，并且在電子傳輸層上形成具有2000 A厚度的Al 陰極，從而完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。
[0巧引 實(shí)施例2至16和比較例1至4
[0377] W與實(shí)施例1相同（或大致上相同）的方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，除了根據(jù)表1改變用 于主體和電子阻擋層的材料。
[0巧引評(píng)價(jià)實(shí)施例1
[0379] 使用Keithl巧SMU 236和亮度計(jì)PR650評(píng)價(jià)實(shí)施例1至16和比較例1至4中制備的 有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、效率和壽命(T97)。結(jié)果示于表1中。壽命(T97)被定義 為有機(jī)發(fā)光裝置的亮度降至其起始亮度的97%的時(shí)間。
[0380] 表 1
[0
[0384] 參考表1，實(shí)施例1至16的有機(jī)發(fā)光裝置的效率和壽命特性優(yōu)于比較例I至4的有機(jī) 發(fā)光裝置。
[0385] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，包括由式1、2-1至2-5和3表示的化合物的有 機(jī)發(fā)光裝置可具有高效率和長(zhǎng)壽命。
[0386] 如本文所使用的術(shù)語(yǔ)"使用(use)"、"正在使用(using)"和"所使用的(used)"可被 認(rèn)為分別與術(shù)語(yǔ)"利用（utilize)"、"正在利用（utilizing)"和"所利用的（utilized)"同 義。
[0387] 此外，本文所使用的術(shù)語(yǔ)"大致上"、"約"和類似術(shù)語(yǔ)作為近似術(shù)語(yǔ)而不是作為程 度術(shù)語(yǔ)來(lái)使用，并且意圖解釋本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公認(rèn)的測(cè)量值或計(jì)算值的固有偏差。
[0388] 同樣，本文列舉的任何數(shù)值范圍意圖包括納入所列舉范圍的相同數(shù)值精度的所有 子范圍。例如，"1.0至10.0"的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0 之間（且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有 子范圍，諸如，例如，2.4至7.6。本文列舉的任何最大數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有 較低的數(shù)值限制并且在本說(shuō)明書(shū)中列舉的任何最小數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有 較高的數(shù)值限制。因此，
【申請(qǐng)人】保留修改本說(shuō)明書(shū)(包括權(quán)利要求)的權(quán)利，W明確列舉被納 入本文明確列舉的范圍內(nèi)的任何子范圍。
[0389] 應(yīng)理解，本文所述的實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為僅是描述性含義而非限制的目的。在每個(gè) 實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其它實(shí)施方式中的其他類似的特征 或方面。
[0390] 盡管已經(jīng)參考附圖描述本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 會(huì)理解，可在不偏離如通過(guò)權(quán)利要求及其等效形式限定的本發(fā)明的精神和范圍下對(duì)本文在 形式和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光裝置，其包括： 第一電極； 面對(duì)所述第一電極的第二電極； 在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層； 在所述第一電極和所述發(fā)光層之間的空穴傳輸區(qū)；和 在所述發(fā)光層和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)， 其中所述發(fā)光層包含由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5中任一個(gè)表示的第二材 料，W及 所述空穴傳輸區(qū)包含由式3表示的第Ξ材料：V: ·ν.;,ννι'令 其中，在式1、2-1至2-5和3中， Ai適Αι4、Α2ι、Α22和Α31各自獨(dú)立地選自苯、糞、化晚、喀晚、哇嘟、異哇嘟、2,6-糞晚、l，8- 糞晚、l，5-糞晚、l，6-糞晚、l，7-糞晚、2,7-糞晚、哇喔嘟、獻(xiàn)嗦、哇挫嘟和增嘟； Xll選自 0、S、N[αl2)al2-Arl2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[αl2)al2-Arl2]、B[αl2)al2- Arl2]和P(=0)[αl2)al2-Arl2]; X21 為C(R23)或N; X22為C(R24)或N; Yl為N[ (X21)a21-Ar21]; Y2選自 N[ (X22)a22-Ar22]、0、S、C(R25) (R26)和Si (化5) (R26); X31選自 ο、S和N[化31) a3廣Ani ]; Ln至Li3、L21、L22和L31至L34各自獨(dú)立地選自取代的或未取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的 或未取代的Ci-Cio亞雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10亞環(huán)締基、取代的或未取代的Ci-Cio 亞雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60亞芳基、取代的或未取代的C1-C6O亞雜芳基、取代的或 未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)； all至al3、a21、a22和a31至a34各自獨(dú)立地選自0、1、2和3,且當(dāng)all為2或更大時(shí)，兩個(gè) 或更多個(gè)^1彼此相同或不同，當(dāng)al2為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)^2彼此相同或不同，當(dāng)al3 為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)^3彼此相同或不同，當(dāng)曰21為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L21彼此 相同或不同，當(dāng)a22為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L22彼此相同或不同，當(dāng)a31為2或更大時(shí)，兩 