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基板塑封體減薄方法

文檔序號:10614449閱讀:693來源:國知局
基板塑封體減薄方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基板塑封體減薄方法,其特征是,包括以下步驟:(1)準(zhǔn)備一中間具有鏤空區(qū)域的載板,鏤空區(qū)域能夠?qū)⒒逅芊怏w嵌入;(2)準(zhǔn)備好需要進(jìn)行減薄的基板塑封體;(3)在載板背面貼附一層減薄膠帶,并將待減薄的基板塑封體放置于載板的鏤空區(qū)域;(4)將步驟(3)得到的載板固定于晶圓減薄機(jī)器的平臺上,對基板塑封體進(jìn)行減薄至所需厚度;(5)經(jīng)步驟(4)減薄后,將載板由平臺上取下;(6)將減薄膠帶和載板取下,得到所需厚度的基板塑封體。所述載板的厚度小于基板塑封體減薄后的厚度。本發(fā)明一方面可實(shí)現(xiàn)不需模具投入即可實(shí)現(xiàn)不同塑封體厚度的要求,另一方面,可實(shí)現(xiàn)超薄基板塑封體厚度的要求。
【專利說明】
基板塑封體減薄方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種基板塑封體減薄方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,集成電路的特征尺寸不斷縮小,集成電路芯片封裝的尺寸也在朝著輕、小、薄的方向發(fā)展。目前影響芯片封裝尺寸主要有基板和塑封體兩個(gè)部分。 塑封體的厚度直接影響成品的厚度要求。
[0003]塑封體的厚度主要受兩方面的影響。第一、模具厚度,鑒于塑封模具的投入為半導(dǎo)體封裝新產(chǎn)品投入的治具的主要部分,單個(gè)模具的價(jià)格在幾十萬人民幣左右;故一般封裝工廠會選擇一模多用,盡量會開發(fā)可滿足多種產(chǎn)品需求的模具,制約了超薄塑封體開發(fā)的空間。第二,基板塑封料選擇,基板塑封料成分主要為環(huán)氧樹脂膠和填充物組成,正常填充物的顆粒尺寸在30um?70um之間;產(chǎn)品塑封需保證芯片表面到模具表面之間塑封料流動填充的空間。故目前塑封體厚度選擇比較受局限性,無法做到塑封體薄型化的需求。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和發(fā)明名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊,而這種簡化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
[0005]鑒于上述和/或現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝中存在的塑封體無法薄型化的問題,提出了本發(fā)明。
[0006]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種基板塑封體減薄方法,一方面可實(shí)現(xiàn)不需模具投入即可實(shí)現(xiàn)不同塑封體厚度的要求,另一方面,可實(shí)現(xiàn)超薄基板塑封體厚度的要求。
[0007]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述基板塑封體減薄方法,其特征是,包括以下步驟:(1)準(zhǔn)備一中間具有鏤空區(qū)域的載板,鏤空區(qū)域能夠?qū)⒒逅芊怏w嵌入;(2)準(zhǔn)備好需要進(jìn)行減薄的基板塑封體;(3)在載板背面貼附一層減薄膠帶,并將待減薄的基板塑封體放置于載板的鏤空區(qū)域;(4)將步驟(3)得到的載板(1)固定于晶圓減薄機(jī)器的平臺(5)上,晶圓減薄機(jī)器的研磨輪對載板(1)上的基板塑封體(4)進(jìn)行減薄至所需厚度;(5)經(jīng)步驟(4)減薄后,將載板由平臺上取下;(6)將減薄膠帶和載板取下,得到所需厚度的基板塑封體。
[0008]進(jìn)一步的,所述鏤空區(qū)域的尺寸大于基板塑封體的尺寸。
[0009]進(jìn)一步的,所述步驟中通過UV曝光設(shè)備照射減薄膠帶后,將減薄膠帶和載板取下。 [〇〇1〇]進(jìn)一步的,所述載板的厚度小于基板塑封體減薄后的厚度。
[0011]本發(fā)明利用傳統(tǒng)晶圓減薄設(shè)備,通過特殊的載板將基板塑封體嵌入載板中,進(jìn)行基板塑封體背面減薄。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)在不新增投入塑封模具的情況下,可獲得不同塑封厚度及超薄塑封體厚度的要求?!靖綀D說明】
[0012]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:圖1為所述載板的示意圖。
