基于從標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的屬性的缺陷檢測(cè)及分類(lèi)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供用于對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的系統(tǒng)及方法。一種方法包含基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷。所述方法還包含基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分來(lái)確定所述缺陷中的所述至少一者的一或多個(gè)屬性。所述方法進(jìn)一步包含至少部分基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性來(lái)對(duì)所述缺陷中的所述至少一者進(jìn)行分類(lèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
基于從標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的屬性的缺陷檢測(cè)及分類(lèi)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明大體上涉及用于基于從標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的一或多個(gè)屬性對(duì)半導(dǎo)體晶片上的缺陷進(jìn)行檢測(cè)并分類(lèi)的系統(tǒng)及方法。【背景技術(shù)】
[0002]以下描述及實(shí)例并非由于其包含于此部分中而被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。
[0003]在半導(dǎo)體制造工藝期間的各種步驟處使用檢驗(yàn)過(guò)程以檢測(cè)晶片上的缺陷以促進(jìn)制造工藝中的更高良率及因此更高利潤(rùn)。檢驗(yàn)始終是制造半導(dǎo)體裝置(例如1C)的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸減小，對(duì)于可接受半導(dǎo)體裝置的成功制造來(lái)說(shuō)，檢驗(yàn)變得更加重要，這是因?yàn)檩^小缺陷可引起裝置出現(xiàn)故障。
[0004]頻繁使用的檢驗(yàn)算法是多裸片自動(dòng)閾值化(MDAT)。其計(jì)算每一像素處的測(cè)試圖像與參考圖像之間的差值。圖像中的全部像素處的兩個(gè)值(所述差值及從參考圖像計(jì)算的灰度)用來(lái)構(gòu)造二維(2D)直方圖。水平軸(也稱(chēng)為檢測(cè)軸)表示測(cè)試與參考之間的差值。垂直軸 (也稱(chēng)為分段軸)表示從相鄰裸片的圖像構(gòu)造的灰度值。用戶(hù)可將沿垂直軸的值劃分為多個(gè)分段且針對(duì)水平軸上的值指定不同閾值。具有大于閾值的差值的像素被MDAT視為缺陷像素。歸因于噪聲及工藝變化，垂直軸上的灰度分布可隨著裸片不同而不同。屬于一個(gè)裸片中的一個(gè)分段的像素可屬于另一裸片上的另一分段。此問(wèn)題引起檢驗(yàn)不穩(wěn)定且檢驗(yàn)結(jié)果不一致。從參考圖像計(jì)算的一些缺陷屬性歸也因于灰度值分布的變化而不同。因此，基于這些屬性的缺陷分類(lèi)受到影響。
[0005]圖9說(shuō)明關(guān)于上述現(xiàn)有MDAT算法的問(wèn)題。特定來(lái)說(shuō)，圖9說(shuō)明經(jīng)產(chǎn)生具有表示上述差值的水平軸及表示上述灰度值的分段軸的兩個(gè)2D直方圖。如圖9中所展示，直方圖中的一者是用以確定配方參數(shù)的2D直方圖。如圖9中所展示，另一直方圖是針對(duì)晶片900上的裸片M 產(chǎn)生的2D直方圖。圖9中通過(guò)虛線與點(diǎn)的組合展示的線展示配方中的每一分段的分段斷點(diǎn)及閾值。其是基于某些數(shù)據(jù)(例如，來(lái)自不同區(qū)域、不同晶片等等)而確定。然而，如果不同區(qū)域(例如裸片M)中的圖像灰度存在某一變化，那么2D直方圖位置及形狀不同于用于配方設(shè)置的位置及形狀。圖9中所展示的實(shí)直線展示裸片M的理想分段斷點(diǎn)及閾值。實(shí)際配方參數(shù) (通過(guò)由虛線及點(diǎn)的組合構(gòu)成的線展示)移位且引起檢驗(yàn)靈敏度降低。歸因于晶片噪聲及色彩變化，不同位置的2D直方圖可有所不同。因此，將有利的是，穩(wěn)定2D直方圖位置使得分段斷點(diǎn)可跨晶片且在晶片之間起作用。
[0006]—些檢驗(yàn)方法使用例如標(biāo)準(zhǔn)裸片圖像的標(biāo)準(zhǔn)圖像以檢測(cè)晶片上的缺陷。此方法用來(lái)檢定光掩?；蚬庹帧Ｈ绻麊温闫庹稚洗嬖谌毕?，那么缺陷將被印在每個(gè)裸片上。正常裸片對(duì)裸片比較算法不具有良好的靈敏度，因?yàn)槁闫g的相同缺陷中的兩者相減并不指示較大的差異。為檢測(cè)此類(lèi)型的缺陷，需要不具有裸片重復(fù)物(die-repeater)卻陷的參考圖像。舉例來(lái)說(shuō)，可比較標(biāo)準(zhǔn)裸片圖像(通常也稱(chēng)為“黃金裸片”或“標(biāo)準(zhǔn)參考裸片”)與針對(duì)受檢驗(yàn)的晶片獲取的測(cè)試裸片圖像，且所述比較的結(jié)果可被輸入到缺陷檢測(cè)算法或方法以確定測(cè)試裸片中是否存在任何缺陷。此類(lèi)黃金裸片圖像通常從清潔晶片或幾個(gè)清潔裸片產(chǎn)生，其中不存在裸片重復(fù)物缺陷或從裸片的圖像移除裸片重復(fù)物。比較此黃金裸片圖像與全部晶片的全部裸片的圖像。
[0007]因此，將有利的是，開(kāi)發(fā)用于對(duì)晶片上的缺陷進(jìn)行檢測(cè)并分類(lèi)且不具有上述缺點(diǎn)中的一或多者的系統(tǒng)及方法。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]各種實(shí)施例的以下描述不以任何方式被解釋為限制所附權(quán)利要求書(shū)的標(biāo)的物。
[0009]—個(gè)實(shí)施例涉及一種用于對(duì)晶片上的缺陷進(jìn)行檢測(cè)并分類(lèi)的方法。所述方法可包含從一或多個(gè)晶片選擇一或多個(gè)裸片以產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。所述方法也可包含產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。所述方法包含基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出檢測(cè)所述晶片上的缺陷。 所述方法也包含基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分確定所述缺陷中的所述至少一者的一或多個(gè)屬性。此外，所述方法包含至少部分基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性而對(duì)所述缺陷中的所述至少一者進(jìn)行分類(lèi)。所述檢測(cè)、確定及分類(lèi)步驟由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。
[0010]可如本文中所描述進(jìn)一步執(zhí)行所述方法的步驟中的每一者。此外，所述方法可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，所述方法可由本文中描述任何系統(tǒng)執(zhí)行。
[0011]另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，其存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以執(zhí)行用于檢測(cè)晶片上的缺陷的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法包含上述方法的步驟。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體可如本文中所描述進(jìn)一步配置。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的步驟可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。此外，程序指令可執(zhí)行的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步驟。
[0012]額外實(shí)施例涉及一種經(jīng)配置以對(duì)晶片上檢測(cè)的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含檢驗(yàn)子系統(tǒng)，所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)經(jīng)配置以通過(guò)使光掃描晶片且在掃描期間檢測(cè)來(lái)自晶片的光而針對(duì)所述晶片產(chǎn)生輸出。所述系統(tǒng)也包含計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置用于執(zhí)行上述方法的檢測(cè)、確定及分類(lèi)步驟。所述系統(tǒng)可如本文中描述那樣進(jìn)一步配置?！靖綀D說(shuō)明】
[0013]在受益于優(yōu)選實(shí)施例的以下詳細(xì)描述的情況下且在參考附圖之后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白本發(fā)明的另外優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0014]圖1到4是說(shuō)明可經(jīng)執(zhí)行用于檢測(cè)如本文中描述的缺陷的不同步驟的實(shí)施例的示意圖；
[0015]圖5是說(shuō)明可經(jīng)執(zhí)行用于對(duì)如本文中描述的缺陷進(jìn)行檢測(cè)及/或分類(lèi)的步驟的實(shí)施例的示意圖；
[0016]圖6是說(shuō)明可經(jīng)執(zhí)行用于對(duì)如本文中描述的缺陷進(jìn)行檢測(cè)及/或分類(lèi)的步驟的實(shí)施例的流程圖；
[0017]圖7是說(shuō)明非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體的一個(gè)實(shí)施例的框圖，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)用于引起計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行本文中描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令；
[0018]圖8是說(shuō)明經(jīng)配置以檢測(cè)晶片上的缺陷的系統(tǒng)的實(shí)施例的側(cè)視圖的示意圖；及