個(gè)或更多個(gè)L31彼此相同或不同，當(dāng)曰32為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L32彼此相同或不同，當(dāng) a33為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè)L33彼此相同或不同，且當(dāng)a34為2或更大時(shí)，兩個(gè)或更多個(gè) L34彼此相同或不同； Aril、Ari2、Αγ2ι和Αγ22各自獨(dú)立地選自ETi和HT2; Ani至Αγ33各自獨(dú)立地為HT2; 其中ETi是電子傳輸基團(tuán)，ΗΤ2是空穴傳輸基團(tuán)； 化適Ri6、R2適R26、R31和R32各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-C1、-化、-I、徑基、氯基、硝基、氨 基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、取代的或未取代的C1-C60烷基、 取代的或未取代的C2-C60締基、取代的或未取代的C2-C60烘基、取代的或未取代的Cl-Cso燒氧 基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的Ci-Cio雜環(huán)烷基、取代的或未取代的 C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的C廣ClO雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或 未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的Cl-Cso雜芳基、 取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)、-Si(Qi)(Q2)(Q3)、-BW4)(^WP-N(Q6)(Q7); 化5和化6任選地彼此連接W形成飽和的或不飽和的環(huán)； bll至614、621、622、63巧化32各自獨(dú)立地選自0、1、2和3;且 所述取代的C3-C10亞環(huán)烷基、取代的Cl-ClO亞雜環(huán)烷基、取代的C3-C10亞環(huán)締基、取代的 Cl-ClO亞雜環(huán)締基、取代的C6-C60亞芳基、取代的Cl-Cso亞雜芳基、取代的二價(jià)非芳族稠合多 環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60締基、取代的 C2-C6D烘基、取代的Ci-Ceo烷氧基、取代的C3-C1肺烷基、取代的Ci-Cio雜環(huán)烷基、取代的C3-C10 環(huán)締基、取代的Cl-ClO雜環(huán)締基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫 基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán) 基團(tuán)中的至少一個(gè)取代基選自： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其 鹽、憐酸或其鹽、C廣C60烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和C廣C60烷氧基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的Ci-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基和Cl-Cso烷氧基： 気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐 酸或其鹽、C3-C1Q環(huán)烷基、Cl-ClQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、打-ClQ雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-Cso 芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C6O雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基 團(tuán)、-Si(Qn)(化2) (Qi3)、-B(Qi4)(化5)和-N(Qi6)(化7); C3-C1Q環(huán)烷基、Cl-ClQ雜環(huán)烷基、C3-C1Q環(huán)締基、Cl-ClQ雜環(huán)締基、Cs-CsQ芳基、Cs-CsQ芳氧 基、C6-C60芳硫基、C廣C60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C3-C1日環(huán)烷基、C廣Cl日雜環(huán)烷基、C3-C1日環(huán)締基、C廣Cio 雜環(huán)締基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C6O雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán) 和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Cl-Cso烷基、C2-C60締基、C2-C60烘基、Cl-Cs日燒氧 基、Cs-Cio環(huán)烷基、打-Cl日雜環(huán)烷基、Cs-Cio環(huán)締基、打-Cl日雜環(huán)締基、Cs-Cso芳基、Cs-Cs日芳氧基、 C6-C日日芳硫基、Ci-C日日雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-Si (〇21) (〇22) (〇23)、-Β(024) (〇25)和-Ν(026) (〇27) ; W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中化至化、Qii至化7、Q2i至Q27和Q31至Q37各自獨(dú)立地選自氨、気、斗、-(：1、-8'、-1、徑基、 氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-C日日烷基、C2- Cso締基、C2-C60烘基、&-C6日烷氧基、Cs-Cio環(huán)烷基、打-Cl日雜環(huán)烷基、Cs-Cio環(huán)締基、打-Cl日雜環(huán) 締基、C6-C60芳基、C廣C60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中All至Ai4和A21各自獨(dú)立地選自苯、糞、化晚、 異哇嘟和哇喔嘟且A22和A31各自獨(dú)立地選自苯和糞。3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中All和A21各自獨(dú)立地選自苯、糞、郵晚、異哇嘟 和哇喔嘟，且Ai2至Ai4、A22和A31各自獨(dú)立地選自苯和糞。4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在式2-1至2-5中，X21為C(R23)，且X22為C 他4)。