半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟。提供包括多數(shù)個(gè)區(qū)塊的基底。各區(qū)塊分別包括交替排列的第一區(qū)以及第二區(qū)。在基底上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合層。圖案化最頂層的復(fù)合層，以在基底的第一區(qū)上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合塊。依序?qū)^(qū)塊上的復(fù)合層以及復(fù)合塊進(jìn)行移除制作工藝，以在基底上形成階梯結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別是涉及一種具有階梯結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體元件的集成化，為了達(dá)到高密度以及高效能的目標(biāo)，在有限的單位面積內(nèi)，往三維空間發(fā)展已蔚為趨勢(shì)。以非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為例，其包括由多個(gè)存儲(chǔ)單元排列而成的垂直式存儲(chǔ)陣列(memory array)。上述三維半導(dǎo)體元件雖然使得單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)器容量增加，但也增加了不同層之間元件彼此連接的困難度。
[0003]近年來(lái)，在三維半導(dǎo)體元件中發(fā)展出具有階梯結(jié)構(gòu)的接墊。上述接墊可使位于每層的元件容易與其他元件進(jìn)行連接。然而，定義一層階梯例如是需經(jīng)由一次光刻及蝕刻制作工藝。隨著三維半導(dǎo)體元件的層數(shù)增加，定義多層階梯便需要經(jīng)由多次光刻及蝕刻制作工藝，如此一來(lái)不僅增加了制造成本，也嚴(yán)重影響產(chǎn)能。因此，如何簡(jiǎn)化三維半導(dǎo)體元件中階梯結(jié)構(gòu)的制作工藝，進(jìn)而降低制造成本，為當(dāng)前所需研究的課題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，可大幅度簡(jiǎn)化所需的光掩模數(shù)及制作工藝步驟。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟。提供包括多數(shù)個(gè)區(qū)塊的基底。各區(qū)塊分別包括交替排列的第一區(qū)以及第二區(qū)。在基底上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合層。圖案化最頂層的復(fù)合層，以在基底的第一區(qū)上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合塊。依序?qū)^(qū)塊上的復(fù)合層以及復(fù)合塊進(jìn)行移除制作工藝，以在基底上形成階梯結(jié)構(gòu)。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述依序?qū)^(qū)塊上的復(fù)合層以及復(fù)合塊進(jìn)行移除制作工藝的方法包括以下步驟。在基底上形成光致抗蝕劑層，光致抗蝕劑層覆蓋一個(gè)區(qū)塊上的復(fù)合層以及復(fù)合塊。移除未被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層以及復(fù)合塊，以在基底上形成階梯結(jié)構(gòu)。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括以下步驟。重復(fù)進(jìn)行移除制作工藝，其中每重復(fù)一次移除制作工藝，光致抗蝕劑層多覆蓋一個(gè)區(qū)塊上的復(fù)合層。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述復(fù)合層為N層，進(jìn)行移除制作工藝的次數(shù)至少為 N/2-1次，N蘭2且N為偶數(shù)。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述復(fù)合層為N層，進(jìn)行移除制作工藝的次數(shù)至少為 (N+1) /2-1次，N蘭2且N為奇數(shù)。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層的層數(shù)較前一次被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層的層數(shù)多兩層。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除未被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層的方法包括同時(shí)移除兩層復(fù)合層。