[0019]圖9是說(shuō)明關(guān)于缺陷檢測(cè)的現(xiàn)有方法的問(wèn)題的示意圖。
[0020]雖然本發(fā)明易于以各種修改及替代形式呈現(xiàn)，但在圖式中通過(guò)實(shí)例展示且在本文中詳細(xì)描述其特定實(shí)施例。所述圖式未按比例繪制。然而，應(yīng)理解所述圖式及其詳細(xì)描述并不希望將本發(fā)明限于所揭示的特定形式，而相反，本發(fā)明將涵蓋落于如由所附權(quán)利要求書(shū)所界定的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的所有修改、等效物及替代物?！揪唧w實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)在參考圖式，應(yīng)注意，圖并未按比例繪制。特定來(lái)說(shuō)，極大地放大所述圖的一些元件的尺度以強(qiáng)調(diào)元件的特性。還應(yīng)注意，所述圖不一定按相同比例繪制。使用相同參考數(shù)字指示一個(gè)以上圖中所展示的可經(jīng)類(lèi)似配置的元件。除非本文中另有提及，否則所描述且展示的元件中的任何者可包含任何適當(dāng)?shù)氖惺墼?br>[0022]—個(gè)實(shí)施例涉及一種用于對(duì)晶片上檢測(cè)的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的方法。如本文中將進(jìn)一步描述，所述實(shí)施例利用標(biāo)準(zhǔn)參考圖像進(jìn)行缺陷檢測(cè)及/或分類(lèi)，且可用于例如改進(jìn)晶片檢驗(yàn)配方穩(wěn)定性的應(yīng)用。如本文中進(jìn)一步描述，所述實(shí)施例可用以使用標(biāo)準(zhǔn)參考裸片圖像產(chǎn)生分段軸的內(nèi)容。如果缺陷檢測(cè)及分類(lèi)使用單個(gè)圖像以定義分段軸的內(nèi)容，那么分段軸將不會(huì)受裸片對(duì)裸片或晶片對(duì)晶片色彩變化影響。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，晶片及至少一個(gè)其它晶片在使用檢驗(yàn)系統(tǒng)檢驗(yàn)之前經(jīng)受相同一或多個(gè)過(guò)程，且檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片及所述至少一個(gè)其它晶片的輸出具有色彩變化。在另一實(shí)施例中，由檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的針對(duì)所述晶片的輸出具有跨晶片的色彩變化。以此方式， 本文中描述的實(shí)施例可用于在檢驗(yàn)系統(tǒng)的輸出中具有隨晶片不同或跨單個(gè)晶片的色彩變化的晶片。色彩變化通常由晶片線邊緣粗糙度、處理變化、前一層圖案及金屬顆粒所致。此色彩變化通常與晶片上的實(shí)際缺陷無(wú)關(guān)，且代替性地可與隨著晶片不同或跨晶片的可接受工藝變化有關(guān)。然而，此色彩變化可降低檢驗(yàn)靈敏度且引起重要缺陷未經(jīng)檢測(cè)。此外，色彩變化可由檢驗(yàn)系統(tǒng)檢測(cè)為實(shí)際缺陷，由此產(chǎn)生檢驗(yàn)結(jié)果的不確定性及不精確性。
[0024]更具體來(lái)說(shuō)，晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)者及用戶(hù)已報(bào)告若干例子:相同檢驗(yàn)配方從使用相同工藝制造的晶片間(在晶片制造工藝中的相同點(diǎn)的晶片)檢測(cè)到顯著不同數(shù)目的D0I。 舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)已被執(zhí)行相同過(guò)程的不同晶片執(zhí)行的相同晶片檢驗(yàn)過(guò)程可能在一個(gè)晶片上未檢測(cè)到特定類(lèi)型的D0I且在另一晶片上檢測(cè)到明顯存在相同類(lèi)型的D0I。色彩及工藝變化通常被視為與此類(lèi)穩(wěn)定性問(wèn)題相關(guān)聯(lián)。分析已展示，用于檢測(cè)的參考圖像可能歸因于此色彩及工藝變化而不穩(wěn)定。
[0025]檢測(cè)參數(shù)(例如，關(guān)于參考圖像的分段)可因此不穩(wěn)定。例如，一些缺陷檢測(cè)算法中的分段基于圖像的灰度變化確定用以檢測(cè)晶片上的不同位置中的缺陷的靈敏度。以此方式，針對(duì)裸片的不同部分及/或晶片的不同部分產(chǎn)生的輸出可基于所述輸出的一或多個(gè)特性而指派給不同分段，且接著可將不同檢測(cè)參數(shù)用于不同分段中的缺陷檢測(cè)。然而，在色彩變化的情況下，對(duì)于相同位置，檢驗(yàn)系統(tǒng)輸出隨著裸片及/或晶片不同而變化。因此，相同強(qiáng)度范圍可導(dǎo)致相同裸片位置處的兩個(gè)不同裸片中的不同分段。因而，不同缺陷檢測(cè)可在相同裸片位置處的兩個(gè)不同裸片中執(zhí)行，即使兩個(gè)不同裸片中的相同裸片位置具有相同實(shí)際缺陷特性，這也可在相同裸片位置處產(chǎn)生不同缺陷檢測(cè)結(jié)果。[〇〇26]以此方式，甚至對(duì)于晶片及/或裸片內(nèi)的相同位置處的D0I，此不穩(wěn)定性可對(duì)D0I捕獲具有顯著影響。例如，歸因于色彩及工藝變化，晶片上的一個(gè)位置處的DOI可由晶片檢驗(yàn)過(guò)程檢測(cè)，但不同但經(jīng)類(lèi)似處理的晶片上的對(duì)應(yīng)位置處的相同D0I可能不一定被檢測(cè)到，即使所述D0I實(shí)際上存在于所述位置中。以類(lèi)似方式，歸因于色彩及工藝變化，晶片上的一個(gè)裸片中的一個(gè)位置處的D0I可由晶片檢驗(yàn)過(guò)程檢測(cè)，但相同晶片上的另一裸片中的對(duì)應(yīng)位置處的相同D0I可能不一定被檢測(cè)到，即使所述D0I實(shí)際上存在于所述對(duì)應(yīng)位置中。
[0027]用于分類(lèi)的參考圖像也可歸因于此色彩及工藝變化而不穩(wěn)定。因此，至少部分從參考圖像確定的分類(lèi)參數(shù)(例如缺陷屬性)可能不穩(wěn)定。舉例來(lái)說(shuō)，許多檢驗(yàn)配方包含可經(jīng)執(zhí)行用于例如擾亂點(diǎn)過(guò)濾(nuisance filtering)的應(yīng)用的某種缺陷分類(lèi)。如本文中使用的術(shù)語(yǔ)的“擾亂點(diǎn)”可被定義為通過(guò)晶片檢驗(yàn)在晶片上檢測(cè)到的缺陷，但其實(shí)際上并非缺陷。 擾亂點(diǎn)因此與半導(dǎo)體良率無(wú)關(guān)且不受半導(dǎo)體制造商關(guān)注。例如，“擾亂點(diǎn)”可為錯(cuò)誤地檢測(cè)為缺陷的晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)輸出中的噪聲源。因此，使經(jīng)檢測(cè)缺陷(其為實(shí)際上存在于晶片上的缺陷)與并非晶片上的實(shí)際缺陷的經(jīng)檢測(cè)缺陷分離可為晶片檢驗(yàn)的重要部分。
[0028]從參考圖像確定的屬性通常用于缺陷分類(lèi)決策樹(shù)。然而，如果參考圖像中存在色彩變化，那么屬性計(jì)算可能變得不穩(wěn)定。舉例來(lái)說(shuō)，歸因于色彩及工藝變化，晶片上的相同的粗糙度范圍可被確定為相同裸片位置處的兩個(gè)不同裸片的大體上不同的參考圖像屬性。 因此，如果此類(lèi)參考圖像屬性被用于缺陷分類(lèi)，那么位于兩個(gè)不同裸片中的相同裸片內(nèi)位置處的缺陷可被指派不正確分類(lèi)或不同分類(lèi)，即使其可為相同類(lèi)型的缺陷或擾亂點(diǎn)。
[0029]因此，已開(kāi)發(fā)本文中描述的實(shí)施例以使用本文中描述的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像以穩(wěn)定缺陷檢測(cè)(例如分段)的一或多個(gè)參數(shù)，及/或缺陷分類(lèi)(例如缺陷屬性計(jì)算)的一或多個(gè)參數(shù)。
[0030]所述方法包含基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步描述那樣執(zhí)行檢測(cè)缺陷。此外，可通過(guò)使用檢驗(yàn)系統(tǒng)的輸出作為一或多個(gè)缺陷檢測(cè)算法的輸入來(lái)執(zhí)行檢測(cè)缺陷，所述一或多個(gè)缺陷檢測(cè)算法例如可從加利福尼亞州米爾皮塔斯市的科嘉公司(KLA-Tencor, Milpitas, Calif)購(gòu)得的檢驗(yàn)系統(tǒng)上當(dāng)前可用的多裸片自動(dòng)閾值化(MDAT)算法。檢驗(yàn)系統(tǒng)的輸出可包含本文中描述或可由本文中描述的檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的任何輸出。檢驗(yàn)系統(tǒng)可如本文中描述那樣經(jīng)進(jìn)一步配置。
[0031]所述方法可包含從一或多個(gè)晶片選擇一或多個(gè)裸片。舉例來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)裸片圖像可從由用戶(hù)指定的一個(gè)裸片產(chǎn)生。如果此圖像不具代表性，那么用戶(hù)可選擇多個(gè)裸片且從這些裸片圖像構(gòu)造標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。用戶(hù)可確定應(yīng)選擇哪個(gè)裸片。標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可如本文中進(jìn)一步描述那樣產(chǎn)生。
[0032]所述方法可包含使用檢驗(yàn)系統(tǒng)獲取輸出。舉例來(lái)說(shuō)，獲取輸出可包含使光掃描晶片及在掃描期間響應(yīng)于來(lái)自由檢驗(yàn)系統(tǒng)檢測(cè)的晶片的光產(chǎn)生輸出。以此方式，獲取輸出可包含掃描晶片。然而，獲取輸出不一定包含掃描晶片。舉例來(lái)說(shuō)，獲取輸出可包含從已在其中存儲(chǔ)輸出(例如由檢驗(yàn)系統(tǒng))的存儲(chǔ)媒體獲取輸出。從存儲(chǔ)媒體獲取輸出可以任何適當(dāng)方式執(zhí)行，且從其獲取輸出的存儲(chǔ)媒體可包含本文中描述的任何存儲(chǔ)媒體。
[0033]檢測(cè)缺陷可包含構(gòu)造用于分段軸的信息。所述軸的實(shí)例中的一者是來(lái)自8個(gè)裸片的中值圖像。構(gòu)造用于分段軸的信息可如本文中描述那樣進(jìn)一步執(zhí)行。