5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至^3各自獨(dú)立地 選自： 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧 基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并 菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞 玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞化咯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞咪挫基、亞化挫基、亞嚷挫 基、亞異嚷挫基、亞嗯挫基、亞異嗯挫基、亞化晚基、亞化嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞異嗎I 噪基、亞嗎I噪基、亞嗎I挫基、亞嚷嶺基、亞哇嘟基、亞異哇嘟基、亞苯并哇嘟基、亞獻(xiàn)嗦基、亞 糞晚基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞增嘟基、亞巧挫基、亞菲晚基、亞叮晚基、亞菲咯嘟基、 亞吩嗦基、亞苯并咪挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞異苯并嚷挫基、亞苯并嗯挫基、 亞異苯并嗯挫基、亞Ξ挫基、亞四挫基、亞嗯二挫基、亞Ξ嗦基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并 嚷吩基、亞苯并巧挫基、亞二苯并巧挫基、亞嚷二挫基、亞咪挫并化晚基和亞咪挫并喀晚基； W及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚 搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、 亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊 芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞化咯基、亞嚷吩基、亞巧 喃基、亞咪挫基、亞化挫基、亞嚷挫基、亞異嚷挫基、亞嗯挫基、亞異嗯挫基、亞化晚基、亞化 嗦基、亞喀晚基、亞化嗦基、亞異嗎I噪基、亞嗎I噪基、亞嗎I挫基、亞嚷嶺基、亞哇嘟基、亞異哇 嘟基、亞苯并哇嘟基、亞獻(xiàn)嗦基、亞糞晚基、亞哇喔嘟基、亞哇挫嘟基、亞增嘟基、亞巧挫基、 亞菲晚基、亞叮晚基、亞菲咯嘟基、亞吩嗦基、亞苯并咪挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、 亞異苯并嚷挫基、亞苯并嗯挫基、亞異苯并嗯挫基、亞Ξ挫基、亞四挫基、亞嗯二挫基、亞Ξ 嗦基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基、亞二苯并巧挫基、亞嚷二挫基、亞 咪挫并化晚基和亞咪挫并喀晚基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、 腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C20燒氧 基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、化晚基、喀晚 基、化嗦基、化嗦基、Ξ嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基和哇挫嘟基，W 及 L21、L22和L31至L34各自獨(dú)立地選自： 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧 基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并 菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞 玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩 基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞二苯并巧挫基；W及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚 搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、 亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊 芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧 挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞 二苯并巧挫基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、 橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán) 己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯并芳娃 烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)， 其中Q31至Q33各自獨(dú)立地選自Ci-Cio烷基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、 苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，1^11至^3各自獨(dú)立地 選自由式3-1至3-34表示的基團(tuán)，且L2i、L22和L31至L34各自獨(dú)立地選自由式3-1至3-10、3-26 至3-28、3-32和3-33表示的基團(tuán)：其中，在式3-1至3-34中， Yii 選自 0、S、S(=0)，S(=0)2、C(Z3)(Z4)、N(Z5WPSi(Z6)(Z7); Zi至Z7各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C2-C20締基、C2-C20烘基、C1-C2日燒氧 基、苯基、糞基、蔥基、巧基、菲基、巧基、巧挫基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基； dl為選自1至4的整數(shù);d2為選自1至3的整數(shù);d3為選自1至6的整數(shù);d4為選自1至8的整 數(shù);d5為1或2;d6為選自1至5的整數(shù);且*和*'各自獨(dú)立地為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在式1、2-1至2-5和3中，Aril和Ari2各自獨(dú)立 地選自ETi和肌2，其中Aril和Ari2中的至少一個(gè)為ETi，且Am和Αγ22各自為HT2;或 Aril和Ari2各自為肌2，且Ani和Αγ22各自獨(dú)立地選自ETi和肌2，其中Ani和Αγ22中的至少 一個(gè)為ETi。