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述移除未被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層以及復(fù)合塊的方法包括同時(shí)移除各復(fù)合塊以及位于各復(fù)合塊下方的復(fù)合層。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述在基底的第一區(qū)上形成復(fù)合塊的方法包括以下步驟。在第一區(qū)的復(fù)合層上形成掩模層。移除未被掩模層覆蓋的部分最頂層的復(fù)合層。移除掩模層，以在基底的第一區(qū)上形成復(fù)合塊。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述復(fù)合層為N層，進(jìn)行移除制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為N/2-1個(gè)，其中N32且N為偶數(shù)。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述復(fù)合層為N層，進(jìn)行移除制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為(N+D/2-1個(gè)，其中N蘭2且N為奇數(shù)。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述復(fù)合層包括導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、介電層或其組合。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述各復(fù)合層包括導(dǎo)體層以及介電層，且相鄰兩個(gè)復(fù)合層中的導(dǎo)體層通過(guò)介電層電性隔離。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述階梯結(jié)構(gòu)包括多數(shù)個(gè)裸露表面，各裸露表面暴露部分介電層。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述階梯結(jié)構(gòu)包括多數(shù)階，各階的寬度與基底的各第一區(qū)的寬度相等。
[0020]基于上述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，通過(guò)預(yù)先圖案化最頂層的復(fù)合層，以將掩模層的圖案轉(zhuǎn)移至最頂層的復(fù)合層。并且，在后續(xù)進(jìn)行的光刻及蝕刻制作工藝中，經(jīng)由一道光掩模搭配蝕刻兩層復(fù)合層的模式來(lái)形成階梯結(jié)構(gòu)。如此一來(lái)，與現(xiàn)有的制作工藝相比，在制造相同層數(shù)的階梯結(jié)構(gòu)時(shí)，本發(fā)明的光刻及蝕刻制作工藝的次數(shù)僅需上述層數(shù)的一半，大幅簡(jiǎn)化階梯結(jié)構(gòu)的制作工藝，進(jìn)而達(dá)到降低制造成本及提升產(chǎn)能的目標(biāo)。
[0021]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附的附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A至圖1M為本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造流程剖視圖。
[0023]符號(hào)說(shuō)明
[0024]10:基底
[0025]12、14:材料層
[0026]16:復(fù)合層
[0027]18:復(fù)合塊
[0028]19:移除部分
[0029]22:掩模層[〇〇3〇] 24、26、28:光致抗蝕劑層
[0031]100:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0032]102、104、106:階梯結(jié)構(gòu)
[0033]B、B1、B2、B3、B4:區(qū)塊
[0034]S:裸露表面
[0035]1:第一區(qū)
[0036]I1:第二區(qū)【具體實(shí)施方式】
[0037]圖1A至圖1M是依照本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造流程剖視圖。
[0038]請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供基底10?；?0例如是硅基底或經(jīng)摻雜的多晶硅。此基底10 例如可區(qū)分為多個(gè)區(qū)塊B，各個(gè)區(qū)塊B分別包括第一區(qū)I以及第二區(qū)II，而且第一區(qū)I以及第二區(qū)II相互交替排列。亦即，基底10包括相互交替的多數(shù)個(gè)第一區(qū)I以及多數(shù)個(gè)第二區(qū)II。