[0034]在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)所述缺陷包含:基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的輸出依據(jù)裸片內(nèi)位置確定中值強(qiáng)度;通過(guò)從所述晶片上的測(cè)試裸片的輸出中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性減去所述晶片上的參考裸片的輸出中個(gè)別像素的特性確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上相同位置的中值強(qiáng)度的二維(2D)散布圖；以及基于所述2D散布圖檢測(cè)缺陷。
[0035]在一個(gè)此實(shí)例中，在圖1中所展示的實(shí)施例中，檢測(cè)任務(wù)可含有來(lái)自8個(gè)裸片的圖像幀。因此，用于此任務(wù)的測(cè)試裸片可包含測(cè)試裸片1到8。圖1中所展示的測(cè)試裸片可為在晶片上(例如在所述晶片上的一行裸片中)彼此相鄰的裸片。然而，圖1中所展示的測(cè)試裸片 1到8在晶片上彼此可具有不同于圖1中所展示的空間關(guān)系。換句話(huà)說(shuō)，此實(shí)施例中使用的測(cè)試裸片未必處在晶片上的單行裸片中。
[0036]在此實(shí)施例中確定上述中值強(qiáng)度可包含使用測(cè)試裸片1到8中的兩者或兩者以上 (或全部)以確定圖1中所展示的中值裸片。中值強(qiáng)度可被確定為中值強(qiáng)度圖像或可以任何其它適當(dāng)格式確定。中值強(qiáng)度可以任何適當(dāng)方式使用任何適當(dāng)方法及/或算法來(lái)確定。如本文中進(jìn)一步描述，此中值強(qiáng)度可用于標(biāo)準(zhǔn)參考圖像產(chǎn)生。然而，如本文中進(jìn)一步描述，參考產(chǎn)生不限于中值運(yùn)算且可使用其它算法(例如穩(wěn)健平均、簡(jiǎn)單平均等等)執(zhí)行或可從單個(gè)清潔圖像產(chǎn)生。
[0037]可通過(guò)從測(cè)試裸片中的一者減去測(cè)試裸片中的另一者來(lái)確定上述差值。舉例來(lái)說(shuō)，如圖1中所展示，測(cè)試裸片4及5可用來(lái)產(chǎn)生Diff 1，且測(cè)試裸片5及6可用來(lái)產(chǎn)生Diff 2。 圖1中所展示的其它測(cè)試裸片可用以按類(lèi)似方式產(chǎn)生差值。以此方式，此實(shí)施例中執(zhí)行的缺陷檢測(cè)可為裸片對(duì)裸片類(lèi)型缺陷檢測(cè)。彼此相減以確定差值的測(cè)試裸片的特性可為輸出中的像素強(qiáng)度或輸出的任何其它適當(dāng)特性。以此方式，確定差值可包含確定相鄰裸片中的像素強(qiáng)度之間的差。差值可用以產(chǎn)生測(cè)試裸片中的每一者的差圖像，但差值可以任何其它格式依據(jù)裸片內(nèi)位置表達(dá)。差值可以任何適當(dāng)方式使用任何適當(dāng)方法及/或算法確定。[〇〇38]在如上所述那樣確定中值強(qiáng)度及差值之后，可產(chǎn)生2D散布圖，例如圖2中所展示的散布圖200。特定來(lái)說(shuō)，根據(jù)兩個(gè)值(垂直軸上的中值強(qiáng)度值及水平軸上的差值)繪制測(cè)試圖像上的每一像素。
[0039]圖2中所展示的散布圖的橢圓形部分界定偏遠(yuǎn)散布圖數(shù)據(jù)點(diǎn)與非偏遠(yuǎn)散布圖數(shù)據(jù)點(diǎn)之間的邊界。例如，橢圓形部分內(nèi)的數(shù)據(jù)點(diǎn)可為非離群點(diǎn)，且橢圓形部分外部的數(shù)據(jù)點(diǎn)可為離群點(diǎn)。以此方式，圖2中由散布圖中的X所展示的數(shù)據(jù)點(diǎn)可被確定為離群點(diǎn)，且對(duì)應(yīng)于這些數(shù)據(jù)點(diǎn)的位置可被識(shí)別為晶片上的缺陷位置。因此，可基于2D散布圖檢測(cè)缺陷。
[0040]在另一實(shí)施例中，檢測(cè)所述缺陷包含:基于標(biāo)準(zhǔn)參考圖像(本文中進(jìn)一步描述的任何標(biāo)準(zhǔn)參考圖像)依據(jù)裸片內(nèi)位置確定中值強(qiáng)度;組合晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的輸出；通過(guò)從兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的組合輸出中個(gè)別像素的特性減去所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上相同位置的中值強(qiáng)度的2D散布圖；及基于所述2D散布圖檢測(cè)所述缺陷。
[0041]可如上所述那樣執(zhí)行在此實(shí)施例中產(chǎn)生2D散布圖及檢測(cè)缺陷。以此方式，一旦產(chǎn)生2D散布圖，可如上所述那樣執(zhí)行缺陷檢測(cè)。然而，在此實(shí)施例中，從不同中值強(qiáng)度及差值產(chǎn)生2D散布圖。
[0042]在一個(gè)此實(shí)例中，在圖3中所展示的實(shí)施例中，檢測(cè)任務(wù)可含有來(lái)自8個(gè)裸片的圖像幀。圖3中所展示的測(cè)試裸片可如本文中描述那樣進(jìn)一步配置。在此實(shí)施例中，將關(guān)于經(jīng)由平均化組合晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的輸出來(lái)進(jìn)一步描述組合所述輸出。然而，測(cè)試裸片的輸出可以任何其它適當(dāng)方式組合。在此實(shí)施例中，圖3中所展示的測(cè)試裸片1至IJ8的檢驗(yàn)系統(tǒng)的輸出可用以產(chǎn)生圖3中所展示的平均測(cè)試裸片。在此實(shí)施例中產(chǎn)生平均測(cè)試裸片可包含使用測(cè)試裸片1到8中的兩者或兩者以上(或全部)以確定某一特性(例如測(cè)試裸片圖像中的像素強(qiáng)度)的平均值。平均測(cè)試裸片可被確定為平均測(cè)試裸片圖像或可以任何其它適當(dāng)格式確定。多個(gè)測(cè)試裸片的輸出的平均值可以任何適當(dāng)方式使用任何適當(dāng)方法及/或算法確定。[〇〇43]上述差值可通過(guò)從平均測(cè)試裸片減去標(biāo)準(zhǔn)參考裸片而確定。舉例來(lái)說(shuō)，如圖3中所展示，可從平均測(cè)試減去標(biāo)準(zhǔn)參考圖像以產(chǎn)生差值。從平均測(cè)試圖像減去標(biāo)準(zhǔn)參考圖像以確定差值的特性可為標(biāo)準(zhǔn)參考圖像及平均測(cè)試圖像中的像素強(qiáng)度或圖像的任何其它適當(dāng)特性。以此方式，確定差值可包含確定所述兩個(gè)圖像中的像素強(qiáng)度之間的差。所述差值可用以產(chǎn)生差圖像，但所述差值也可以任何其它格式依據(jù)裸片內(nèi)位置而表達(dá)。所述差值可以使用任何適當(dāng)方法及/或算法的任何適當(dāng)方式確定。
[0044]在這些實(shí)施例中，2D散布圖的中值強(qiáng)度可為標(biāo)準(zhǔn)參考裸片中的像素強(qiáng)度，且2D散布圖中使用的差值可為標(biāo)準(zhǔn)參考裸片與平均測(cè)試之間的強(qiáng)度差。此實(shí)施例中使用的標(biāo)準(zhǔn)參考裸片圖像可包含本文中描述的任何標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。
[0045]在一些實(shí)施例中，檢測(cè)所述缺陷包含:基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的輸出依據(jù)裸片內(nèi)位置確定中值強(qiáng)度;通過(guò)從所述晶片上的測(cè)試裸片的輸出中個(gè)別像素的特性減去所述晶片上的參考裸片的輸出中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性確定差值;將所述測(cè)試裸片的所述輸出中的所述像素分為從所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的分段;針對(duì)所述分段中的至少一者產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上相同位置的所述至少一個(gè)分段中的中值強(qiáng)度的2D散布圖；以及基于所述2D散布圖檢測(cè)所述缺陷。
[0046]可如上所述那樣執(zhí)行在此實(shí)施例中確定中值強(qiáng)度及差值。在一個(gè)此實(shí)例中，在圖4 中所展示的實(shí)施例中，檢測(cè)任務(wù)可含有來(lái)自8個(gè)裸片的圖像幀。圖4中所展示的測(cè)試裸片可如本文中描述那樣進(jìn)一步配置。在此實(shí)施例中，確定上述中值強(qiáng)度可包含使用測(cè)試裸片1到 8中的兩者或兩者以上(或全部)以確定圖4中所展示的中值裸片。在此實(shí)施例中，可通過(guò)從測(cè)試裸片中的一者減去測(cè)試裸片中的另一者來(lái)確定差值。例如，如圖4中所展示，測(cè)試裸片4 及5可用來(lái)產(chǎn)生Diff 1，且測(cè)試裸片5及6可用來(lái)產(chǎn)生Diff 2。圖4中所展示的其它測(cè)試裸片可用以按類(lèi)似方式產(chǎn)生差值?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步描述那樣確定這些差值。
[0047]在產(chǎn)生圖4中所展示的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像之后，使其與對(duì)應(yīng)裸片位置處的測(cè)試圖像對(duì)準(zhǔn)。任何圖像配準(zhǔn)算法可用以執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)。在對(duì)準(zhǔn)圖像之后，可在每一像素處計(jì)算測(cè)試圖像與參考圖像之間的差值。使用全部像素處的灰度值及此差值以產(chǎn)生2D散布圖。用戶(hù)可確定2D 散布圖上的分段及檢測(cè)參數(shù)。
[0048]接著，可使用圖4中所展示的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像以確定用于缺陷檢測(cè)的分段。此實(shí)施例中使用的分段可從本文中描述的任何標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定。舉例來(lái)說(shuō)，如果標(biāo)準(zhǔn)參考圖像包含標(biāo)準(zhǔn)參考圖像中的像素的強(qiáng)度值，那么強(qiáng)度值的不同范圍可被指派給不同分段。在一個(gè)此實(shí)例中，從〇到100的強(qiáng)度值可被指派給分段1，而從101到255的強(qiáng)度值可被指派給分段2。 像素的其它值(例如，中值強(qiáng)度值)可用以按類(lèi)似方式界定分段。[〇〇49]以此方式，一旦基于標(biāo)準(zhǔn)參考圖像界定分段，就可比較測(cè)試圖像中的像素的對(duì)應(yīng)值(例如，強(qiáng)度、中值強(qiáng)度等等)與指派給所述分段的值以確定將像素指派給哪個(gè)分段。因而，不同像素可被指派給不同分段。一旦像素已被指派給分段，可針對(duì)分段中的每一者單獨(dú)產(chǎn)生2D散布圖。例如，可使用對(duì)應(yīng)于一個(gè)分段中的像素的中值強(qiáng)度及差值以如本文中描述那樣針對(duì)所述分段產(chǎn)生2D散布圖。接著，可如本文所述那樣使用所述2D散布圖執(zhí)行針對(duì)所述像素的缺陷檢測(cè)。接著，可以相同方式針對(duì)其它分段執(zhí)行缺陷檢測(cè)。然而，因?yàn)獒槍?duì)不同分段單獨(dú)執(zhí)行缺陷檢測(cè)，所以針對(duì)不同分段執(zhí)行的缺陷檢測(cè)的一或多個(gè)參數(shù)可不同。所述一或多個(gè)參數(shù)(對(duì)于不同分段來(lái)說(shuō)是不同的)可包含任何缺陷檢測(cè)算法及/或方法的任何參數(shù)。