8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中ETi選自： 化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚 基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞 晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯并 嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并 化晚基和咪挫并喀晚基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫 基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯 嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯 二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、 硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Cl-ClG烷基、Cl-ClG燒氧 基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化 咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦 基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫 基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦 基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si (Q31)(化2)(933)、-B (934)(935)和-則跑6)(937);^及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的化咯基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫 基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、異嗎I噪基、嗎I噪基、嗎I挫基、嚷嶺基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、獻(xiàn)嗦基、糞晚基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、增嘟基、菲晚基、叮晚基、菲咯 嘟基、吩嗦基、苯并咪挫基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、Ξ挫基、四挫基、嗯 二挫基、Ξ嗦基、嚷二挫基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基:苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫 基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟 基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯 并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪 挫并化晚基和咪挫并喀晚基:気、-F、-C1、-化、-I、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、 簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧 基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫 基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、 異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩 基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷 吩基、咪挫并化晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Q21)(化2)(Q23)、-B(Q24)(化5)和-N(Q26)(化7)， 其中Q21至Q27和跑適跑7各自獨(dú)立地選自C1-C20烷基、打-C20烷氧基、苯基和糞基。9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中ETi選自由式5-1至5-41表示的基團(tuán)：其中，在式5-1至5-41中， Z"至Z43各自獨(dú)立地選自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、 化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪 挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦 基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫并喀晚基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、異嚷挫 基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并哇嘟基、哇 喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫基、苯并嗯挫 基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化晚基和咪挫 并喀晚基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸 或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯 并巧基、菲基、蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、化咯基、嚷吩基、巧喃基、咪挫基、化挫基、嚷挫 基、異嚷挫基、嗯挫基、異嗯挫基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、苯并 哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、苯并咪挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、異苯并嚷挫 基、苯并嗯挫基、異苯并嗯挫基、嗯二挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、咪挫并化 晚基、咪挫并喀晚基、-Si(Q21)(化 2)(Q23)、-B(Q24)(化 5)和-N(化 6)(Q27);W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中Q2I至Q27和跑適跑7各自獨(dú)立地選自C1-C10烷基、打-C10烷氧基、苯基和糞基； η為選自1至4的整數(shù);f2為選自1至3的整數(shù);f3為1或2;f4為選自1至6的整數(shù);且巧為 選自1至5的整數(shù)。10. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中Z"至Z43各自獨(dú)立地選自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、Cl-ClQ烷基和Cl-ClQ烷氧基； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫 嘟基、巧挫基、=嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基:Ci-Cio燒 基、Ci-Cio烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、化晚基、化嗦基、喀晚基、哇嘟基、-Si (Q21) (Q22)(Q23)、-B(Q24)(Q2日）和-N(Q26)(Q27) ; W及 -Si (Q31)(化2) (Q33)、-B(化4) (Q35)和-N(Q36) (Q37); 其中Q2I至Q27和跑適跑7各自獨(dú)立地選自C1-C10烷基、打-C10烷氧基、苯基和糞基。11. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中HT2選自： 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá) 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、硝基、氨基、脈基、阱 基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧 基、巧挫基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q34)(Q35WP-N^6)(Q37); 各自被選自C1-C20烷基和苯基的至少一個(gè)取代的苯基取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞 基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲 基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯 基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基；W及 -Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(Q6) (Q?)， 其中化至化和化1至化7各自獨(dú)立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基和糞基。12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中HT2選自： -Si (Qi) (Q2) (Q3)、-B(化）（化）和-N(化）（化）；W及 由式7-1至7-9表示的基團(tuán)， 其中化至化各自獨(dú)立地選自Ci-Cio烷基、打-Cio烷氧基、苯基和糞基：其中，在式7-1至7-9中， Y31 和Y32各自獨(dú)立地選自單鍵、0、S、C(Z34)(Z35)、N(Z36WPSi(Z37)(Z38); Z31至Z38各自獨(dú)立地選自氨、気、-F、-Cl、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺 基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C廣ClG烷基和C廣ClG烷氧基； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基；W及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá) 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C廣ClG烷基和C廣ClG烷氧基； el為選自1至5的整數(shù)，日2為選自1至7的整數(shù)，日3為選自1至3的整數(shù)，日4為選自1至4的整 數(shù)，且*和*'各自獨(dú)立地為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中HT2選自由式8-1至8-46表示的基團(tuán)：其中，在式8-1至8-46中，*為與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在式1、2-1至2-5和3中， Ri適Ri6各自獨(dú)立地選自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、徑 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽和憐酸或其鹽； 苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化 嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃 基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基；W及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、 菲基、蔥基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫 嘟基、巧挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基和二苯并巧挫基:気、-F、- C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其 鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、糞基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、菲基、蔥 基、巧基、屈基、化晚基、化嗦基、喀晚基、化嗦基、哇嘟基、異哇嘟基、哇喔嘟基、哇挫嘟基、巧 挫基、Ξ嗦基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和-Si (化1)(Q32) (跑3); W及 -Si(Qi)(Q2)(Q3)； R2I至R26、R31和R32各自獨(dú)立地選自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、C1-C2Q烷基和C1-C2Q烷氧基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、徑 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽和憐酸或其鹽； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá) 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán) 己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33);W及 -Si(Qi)(Q2)(Q3), 其中化至化和化1至化3各自獨(dú)立地選自C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基和糞基。15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一材料由式1A至1G中的任一個(gè)表 示，所述第二材料由式2(1)至2(16)中的任一個(gè)表示，且所述第Ξ材料由式3A至3E中的任一 個(gè)表示：其中，在式ΙΑ至IG中，乂11、山、1^13、曰11、曰13、4^、1?11至扣4，且611至614與式1中的定義相 同， 在式2(1)至2(16)中，乂21^22、￥1^2、1?21、1?22、62巧化22與式2-1至2-5中的定義相同， 在式34至36中，431、乂31、132至134、日32至日34、4〇3、尺31、化2、631和632與式3中的定義相同， R"至R46各自獨(dú)立地與在式3中定義的R31相同，且b43至b46各自獨(dú)立地與在式3中定義的b31 相同。16.