[0039]之后，在基底10上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合層16。形成復(fù)合層16的方法例如是化學(xué)氣相沉積法。復(fù)合層16例如是包括兩層或兩層以上的材料層12、14。材料層12、14可包括導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、介電層或其組合。在一實(shí)施例中，復(fù)合層16例如是包括導(dǎo)體層以及介電層， 且相鄰兩個(gè)復(fù)合層16中的導(dǎo)體層可通過(guò)介電層電性隔離。在另一實(shí)施例中，復(fù)合層16也可以是包括兩層介電層，例如是氮化層及氧化層，但本發(fā)明不以此為限。復(fù)合層16的層例如是N層，其中N 3 2，N可為奇數(shù)或偶數(shù)。舉例而言，復(fù)合層16的層數(shù)可以是四層、八層或更多層。圖1A中以八層復(fù)合層16為舉例說(shuō)明，不用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者可依所需自行調(diào)整復(fù)合層16的層數(shù)。
[0040]請(qǐng)參照?qǐng)D1B，接著，在基底10的第一區(qū)I的復(fù)合層16上形成掩模層22。掩模層 22的材質(zhì)例如是光致抗蝕劑。
[0041]請(qǐng)參照?qǐng)D1C及圖1D，以掩模層22為掩模，移除未被掩模層22覆蓋的部分最頂層的復(fù)合層16 (例如:位于第二區(qū)II上的最頂層的復(fù)合層16)，而圖案化最頂層的復(fù)合層16。 移除部分最頂層的復(fù)合層16的方法包括對(duì)基底10進(jìn)行蝕刻制作工藝。之后，移除掩模層 22,以分別于基底10的第一區(qū)I上形成復(fù)合塊18。
[0042]請(qǐng)參照?qǐng)D1E及圖1F，接著，依序?qū)^(qū)塊B上的復(fù)合層16以及復(fù)合塊18進(jìn)行移除制作工藝。進(jìn)行移除制作工藝的方法包括于基底10的區(qū)塊B1上形成光致抗蝕劑層24。光致抗蝕劑層24覆蓋位于區(qū)塊B1上的復(fù)合層16以及復(fù)合塊18。然后，對(duì)基底10進(jìn)行蝕刻制作工藝，以移除未被光致抗蝕劑層24覆蓋的部分復(fù)合層16以及復(fù)合塊18 (例如:位于區(qū)塊B2、B3、B4上的部分復(fù)合層16以及復(fù)合塊18,即移除部分19)。蝕刻制作工藝?yán)缡歉墒轿g刻制作工藝。上述移除未被光致抗蝕劑層24覆蓋的部分復(fù)合層16以及復(fù)合塊18的方法例如是包括同時(shí)移除未被光致抗蝕劑層24覆蓋的復(fù)合塊18以及位于復(fù)合塊18下方的部分復(fù)合層16。在一實(shí)施例中，移除未被光致抗蝕劑層24覆蓋的部分復(fù)合層16的方法包括同時(shí)移除兩層復(fù)合層16,但本發(fā)明不以此為限。
[0043]請(qǐng)參照?qǐng)D1G，移除光致抗蝕劑層24,以在基底10上形成階梯結(jié)構(gòu)102。階梯結(jié)構(gòu) 102包括多數(shù)階。舉例而言，圖1G中的階梯結(jié)構(gòu)102例如是包括四階，但本發(fā)明不以此為限。在一實(shí)施例中，各階的寬度例如是與基底10的第一區(qū)I的寬度相等?；蛘撸麟A的寬度例如是與復(fù)合塊18的寬度相等。另外，階梯結(jié)構(gòu)102例如是包括多數(shù)個(gè)裸露表面S。在一實(shí)施例中，各裸露表面S暴露部分材料層14 (如介電層)。
[0044]值得注意的是，當(dāng)復(fù)合層16的層數(shù)為四層時(shí)，也可以經(jīng)由上述制作工藝方法(如圖案化最頂層的復(fù)合層16以及進(jìn)行一次移除制作工藝)而形成四階的階梯結(jié)構(gòu)102。亦即，對(duì)四層復(fù)合層16進(jìn)行兩次光刻及蝕刻制作工藝，以形成四階的階梯結(jié)構(gòu)102。也就是說(shuō)，當(dāng)復(fù)合層16的層數(shù)為N層且N為偶數(shù)時(shí)，形成包括N階的階梯結(jié)構(gòu)所需的光刻及蝕刻制作工藝的次數(shù)至少為N/2次。此時(shí)，所需的光掩模個(gè)數(shù)至少為N/2個(gè)；當(dāng)N為奇數(shù)時(shí)，形成包括N階的階梯結(jié)構(gòu)所需的光刻及蝕刻制作工藝的次數(shù)至少為(N+l)/2次。此時(shí)，所需的光掩模個(gè)數(shù)至少為(N+1)/2個(gè)。
[0045]上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造方法包括形成四階的階梯結(jié)構(gòu)102。然而，此階數(shù)為舉例說(shuō)明，不用以限定本發(fā)明。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的方法可包括形成八階或更多階的階梯結(jié)構(gòu)。