[0050]所述方法也包含基于對(duì)應(yīng)于缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分確定缺陷中的至少一者的一或多個(gè)屬性。所述一或多個(gè)屬性可包含可用以如本文中進(jìn)一步描述那樣對(duì)缺陷進(jìn)行分類(lèi)的任何缺陷屬性。所述一或多個(gè)屬性可使用任何適當(dāng)方法及/或算法從標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定。
[0051]標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可為在晶片檢驗(yàn)配方的設(shè)置期間產(chǎn)生的“黃金”圖像。例如，在設(shè)置期間可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像以考量跨晶片的工藝變化。在一個(gè)實(shí)例中，可通過(guò)用晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)獲取晶片上的裸片的至少一個(gè)例子的圖像產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。舉例來(lái)說(shuō)，在裝置/層的檢驗(yàn)配方的設(shè)置步驟期間，檢驗(yàn)系統(tǒng)可掃描裸片(或若干裸片)且構(gòu)造所述裸片的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。這可以若干方式進(jìn)行。一種方式可僅使用晶片上某一位置處的裸片的一個(gè)例子，或在配方設(shè)置期間，用戶(hù)可指定晶片上的無(wú)缺陷裸片。
[0052]在一些實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像并非基于單個(gè)晶片上的單個(gè)裸片而產(chǎn)生。在額外實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像是不同于從單個(gè)晶片上的單個(gè)裸片產(chǎn)生的參考圖像。在一些實(shí)施例中，所述方法包含基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出來(lái)產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于其它晶片。在另一實(shí)施例中，所述方法包含基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片的僅一部分產(chǎn)生的輸出來(lái)產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于晶片的其它部分。 舉例來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可基于每晶片運(yùn)行時(shí)間的8個(gè)中值裸片而確定。如果變化是在晶片內(nèi)，那么可產(chǎn)生此標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。以此方式，可從由晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)獲取的對(duì)應(yīng)于晶片上的不同裸片的多個(gè)圖像產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。在一個(gè)此實(shí)例中，我們可通過(guò)對(duì)對(duì)應(yīng)于不同裸片的一批圖像取逐像素平均(或中值)來(lái)構(gòu)造“平均”圖像或“中值”圖像。
[0053]所述方法可包含從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。采用含有晶片結(jié)構(gòu)信息的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，模擬軟件可合成裸片的晶片圖像。圖像灰度值反映晶片結(jié)構(gòu)信息，但不一定類(lèi)似于從檢驗(yàn)機(jī)器產(chǎn)生的圖像。舉例來(lái)說(shuō)，最簡(jiǎn)單的合成圖像可為僅指示晶片圖案及背景的二元圖像。使用合成圖像作為標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的優(yōu)點(diǎn)是:合成圖像不含有任何晶片噪聲，且由合成圖像導(dǎo)出的分段參數(shù)不受晶片噪聲影響。此外，在一些實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可為晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。以此方式，晶片設(shè)計(jì)可用作如本文中進(jìn)一步描述的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，以針對(duì)晶片上的每一裸片產(chǎn)生分段且計(jì)算參考屬性。此外，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可為由掃描電子顯微鏡(SEM)產(chǎn)生用于晶片的晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的圖像。此標(biāo)準(zhǔn)參考圖像將穩(wěn)定如本文中進(jìn)一步描述的分段以及參考屬性。以此方式，標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可為SEM圖像，所述SEM圖像用作晶片設(shè)計(jì)的代理物， 以如本文中進(jìn)一步描述那樣確定用于缺陷檢測(cè)的分段及/或計(jì)算參考屬性。此標(biāo)準(zhǔn)參考圖像也將穩(wěn)定如本文中進(jìn)一步描述的分段以及參考屬性。
[0054]從多個(gè)圖像產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像也可包含使多個(gè)圖像以子像素精確度彼此對(duì)準(zhǔn)及一起處理經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)圖像，以由此從經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的圖像產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)計(jì)算平均或中值圖像時(shí)，經(jīng)平均化(或計(jì)算其中值)的圖像可對(duì)準(zhǔn)到子像素精確度。也可針對(duì)缺陷檢測(cè)執(zhí)行類(lèi)似對(duì)準(zhǔn)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)缺陷包含使多個(gè)圖像以子像素精確度彼此對(duì)準(zhǔn)及基于經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)圖像檢測(cè)缺陷，這可根據(jù)本文中描述的任何實(shí)施例來(lái)執(zhí)行。在子像素精確度內(nèi)對(duì)準(zhǔn)多個(gè)圖像可以任何適當(dāng)方式執(zhí)行，包含如在2010年3月9日頒予庫(kù)爾卡尼(Kulkarni)等人的第7,676,077號(hào)美國(guó)專(zhuān)利中所描述的，所述專(zhuān)利以引用方式全部并入本文中。本文中描述的實(shí)施例可包含此專(zhuān)利中描述的任何方法的任何步驟。
[0055]標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可存儲(chǔ)于檢驗(yàn)配方中以供在檢驗(yàn)期間使用。標(biāo)準(zhǔn)參考圖像也可如于 2012年6月19日發(fā)布的共同轉(zhuǎn)讓給巴斯卡爾(Bhaskar)等人的第8,204,296號(hào)美國(guó)專(zhuān)利中描述那樣產(chǎn)生，所述專(zhuān)利以引用方式全部并入本文中。本文中描述的實(shí)施例可包含此專(zhuān)利中描述的任何方法的任何步驟，且可如此專(zhuān)利中描述那樣經(jīng)進(jìn)一步配置。
[0056]在一些實(shí)施例中，所述方法包含針對(duì)晶片上的單個(gè)裸片產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于晶片上的其它裸片。舉例來(lái)說(shuō)，可根據(jù)本文中描述的任何實(shí)施例逐裸片地產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。以此方式，不同標(biāo)準(zhǔn)參考圖像可用于晶片上的不同裸片。[〇〇57]在另一實(shí)施例中，所述方法包含通過(guò)以下步驟產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像:確定所述晶片上的一或多個(gè)裸片的一或多個(gè)參考圖像中的一或多個(gè)幀圖像的一或多個(gè)第一直方圖； 從由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的輸出確定針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的中值圖像中的一或多個(gè)幀圖像的一或多個(gè)第二直方圖；修改所述一或多個(gè)第二直方圖使得所述一或多個(gè)第二直方圖大體上匹配所述一或多個(gè)第一直方圖；以及基于所述一或多個(gè)經(jīng)修改的第二直方圖產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。以此方式，直方圖修改可用以產(chǎn)生如本文中進(jìn)一步描述那樣使用的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。[〇〇58]在一個(gè)此實(shí)施例中，如圖5中所展示，圖像500可為在設(shè)置期間獲得的標(biāo)準(zhǔn)全裸片圖像。此圖像可包含標(biāo)準(zhǔn)幀圖像502，且可針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)幀圖像中的每一者確定直方圖504。在晶片檢驗(yàn)期間，可獲得圖像506(其為全裸片中值圖像)。此圖像可包含中值幀圖像508,且可針對(duì)中值幀圖像中的每一者確定直方圖510。圖像500及506中的對(duì)應(yīng)位置中的幀圖像對(duì)應(yīng)于晶片上的裸片的相同部分。如可從針對(duì)圖像500及506中的幀圖像確定的直方圖504及510的比較可知，不同圖像中的對(duì)應(yīng)幀圖像的直方圖是大體上不同的。[〇〇59]可對(duì)圖像506執(zhí)行直方圖映射，由此產(chǎn)生包含幀圖像514的圖像512，已單獨(dú)確定幀圖像514的直方圖516。直方圖映射可由此產(chǎn)生包含多個(gè)經(jīng)映射的中值幀圖像的經(jīng)映射的全裸片中值圖像。因而，圖像500及512的直方圖匹配，且圖像看起來(lái)大體上類(lèi)似。以此方式，可使中值幀圖像看起來(lái)大體上類(lèi)似于全部裸片及晶片的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。如果中值幀圖像對(duì)于全部裸片及晶片來(lái)說(shuō)大體上相同，那么使用此類(lèi)中值幀圖像執(zhí)行的分段將是穩(wěn)定的。此外， 從此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)中值幀圖像計(jì)算的缺陷屬性將是穩(wěn)定的。