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一材料由式1A至1G中的任一個(gè)表 示，所述第二材料由式2(1)至2(13)中的任一個(gè)表示，且所述第Ξ材料由式3A至3E中的任一 個(gè)表示：其中，在式ΙΑ至IG中， Xll選自 0、S、N[αl2)al2-Arl2]、C(Rl5)(Rl6)、Si(Rl5)(Rl6)、P[αl2)al2-Arl2]、B[αl2)al2- Arl2]和P(=0)[αl2)al2-Arl2]， Aril和Aru中的至少一個(gè)為ETi，W及 Lii至Li3、all至al3、Rii至Ri6和bll至bl4與式1中定義的相同； 在式2(1)至2(13)中， Yl為N[ (X21)a21-Ar21]， Y2選自 N[ (X22)a22-Ar22]、0、S、C(R25) (R26)和Si (化5) (R26)， X21 為 C(R23)，且拉 2 為 C(化 4)， ΑΓ21和ΑΓ22各自為HTl，W及 a21、a22、b21和b22各自獨(dú)立地選自0、1、2和3; 在式3A至3E中， X31選自 0、S和N[化31) a3廣Ani ]， a31至a34、b31、b32和b43至b46各自獨(dú)立地選自0、1、2和3，W及 A31、Αγ32和An洛自獨(dú)立地與式3中的定義相同；且 在式2(1)至2(13)和式34至36中， L21、L22和L31至L34各自獨(dú)立地選自： 亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧 基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并 菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞 玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩 基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞二苯并巧挫基；W及 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞戊搭締基、亞巧基、亞糞基、亞奧基、亞庚 搭締基、亞引達(dá)省基、亞起基、亞巧基、螺-亞巧基、亞苯并巧基、亞二苯并巧基、亞非那締基、 亞菲基、亞蔥基、亞巧蔥基、亞苯并菲基、亞巧基、亞屈基、亞并四苯基、亞畦基、亞巧基、亞戊 芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞違基、亞卵苯基、亞嚷吩基、亞巧喃基、亞巧 挫基、亞苯并巧喃基、亞苯并嚷吩基、亞二苯并巧喃基、亞二苯并嚷吩基、亞苯并巧挫基和亞 二苯并巧挫基:気、-F、-C1、-化、-1、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、 橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán) 己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并 巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基、二苯并芳娃 烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)， R2I至R26、R3I、R32和R4I至R46各自獨(dú)立地選自： 氨、気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或 其鹽、憐酸或其鹽、Cl-ClQ烷基和Cl-ClQ烷氧基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的Ci-Cio烷基和Ci-Cio烷氧基:気、-F、-C1、-Br、-I、徑 基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽和憐酸或其鹽； 苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧 基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧 基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧 喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃 烷基； 各自被選自W下的至少一個(gè)取代的苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá) 省基、起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲 基、巧基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯 基、嚷吩基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并 巧挫基、二苯并巧挫基和二苯并芳娃烷基:気、-F、-Cl、-Br、-I、?基、氯基、硝基、氨基、脈 基、阱基、腺基、簇酸或其鹽、橫酸或其鹽、憐酸或其鹽、Ci-Ci日烷基、Ci-Ci日烷氧基、環(huán)戊基、環(huán) 己基、環(huán)庚基、環(huán)戊締基、環(huán)己締基、苯基、戊搭締基、巧基、糞基、奧基、庚搭締基、引達(dá)省基、 起基、巧基、螺-巧基、苯并巧基、二苯并巧基、非那締基、菲基、蔥基、巧蔥基、苯并菲基、巧 基、屈基、并四苯基、畦基、巧基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、違基、卵苯基、嚷吩 基、巧喃基、巧挫基、苯并巧喃基、苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、二苯并嚷吩基、苯并巧挫基、 二苯并巧挫基、二苯并芳娃烷基和-Si(Q31)(Q32)(Q33)，W及 -Si (Qi) (Q2)(跑），其中化至化和跑適跑3各自獨(dú)立地選自扣-Cio烷基、CrCio烷氧基、苯基 和糞基。17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一材料選自化合物101A至189A和化 合物101B至163B，所述第二材料選自化合物301A至373A和化合物301B至460B，且所述第Ξ 材料選自化合物501至796:其中，在上式中，陸為苯基，且Me為甲基。18. 如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一材料選自化合物101A至189A，所 述第二材料選自化合物301A至373A，且所述第Ξ材料選自化合物501至796。19. 如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一材料選自化合物101B至163B，所 述第二材料選自化合物301B至460B，且所述第Ξ材料選自化合物501至796。20. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光層包含主體和滲雜劑，所述主體 包含由式1表示的第一材料和由式2-1至2-5任一個(gè)表示的第二材料，W及 所述空穴傳輸區(qū)包含選自空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一個(gè)，且選自所述空穴傳 輸層和所述阻擋層中的至少一個(gè)包含由式3表示的第Ξ材料。
【文檔編號(hào)】C07D401/14GK105938877SQ201610121707
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日
【發(fā)明人】李在庸, 趙桓熙
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司