多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法，通過在采用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層之后，去除第一氧化層并在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層，以及分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有第三氧化層的襯底進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)之后，去除第三氧化層，并在去除第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層，最終在第四氧化層表面進行刻蝕，獲得貫穿第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口，避免了現(xiàn)有方法中發(fā)射區(qū)窗口尺寸做不小，晶體管特征頻率做不大、高頻特性差的問題。
【專利說明】
多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)，尤其涉及一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]雙極型晶體管在結(jié)構(gòu)上包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，按照導電類型雙極型晶體管又可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管。以NPN型晶體管為例，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)為N型半導體，基區(qū)為P型半導體。發(fā)射區(qū)的N型半導體若為N型摻雜的多晶硅，則稱為多晶硅發(fā)射極晶體管，往往應用在高頻領域，圖1A為多晶硅發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1A所示， 包括作為晶體管的集電區(qū)的N型襯底，P型基區(qū)，以及由N型擴散區(qū)和N型多晶硅共同構(gòu)成的發(fā)射區(qū)，厚氧化層覆蓋的區(qū)域為場區(qū)，場區(qū)之外的區(qū)域為有源區(qū)。在P型基區(qū)的部分區(qū)域設置有濃基區(qū)，濃基區(qū)為重摻雜的P型摻雜區(qū)，目的在于減小基區(qū)的電阻從而提高晶體管的特征頻率。在濃基區(qū)上方制作接觸孔并在接觸孔區(qū)域形成金屬，即構(gòu)成基極金屬電極，在 N型多晶硅上方形成金屬，構(gòu)成發(fā)射極金屬電極。
[0003]為了實現(xiàn)晶體管的高頻特性，必須采用小尺寸的發(fā)射區(qū)，也就是說在制造過程中需通過控制多晶硅的橫向尺寸，從而使多晶硅發(fā)射極晶體管具有較小的發(fā)射區(qū)窗口。但目前制造過程中，無法獲得較小的發(fā)射區(qū)窗口尺寸，導致晶體管的高頻特性不佳。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中無法獲得較小的發(fā)射區(qū)窗口尺寸，導致晶體管的高頻特性不佳的技術(shù)問題。
[0005]本發(fā)明的第一個方面是提供一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法，包括:
[0006]在襯底表面生長獲得第一氧化層，采用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層；所述第二氧化層的厚度大于所述第一氧化層的厚度；
[0007]去除所述第一氧化層，并在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層；
[0008]分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有所述第三氧化層的襯底進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)；所述第一離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量小于所述第二離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量；
[0009]去除所述第三氧化層，并在去除所述第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋所述第一離子注入摻雜區(qū)和所述第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層；
[0010]對生長有第四氧化層的襯底進行熱處理工藝，以激活所述第一離子注入摻雜區(qū)和所述第二離子注入摻雜區(qū)中的摻雜元素進行擴散，分別獲得第一擴散區(qū)和第二擴散區(qū)；
[0011]在所述第四氧化層表面，對應所述第一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿所述第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口；
[0012]在所述發(fā)射區(qū)窗口內(nèi)形成多晶硅，以及覆蓋所述多晶硅的發(fā)射極金屬電極；
[0013]在所述第四氧化層表面，對應所述第二擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿所述第四氧化層的接觸孔；
[0014]在所述接觸孔內(nèi)形成基極金屬電極。
[0015]本發(fā)明提供的多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法，通過在采用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層之后，去除第一氧化層并在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層，以及分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有第三氧化層的襯底進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)之后， 去除第三氧化層，并在去除第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層，最終在第四氧化層表面進行刻蝕，獲得貫穿第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口，避免了現(xiàn)有方法中發(fā)射區(qū)窗口尺寸做不小，晶體管特征頻率做不大、高頻特性差的問題。【附圖說明】
