半導體器件及其形成方法
【專利摘要】一種半導體器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成阻擋層；去除部分阻擋層，在阻擋層內(nèi)形成露出襯底的第一開口；在第一開口內(nèi)填充犧牲層材料；去除剩余阻擋層，形成犧牲層；去除犧牲層露出的部分襯底，在襯底內(nèi)形成第二開口；在第二開口底部以及犧牲層上表面形成金屬層；去除所述犧牲層。本發(fā)明在形成犧牲層之前，在所述襯底上形成阻擋層，在阻擋層內(nèi)形成第一開口，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料，以形成犧牲層，使位于邊緣的犧牲層具有足夠的厚度，避免了由于形成第二開口時所述犧牲層的損耗而露出所述襯底，減少了去除犧牲層后犧牲層邊緣的膜層殘余，提高了器件制造的良品率，降低了器件制造的成本。
【專利說明】
半導體器件及其形成方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及一種半導體器件及其形成方法。
【背景技術】
[0002]在半導體器件制造過程中，需要采用微結構制造技術在襯底上形成各種膜層圖形。最常用的形成膜層圖形的方法之一為刻蝕(Etch)。除刻蝕以外，剝離工藝(Lift-offProcess)是另一種形成膜層圖形的微結構制造技術，它能夠形成從納米量級到厘米量級的各種微結構。
[0003]剝離工藝是一種采用犧牲材料(如光刻膠)在襯底的表面形成目標材料結構的方法。它避免了干法、濕法刻蝕中的襯底損傷和離子污染的問題，且工藝簡單，非常適合于金屬圖形化。
[0004]具體的，參考圖1至圖3，示出了現(xiàn)有技術一種剝離工藝各步驟的示意圖。
[0005]如圖1所示，提供襯底10，所述襯底10上形成有隔離層11和鍵合金屬層12，所述隔離層11覆蓋所述襯底10上表面，所述鍵合金屬層12覆蓋部分所述隔離層11。在所述襯底10上形成犧牲層13，所述犧牲層13覆蓋表面不需要覆蓋金屬膜的所述隔離層11以及鍵合金屬層12。之后以所述犧牲層13為掩模，對襯底10進行刻蝕，在襯底10內(nèi)形成開口14ο
[0006]如圖2所示，形成金屬層15，所述金屬層15覆蓋所述犧牲層13表面和所述開口14的底部，在所述開口 14底部的所述金屬層與所述襯底10相接觸。
[0007]如圖3所示，去除所述犧牲層13，露出所述鍵合金屬層12和所述隔離層11。具體的，將襯底浸泡于剝離液中，所述剝離液為不與金屬層發(fā)生反應的溶液，隨著犧牲層13的去除，位于所述犧牲層13上的金屬層15也被一并去除，僅保留所述開口 14底部的金屬層15ο
[0008]然而，采用所述現(xiàn)有技術形成的半導體器件容易出現(xiàn)犧牲層13和所述犧牲層上的金屬層15殘留的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明解決的問題是提供一種半導體器件及其形成方法，減少犧牲層殘留以及犧牲層上的金屬層殘留的問題。
[0010]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導體器件形成方法，包括如下步驟:
[0011]提供襯底；
[0012]在所述襯底上形成阻擋層；
[0013]去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)形成露出襯底的第一開口 ；
[0014]在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料；
[0015]去除剩余阻擋層，形成犧牲層；
[0016]去除犧牲層露出的部分襯底，在所述襯底內(nèi)形成第二開口 ；
[0017]在所述第二開口底部以及所述犧牲層上表面形成金屬層；
[0018]去除所述犧牲層。
[0019]可選的，提供襯底的步驟之后，在所述襯底上形成阻擋層的步驟之前，所述形成方法還包括:在所述襯底上形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述襯底；在所述隔離層上形成鍵合金屬層，所述鍵合金屬層部分覆蓋所述隔離層；在所述阻擋層內(nèi)形成第一開口的步驟中，所述第一開口還露出所述鍵合金屬層。
[0020]可選的，所述阻擋層材料為氧化硅。
[0021]可選的，在所述襯底上形成阻擋層的步驟包括:采用化學氣相沉積的工藝在所述襯底上形成阻擋層。
[0022]可選的，所述阻擋層的厚度大于3 μπι。
