承載基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種承載基板，用于承載陣列基板，所述承載基板包括襯底基板，所述襯底基板包括與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞所述中間區(qū)的邊緣區(qū)，所述承載基板還包括設置在所述襯底基板上的靜電分散層，所述靜電分散層用于至少將所述中間區(qū)的靜電分散至所述邊緣區(qū)。相應地，本發(fā)明還提供一種承載基板的制作方法。本發(fā)明能夠減少陣列基板制作過程中受到的靜電損傷。
【專利說明】
承載基板及其制作方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示裝置的制作領域，具體涉及一種承載基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002] 柔性陣列基板的襯底通常為柔性的有機材料膜層，如，聚酰亞胺(PI)膜，在柔性陣 列基板的制作過程中，為了固定好柔性襯底，如圖1所示，通常將柔性襯底1制作在承載基板 2(通常為玻璃基板)上，之后在柔性襯底1上形成薄膜晶體管陣列、信號線、像素電極等結(jié) 構(gòu)，最后再將柔性襯底1與承載基板分離。在制作過程中，由于承載基板2與支撐所述承載基 板2的基臺的摩擦或其他原因，容易產(chǎn)生靜電，當靜電累積到一定程度時，就會發(fā)生放電現(xiàn) 象而使介質(zhì)擊穿，而放電現(xiàn)象一般會發(fā)生在信號線交叉的地方，從而容易導致信號線的短 路或短路，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種承載基板及其 制作方法，以減少陣列基板制作過程中靜電釋放對產(chǎn)品的損傷。
[0004] 為了解決上述技術問題之一，本發(fā)明提供一種承載基板，用于承載陣列基板，所述 承載基板包括襯底基板，所述襯底基板包括與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞 所述中間區(qū)的邊緣區(qū)，所述承載基板還包括設置在所述襯底基板上的靜電分散層，所述靜 電分散層用于至少將所述中間區(qū)的靜電分散至所述邊緣區(qū)。
[0005] 優(yōu)選地，所述靜電分散層為覆蓋所述襯底基板的透明導電膜層。
[0006] 優(yōu)選地，所述承載基板還包括設置在所述靜電分散層上的絕緣層和設置在所述絕 緣層上的靜電釋放層，所述靜電釋放層用于將所述中間區(qū)的靜電釋放至所述邊緣區(qū)。
[0007] 優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度在500A~1 000A之間。
[0008] 優(yōu)選地，所述靜電釋放層包括第一靜電釋放部和位于所述邊緣區(qū)的第二靜電釋放 部，所述第一靜電釋放部包括多個用于釋放靜電的放電尖部，多個放電尖部環(huán)繞所述中間 區(qū)設置，且所述放電尖部的朝向所述第二靜電釋放部的一端為銳角。
[0009] 優(yōu)選地，所述第一靜電釋放部還包括環(huán)狀本體，所述放電尖部形成在所述環(huán)狀本 體上，所述第二靜電釋放部為環(huán)狀。
[0010] 優(yōu)選地，所述承載基板還包括設置在所述靜電釋放層上的保護層，所述保護層由 絕緣材料制成。
[0011] 優(yōu)選地，所述保護層的厚度在400〇A~10_〇A之間。
[0012] 相應地，本發(fā)明還提供一種承載基板的制作方法，所述承載基板用于承載陣列基 板，所述制作方法包括：
[0013] 提供襯底基板，所述襯底基板包括與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞 所述中間區(qū)的邊緣區(qū)；
[0014] 在所述襯底基板上形成靜電分散層，所述靜電分散層用于至少將所述中間區(qū)的靜 電分散至所述邊緣區(qū)。
[0015] 優(yōu)選地，所述靜電分散層為覆蓋所述襯底基板的透明導電膜層。
[0016] 優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成靜電分散層的步驟之后進行的：
[0017] 形成絕緣層；
[0018] 形成靜電釋放層，所述靜電釋放層用于將所述中間區(qū)的靜電釋放至所述邊緣區(qū)。 [0019] 優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度在500: A ~:iaa〇A之間。
[0020] 優(yōu)選地，所述形成靜電釋放層的步驟包括：
[0021] 形成導電材料層；