[0013]圖2為圖1的俯視圖。[〇〇14]圖3為在載板、減薄膠帶和基板塑封體的位置示意圖。
[0015]圖4為圖3的俯視圖。
[0016]圖5為載板放置于晶圓減薄機(jī)器的平臺上的示意圖。
[0017]圖6為基板塑封體減薄后由平臺上取下的示意圖。
[0018]圖7為UV曝光設(shè)備照射減薄膠帶的示意圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合具體附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說明。
[0020]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣,因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0021]其次,本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí),為便于說明,表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是示例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)施制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0022]本發(fā)明所述基板塑封體減薄方法,包括以下步驟:(1)如圖1、圖2所示,準(zhǔn)備一中間具有鏤空區(qū)域2的載板1,鏤空區(qū)域2大小大于需減薄的基板塑封體的大?。?2)準(zhǔn)備好需要進(jìn)行減薄的基板塑封體;(3)如圖3、圖4所示,在載板1背面貼附一層高黏性的減薄膠帶3,并將待減薄的基板塑封體4放置于載板1的鏤空區(qū)域2;(4)如圖5所示,將步驟(3)得到的載板1固定于晶圓減薄機(jī)器的平臺5上,按照現(xiàn)有技術(shù)中晶圓減薄機(jī)器的減薄方法,晶圓減薄機(jī)器的研磨輪對載板(1)上的基板塑封體(4)進(jìn)行減薄至所需厚度;(5)如圖6所示,將步驟⑷減薄后基板塑封體4得到所需厚度,將載板1由平臺5上取下;(6)如圖7所示,通過UV曝光設(shè)備照射減薄膠帶3后,將減薄膠帶3和載板1取下,得到所需厚度的基板塑封體。
[0023]上述所涉及的載板的厚度小于基板塑封體減薄后的厚度。
[0024]本發(fā)明利用傳統(tǒng)晶圓減薄設(shè)備,通過特殊的載板將基板塑封體嵌入載板中,進(jìn)行基板塑封體背面減薄。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)在不新增投入塑封模具的情況下,可獲得不同塑封厚度及超薄塑封體厚度的要求。
[0025]應(yīng)說明的是,以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制,盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍,其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板塑封體減薄方法,其特征是,包括以下步驟:(1)準(zhǔn)備一中間具有鏤空區(qū)域(2)的載板(1),鏤空區(qū)域(2)能夠?qū)⒒逅芊怏w(4)嵌入;(2)準(zhǔn)備好需要進(jìn)行減薄的基板塑封體;(3)在載板(1)背面貼附一層減薄膠帶(3),并將待減薄的基板塑封體(4)放置于載板 (1)的鏤空區(qū)域(2);(4)將步驟(3)得到的載板(1)固定于晶圓減薄機(jī)器的平臺(5)上,晶圓減薄機(jī)器的研磨 輪對載板(1)上的基板塑封體(4)進(jìn)行減薄至所需厚度;(5)經(jīng)步驟(4)減薄后,將載板(1)由平臺(5)上取下;(6)將減薄膠帶(3)和載板(1)取下,得到所需厚度的基板塑封體。2.如權(quán)利要求1所述的基板塑封體減薄方法,其特征是:所述鏤空區(qū)域(2)的尺寸大于 基板塑封體(4)的尺寸。3.如權(quán)利要求1所述的基板塑封體減薄方法,其特征是:所述步驟中通過UV曝光設(shè)備照 射減薄膠帶(3)后,將減薄膠帶(3)和載板(1)取下。4.如權(quán)利要求1所述的基板塑封體減薄方法,其特征是:所述載板的厚度小于基板塑封 體減薄后的厚度。
【文檔編號】H01L21/48GK105977168SQ201610567921
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月18日
【發(fā)明人】金國慶
【申請人】華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
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