[0023]可選的，去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)形成露出所述襯底的第一開口的步驟包括:采用干法刻蝕去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)部形成露出所述襯底的第一開口。
[0024]可選的，所述犧牲層的材料為光刻膠。
[0025]可選的，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料的步驟后，去除剩余阻擋層，形成犧牲層的步驟前，所述形成方法還包括:去除所述阻擋層上的犧牲層。
[0026]可選的，所述去除所述阻擋層上的犧牲層的步驟包括:采用回刻工藝去除所述阻擋層上的犧牲層。
[0027]可選的，去除剩余阻擋層，形成犧牲層的步驟包括:采用氫氟酸濕法刻蝕去除剩余阻擋層。
[0028]可選的，去除部分襯底，在所述襯底內(nèi)形成第二開口的步驟包括:采用各向異性干法刻蝕形成所述第二開口；
[0029]形成所述第二開口的步驟之后，剩余的犧牲層厚度大于3 μπι。
[0030]可選的，在所述第二開口底部以及所述犧牲層上表面形成金屬層的步驟包括:采用電子束生長的方法形成所述金屬層。
[0031]可選的，所述金屬層材料為鈦。
[0032]可選的，所述去除所述犧牲層的步驟包括:采用濕法工藝去除所述犧牲層。
[0033]可選的，所述犧牲層為光刻膠；在去除所述犧牲層所采用的濕法工藝中，刻蝕溶液為硫酸和雙氧水的混合溶液。
[0034]相應的，本發(fā)明還提供一種由所述形成方法所形成的半導體器件。
[0035]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點:
[0036]本發(fā)明在形成犧牲層之前，在所述襯底上形成阻擋層，在阻擋層內(nèi)形成第一開口，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料，以形成犧牲層。由于所述犧牲層形成于第一開口內(nèi)，因此所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角與形成第一開口后，剩余阻擋層側壁與所述襯底上表面的夾角互補，通過控制剩余阻擋層側壁與所述襯底上表明的夾角，控制所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角，實現(xiàn)使位于邊緣的犧牲層具有足夠的厚度，避免了由于形成第二開口時所述犧牲層的損耗而露出所述襯底，避免了后續(xù)形成的金屬層與所述襯底直接接觸，有利于剝離工藝完全去除犧牲層以及犧牲層上的金屬層，減少了犧牲層邊緣的膜層殘余，提高了器件制造的良品率，降低了器件制造的成本。
【附圖說明】
[0037]圖1至圖3是現(xiàn)有技術一種剝離工藝各步驟的示意圖；
[0038]圖4和圖5是現(xiàn)有技術中犧牲層以及金屬層殘留的不意圖；
[0039]圖6至圖12是本發(fā)明所提供的半導體器件形成方法一實施例中各個步驟的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0040]由【背景技術】可知，現(xiàn)有剝離工藝技術中，容易出現(xiàn)犧牲層和金屬層殘留的問題，結合剝離工藝的步驟，分析殘留問題的原因:
[0041]如圖4所示，在晶片某些位置(主要是晶片邊緣的位置)，由于犧牲層23形成工藝的限制，形成的犧牲層23的側邊輪廓(Profile)與所述隔離層21表面的傾角α較小，因此位于隔離層21邊緣的犧牲層23厚度較薄。而在后續(xù)形成襯底20內(nèi)開口 24的過程中，需要損耗部分的犧牲層23。當傾角α太小時(一般為小于75°時)，由于犧牲層23在形成開口 24過程中的損耗，開口 24形成以后，會露出靠近開口 24的部分隔離層21。之后再在犧牲層23上形成金屬層25時，在靠近開口 24處所述金屬層25容易直接與所述隔離層21接觸。與所述犧牲層23相比，所述金屬層25與所述隔離層21的粘附性更高，因此在剝離工藝去除所述犧牲層23的過程中，剝離工藝無法完全去除位于隔離層21邊緣的金屬層25，從而在隔離層21邊緣位置形成膜層殘余30 (如圖5所示)，從而影響所形成半導體的性會K。
[0042]為解決所述技術問題，本發(fā)明提供一種半導體器件的形成方法，包括如下步驟:
[0043]提供襯底；在所述襯底上形成阻擋層；去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)形成露出襯底的第一開口 ；在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料；去除剩余阻擋層，形成犧牲層；去除犧牲層露出的部分襯底，在所述襯底內(nèi)形成第二開口 ；在所述第二開口底部以及所述犧牲層上表面形成金屬層；去除所述犧牲層。
[0044]在形成犧牲層之前，在所述襯底上形成阻擋層，在阻擋層內(nèi)形成第一開口，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料，以形成犧牲層。由于所述犧牲層形成于第一開口內(nèi)，因此所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角與形成第一開口后，剩余阻擋層側壁與所述襯底上表面的夾角互補，通過控制剩余阻擋層側壁與所述襯底上表明的夾角，控制所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角，實現(xiàn)使位于邊緣的犧牲層具有足夠的厚度，避免了由于形成第二開口時所述犧牲層的損耗而露出所述襯底，避免了后續(xù)形成的金屬層與所述襯底直接接觸，有利于剝離工藝完全去除犧牲層以及犧牲層上的金屬層，減少了犧牲層邊緣的膜層殘余。
[0045]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。
[0046]圖6至圖12是本發(fā)明所提供的半導體器件形成方法一實施例中各個步驟的結構示意圖。
[0047]參考圖6，提供襯底101，在所述半導體襯底101上形成阻擋層110。
[0048]所述襯底101是后續(xù)工藝的工作平臺。所述襯底101的材料選自單晶硅、多晶硅或者非晶硅；所述襯底101也可以選自硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物；所述襯底101還可以選自具有外延層或外延層上硅結構；所述襯底101還可以是其他半導體材料，本發(fā)明對此不做任何限制。本實施例中所述襯底101材料為硅。
[0049]需要說明的是，本實施例中，所述半導體器件后續(xù)用于與另一個半導體器件進行金屬鍵合。因此，提供襯底101的步驟之后，在所述襯底101上形成阻擋層110的步驟之前，所述形成方法還包括:在所述襯底101上形成隔離層102，所述隔離層102覆蓋所述襯底101 ;在所述隔離層102上形成鍵合金屬層103，所述鍵合金屬層103覆蓋部分所述隔離層 102。
[0050]所述隔離層102用于實現(xiàn)鍵合金屬層103與所述襯底101之間的隔離，防止鍵合金屬層103的原子擴散到所述半導體襯底101內(nèi)污染襯底，此外所述隔離層102還在形成鍵合金屬層的過程中作為刻蝕停止層。本實施例中，所述隔離層102的材料為氧化硅，可以通過對所述襯底101進行氧化工藝獲得，或者通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或者爐管等方式形成。
[0051]所述鍵合金屬層103用作共晶鍵合工藝中的金屬中間層，與另一個半導體器件表面的金屬配合，使晶圓結合起來。本實施例中，后續(xù)晶圓鍵合采用鍺鋁金屬鍵合，另一半導體器件表面的金屬為鋁。因此，本實施例中，所述鍵合金屬層103材料為鍺金屬。
[0052]需要說明的是，所述鍵合金屬層103部分覆蓋所述隔離層102。形成所述鍵合金屬層103的步驟包括:在所述隔離層102上形成鍵合金屬材料層，刻蝕所述鍵合金屬材料層形成圖形化的所述鍵合金屬層103。需要說明的是，在刻蝕所述鍵合金屬材料層的過程中，所述隔離層102起到刻蝕停止的作用。
[0053]所述阻擋層110用于后續(xù)與所述襯底101 —起圍成第一開口。本實施例中，所述阻擋層110材料為氧化硅。具體的，可以采用化學氣相沉積的方式形成所述阻擋層110。
[0054]需要說明的是，所述阻擋層110的厚度與后續(xù)形成的所述第一開口的深度相關，進而與填充所述第一開口而形成的犧牲層的厚度相關，所述第一開口的深度不低于后續(xù)需要形成的所述犧牲層的厚度。本實施例中，所述阻擋層110的厚度為大于3 μπι。
[0055]參考圖7，去除部分阻擋層110，在剩余的所述阻擋層110內(nèi)形成第一開口 120。
[0056]具體的，采用干法刻蝕的工藝去除部分阻擋層110，剩余的部分阻擋層110在所述襯底上圍成第一開口 120。