[0022] 對所述導電材料層進行構(gòu)圖工藝，以形成包括第一靜電釋放部和位于所述邊緣區(qū) 的第二靜電釋放部的圖形，所述第一靜電釋放部包括多個用于釋放靜電的放電尖部，多個 放電尖部環(huán)繞所述中間區(qū)設置，且所述放電尖部的朝向所述第二靜電釋放部的一端為銳 角。
[0023] 優(yōu)選地，所述第一靜電釋放部還包括環(huán)狀本體，所述放電尖部形成在所述環(huán)狀本 體上，所述第二靜電釋放部為環(huán)狀。
[0024] 優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成靜電釋放層的步驟之后進行的：
[0025] 形成保護層，所述保護層由絕緣材料制成。
[0026] 優(yōu)選地，所述保護層的厚度在4000A~10000 A之間。
[0027] 由于本發(fā)明提供的承載基板的襯底基板上設置有靜電分散層，該靜電分散層能夠 將襯底基板上的靜電分散開，從而減小陣列基板的顯示區(qū)發(fā)生擊穿的幾率;并且，靜電釋放 層上還設置有靜電釋放層，能夠在靜電積累到一定程度時，在承載基板的邊緣區(qū)進行放電， 以釋放能夠，從而減少對陣列基板的顯示區(qū)的損傷。
【附圖說明】
[0028]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具 體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0029]圖1是現(xiàn)有的承載有柔性襯底的承載基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0030] 圖2是本發(fā)明的實施例中提供的承載基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖3是本發(fā)明的實施例中的襯底基板上局部形成有靜電時的狀態(tài)示意圖；
[0032] 圖4是本發(fā)明的實施例中設置靜電分散層后靜電的分散狀態(tài)示意圖；
[0033] 圖5是本發(fā)明的實施例中靜電釋放層的俯視圖；
[0034] 圖6是本發(fā)明的承載基板的制作過程中形成靜電分散層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖7是在圖6的靜電分散層上形成絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖8是在圖7的絕緣層上形成靜電釋放層后的俯視圖；
[0037] 圖9是圖8的AA剖視圖。
[0038] 其中，附圖標記為：
[0039] 1、柔性襯底；2、現(xiàn)有技術中的承載基板；10、襯底基板;20、靜電分散層;30、絕緣 層;40、靜電釋放層;41、第一靜電釋放部;41a、放電尖部;41b、環(huán)狀本體;42、第二靜電釋放 部;50、保護層。
【具體實施方式】
[0040] 以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描 述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0041] 作為本發(fā)明的一方面，提供一種承載基板，用于承載陣列基板，如圖2所示，所述承 載基板包括襯底基板10和設置在襯底基板10上的靜電分散層20,襯底基板10包括與所述陣 列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞所述中間區(qū)的邊緣區(qū)，靜電分散層20用于至少將所述 中間區(qū)的靜電分散至所述邊緣區(qū)。
[0042]所述承載基板尤其適用于在柔性陣列基板的制作過程中承載柔性陣列基板，即， 在制作柔性陣列基板時，將柔性襯底形成在承載基板上，然后在柔性襯底上制作薄膜晶體 管陣列、信號線等結(jié)構(gòu)，當陣列基板制作完畢時，將柔性基底和承載基板分離。
[0043] 在陣列基板的制作過程中，當承載基板由于摩擦而在中間區(qū)積累靜電時，這些靜 電很容易使得對應的陣列基板的顯示區(qū)的絕緣介質(zhì)發(fā)生擊穿，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。而本發(fā) 明中，靜電分散層20至少能夠?qū)⒅虚g區(qū)的靜電分散至邊緣區(qū)，從而降低中間區(qū)與邊緣區(qū)的 電勢差，減低中間區(qū)放電的幾率，進而減少由于靜電擊穿對陣列基板顯示區(qū)的薄膜晶體管 陣列的影響，提高產(chǎn)品質(zhì)量。
[0044] 其中，襯底基板10和靜電分散層20均可以采用透明材料，以便于在后續(xù)將柔性基 底與承載基板分離開。具體地，襯底基板10為玻璃基板，靜電分散層20為覆蓋所述襯底基板 的透明導電膜層，如，氧化銦錫膜層。將靜電分散層20設置為整層的膜層能夠簡化制作工 藝，且當承載基板上某一位置積累有靜電（如圖3中的黑點）時，靜電分散層20采用整層的膜 層能夠?qū)⒃撐恢玫撵o電更加均勻地分散開(如圖4所示）。當然，靜電分散層20也可以采用其 他結(jié)構(gòu)，例如，采用網(wǎng)狀的結(jié)構(gòu)。
