一種抗單粒子瞬態(tài)加固soi器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開了一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，包括襯底、埋氧層、半導(dǎo)體體區(qū)、漏區(qū)、源區(qū)、柵區(qū)、柵側(cè)墻、LDD區(qū)和重?fù)诫s的源延伸區(qū)，所述埋氧層位于襯底之上，所述半導(dǎo)體體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)位于埋氧層之上，并且半導(dǎo)體體區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，所述LDD區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)的兩側(cè)頂端并分別與源區(qū)和漏區(qū)接觸，所述柵區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)之上，所述兩個(gè)柵側(cè)墻分別位于柵區(qū)的兩側(cè)并在LDD區(qū)之上，所述源延伸區(qū)位于源區(qū)、半導(dǎo)體體區(qū)和埋氧層之間，所述源延伸區(qū)的摻雜類型與源區(qū)的摻雜類型相反，本發(fā)明還公開了其制備方法。本發(fā)明有效抑制單粒子輻射引起的SOI器件單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子瞬態(tài)效應(yīng)，工藝流程簡(jiǎn)單且與現(xiàn)有的工藝技術(shù)兼容。
【專利說明】
一種抗單粒子瞬態(tài)加固SO I器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]SOI(Silicon-on-1nsulator)技術(shù)是指在絕緣層上形成具有一定厚度的單晶半導(dǎo)體硅薄膜層的材料制備技術(shù)及在薄膜層上制造半導(dǎo)體器件的工藝技術(shù)。SOI技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)器件的全介質(zhì)隔離，與用PN結(jié)隔離的體硅技術(shù)相比，具有無閂鎖、高速度、低功耗、高集成度、耐高溫、抗輻照能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用在高速、低功耗、抗輻照電路中。
[0003]根據(jù)SOI硅膜厚度以及器件的摻雜濃度和工作電壓可以將SOI器件分為兩大類:部分耗盡型和全耗盡型器件。對(duì)于硅膜較厚的SOI器件，硅膜的厚度大于兩倍的最大耗盡層寬度，被稱為部分耗盡SOI器件;對(duì)于硅膜較薄的SOI器件，硅膜的厚度小于最大耗盡層寬度，被稱為全耗盡SOI器件。部分耗盡器件的制備工藝很容易從體硅工藝迀移，工藝的復(fù)雜度較低，且襯底價(jià)格相對(duì)便宜；而全耗盡器件的制備工藝需要重新開發(fā)，工藝較為復(fù)雜，且襯底價(jià)格相對(duì)昂貴。雖然全耗盡器件擁有更優(yōu)異的亞閾值擺幅、關(guān)態(tài)漏電和浮體效應(yīng)，但是卻受到價(jià)格成本、工藝難度的制約，因此部分耗盡SOI技術(shù)得到更為廣泛的應(yīng)用。
[0004]由于SOI工藝MOS器件是在埋氧層上方形成的，與體硅相比，減小了形成單粒子瞬態(tài)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的敏感體積，增強(qiáng)了抗單粒子效應(yīng)的能力。但是，部分耗盡SOI器件的中性體區(qū)沒有和體硅器件一樣接地，因此其電位是不確定的，容易受到柵隧穿電流、碰撞離化、輻照等效應(yīng)的影響。同時(shí)源-體-漏也形成了寄生的雙極晶體管，在高能粒子入射時(shí)寄生雙極晶體管處于放大模式，這使得漏區(qū)收集到的電荷量遠(yuǎn)大于高能粒子引入的電荷量，部分耗盡SOI器件更容易發(fā)生單粒子瞬態(tài)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。
[0005]目前國內(nèi)外對(duì)部分耗盡SOI器件的單粒子效應(yīng)加固主要采用兩種方式:1、采用工藝加固手段，比如在體區(qū)中注入氮、氟等雜質(zhì)元素，這些雜質(zhì)元素形成復(fù)合中心，降低了體區(qū)中少數(shù)載流子的壽命，從而降低了寄生雙極晶體管的放大倍數(shù)。這種方式需要引入氮、氟元素，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)硅工藝帶來了沾污;2、采用特殊的SOI器件結(jié)構(gòu)。在源區(qū)下方形成SiGe區(qū)域，通過能帶工程使得體區(qū)中的少數(shù)載流子更容易通過禁帶寬度更窄的SiGe結(jié)。這種方式也需要引入額外的Ge元素，且SiGe結(jié)的結(jié)深很難控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于為解決上述問題而提供一種可以有效抑制單粒子輻射引起的SOI器件單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子瞬態(tài)效應(yīng)，工藝流程簡(jiǎn)單且與現(xiàn)有的工藝技術(shù)兼容，沒有雜質(zhì)引入的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件及其制備方法。