[0016]圖1A為多晶娃發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]圖1B為通過現(xiàn)有制造方法所獲得的多晶硅發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法的流程示意圖；
[0019]圖3為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第二種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖6為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第四種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖7為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第五種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖8為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第六種結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】
[0025]以NPN型晶體管為例，多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法通常來說，主要包括:在N型襯底的表面生長氧化層1，在氧化層2的表面生長氮化硅；采用光刻工藝和刻蝕工藝去除場區(qū)的氮化硅；進而采用熱氧化工藝在該場區(qū)的N型襯底表面生成氧化層2,然后采用熱磷酸去除有源區(qū)的氮化硅；采用光刻工藝和離子注入工藝在有源區(qū)的N型襯底表層形成具有不同離子注入劑量的P型離子注入摻雜區(qū)1和P型離子注入摻雜區(qū)2 ;然后采用化學氣相沉積工藝在氧化層1表面生長氧化層3,并進行熱處理，從而P型離子注入摻雜區(qū)1和P型離子注入摻雜區(qū)2分別轉(zhuǎn)化為P型擴散區(qū)1和P型擴散區(qū)2 ;進而，采用等離子體干刻法工藝在對應P型擴散區(qū)1位置的氧化層3內(nèi)形成盲孔，然后采用濕法腐蝕工藝去除盲孔底部的剩余的氧化層，形成貫通氧化層3和氧化層1的發(fā)射區(qū)窗口；從而在發(fā)射區(qū)窗口內(nèi)形成N型多晶硅和發(fā)射極金屬電極，相似的，在對應P型擴散區(qū)2位置形成貫通氧化層3和氧化層1 的發(fā)射區(qū)窗口的接觸孔，從而在接觸孔內(nèi)形成基極金屬電極。圖1B為通過現(xiàn)有制造方法所獲得的多晶硅發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1B所示，P型擴散區(qū)1作為圖1A中的P型基區(qū)，P型擴散區(qū)2作為圖1A中的濃基區(qū)，氧化層1和氧化層3共同構(gòu)成圖1A中的薄氧化層。
[0026]經(jīng)過對上述多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法的研究發(fā)現(xiàn)，在圖1B中，氧化層1為熱氧化層，氧化層3為采用化學氣相沉積工藝生長的氧化層，當采用濕法腐蝕去除盲孔底部所保留的氧化層1時，由于致密度不同后者的腐蝕速率大于前者，后者的腐蝕速率通常是前者的3-10倍，發(fā)射區(qū)窗口的橫向尺寸被快速腐蝕而變大。舉例來說，如果后者的腐蝕速率是前者的5倍，盲孔底部預設的氧化層1厚度為200埃，當采用濕法腐蝕工藝去除所述盲孔底部200埃的氧化層1，則發(fā)射區(qū)窗口的側(cè)壁單邊腐蝕量為1000埃，即發(fā)射區(qū)窗口的尺寸變大了 2000埃。晶體管的發(fā)射區(qū)窗口尺寸越大，其特征頻率越小，導致高頻特性越差。
[0027] 另外，上述采用熱磷酸去除有源區(qū)的氮化硅的工藝過程中，熱磷酸與有源區(qū)的氧化層1發(fā)生化學反應，導致該工藝前后氧化層1的厚度發(fā)生變化，氧化層1的厚度的一致性更差，一方面會加劇高頻特性的惡化，另一方面，將摻雜元素穿透氧化層1注入到襯底表層時，由于氧化層1的厚度一致性不好，會導致?lián)诫s元素穿透氧化層1到達襯底表層形成的P 型離子注入摻雜區(qū)1和P型離子注入摻雜區(qū)2的一致性也不好，從而最終導致晶體管的電流增益的一致性不好。
[0028]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法的流程示意圖，對于NPN型晶體管，下述中的襯底為N型襯底，離子注入摻雜區(qū)為P型摻雜，發(fā)射區(qū)為N型多晶硅，如圖2所示，本實施例所提供的方法包括:
[0029] 101、在襯底表面生長獲得第一氧化層，采用局部氧化工藝對第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層。
[0030] 其中，第二氧化層的厚度大于所述第一氧化層的厚度。[〇〇31] 具體的，采用熱氧化工藝，在所述襯底表面生長獲得第一氧化層；在所述第一氧化層表面生長獲得氮化硅層；采用光刻和刻蝕工藝去除覆蓋在所述第一氧化層的外周區(qū)域的所述氮化硅層；采用熱氧化工藝，對去除所述氮化硅層覆蓋的第一氧化層進行氧化獲得第二氧化層；采用熱磷酸去除覆蓋所述第一氧化層表面的氮化硅層。第二氧化層的厚度為 5000埃至15000埃。以NPN型晶體管為例，圖3為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第一種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
[0032] 需要說明的是，氮化硅對氧氣有掩蔽效果，因此有源區(qū)的襯底表面在熱氧化工藝過程中不會生長氧化層。這種采用氮化硅的掩蔽作用在部分區(qū)域生長熱氧化層的工藝方法，稱為局部氧化工藝。
[0033] 102、去除第一氧化層，并在去除第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層。