[0045]進一步地，如圖2所示，所述承載基板還包括設置在靜電分散層20上的絕緣層30和 設置在絕緣層30上的靜電釋放層40,靜電釋放層40用于將中間區(qū)的靜電在釋放至邊緣區(qū)。 因此，當襯底基板10上的靜電累積到一定程度時，靜電釋放層40將靜電在所述邊緣區(qū)釋放， 從而防止陣列基板顯示區(qū)的薄膜晶體管陣列受到破壞。
[0046]其中，絕緣層30的材料可以包括硅的氮化物，絕緣層30的厚度在5〇〇A ~100:〇A之 間，以減小絕緣層30之間的擊穿強度，從而使得當發(fā)生靜電釋放時，優(yōu)先在絕緣層30發(fā)生擊 穿，而不會在陣列基板上的絕緣層發(fā)生擊穿。
[0047]具體地，如圖5所示，靜電釋放層40包括第一靜電釋放部41和位于所述邊緣區(qū)的第 二靜電釋放部42,第一靜電釋放部41包括多個用于釋放靜電的放電尖部41a，多個放電尖部 41a環(huán)繞所述中間區(qū)設置，且放電尖部41a的朝向第二靜電釋放部42的一端為銳角。因此，當 襯底基板10上的靜電累積到一定程度時，放電尖部41a會朝向第二靜電釋放部42放電（即， 尖端放電），進行能量釋放，減少對陣列基板的顯示區(qū)的損傷。其中，靜電釋放層40的材料可 以包括金屬，也可以包括透明導電膜層。
[0048]其中，第一靜電釋放部41還包括環(huán)狀本體41b，放電尖部41a形成在環(huán)狀本體41b 上，第二靜電釋放部42為環(huán)狀，從而在累積的靜電較多時，第一靜電釋放部41能夠?qū)㈧o電均 勻地釋放至所述邊緣區(qū)。
[0049]進一步地，如圖2所示，所述承載基板還包括設置在靜電釋放層40上的保護層50， 保護層50由絕緣材料制成，例如，保護層50的材料可以包括硅的氮化物，其中，保護層50的 厚度在4000A~10000A之間，以形成平整的表面。制作柔性陣列基板時，柔性陣列基板的 柔性襯底可以形成在保護層50上，柔性陣列基板上制作完成后將柔性襯底從承載基板上剝 離時，保護層50起到保護靜電釋放層的所用，并且便于后續(xù)的清洗工藝。
[0050] 作為本發(fā)明的另一方面，提供一種承載基板的制作方法，所述承載基板用于承載 陣列基板，所述制作方法包括：
[0051] S1、提供襯底基板10,襯底基板10包括與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和 環(huán)繞所述中間區(qū)的邊緣區(qū)。
[0052] S2、在襯底基板10上形成靜電分散層20,靜電分散層20用于至少將所述中間區(qū)的 靜電分散至所述邊緣區(qū)，如圖6所示。優(yōu)選地，靜電分散層20為覆蓋襯底基板10的透明導電 膜層，從而能夠?qū)㈧o電更加均勻地分散開。
[0053] 所述制作方法還包括在步驟S2之后進行的：
[0054] S3、形成絕緣層30,如圖7所示。其中，絕緣層30的材料可以包括硅的氮化物，其厚 度可以在500A~丨OOOA之間。
[0055] S4、形成靜電釋放層40,如圖8所示，靜電釋放層40用于將中間區(qū)的釋放至所述邊 緣區(qū)。當靜電累積到一定程度時，靜電釋放層40能夠向邊緣區(qū)放電，以釋放能量，減少靜電 對陣列基板顯示區(qū)的影響。
[0056] 具體地，步驟S4包括：
[0057] S41、形成導電材料層。
[0058] S42、對所述導電材料層進行構(gòu)圖工藝，以形成包括第一靜電釋放部41和位于所述 邊緣區(qū)的第二靜電釋放部42的圖形，如圖9所示，第一靜電釋放部41包括多個用于釋放靜電 的放電尖部41a，多個放電尖部41a環(huán)繞所述中間區(qū)設置，且放電尖部41a的朝向第二靜電釋 放部42的一端為銳角。其中，第一靜電釋放部41還包括環(huán)狀本體41b，放電尖部41a形成在環(huán) 狀本體41b上，第二靜電釋放部42為環(huán)狀。
[0059] 進一步地，所述制作方法還包括在步驟S4之后進行的：
[0060] S5、形成保護層50,得到圖2所示的承載基板。保護層50由絕緣材料制成，保護層50 的厚度可以在40植)1~:1.(1)0()人之間，從而可以使得承載基板的表面較為平整，并且在制作 完陣列基板后將柔性襯底從承載基板上剝離時，保護層50能夠起到保護靜電釋放層40的作 用。