[0060]在一個(gè)此實(shí)施例中，參考圖像是晶片上的單個(gè)裸片的圖像。舉例來(lái)說(shuō)，在配方設(shè)置期間，可使用檢驗(yàn)系統(tǒng)掃描晶片上的至少一個(gè)全裸片，且在掃描期間由檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的輸出可用以如本文中進(jìn)一步描述那樣產(chǎn)生參考圖像。在另一此實(shí)施例中，參考圖像是晶片上的多個(gè)裸片的復(fù)合圖像。舉例來(lái)說(shuō)，在配方設(shè)置期間，可使用檢驗(yàn)系統(tǒng)掃描晶片上的多個(gè)裸片，且在掃描期間由檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的輸出可用以如本文中描述那樣產(chǎn)生參考圖像。在一個(gè)此實(shí)例中，對(duì)于多個(gè)裸片情況，復(fù)合圖像(例如，平均、中值、穩(wěn)健平均等等)可從多個(gè)裸片圖像產(chǎn)生。在任一情況中，全裸片圖像或復(fù)合圖像可被定義為參考圖像且被劃分為幀圖像。接著，可針對(duì)每一參考幀圖像確定直方圖且直方圖可存儲(chǔ)在配方中。
[0061]在一些此類(lèi)實(shí)施例中，檢測(cè)缺陷包含基于標(biāo)準(zhǔn)參考圖像將用于晶片的測(cè)試圖像的不同部分指派給不同分段，且針對(duì)不同分段執(zhí)行的檢測(cè)步驟的一或多個(gè)參數(shù)是不同的。舉例來(lái)說(shuō)，在檢驗(yàn)期間，可對(duì)每一幀圖像執(zhí)行檢驗(yàn)。接著，可產(chǎn)生中值幀圖像用于分段目的。可通過(guò)將對(duì)應(yīng)中值幀圖像的直方圖映射到標(biāo)準(zhǔn)參考幀圖像的直方圖來(lái)修改中值幀圖像。接著，可如本文中進(jìn)一步描述那樣使用中值幀圖像執(zhí)行分段。
[0062]在進(jìn)一步此實(shí)施例中，確定所述一或多個(gè)第一直方圖包含產(chǎn)生用于所述一或多個(gè)第一直方圖的數(shù)據(jù)，且修改所述一或多個(gè)第二直方圖是以經(jīng)產(chǎn)生用于所述一或多個(gè)第一直方圖的全部數(shù)據(jù)的一部分來(lái)執(zhí)行。舉例來(lái)說(shuō)，為減少保存到配方中的數(shù)據(jù)，可保存直方圖數(shù)據(jù)的子集。最小子集可為直方圖的僅兩個(gè)端點(diǎn)。在檢驗(yàn)期間，可使用標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的直方圖數(shù)據(jù)的子集映射中值幀圖像。標(biāo)準(zhǔn)參考圖像有效性可稍微有所減小，這是因?yàn)檩^少信息存儲(chǔ)到配方中。然而，如果色彩變化并不相對(duì)嚴(yán)重，那么在配方大小減小時(shí)使用較少信息不一定使穩(wěn)定性降級(jí)。
[0063]所述方法進(jìn)一步包含至少部分基于一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性而對(duì)缺陷中的至少一者進(jìn)行分類(lèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，分類(lèi)步驟包含確定所述缺陷中的所述至少一者是否為所關(guān)注缺陷(D0I)或擾亂點(diǎn)?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步所述那樣執(zhí)行缺陷分類(lèi)。此外，可使用任何適當(dāng)?shù)娜毕莘诸?lèi)方法及/或算法通過(guò)用本文中描述的經(jīng)確定的屬性取代其它缺陷屬性或通過(guò)修改所述方法及/或算法來(lái)執(zhí)行缺陷分類(lèi)，使得結(jié)合由所述方法及/或算法使用的其它屬性使用本文中描述的經(jīng)確定的屬性。
[0064]在一些實(shí)施例中，分類(lèi)步驟是基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性、基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的測(cè)試圖像的部分針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者確定的一或多個(gè)其它屬性及基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的差圖像的部分針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者確定的一或多個(gè)額外屬性。圖6中展示一個(gè)此實(shí)施例。特定來(lái)說(shuō)，如圖6中所展示，測(cè)試圖像600及參考圖像602可用以產(chǎn)生差圖像606,這可如本文中進(jìn)一步描述那樣執(zhí)行。差圖像606接著可用于缺陷檢測(cè)608,這可根據(jù)本文中描述的任何實(shí)施例執(zhí)行。對(duì)于由缺陷檢測(cè)所檢測(cè)的任何缺陷，可從對(duì)應(yīng)于缺陷位置的測(cè)試圖像600的部分確定測(cè)試屬性610， 且可從對(duì)應(yīng)于缺陷位置的差圖像606的部分確定差屬性612,且可從對(duì)應(yīng)于缺陷位置的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像604的部分確定標(biāo)準(zhǔn)參考屬性614。測(cè)試屬性、差屬性及標(biāo)準(zhǔn)參考屬性可包含本文中描述的任何屬性，且可如本文中進(jìn)一步描述那樣加以確定。標(biāo)準(zhǔn)參考圖像604可包含本文中描述的任何標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。如圖6中進(jìn)一步展示，測(cè)試屬性610、差屬性612及標(biāo)準(zhǔn)參考屬性614可組合用于缺陷分類(lèi)616。
[0065]以此方式，不同于其中使用從測(cè)試圖像、差圖像及非標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的缺陷屬性進(jìn)行缺陷分類(lèi)的一些常用方法，在本文中描述的實(shí)施例中，使用標(biāo)準(zhǔn)參考裸片圖像以確定缺陷屬性(其接著用于缺陷分類(lèi))。因此，因?yàn)槿缟衔倪M(jìn)一步描述那樣，本文中描述的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像將比其它常用的參考圖像更加穩(wěn)定，所以本文中描述的實(shí)施例提供比其它方法及系統(tǒng)更加穩(wěn)定的參考圖像缺陷屬性用于缺陷分類(lèi)。以此方式，根據(jù)本文中描述的實(shí)施例確定的缺陷分類(lèi)將更加穩(wěn)定且很大程度上不受隨晶片不同及晶片內(nèi)的工藝變化引發(fā)的色彩變化影響。
[0066]可通過(guò)修改當(dāng)前使用的缺陷檢測(cè)算法及/或方法以使用本文中描述的所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性來(lái)執(zhí)行本文中描述的分類(lèi)步驟。例如，當(dāng)前由可從科磊公司購(gòu)得的檢驗(yàn)系統(tǒng)使用的iDO軟件可經(jīng)修改使得其使用本文中描述的至少所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性以將缺陷分為不同分類(lèi)。
[0067]可由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行本文中描述的檢測(cè)、確定及分類(lèi)步驟，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可根據(jù)本文中描述的任何實(shí)施例配置。
[0068]上述方法的實(shí)施例中的每一者可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步驟。此外，上述方法的實(shí)施例中的每一者可由本文中描述的任何系統(tǒng)執(zhí)行。
[0069]本文中描述的所有方法可包含將方法實(shí)施例的一或多個(gè)步驟的結(jié)果存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體中。所述結(jié)果可包含本文中描述的任何結(jié)果且可以所屬領(lǐng)域中已知的任何方式存儲(chǔ)。存儲(chǔ)媒體可包含本文中描述的任何存儲(chǔ)媒體或所屬領(lǐng)域中已知的任何其它適當(dāng)存儲(chǔ)媒體。在已存儲(chǔ)所述結(jié)果之后，所述結(jié)果可在存儲(chǔ)媒體中存取且由本文中描述的方法或系統(tǒng)實(shí)施例中的任一者使用，經(jīng)格式化以對(duì)用戶(hù)顯示、由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)等使用。
[0070]另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，其存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以執(zhí)行用于對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令。圖7中展示一個(gè)此實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，如圖7中所展示，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體700存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 704上執(zhí)行以執(zhí)行用于對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令 702。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法可包含本文中描述的任何方法的任何步驟。