[0057]需要說明的是，第一開口 120的深度H與所述阻擋層110的厚度相關:如果所述第一開口 120的深度H過小，則第一開口 120側壁的高度過低，會使后續(xù)在所述第一開口 120內(nèi)填充的犧牲層的厚度過薄，過薄的犧牲層難以在形成所述襯底內(nèi)開口的過程中起到保護襯底101，也難以在剝離工藝中隔離所形成的金屬層與襯底101 ;如果第一開口 120的深度H過大，那么所述第一開口 120的側壁高度過高，則容易造成材料的浪費或者增加工藝難度。本實施例中，所述第一開口 120的深度H大于3 μ m，所述第一開口 120的側壁高度大于3 μ m0
[0058]還需要說明的是，所述第一開口 120的側壁由剩余的阻擋層110構成，后續(xù)在所述第一開口 120內(nèi)填充形成犧牲層，所述犧牲層的側壁與襯底101上表面的夾角與所述剩余的阻擋層110側壁與所述襯底101上表面的夾角互補，可以通過控制所述剩余的阻擋層110與所述襯底101上表面的夾角，控制后續(xù)所形成犧牲層側壁與所述襯底101上表面的夾角大小。因此，本實施例中采用干法刻蝕的方法形成所述第一開口 120，所述剩余的阻擋層110與所述襯底101上表面的夾角γ不大于90°。
[0059]進一步需要說明的是，本實施例中，襯底101上形成有隔離層102和鍵合金屬層103，在阻擋層110中形成的第一開口 120露出所述鍵合金屬層103。此外，用于形成所述第一開口 120的干法刻蝕在露出所述襯底101的時候停止。因此所述襯底101上，所述第一開口 120內(nèi)，未被鍵合金屬層103覆蓋的隔離層102也同時被去除了。
[0060]參考圖8，在所述第一開口 120內(nèi)填充犧牲層材料130a。
[0061]所述犧牲層材料130a后續(xù)用于形成所述犧牲層。本實施例中，所述犧牲層材料130a為光刻膠。具體的，通過涂覆以及烘干等工藝在所述第一開口 120內(nèi)填充所述犧牲層材料130a。
[0062]需要說明的是，由于所述犧牲層材料130a填充在所述第一開口 120內(nèi)，所述第一開口 120由剩余的阻擋層110和襯底101圍成，因此所述犧牲層材料130a側壁與所述襯底101上表面的夾角β與剩余的阻擋層110側壁與所述襯底101上表面的夾角γ互補，可以通過控制所述剩余的阻擋層110側壁與所述襯底101上表面的夾角γ的大小，控制所述犧牲層材料130a與所述襯底101上表面夾角β的大小。本實施例中，所述夾角γ不大于90°，因此所述夾角β不小于90°。
[0063]結合參考圖9，去除剩余的阻擋層110，形成犧牲層130。
[0064]需要說明的是，在所述第一開口 120內(nèi)填充犧牲層材料130a的步驟后，去除剩余的阻擋層110，形成犧牲層130的步驟前，所述形成方法還包括:去除剩余的阻擋層110上的犧牲層材料。具體的，本實施例中，采用回刻工藝(Etch Back)去除剩余的阻擋層110頂部的犧牲層130。但是去除剩余的阻擋層110頂部的犧牲層130的具體工藝還可以選擇磨削(Grind)或化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的工藝，本發(fā)明對此不做限制。
[0065]去除剩余的阻擋層110上的犧牲層材料后，采用濕法刻蝕去除所述剩余的阻擋層110，形成犧牲層130。
[0066]具體的，由于阻擋層110的材料為氧化硅，本實施例中，采用氫氟酸濕法刻蝕去除剩余的阻擋層110。
[0067]所述犧牲層130的作用是在后續(xù)剝離工藝中，在不需要覆蓋金屬層的部分，隔離所襯底101和金屬層，使去除犧牲層130的同時，去除所述犧牲層130上的金屬層，實現(xiàn)金屬層的圖形化。
[0068]需要說明的是，所述犧牲層130的側壁輪廓與所述襯底101上表面形成的夾角β與剩余的阻擋層110側壁與所述襯底101上表面形成的夾角γ互補，可以通過控制形成的剩余的阻擋層110側壁與所述襯底101的夾角γ來控制所述犧牲層130側壁輪廓與所述襯底ιο?形成夾角β的大小:當所述夾角γ不大于105°的時候，所述夾角β就不會小于75°，甚至可以通過控制夾角γ小于90°，使夾角β大于90°。具體的，本實施例中，所述夾角β的大小為90°。
[0069]所述犧牲層130還用于后續(xù)刻蝕襯底101，在襯底101內(nèi)形成開口的過程中保護襯底其他部分不受刻蝕工藝的影響。