[0046]值得注意的是，欲形成更多階的階梯結(jié)構(gòu)的方法包括重復(fù)進(jìn)行上述移除制作工藝。在一實(shí)施例中，每重復(fù)一次移除制作工藝，光致抗蝕劑層例如是多覆蓋一個(gè)區(qū)塊上的復(fù)合層。舉例而言，在每一次的移除制作工藝中，被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層的層數(shù)例如是較前一次的移除制作工藝中被光致抗蝕劑層覆蓋的復(fù)合層的層數(shù)多兩層，但本發(fā)明不以此為限。另外，在本實(shí)施例中，當(dāng)復(fù)合層為N層且N為偶數(shù)時(shí)，進(jìn)行移除制作工藝的次數(shù)例如是N/2-1次。換言之，進(jìn)行移除制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為N/2-1個(gè)。另外，當(dāng)N為奇數(shù)時(shí)，進(jìn)行移除制作工藝的次數(shù)例如是(N+1)/2-1次。換言之，進(jìn)行移除制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為(N+l)/2-l個(gè)。形成更多階的階梯結(jié)構(gòu)的方法如以下步驟所述。
[0047]請(qǐng)參照?qǐng)D1H及圖11，在階梯結(jié)構(gòu)102上形成光致抗蝕劑層26。在此實(shí)施例中，光致抗蝕劑層26例如是覆蓋位于區(qū)塊B1、B2上的復(fù)合層16。并且，被光致抗蝕劑層26覆蓋的復(fù)合層16的層數(shù)例如是較圖1E中被光致抗蝕劑層24覆蓋的復(fù)合層16的層數(shù)多兩層。 然后，移除未被光致抗蝕劑層26覆蓋的部分復(fù)合層16。移除的方法包括干式蝕刻法。在一實(shí)施例中，移除未被光致抗蝕劑層26覆蓋的部分復(fù)合層16的方法包括同時(shí)移除兩層復(fù)合層16 (即移除部分19)。
[0048]請(qǐng)參照?qǐng)D1J，移除光致抗蝕劑層26,以于基底10上形成階梯結(jié)構(gòu)104。第二階梯結(jié)構(gòu)104例如是包括六階，但本發(fā)明不以此為限。在一實(shí)施例中，階梯結(jié)構(gòu)104的階數(shù)較階梯結(jié)構(gòu)102多兩階。
[0049]請(qǐng)參照?qǐng)D1K及圖1L，在階梯結(jié)構(gòu)104上形成光致抗蝕劑層28。在此實(shí)施例中，光致抗蝕劑層28例如是覆蓋位于區(qū)塊Bl、B2、B3上的復(fù)合層16。并且，被光致抗蝕劑層28 覆蓋的復(fù)合層16的層數(shù)例如是較圖1H中被光致抗蝕劑層26覆蓋的復(fù)合層16的層數(shù)多兩層。然后，移除未被光致抗蝕劑層28覆蓋的部分復(fù)合層16。移除的方法包括干式蝕刻法。 在一實(shí)施例中，移除未被光致抗蝕劑層28覆蓋的部分復(fù)合層16的方法包括同時(shí)移除兩層復(fù)合層16 (即移除部分19)。
[0050]請(qǐng)參照?qǐng)D1M，移除光致抗蝕劑層28,以在基底10上形成階梯結(jié)構(gòu)106。階梯結(jié)構(gòu) 106包括多數(shù)階。舉例而言，圖1M中的階梯結(jié)構(gòu)106例如是包括八階。在一實(shí)施例中，各階的寬度例如是與基底10的第一區(qū)I的寬度相等?；蛘?，各階的寬度例如是與復(fù)合塊18的寬度相等。另外，階梯結(jié)構(gòu)106例如是包括多數(shù)個(gè)裸露表面S。在一實(shí)施例中，各裸露表面 S暴露部分材料層14 (如介電層)。
[0051]值得注意的是，在上述形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造方法中，具有八階的階梯結(jié)構(gòu) 106例如是由四次光刻及蝕刻制作工藝而形成。
[0052]后續(xù)制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的方法包括于階梯結(jié)構(gòu)106上形成接觸窗(未繪示)，進(jìn)而使位于階梯結(jié)構(gòu)106上每階的元件(如存儲(chǔ)單元)與其他元件(如字符線(xiàn)、位線(xiàn)等)進(jìn)行電連接。后續(xù)形成接觸窗及其他元件的方法應(yīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，在此不再加以贅述。
[0053]綜上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，通過(guò)預(yù)先圖案化最頂層的復(fù)合層，以將掩模層的圖案轉(zhuǎn)移至最頂層的復(fù)合層。并且，在后續(xù)進(jìn)行的光刻及蝕刻制作工藝中，經(jīng)由一道光掩模搭配蝕刻兩層復(fù)合層的模式來(lái)形成階梯結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)復(fù)合層的層數(shù)為 N層且N為偶數(shù)時(shí)，形成包括N階的階梯結(jié)構(gòu)所需的光刻及蝕刻制作工藝的次數(shù)為N/2次； 當(dāng)N為奇數(shù)時(shí)，形成包括N階的階梯結(jié)構(gòu)所需的光刻及蝕刻制作工藝的次數(shù)為(N+1) /2次。 如此一來(lái)，與現(xiàn)有的制作工藝相比，本發(fā)明可大幅簡(jiǎn)化階梯結(jié)構(gòu)的制作工藝，進(jìn)而達(dá)到降低制造成本及提升產(chǎn)能的目標(biāo)。