[0071]實(shí)施如本文中描述的所述方法的程序指令702可存儲(chǔ)于非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體 700中。計(jì)算機(jī)可讀媒體可為存儲(chǔ)媒體，例如磁盤(pán)或光盤(pán)、磁帶或所屬領(lǐng)域中已知的任何其它適當(dāng)非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體。
[0072]可以各種方式(包括基于程序的技術(shù)、基于組件的技術(shù)及/或面向?qū)ο蟮募夹g(shù)等等)中的任何者實(shí)施所述程序指令。舉例來(lái)說(shuō)，可根據(jù)需要使用Matlab、Visual Basic、 ActiveX controls、C、C++objects、C#、JavaBeans、Microsoft Foundat1n Classes (“MFC )或其它技術(shù)或方法實(shí)施程序指令。[〇〇73]計(jì)算機(jī)系統(tǒng)704可采用各種形式，包含個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、 系統(tǒng)計(jì)算機(jī)、圖像計(jì)算機(jī)、可編程圖像計(jì)算機(jī)、并行處理器或在所屬領(lǐng)域中已知的任何其它裝置。一般來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可經(jīng)廣泛定義以涵蓋具有執(zhí)行來(lái)自存儲(chǔ)器媒體的指令的一或多個(gè)處理器的任何裝置。
[0074]額外實(shí)施例涉及一種經(jīng)配置以對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包含檢驗(yàn)子系統(tǒng)，所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)經(jīng)配置以通過(guò)使光掃描晶片且在所述掃描期間檢測(cè)來(lái)自所述晶片的光而針對(duì)所述晶片產(chǎn)生輸出。圖8中展示此檢驗(yàn)子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例作為系統(tǒng)806的檢驗(yàn)子系統(tǒng)804。[〇〇75] 如圖8中所展示，檢驗(yàn)子系統(tǒng)包含光源808,所述光源808可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)光源，例如寬帶等離子(BBP)光源。來(lái)自所述光源的光可被引導(dǎo)到光束分離器810， 所述光束分離器810可經(jīng)配置以將光從所述光源引導(dǎo)到晶片812。所述光源可耦合到任何其它適當(dāng)元件(未展示)，例如一或多個(gè)聚光透鏡、準(zhǔn)直透鏡、中繼透鏡、物鏡、孔隙、光譜濾光器、偏光組件等等。如圖8中所展示，所述光可以法向入射角引導(dǎo)到晶片。然而，所述光可以任何適當(dāng)入射角(包含近法向入射角及傾斜入射角)引導(dǎo)到晶片。此外，所述光或多個(gè)光束可以一個(gè)以上入射角循序或同時(shí)引導(dǎo)到晶片。檢驗(yàn)子系統(tǒng)可經(jīng)配置而使光以任何適當(dāng)方式掃描晶片。
[0076]在掃描期間，可通過(guò)檢驗(yàn)子系統(tǒng)的一或多個(gè)檢測(cè)器收集并檢測(cè)來(lái)自晶片812的光。 例如，以相對(duì)接近法向的角度反射自晶片812的光(S卩，當(dāng)法向入射時(shí)經(jīng)鏡面反射的光)可行進(jìn)穿過(guò)光束分離器810而到透鏡814。透鏡814可包含如圖8中所展示的折射光學(xué)元件。此外， 透鏡814可包含一或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一或多個(gè)反射光學(xué)元件。由透鏡814收集的光可被聚焦到檢測(cè)器816。檢測(cè)器816可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何適當(dāng)檢測(cè)器，例如電荷耦合裝置(CXD)或另一類(lèi)型的成像檢測(cè)器。檢測(cè)器816經(jīng)配置以產(chǎn)生響應(yīng)于由透鏡814收集的反射光的輸出。因此，透鏡814及檢測(cè)器816形成檢驗(yàn)子系統(tǒng)的通道。檢驗(yàn)子系統(tǒng)的此通道可包含所屬領(lǐng)域中已知的任何其它適當(dāng)光學(xué)組件(未展示)。檢測(cè)器的輸出可包含例如圖像、 圖像數(shù)據(jù)、信號(hào)、圖像信號(hào)或可由適用于檢驗(yàn)系統(tǒng)中的檢測(cè)器產(chǎn)生的任何其它輸出。
[0077]因?yàn)閳D8中所展示的檢驗(yàn)子系統(tǒng)經(jīng)配置以檢測(cè)從晶片鏡面反射的光，所以所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)經(jīng)配置為明場(chǎng)(BF)檢驗(yàn)系統(tǒng)。然而，此檢驗(yàn)子系統(tǒng)也可經(jīng)配置以用于其它類(lèi)型的晶片檢驗(yàn)。例如，圖8中所展示的檢驗(yàn)子系統(tǒng)也可包含一或多個(gè)其它通道(未展示)。其它通道可包含本文中描述的任何光學(xué)組件，例如經(jīng)配置為散射光通道的透鏡及檢測(cè)器。所述透鏡及所述檢測(cè)器可如本文所描述那樣進(jìn)一步配置。以此方式，檢驗(yàn)子系統(tǒng)也可經(jīng)配置以用于暗場(chǎng)(DF)檢驗(yàn)。
[0078]所述系統(tǒng)也包含耦合到檢驗(yàn)子系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)818。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可耦合到檢驗(yàn)子系統(tǒng)的一或多個(gè)檢測(cè)器使得計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可接收由檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出。以此方式，由檢驗(yàn)子系統(tǒng)的檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出可被提供給計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)818。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng) 818經(jīng)配置用于基于由檢驗(yàn)子系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出檢測(cè)所述晶片上的缺陷，這可根據(jù)本文中描述的任何實(shí)施例執(zhí)行。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)也經(jīng)配置以執(zhí)行本文中描述的確定及分類(lèi)步驟。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)818可經(jīng)配置以執(zhí)行本文中描述的任何其它步驟。
[0079]應(yīng)注意，本文中提供圖8以大致說(shuō)明可包含在本文中描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的檢驗(yàn)子系統(tǒng)的配置。顯然，如在設(shè)計(jì)商業(yè)檢驗(yàn)系統(tǒng)時(shí)通常所執(zhí)行那樣，可改變本文中描述的檢驗(yàn)子系統(tǒng)配置以?xún)?yōu)化檢驗(yàn)子系統(tǒng)的效能。此外，可使用現(xiàn)有檢驗(yàn)子系統(tǒng)(例如，通過(guò)將本文中描述的功能性添加到現(xiàn)有檢驗(yàn)系統(tǒng))(例如可從加利福尼亞州米爾皮塔斯市的科磊公司購(gòu)得的29xx/28XX系列工具)實(shí)施本文中描述的系統(tǒng)。對(duì)于一些此類(lèi)系統(tǒng)，可提供本文中描述的方法作為系統(tǒng)的任選功能性(例如，除系統(tǒng)的其它功能性之外)。替代地，可“從零開(kāi)始”設(shè)計(jì)本文中描述的系統(tǒng)來(lái)提供全新系統(tǒng)。
[0080]此外，雖然所述系統(tǒng)在本文中被描述為基于光學(xué)或光的檢驗(yàn)系統(tǒng)，但檢驗(yàn)子系統(tǒng)可配置為基于電子束的檢驗(yàn)子系統(tǒng)?；陔娮邮臋z驗(yàn)子系統(tǒng)可為包含于任何適當(dāng)?shù)氖惺垭娮邮鴻z驗(yàn)系統(tǒng)中的任何適當(dāng)?shù)幕陔娮邮臋z驗(yàn)子系統(tǒng)。