[0070]需要說明的是，如果所述犧牲層130的厚度過小，難以在刻蝕襯底101形成開口的過程中起到保護襯底101的作用；如果所述犧牲層130厚度過大，則容易造成材料的浪費或者增加工藝難度。此外，本實施例中，在刻蝕襯底101形成開口的過程中，所述犧牲層130需要損耗部分厚度以實現(xiàn)保護的作用，并且在刻蝕襯底101形成所述開口之后，所述犧牲層130的厚度需要在3 μπι以上。所以，所述犧牲層130的厚度需要大于3 μπι。而犧牲層130的具體厚度與所述刻蝕襯底101形成開口的具體工藝以及所形成開口的深淺有關。本實施例中，根據(jù)所形成開口的深淺以及形成開口的工藝，所述犧牲層的厚度為8 μ m0
[0071]參考圖10，去除部分襯底101，在所述襯底101內(nèi)形成第二開口 200 ;
[0072]具體的，采用各向異性干法刻蝕在所述襯底101內(nèi)形成所述第二開口 200。需要說明的是，在形成所述第二開口 200的過程中，所述犧牲層130起到保護所述襯底101其他部分的作用。
[0073]由于本實施例中，采用所述干法刻蝕的工藝形成所述第二開口 200。因此在形成第二開口 200的過程中，所述犧牲層130需要消耗厚度以實現(xiàn)保護所述襯底101的作用。而在形成所述第二開口 200的步驟之后，所述犧牲層130的厚度需要超過3 μπι。因此，本實施例中，所述犧牲層130的厚度較大，需要超過3 μπι。但是本發(fā)明對形成所述第二開口 200的方式不做任何限制，采用其他方法形成第二開口 200時，所述犧牲層130不需要消耗厚度以實現(xiàn)保護的作用時，所述犧牲層130的厚度可以更小。
[0074]參考圖11，在所述第二開口 200的底部以及所述犧牲層130上表面形成金屬層140。
[0075]所述金屬層140用于在后續(xù)工藝制程中吸附氣體分子。具體的，本實施例中，所述金屬層140的材料為鈦，采用電子束生長的方式在所述第二開口 200的底部以及所述犧牲層130上形成。
[0076]需要說明的是，本實施例中采用各向異性的電子束生長方式在所述第二開口 200底部以及所述犧牲層130上形成金屬層140的目的在于，露出所述犧牲層130的側壁，使所述犧牲層130的側壁不被所述金屬層140覆蓋，從而后續(xù)可以通過去除犧牲層130的剝離工藝，去除所述犧牲層130上的金屬層140，實現(xiàn)金屬層140的圖形化。
[0077]還需要說明的是，采用電子束生長方式形成所述金屬層140的做法僅為一示例，本發(fā)明的其他實施例中，還可以采用其他各向異性的膜層生長工藝形成所述金屬層140，本發(fā)明對此不做限定。
[0078]在此之后，結合參考圖12，去除所述犧牲層130，露出所述襯底101。
[0079]具體的，采用濕法刻蝕去除所述犧牲層130，露出所述襯底101。
[0080]本實施例中，采用光刻膠形成所述犧牲層130，因此去除所述犧牲層130的濕法刻蝕中所采用的刻蝕溶液為硫酸(H2SO4)和雙氧水(H2O2)的混合溶液。
[0081]需要說明的是，采用濕法刻蝕去除所述犧牲層130的同時，位于所述犧牲層130上的膜層結構也去除，即形成在所述犧牲層130上的金屬層140也同時被去除了。由于所述犧牲層130側壁輪廓與所述襯底101上表面的夾角β較大(不小于90° )，因此位于所述襯底101邊緣的所述犧牲層130的厚度較厚。即使在形成第二開口 200的過程中，所述犧牲層130有所損耗，也沒有露出所述襯底101的表面，因此在所述犧牲層130上表面形成的金屬層140與所述襯底101的上表面沒有接觸。所以在去除犧牲層130的同時，所述犧牲層130上表面形成的金屬層被完全去除，露出所述襯底101的表面。
[0082]此外，所述濕法刻蝕是針對所述犧牲層130的刻蝕工藝，因此位于所述第二開口200內(nèi)的金屬層140不容易受到所述濕法刻蝕的影響，從而實現(xiàn)了對金屬層140的圖形化處理。
[0083]相應地，本發(fā)明還提供一種半導體器件，本發(fā)明提供的半導體器件的形成方法所形成。本發(fā)明半導體器件由于具有較少的膜層殘留因而具有良好的可靠性。
[0084]綜上，在形成犧牲層之前，在所述襯底上形成阻擋層，在阻擋層內(nèi)形成第一開口，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料，以形成犧牲層。由于所述犧牲層形成與第一開口內(nèi)，因此所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角與所述第一開口側壁與所述襯底上表面的夾角互補，通過控制所述第一開口側壁與所述襯底上表面的夾角控制所述犧牲層外輪廓與所述襯底上表面的夾角，從而使位于邊緣的犧牲層具有足夠的厚度，避免了由于形成第二開口時所述犧牲層的損耗而露出所述襯底，避免了后續(xù)形成的金屬層與所述襯底直接接觸，有利于剝離工藝完全去除犧牲層以及犧牲層上的金屬層，減少了犧牲層邊緣的膜層殘余。