[0061] 可以看出，由于本發(fā)明提供的承載基板的襯底基板上設置有靜電分散層，該靜電 分散層能夠?qū)⒁r底基板上的靜電分散開，從而減少襯底基板上不同區(qū)域之間的電勢差，減 少靜電釋放的幾率;并且，靜電釋放層上還設置有靜電釋放層，能夠在靜電積累到一定程度 時，在承載基板的邊緣區(qū)進行放電，以釋放能夠，從而減少對陣列基板的顯示區(qū)的損傷。 [0062]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種承載基板，用于承載陣列基板，所述承載基板包括襯底基板，所述襯底基板包括 與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞所述中間區(qū)的邊緣區(qū)，其特征在于，所述承 載基板還包括設置在所述襯底基板上的靜電分散層，所述靜電分散層用于至少將所述中間 區(qū)的靜電分散至所述邊緣區(qū)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載基板，其特征在于，所述靜電分散層為覆蓋所述襯底基板 的透明導電膜層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載基板，其特征在于，所述承載基板還包括設置在所述靜電 分散層上的絕緣層和設置在所述絕緣層上的靜電釋放層，所述靜電釋放層用于將所述中間 區(qū)的靜電釋放至所述邊緣區(qū)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度在500A~1000A 之間。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載基板，其特征在于，所述靜電釋放層包括第一靜電釋放部 和位于所述邊緣區(qū)的第二靜電釋放部，所述第一靜電釋放部包括多個用于釋放靜電的放電 尖部，多個放電尖部環(huán)繞所述中間區(qū)設置，且所述放電尖部的朝向所述第二靜電釋放部的 一端為銳角。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的承載基板，其特征在于，所述第一靜電釋放部還包括環(huán)狀本 體，所述放電尖部形成在所述環(huán)狀本體上，所述第二靜電釋放部為環(huán)狀。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載基板，其特征在于，所述承載基板還包括設置在所述靜電 釋放層上的保護層，所述保護層由絕緣材料制成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的承載基板，其特征在于，所述保護層的厚度在 400〇A~LOOO〇A之間。9. 一種承載基板的制作方法，所述承載基板用于承載陣列基板，其特征在于，所述制作 方法包括： 提供襯底基板，所述襯底基板包括與所述陣列基板的顯示區(qū)對應的中間區(qū)和環(huán)繞所述 中間區(qū)的邊緣區(qū)； 在所述襯底基板上形成靜電分散層，所述靜電分散層用于至少將所述中間區(qū)的靜電分 散至所述邊緣區(qū)。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述靜電分散層為覆蓋所述襯底基 板的透明導電膜層。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在形成靜電分 散層的步驟之后進行的： 形成絕緣層； 形成靜電釋放層，所述靜電釋放層用于將所述中間區(qū)的靜電釋放至所述邊緣區(qū)。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度在 5()()人~100()/\之間。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述形成靜電釋放層的步驟包括： 形成導電材料層； 對所述導電材料層進行構(gòu)圖工藝，以形成包括第一靜電釋放部和位于所述邊緣區(qū)的第 二靜電釋放部的圖形，所述第一靜電釋放部包括多個用于釋放靜電的放電尖部，多個放電 尖部環(huán)繞所述中間區(qū)設置，且所述放電尖部的朝向所述第二靜電釋放部的一端為銳角。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述第一靜電釋放部還包括環(huán)狀本 體，所述放電尖部形成在所述環(huán)狀本體上，所述第二靜電釋放部為環(huán)狀。15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在形成靜電釋 放層的步驟之后進行的： 形成保護層，所述保護層由絕緣材料制成。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述保護層的厚度在 4000A~10000 A之間。
【文檔編號】H01L27/12GK105957869SQ201610459080
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】劉超, 張玉軍, 牛亞男
【申請人】京東方科技集團股份有限公司