[0081]鑒于此描述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白本發(fā)明的各種方面的進(jìn)一步修改及替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，提供用于對(duì)晶片上檢測(cè)的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的系統(tǒng)及方法。因此，此描述僅解釋為說(shuō)明性的且出于教示所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)行本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)理解， 本文中所展示及描述的本發(fā)明的形式將被視為目前優(yōu)選實(shí)施例。元件及材料可代替本文中說(shuō)明及描述的那些元件及材料，可顛倒部件及過(guò)程，且可獨(dú)立利用本發(fā)明的某些特征，所有將如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在受益于本發(fā)明的此描述之后變得明顯。在不脫離如在所附權(quán)利要求書(shū)中描述的本發(fā)明的精神及范圍的情況下可對(duì)本文中描述的元件做出改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的方法，其包括:基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷；基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分來(lái)確定所述缺陷中的所述 至少一者的一或多個(gè)屬性；以及至少部分基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性來(lái)對(duì)所述缺陷中的所述至少一者進(jìn)行分類(lèi)， 其中所述檢測(cè)、所述確定及所述分類(lèi)由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分類(lèi)包括確定所述缺陷中的所述至少一者是 否為所關(guān)注缺陷或擾亂點(diǎn)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶片及至少一個(gè)其它晶片在受所述檢驗(yàn)系統(tǒng) 檢驗(yàn)之前經(jīng)受相同一或多個(gè)過(guò)程，且其中針對(duì)所述晶片的所述檢驗(yàn)系統(tǒng)的所述輸出及針對(duì) 所述至少一個(gè)其它晶片的所述檢驗(yàn)系統(tǒng)的輸出具有色彩變化。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的所述輸出具 有跨所述晶片的色彩變化。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像基于一或多個(gè)晶片上的一或多 個(gè)裸片而產(chǎn)生。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像由使用晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)作為輸入 及輸出合成晶片圖像的模擬軟件產(chǎn)生，且其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像指示晶片結(jié)構(gòu)，但不具有 與由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的測(cè)試圖像相同的灰度值。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生 的所述輸出來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于其它晶片。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片的僅 一部分產(chǎn)生的所述輸出來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于所述晶片 的其它部分。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述 晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的輸出，依據(jù)裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;通過(guò)從所述 晶片上的測(cè)試裸片的輸出中個(gè)別像素的特性減去所述晶片上的參考裸片的輸出中個(gè)別像 素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上相同位置的所述中值強(qiáng)度 的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，依據(jù) 裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;組合所述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的所述輸出；通 過(guò)從所述兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的所述組合輸出中個(gè)別像素的特性減去所述標(biāo)準(zhǔn)參考 圖像中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上所述相同位 置的所述中值強(qiáng)度的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所 述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的所述輸出，依據(jù)裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;通過(guò) 從所述晶片上的測(cè)試裸片的所述輸出中個(gè)別像素的所述特性減去所述晶片上的參考裸片 的所述輸出中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;將所述測(cè)試裸片的所述輸出中的所 述像素分為從所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的分段;針對(duì)所述分段中的至少一者產(chǎn)生所述差值及 對(duì)應(yīng)于大體上所述相同位置的所述至少一個(gè)分段中的所述中值強(qiáng)度的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分類(lèi)基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性、基于 對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的測(cè)試圖像的部分而針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者 所確定的一或多個(gè)其它屬性，以及基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的差圖像的部分 而針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者所確定的一或多個(gè)額外屬性。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括針對(duì)所述晶片上的單個(gè)裸片產(chǎn)生所述標(biāo) 準(zhǔn)參考圖像，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于所述晶片上的其它裸片。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括通過(guò)以下步驟來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖 像:確定所述晶片上的裸片的參考圖像中的一或多個(gè)幀圖像的一或多個(gè)第一直方圖；從由 所述檢驗(yàn)系統(tǒng)產(chǎn)生的所述輸出確定針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的中值圖像中的一或多個(gè)幀圖像的 一或多個(gè)第二直方圖；修改所述一或多個(gè)第二直方圖使得所述一或多個(gè)第二直方圖大體上 匹配所述一或多個(gè)第一直方圖；以及基于所述一或多個(gè)經(jīng)修改第二直方圖來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn) 參考圖像。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述參考圖像是所述晶片上的單個(gè)裸片的圖像。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述參考圖像是所述晶片上的多個(gè)裸片的復(fù)合圖像。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中檢測(cè)所述缺陷包括基于所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像將所 述晶片的測(cè)試圖像的不同部分指派給不同分段，且其中針對(duì)所述不同分段執(zhí)行的所述檢測(cè) 的一或多個(gè)參數(shù)是不同的。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中確定所述一或多個(gè)第一直方圖包括產(chǎn)生用于所 述一或多個(gè)第一直方圖的數(shù)據(jù)，且其中修改所述一或多個(gè)第二直方圖是以少于經(jīng)產(chǎn)生用于 所述一或多個(gè)第一直方圖的所述數(shù)據(jù)的全部來(lái)執(zhí)行。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像是晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像是由掃描電子顯微鏡產(chǎn)生用于 所述晶片的晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的圖像。21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括通過(guò)以下步驟來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖 像:使多個(gè)圖像以子像素精確度彼此對(duì)準(zhǔn)；以及從所述經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)圖像產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參 考圖像。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測(cè)所述缺陷包括:使多個(gè)圖像以子像素精確度 彼此對(duì)準(zhǔn)；以及基于所述經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)圖像來(lái)檢測(cè)所述缺陷。23.—種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，其儲(chǔ)存可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以執(zhí)行用于對(duì)在晶 片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法的程序指令，其中所述計(jì)算機(jī)實(shí)施方法包 括:基于由檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷；基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分來(lái)確定所述缺陷中的所述 至少一者的一或多個(gè)屬性；以及至少部分基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性，對(duì)所述缺陷中的所述至少一者進(jìn)行分類(lèi)。24.