[0007]為此，本發(fā)明公開了一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，包括襯底、埋氧層、半導(dǎo)體體區(qū)、漏區(qū)、源區(qū)、柵區(qū)、柵側(cè)墻、LDD區(qū)和重?fù)诫s的源延伸區(qū)，所述埋氧層位于襯底之上，所述半導(dǎo)體體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)位于埋氧層之上，并且半導(dǎo)體體區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，所述LDD區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)的兩側(cè)頂端并分別與源區(qū)和漏區(qū)接觸，所述柵區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)之上，兩個(gè)柵側(cè)墻分別位于柵區(qū)的兩側(cè)并在LDD區(qū)之上，所述源延伸區(qū)同時(shí)接觸源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)，并位于源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)與埋氧層之間，所述源延伸區(qū)的摻雜類型與源區(qū)的摻雜類型相反。
[0008]進(jìn)一步的，所述埋氧層在對(duì)應(yīng)至少部分源區(qū)和至少部分源區(qū)半導(dǎo)體體區(qū)的的位置形成具有用于填充設(shè)置源延伸區(qū)的凹陷區(qū)域，所述源延伸區(qū)填充設(shè)置在該凹陷區(qū)域。
[0009]進(jìn)一步的，所述源延伸區(qū)位于全部源區(qū)的下方以及部分半導(dǎo)體體區(qū)的下方。
[0010]進(jìn)一步的，所述源延伸區(qū)的半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體體區(qū)的材料相同。
[0011]本發(fā)明還公開一種如上所述的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法，包括如下步驟:
Al，準(zhǔn)備SOI基片，包括襯底、埋氧層和頂層區(qū)；
A2，在頂層區(qū)形成淺溝槽隔離；
A3，制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)，以及制備柵區(qū)、LDD區(qū)、柵側(cè)墻、半導(dǎo)體體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)，使源延伸區(qū)同時(shí)接觸源區(qū)、半導(dǎo)體體區(qū)，并位于源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)與埋氧層之間，使源延伸區(qū)的摻雜類型與源區(qū)的摻雜類型相反。
[0012]進(jìn)一步的，所述步驟A3中制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)包括:在埋氧層對(duì)應(yīng)至少部分源區(qū)和至少部分源區(qū)半導(dǎo)體體區(qū)的的位置形成具有用于填充設(shè)置源延伸區(qū)的凹陷區(qū)域，所述源延伸區(qū)填充設(shè)置在該凹陷區(qū)域，在該凹陷區(qū)域制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)。
[0013]進(jìn)一步的，所述步驟A3中，源延伸區(qū)的半導(dǎo)體材料與頂層區(qū)的半導(dǎo)體材料相同。
[0014]本發(fā)明的有益技術(shù)效果:
本發(fā)明引入重?fù)诫s的源延伸區(qū)，其與同樣是重?fù)诫s但摻雜類型相反的源區(qū)形成隧穿二極管，在單粒子輻射環(huán)境下體區(qū)產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì)，電子被漏區(qū)收集而空穴則更容易通過隧穿二極管流到源區(qū)，降低了體區(qū)的電勢(shì)，從而抑制了源-體-漏寄生雙極晶體管的放大作用，使得漏區(qū)收集到的電子數(shù)量大大減少，有效的抑制了單粒子輻射引起的SOI器件單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子瞬態(tài)效應(yīng)，無需引入其它元素雜質(zhì)，不會(huì)對(duì)硅標(biāo)準(zhǔn)工藝帶來玷污，工藝流程簡(jiǎn)單且與現(xiàn)有的工藝技術(shù)兼容。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的SOI基片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例的形成溝槽后淀積氧化物形成淺槽隔離的剖面示意圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例的刻蝕頂層硅和部分埋氧層并進(jìn)行單晶硅淀積和重?fù)诫s注入形成源延伸區(qū)的剖面示意圖；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例的淀積柵氧化層和多晶硅、刻蝕出柵區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)行輕摻雜形成LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)行側(cè)墻淀積與刻蝕和重?fù)诫s形成源漏區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本發(fā)明實(shí)施例的淀積電極材料并刻蝕出源極、柵極、漏極接觸的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8a為本發(fā)明實(shí)施例的普通部分耗盡SOI器件結(jié)構(gòu)剖面圖；
圖Sb為本發(fā)明實(shí)施例的本發(fā)明實(shí)例抗輻射SOI器件結(jié)構(gòu)剖面圖；
圖9為本發(fā)明實(shí)施例的三種部分耗盡SOI器件結(jié)構(gòu)單粒子瞬態(tài)響應(yīng)結(jié)果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0017]如圖7所示，一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，包括襯底1、埋氧層2、半導(dǎo)體體區(qū)3、漏區(qū)9、源區(qū)10、柵區(qū)、柵側(cè)墻11、LDD區(qū)7和重?fù)诫s的源延伸區(qū)8，埋氧層2位于襯底I之上，埋氧層2的材料為二氧化硅，所述半導(dǎo)體體區(qū)3、源區(qū)10和漏區(qū)9位于埋氧層2之上，并且半導(dǎo)體體區(qū)3位于源區(qū)10和漏區(qū)9之間，所述LDD區(qū)7位于半導(dǎo)體體區(qū)3的兩側(cè)頂端并分別與源區(qū)10和漏區(qū)9接觸，所述柵區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)3之上，柵區(qū)包括柵介質(zhì)薄層6和柵電極5，柵介質(zhì)薄層6的材料為二氧化硅，柵電極5的材料為多晶硅，兩個(gè)柵側(cè)墻11分別位于柵區(qū)的兩側(cè)并在LDD區(qū)7之上，所述源延伸區(qū)8同時(shí)接觸源區(qū)10和半導(dǎo)體體區(qū)3，并位于源區(qū)10和半導(dǎo)體體區(qū)3與埋氧層2之間，所述源延伸區(qū)8的摻雜類型與源區(qū)10的摻雜類型相反，本具體實(shí)施例中，源延伸區(qū)8的半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體體區(qū)3的材料相同，埋氧層2在對(duì)應(yīng)至少部分源區(qū)10和至少部分源區(qū)半導(dǎo)體體區(qū)3的位置形成具有用于填充設(shè)置源延伸區(qū)8的凹陷區(qū)域，所述源延伸區(qū)8填充設(shè)置在該凹陷區(qū)域，并與埋氧層2的上表面平齊，當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，源延伸區(qū)8也可以位于埋氧層2上方。源延伸區(qū)8位于全部源區(qū)10的下方以及部分半導(dǎo)體體區(qū)3的下方，在其它實(shí)施中，源延伸區(qū)8可以位于全部源區(qū)10的下方以及全部半導(dǎo)體體區(qū)3的下方或部分源區(qū)10的下方以及部分半導(dǎo)體體區(qū)3的下方等。