[0085]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
【主權項】
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底上形成阻擋層； 去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)形成露出襯底的第一開口 ； 在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料； 去除剩余阻擋層，形成犧牲層； 去除犧牲層露出的部分襯底，在所述襯底內(nèi)形成第二開口 ； 在所述第二開口底部以及所述犧牲層上表面形成金屬層； 去除所述犧牲層。2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供襯底的步驟之后，在所述襯底上形成阻擋層的步驟之前，所述形成方法還包括: 在所述襯底上形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述襯底； 在所述隔離層上形成鍵合金屬層，所述鍵合金屬層部分覆蓋所述隔離層； 在所述阻擋層內(nèi)形成第一開口的步驟中，所述第一開口還露出所述鍵合金屬層。3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻擋層材料為氧化硅。4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成阻擋層的步驟包括:采用化學氣相沉積的工藝在所述襯底上形成阻擋層。5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度大于3μπι。6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)形成露出所述襯底的第一開口的步驟包括:采用干法刻蝕去除部分阻擋層，在所述阻擋層內(nèi)部形成露出所述襯底的第一開口。7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為光刻膠。8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一開口內(nèi)填充犧牲層材料的步驟后，去除剩余阻擋層，形成犧牲層的步驟前，所述形成方法還包括:去除所述阻擋層上的犧牲層。9.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述去除所述阻擋層上的犧牲層的步驟包括:采用回刻工藝去除所述阻擋層上的犧牲層。10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除剩余阻擋層，形成犧牲層的步驟包括:采用氫氟酸濕法刻蝕去除剩余阻擋層。11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分襯底，在所述襯底內(nèi)形成第二開口的步驟包括:采用各向異性干法刻蝕形成所述第二開口 ；形成所述第二開口的步驟之后，剩余的犧牲層厚度大于3 μπι。12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二開口底部以及所述犧牲層上表面形成金屬層的步驟包括:采用電子束生長的方法形成所述金屬層。13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金屬層材料為鈦。14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述去除所述犧牲層的步驟包括:采用濕法工藝去除所述犧牲層。15.如權利要求14所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層為光刻膠；在去除所述犧牲層所采用的濕法工藝中，刻蝕溶液為硫酸和雙氧水的混合溶液。16.一種由權利要求1?15中任一項所述的形成方法所形成的半導體器件。
【文檔編號】H01L21/3105GK105990129SQ201510053617
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月2日
【發(fā)明人】王明軍, 汪新學
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司