[0054]雖然結(jié)合以上實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:提供一基底，該基底包括多數(shù)個(gè)區(qū)塊，各該些區(qū)塊分別包括一第一區(qū)與一第二區(qū)，該些 第一區(qū)以及該些第二區(qū)交替排列；在該基底上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合層；圖案化最頂層的該復(fù)合層，以在該基底的該些第一區(qū)上形成多數(shù)個(gè)復(fù)合塊；以及依序?qū)υ撔﹨^(qū)塊上的該些復(fù)合層以及該些復(fù)合塊進(jìn)行一移除制作工藝，以在該基底上 形成一階梯結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中依序?qū)υ撔﹨^(qū)塊上的該些復(fù)合層 以及該些復(fù)合塊進(jìn)行該移除制作工藝的方法包括:在該基底上形成一光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層覆蓋一個(gè)區(qū)塊上的該些復(fù)合層以及 該復(fù)合塊；以及移除未被該光致抗蝕劑層覆蓋的該些復(fù)合層以及該些復(fù)合塊，以在該基底上形成該階 梯結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括重復(fù)進(jìn)行該移除制作工藝，其 中每重復(fù)一次該移除制作工藝，該光致抗蝕劑層多覆蓋一個(gè)區(qū)塊上的該些復(fù)合層。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些復(fù)合層為N層，進(jìn)行該些移除 制作工藝的次數(shù)為N/2-1次，N 3 2且N為偶數(shù)。5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些復(fù)合層為N層，進(jìn)行該些移除 制作工藝的次數(shù)為(N+1)/2-1次，N蘭2且N為奇數(shù)。6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中被該光致抗蝕劑層覆蓋的該些復(fù) 合層的層數(shù)較前一次被該光致抗蝕劑層覆蓋的該些復(fù)合層的層數(shù)多兩層。7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除未被該光致抗蝕劑層覆蓋的 該些復(fù)合層的方法包括同時(shí)移除兩層該些復(fù)合層。8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除未被該光致抗蝕劑層覆蓋的 該些復(fù)合層以及該些復(fù)合塊的方法包括同時(shí)移除各該復(fù)合塊以及位于各該復(fù)合塊下方的 該復(fù)合層。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在該基底的該些第一區(qū)上形成該 些復(fù)合塊的方法包括:在該些第一區(qū)的該些復(fù)合層上形成一掩模層；移除未被該掩模層覆蓋的部分最頂層的該復(fù)合層；以及移除該掩模層，以在該基底的該些第一區(qū)上形成該些復(fù)合塊。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些復(fù)合層為N層，進(jìn)行該移除 制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為N/2-1個(gè)，其中N 3 2且N為偶數(shù)。11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些復(fù)合層為N層，進(jìn)行該移除 制作工藝所需的光掩模數(shù)至少為(N+1)/2-1個(gè)，其中N 3 2且N為奇數(shù)。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該些復(fù)合層包括導(dǎo)體層、半導(dǎo)體 層、介電層或其組合。13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中各該復(fù)合層包括導(dǎo)體層以及介 電層，且相鄰兩個(gè)該些復(fù)合層中的該導(dǎo)體層通過(guò)該介電層電性隔離。14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該階梯結(jié)構(gòu)包括多數(shù)個(gè)裸露表 面，各該裸露表面暴露部分該介電層。15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該階梯結(jié)構(gòu)包括多數(shù)階，各該階 的寬度與該基底的各該第一區(qū)的寬度相等。
【文檔編號(hào)】H01L21/3065GK105990103SQ201510081247
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月15日
【發(fā)明人】陳建霖, 邱達(dá)乾
【申請(qǐng)人】力晶科技股份有限公司