[0018]本發(fā)明通過引入重?fù)诫s的源延伸區(qū)8，與同樣是重?fù)诫s的源區(qū)10形成隧穿二極管，在單粒子輻射環(huán)境下半導(dǎo)體體區(qū)3產(chǎn)生大量的電子空穴對(duì)，電子被漏區(qū)9收集而空穴則更容易通過隧穿二極管流到源區(qū)10，這是因?yàn)樗泶┒O管的導(dǎo)通電壓較低。對(duì)于部分耗盡SOI器件，半導(dǎo)體體區(qū)3中積累的空穴被釋放到源區(qū)10中，降低了半導(dǎo)體體區(qū)3的電勢(shì)，從而抑制了源-體-漏寄生雙極晶體管的放大作用，使得漏區(qū)9收集到的電子數(shù)量大大減少，有效的抑制了單粒子輻射引起的SOI器件單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子瞬態(tài)效應(yīng)。另外，由于源延伸區(qū)8位于半導(dǎo)體體區(qū)3下方，增加了少數(shù)載流子的釋放途徑，與隧穿二極管僅存在于源極下方的結(jié)構(gòu)相比，少數(shù)載流子的釋放時(shí)間更短，半導(dǎo)體體區(qū)3的電勢(shì)更加穩(wěn)定。穩(wěn)定的半導(dǎo)體體區(qū)電勢(shì)使得源-體結(jié)二極管不會(huì)處于正向偏置，這也意味著寄生的源-體-漏雙極晶體管不會(huì)處于放大模式，因此寄生晶體管的放大效應(yīng)得到有效的抑制。
[0019]下面將以匪OS器件為例來說明上述實(shí)施例的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法，包括如下步驟:
Al，準(zhǔn)備部分耗盡SOI基片，如圖1所示，包括P型頂層硅膜31、二氧化硅材料的埋氧層2和半導(dǎo)體襯底I。
[0020]A2，進(jìn)行第一次光刻，形成有源區(qū)3，刻蝕有源區(qū)3以外的頂層硅膜31，以埋氧層2為刻蝕阻擋層將有源區(qū)3以外的頂層硅膜31完全刻蝕掉，進(jìn)行氧化物(本具體實(shí)施例中為二氧化硅)的淀積，填充刻蝕形成的溝槽，形成淺溝槽隔離4，如圖2所示。
[0021]A31，進(jìn)行第二次光刻，刻蝕有源區(qū)3的頂層硅膜31和20nm深度的埋氧層2，刻蝕的寬度為120nm，淀積單晶硅材料填充所刻蝕出的溝槽至于頂層硅膜31相同高度，利用硼離子注入進(jìn)行重?fù)诫s，控制離子注入的能量和劑量，使得埋氧層2溝槽中的單晶硅形成重?fù)诫s區(qū)，做為源延伸區(qū)8，如圖3所示。
[0022]A32，淀積一層1.2nm厚的二氧化娃的薄柵介質(zhì)和130nm高的多晶娃的柵電極材料后，進(jìn)行第三次光刻，形成包括柵介質(zhì)6和柵電極5的柵區(qū)，如圖4所示。
[0023]A33，利用砷或磷采用低能量的離子注入，形成輕摻雜的LDD區(qū)7，如圖5所示。
[0024]A34，淀積一層二氧化硅和氮化硅的柵側(cè)墻材料后，利用第三次光刻的光刻版，進(jìn)行光刻對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行光刻，形成柵側(cè)墻11，再次進(jìn)行砷或磷離子注入進(jìn)行器件源區(qū)10和漏區(qū)9的重?fù)诫s注入后，進(jìn)行快速熱退火激活雜質(zhì)后形成器件的源區(qū)10和漏區(qū)9，如圖6所示，源區(qū)10和漏區(qū)9之間的有源區(qū)3即為半導(dǎo)體體區(qū)。
[0025]A35，進(jìn)行柵、源、漏電極接觸部的淀積和刻蝕，形成柵、源、漏電極接觸部，如圖7所不O
[0026]對(duì)于其它實(shí)施例結(jié)構(gòu)的的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法可以參照上述制備方法，此不再細(xì)說。
?0027] 下面使用synopsis公司的仿真工具Sentaurus TCAD對(duì)本發(fā)明提出的抗單粒子瞬態(tài)福射部分耗盡SOI器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證。首先使用Sentaurus TCAD中的工藝仿真工具Sprocess基于器件的實(shí)際制備工藝流程來生成部分耗盡SOI工藝的NMOS器件的結(jié)構(gòu)和摻雜分布，如圖8所示，圖8a為普通部分耗盡SOI器件結(jié)構(gòu)剖面圖；圖Sb為本發(fā)明實(shí)施例的抗輻射SOI器件結(jié)構(gòu)剖面圖。利用Sentaurus TCAD工具中Sdevice工具進(jìn)行器件仿真，其中柵極、源極和漏極偏置在零電勢(shì)，而漏極的偏壓為VDD(1.2V)，入射粒子的能量值LET為0.01 pC/μπι，入射方向垂直于器件表面從上到下，入射的位置位于器件漏區(qū)的中間。當(dāng)粒子入射后會(huì)在徑跡上產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)，電子被漏電極吸收空穴由于擴(kuò)散作用流向中性的體區(qū)，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的開啟。圖9左側(cè)縱坐標(biāo)展示了三種不同器件結(jié)構(gòu)的漏極電流隨入射時(shí)間的變化關(guān)系，右側(cè)縱坐標(biāo)為漏電流對(duì)時(shí)間的積分表示的是漏極吸收的電荷量。其中結(jié)構(gòu)I為沒有體接觸的部分耗盡SOI器件、結(jié)構(gòu)2為利用SiGe材料進(jìn)行體接觸的部分耗盡SOI器件、結(jié)構(gòu)3為本發(fā)明的部分耗盡SOI器件。從圖9可以看出，本發(fā)明的器件結(jié)構(gòu)能夠大幅度的抑制漏電流的大小，特別是漏電流的峰值大大減??；同時(shí)漏電極收集到的電子電量與無體接觸、SiGe體接觸的器件結(jié)構(gòu)相比也大大的減少，雙極放大倍數(shù)僅為0.8倍。因此可以得出結(jié)論:本發(fā)明所提出的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件能夠有效的抑制的寄生雙極晶體管的開啟，減小漏端收集到的電荷，提高其抗單粒子能力。