[0034] 具體的，采用熱氧化工藝，在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層。第三氧化層的厚度為50埃至300埃。圖4為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第二種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
[0035] 103、分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有第三氧化層的襯底進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)。
[0036] 其中，第一離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量小于第二離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量。圖5為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第三種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖5所示的結(jié)構(gòu)。
[0037] 具體的，第一離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量為5X1012原子/平方厘米至 1 X 1014原子/平方厘米，所述第二離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量為1 X 10 15原子/平方厘米至1 X 1016原子/平方厘米。
[0038] 104、去除第三氧化層，并在去除所述第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層。
[0039]具體的，采用化學氣相沉積工藝，在去除所述第三氧化層的襯底表面生長獲得所述第四氧化層，第四氧化層覆蓋第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)。
[0040] 105、對生長有第四氧化層的襯底進行熱處理工藝，以激活第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)中的摻雜元素進行擴散，分別獲得第一擴散區(qū)和第二擴散區(qū)。
[0041]具體的，以800攝氏度至950攝氏度，工藝時間15分鐘至120分鐘，對生長有第四氧化層的襯底進行熱處理工藝。圖6為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第四種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0042]需要說明的是，熱處理后采用化學氣相沉積工藝生長的第四氧化層經(jīng)熱處理之后會變得致密化，其絕緣效果提高、孔洞減少。且第一離子注入摻雜區(qū)、第二離子注入摻雜區(qū)之中的摻雜元素經(jīng)熱處理之后被激活，并且發(fā)生熱擴散，分別形成作為晶體管的P型基區(qū)的第一擴散區(qū)，和作為晶體管的濃基區(qū)的第二擴散區(qū)。
[0043] 106、在第四氧化層表面，對應第一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口。
[0044]具體的，采用等離子體干法刻蝕工藝，在所述第四氧化層表面，對應所述第一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，所述第四氧化層內(nèi)形成盲孔；盲孔底部與所述第一擴散區(qū)表面之間的距離為20埃至200埃。采用濕法刻蝕工藝，去除所述盲孔底部的第四氧化層，獲得貫穿所述第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口。采用上述方法獲得發(fā)射區(qū)窗口，能夠有效防止等離子體干法刻蝕工藝對基區(qū)，即第一擴散區(qū)表層的損傷。圖7為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第五種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0045] 107、在發(fā)射區(qū)窗口內(nèi)形成多晶硅，以及覆蓋所述多晶硅的發(fā)射極金屬電極。
[0046]具體的，該多晶娃可以為N型多晶娃。
[0047] 108、在第四氧化層表面，對應第二擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿第四氧化層的接觸孔。
[0048] 109、在接觸孔內(nèi)形成基極金屬電極。
[0049]圖8為多晶硅發(fā)射極晶體管制造過程中的第六種結(jié)構(gòu)示意圖，在經(jīng)過如上處理后，即可獲得如圖8所示的結(jié)構(gòu)，如圖8所示，若襯底為N型襯底，則107步驟中該多晶硅為 N型多晶硅，相應的，在N型多晶硅下方，形成N型擴散區(qū)，第一擴散區(qū)和第二擴散區(qū)相應為 P型第一擴散區(qū)和P型第二擴散區(qū)。
[0050]本發(fā)明在采用局部氧化工藝生成場氧化層然后去除氮化硅之后，將采用熱氧化工藝生成的第一氧化層去除掉，然后重新在有源區(qū)生長熱第三氧化層，其作用在于防止在進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)時，對襯底表面產(chǎn)生損傷；第三氧化層的厚度是固定的，相比現(xiàn)有方法中的第一氧化層其一致性要好很多，因此第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)的一致性更好，從而形成的P型基區(qū)和濃基區(qū)的一致性更好，晶體管的電流增益的一致性也就更好。另一方面，本發(fā)明在生長第四氧化層之前， 去除所述第三氧化層，避免了現(xiàn)有方法中存在的由于熱氧化層和采用化學氣相沉積工藝生長的氧化層的腐蝕速率差異導致的發(fā)射區(qū)窗口尺寸做不小，晶體管特征頻率做不大、高頻特性差的問題。[0051 ] 本實施例中，通過在采用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層之后，去除第一氧化層并在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層，以及分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有第三氧化層的襯底進行離子注入獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)之后，去除第三氧化層，并在去除第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層，最終在第四氧化層表面進行刻蝕，獲得貫穿第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口，避免了現(xiàn)有方法中發(fā)射區(qū)窗口尺寸做不小，晶體管特征頻率做不大、高頻特性差的問題。