—種經(jīng)配置以對(duì)在晶片上檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行分類(lèi)的系統(tǒng)，其包括:檢驗(yàn)子系統(tǒng)，其經(jīng)配置以通過(guò)使光掃描晶片且在所述掃描期間檢測(cè)來(lái)自所述晶片的光而產(chǎn)生針對(duì)所述晶片的輸出；及計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，其經(jīng)配置以:基于由所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)針對(duì)晶片產(chǎn)生的所述輸出來(lái)檢測(cè)所述晶片上的缺陷；基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的至少一者的標(biāo)準(zhǔn)參考圖像的部分來(lái)確定所述缺陷中的所述 至少一者的一或多個(gè)屬性；以及至少部分基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性，對(duì)所述缺陷中的所述至少一者進(jìn)行分類(lèi)。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述分類(lèi)包括確定所述缺陷中的所述至少一者 是否為所關(guān)注缺陷或擾亂點(diǎn)。26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述晶片及至少一個(gè)其它晶片在受所述檢驗(yàn)系 統(tǒng)檢驗(yàn)之前經(jīng)受相同一或多個(gè)過(guò)程，且其中針對(duì)所述晶片的所述檢驗(yàn)系統(tǒng)的所述輸出及針 對(duì)所述至少一個(gè)其它晶片的所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)的輸出具有色彩變化。27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的所述輸出 具有跨所述晶片的色彩變化。28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像并非基于單個(gè)晶片上的單個(gè) 裸片而產(chǎn)生。29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不同于從單個(gè)晶片上的單個(gè) 裸片產(chǎn)生的參考圖像。30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置用于基于由所 述檢驗(yàn)子系統(tǒng)針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的所述輸出產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考 圖像不用于其它晶片。31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置用于基于由所 述檢驗(yàn)子系統(tǒng)針對(duì)所述晶片的僅一部分產(chǎn)生的所述輸出來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且其中 所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于所述晶片的其它部分。32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所 述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的輸出，依據(jù)裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;通過(guò)從所 述晶片上的測(cè)試裸片的輸出中個(gè)別像素的特性減去所述晶片上的參考裸片的輸出中個(gè)別 像素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上相同位置的所述中值強(qiáng) 度的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，依 據(jù)裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;組合所述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的所述輸出； 通過(guò)從所述兩個(gè)或兩個(gè)以上測(cè)試裸片的所述組合輸出中個(gè)別像素的特性減去所述標(biāo)準(zhǔn)參 考圖像中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;產(chǎn)生所述差值及對(duì)應(yīng)于大體上所述相同 位置的所述中值強(qiáng)度的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。34.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中檢測(cè)所述缺陷包括:基于由所述檢驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)所 述晶片上的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片產(chǎn)生的所述輸出，依據(jù)裸片內(nèi)位置來(lái)確定中值強(qiáng)度;通過(guò) 從所述晶片上的測(cè)試裸片的所述輸出中個(gè)別像素的所述特性減去所述晶片上的參考裸片 的所述輸出中個(gè)別像素的對(duì)應(yīng)像素的特性來(lái)確定差值;將所述測(cè)試裸片的所述輸出中的所 述像素分為從所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像確定的分段;針對(duì)所述分段中的至少一者產(chǎn)生所述差值及 對(duì)應(yīng)于大體上所述相同位置的所述至少一個(gè)分段中的所述中值強(qiáng)度的二維散布圖；以及基于所述二維散布圖來(lái)檢測(cè)所述缺陷。35.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述分類(lèi)基于所述一或多個(gè)經(jīng)確定的屬性、基于 對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的測(cè)試圖像的部分而針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者 所確定的一或多個(gè)其它屬性，以及基于對(duì)應(yīng)于所述缺陷中的所述至少一者的差圖像的部分 而針對(duì)所述缺陷中的所述至少一者所確定的一或多個(gè)額外屬性。36.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置用于針對(duì)所述 晶片上的單個(gè)裸片產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，且其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像不用于所述晶片上的 其它裸片。37.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置用于通過(guò)以下 步驟來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像:確定所述晶片上的裸片的參考圖像中的一或多個(gè)幀圖像的 一或多個(gè)第一直方圖；從由所述檢驗(yàn)子系統(tǒng)產(chǎn)生的所述輸出來(lái)確定針對(duì)所述晶片產(chǎn)生的中 值圖像中的一或多個(gè)幀圖像的一或多個(gè)第二直方圖；修改所述一或多個(gè)第二直方圖使得所 述一或多個(gè)第二直方圖大體上匹配所述一或多個(gè)第一直方圖；以及基于所述一或多個(gè)經(jīng)修 改的第二直方圖產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述參考圖像是所述晶片上的單個(gè)裸片的圖像。39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述參考圖像是所述晶片上的多個(gè)裸片的復(fù)合圖像。40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中檢測(cè)所述缺陷包括基于所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像，將所 述晶片的測(cè)試圖像的不同部分指派給不同分段，且其中針對(duì)所述不同分段執(zhí)行的所述檢測(cè) 的一或多個(gè)參數(shù)是不同的。41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中確定所述一或多個(gè)第一直方圖包括產(chǎn)生用于所 述一或多個(gè)第一直方圖的數(shù)據(jù)，且其中修改所述一或多個(gè)第二直方圖是以少于經(jīng)產(chǎn)生用于 所述一或多個(gè)第一直方圖的所述數(shù)據(jù)的全部來(lái)執(zhí)行。42.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像是晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。43.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像是由掃描電子顯微鏡產(chǎn)生用 于所述晶片的晶片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的圖像。44.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置用于通過(guò)以下 步驟來(lái)產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像:使多個(gè)圖像以子像素精確度彼此對(duì)準(zhǔn)；以及從所述經(jīng)對(duì)準(zhǔn) 的多個(gè)圖像產(chǎn)生所述標(biāo)準(zhǔn)參考圖像。45.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中檢測(cè)所述缺陷包括:使多個(gè)圖像以子像素精確度 彼此對(duì)準(zhǔn)；以及基于所述經(jīng)對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)圖像來(lái)檢測(cè)所述缺陷。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK105960702SQ201580007405
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2015年2月5日
【發(fā)明人】L·高, A·雷-喬杜里, R·巴布爾納特
【申請(qǐng)人】科磊股份有限公司