[0028]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，包括襯底、埋氧層、半導(dǎo)體體區(qū)、漏區(qū)、源區(qū)、柵區(qū)、柵側(cè)墻和LDD區(qū)，所述埋氧層位于襯底之上，所述半導(dǎo)體體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)位于埋氧層之上，并且半導(dǎo)體體區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，所述LDD區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)的兩側(cè)頂端并分別與源區(qū)和漏區(qū)接觸，所述柵區(qū)位于半導(dǎo)體體區(qū)之上，兩個(gè)柵側(cè)墻分別位于柵區(qū)的兩側(cè)并在LDD區(qū)之上，其特征在于:還包括重?fù)诫s的源延伸區(qū)，所述源延伸區(qū)同時(shí)接觸源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)，并位于源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)與埋氧層之間，所述源延伸區(qū)的摻雜類型與源區(qū)的摻雜類型相反。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，其特征在于:所述埋氧層在對(duì)應(yīng)至少部分源區(qū)和至少部分源區(qū)半導(dǎo)體體區(qū)的的位置形成具有用于填充設(shè)置源延伸區(qū)的凹陷區(qū)域，所述源延伸區(qū)填充設(shè)置在該凹陷區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，其特征在于:所述源延伸區(qū)位于全部源區(qū)的下方以及部分半導(dǎo)體體區(qū)的下方。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件，其特征在于:所述源延伸區(qū)的半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體體區(qū)的材料相同。5.—種如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法，其特征在于:包括如下步驟 Al，準(zhǔn)備SOI基片，包括襯底、埋氧層和頂層區(qū)； A2，在頂層區(qū)形成淺溝槽隔離； A3，制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)，以及制備柵區(qū)、LDD區(qū)、柵側(cè)墻、半導(dǎo)體體區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)，使源延伸區(qū)同時(shí)接觸源區(qū)、半導(dǎo)體體區(qū)，并位于源區(qū)和半導(dǎo)體體區(qū)與埋氧層之間，使源延伸區(qū)的摻雜類型與源區(qū)的摻雜類型相反。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法，其特征在于:所述步驟A3中制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)包括:在埋氧層對(duì)應(yīng)至少部分源區(qū)和至少部分源區(qū)半導(dǎo)體體區(qū)的位置形成具有用于填充設(shè)置源延伸區(qū)的凹陷區(qū)域，所述源延伸區(qū)填充設(shè)置在該凹陷區(qū)域，在該凹陷區(qū)域制備重?fù)诫s的源延伸區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗單粒子瞬態(tài)加固SOI器件的制備方法，其特征在于:所述步驟A3中，源延伸區(qū)的半導(dǎo)體材料與頂層區(qū)的半導(dǎo)體材料相同。
【文檔編號(hào)】H01L21/762GK105977196SQ201610391993
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年6月3日
【發(fā)明人】黃輝祥, 耿莉, 韋素芬, 唐凱, 袁占生, 徐文斌, 吳亮, 吳一亮, 邱邑亮, 鄭佳春
【申請(qǐng)人】集美大學(xué)