[0052]本領域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述各方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述各方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0053]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制； 盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術(shù)人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種多晶硅發(fā)射極晶體管制造方法，其特征在于，包括:在襯底表面生長獲得第一氧化層，采用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進 行氧化獲得第二氧化層；所述第二氧化層的厚度大于所述第一氧化層的厚度；去除所述第一氧化層，并在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層；分別在第一預設區(qū)域和第二預設區(qū)域，對生長有所述第三氧化層的襯底進行離子注入 獲得第一離子注入摻雜區(qū)和第二離子注入摻雜區(qū)；所述第一離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑 量小于所述第二離子注入摻雜區(qū)的離子注入劑量；去除所述第三氧化層，并在去除所述第三氧化層的襯底表面，生長獲得覆蓋所述第一 離子注入摻雜區(qū)和所述第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層；對生長有第四氧化層的襯底進行熱處理工藝，以激活所述第一離子注入摻雜區(qū)和所述 第二離子注入摻雜區(qū)中的摻雜元素進行擴散，分別獲得第一擴散區(qū)和第二擴散區(qū)；在所述第四氧化層表面，對應所述第一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿所述第四 氧化層的發(fā)射區(qū)窗口；在所述發(fā)射區(qū)窗口內(nèi)形成多晶硅，以及覆蓋所述多晶硅的發(fā)射極金屬電極；在所述第四氧化層表面，對應所述第二擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿所述第四 氧化層的接觸孔；在所述接觸孔內(nèi)形成基極金屬電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在去除所述第一氧化層的襯底表面 生長獲得第三氧化層，包括:采用熱氧化工藝，在去除所述第一氧化層的襯底表面生長獲得第三氧化層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在去除所述第三氧化層的襯底表面， 生長獲得覆蓋所述第一離子注入摻雜區(qū)和所述第二離子注入摻雜區(qū)的第四氧化層，包括:采用化學氣相沉積工藝，在去除所述第三氧化層的襯底表面生長獲得所述第四氧化層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第四氧化層表面，對應所述第 一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)，進行刻蝕，獲得貫穿所述第四氧化層的發(fā)射區(qū)窗口，包括:采用等離子體干法刻蝕工藝，在所述第四氧化層表面，對應所述第一擴散區(qū)的區(qū)域內(nèi)， 進行刻蝕，所述第四氧化層內(nèi)形成盲孔；采用濕法刻蝕工藝，去除所述盲孔底部的第四氧化層，獲得貫穿所述第四氧化層的發(fā) 射區(qū)窗口。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述盲孔底部與所述第一擴散區(qū)表面之 間的距離為20埃至200埃。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底表面生長獲得第一氧化層，采 用局部氧化工藝對所述第一氧化層的外周區(qū)域進行氧化獲得第二氧化層，包括:采用熱氧化工藝，在所述襯底表面生長獲得第一氧化層；在所述第一氧化層表面生長獲得氮化硅層；采用光刻和刻蝕工藝去除覆蓋在所述第一氧化層的外周區(qū)域的所述氮化硅層；采用熱氧化工藝，對去除所述氮化硅層覆蓋的第一氧化層進行氧化獲得第二氧化層； 采用熱磷酸去除覆蓋所述第一氧化層表面的氮化硅層。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入摻雜區(qū)的離 子注入劑量為5 X 1012原子/平方厘米至1 X 10 14原子/平方厘米，所述第二離子注入摻雜 區(qū)的離子注入劑量為1 X 1015原子/平方厘米至1 X 10 16原子/平方厘米。8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述第三氧化層的厚度為50埃 至300埃。9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為5000 埃至15000埃。10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述對生長有第四氧化層的襯 底進行熱處理工藝，包括:以800攝氏度至950攝氏度，工藝時間15分鐘至120分鐘，對生長有第四氧化層的襯 底進行熱處理工藝。
【文檔編號】H01L21/331GK105990135SQ201510062183
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月5日
【發(fā)明人】潘光燃, 文燕, 高振杰, 王焜, 石金成
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司