半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式提供一種抑制半導(dǎo)體襯底的翹曲的半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法為：對具備第1面與第2面的半導(dǎo)體襯底及設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第1面上的含氮化鎵層，且厚度為d1的所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削，其后以所述研削時的削去量的1/2～1/50的量對所述第2面進(jìn)行研磨，其后以所述研削時的削去量的1/200～1/5000的量對所述第2面進(jìn)行蝕刻，而使所述半導(dǎo)體襯底的厚度成為所述d1的5分之1以下。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0001][相關(guān)申請]
[0002]本申請案享有以日本專利申請2014-185632號(申請日:2014年9月11日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]對于使用氮化鎵的裝置而言，使裝置內(nèi)的半導(dǎo)體襯底盡量薄化而謀求裝置的小型化正成為一種趨勢。半導(dǎo)體襯底的薄化例如是通過背面研削(backgrind)而進(jìn)行。
[0005]但是，在使用硅襯底作為氮化鎵的襯底的情況下，由于硅的晶格常數(shù)與氮化鎵的晶格常數(shù)的失配，故而硅襯底內(nèi)部存在應(yīng)力。如果在此種狀況下對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行背面研肖IJ，則有如下情況:因通過背面研削而產(chǎn)生的研削痕跡，導(dǎo)致硅襯底產(chǎn)生較大翹曲。并且，如果該翹曲超過限度，則有硅襯底破裂的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種抑制半導(dǎo)體襯底的翹曲的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0007]本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法為:對具備具有第I面與第2面的半導(dǎo)體襯底及設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第I面上的含氮化鎵層，且厚度為dl的所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削，其后以所述研削時的削去量的1/2?1/50的量對所述第2面進(jìn)行研磨，其后以所述研削時的削去量的1/200?1/5000的量對所述第2面進(jìn)行蝕刻，而使所述半導(dǎo)體襯底的厚度成為所述dl的5分之I以下。
【附圖說明】
[0008]圖1是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。
[0009]圖2是表示對實施方式的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行研削或研磨的加工機(jī)的主要部分的示意性立體圖。
[0010]圖3(a)及圖3(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖3(a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖3(b)是圖3(a)的A-A'線的示意性剖視圖。
[0011]圖4(a)及圖4(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖4(a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖4(b)是圖4(a)的A-A'線的示意性剖視圖。
[0012]圖5(a)及圖5(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖5 (a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖5(b)是圖5(a)的A-A'線的示意性剖視圖。
[0013]圖6 (a)及圖6(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖6 (a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖6(b)是圖6(a)的A-A'線的示意性剖視圖。
[0014]圖7(a)及圖7(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖7 (a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖7(b)是圖7(a)的A-A'線的示意性剖視圖。
[0015]圖8 (a)及圖8(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖8 (a)是表示單片化后的半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖8(b)是表示單片化后的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意性剖視圖。
[0016]圖9是實施方式的半導(dǎo)體芯片的主要部分的示意性剖視圖。
【具體實施方式】
[0017]以下，一面參照圖式一面對實施方式進(jìn)行說明。在以下的說明中，對相同的構(gòu)件附上相同的符號，且對于說明過一次的構(gòu)件，適當(dāng)省略其說明。
[0018]圖1是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。
[0019]例如，在設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的含氮化鎵層的表面形成第I電極、第2電極及第3電極(步驟S10)。此處，半導(dǎo)體襯底為硅襯底。作為一個例子，第I電極?第3電極對應(yīng)于高電子迀移率晶體管的源極、漏極及柵極。另外，并不限于高電子迀移率晶體管，也可為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的源極、漏極及柵極。
[0020]接著，對半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行研削、研磨及蝕刻，而使半導(dǎo)體襯底的厚度成為5分之I以下(步驟S20)。
[0021]接著，在進(jìn)行過研削、研磨及蝕刻的半導(dǎo)體襯底的背面形成導(dǎo)電層(步驟S30)。
[0022]接著，通過切割而將半導(dǎo)體襯底、含氮化鎵層及導(dǎo)電層進(jìn)行分離(步驟S40)。
[0023]以下，具體地說明圖1所表示的流程圖。
[0024]首先，在對實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程進(jìn)行說明前，對研削或研磨半導(dǎo)體襯底的加工機(jī)進(jìn)行說明。
[0025]圖2是表示研削或研磨實施方式的半導(dǎo)體襯底的加工機(jī)的主要部分的示意性立體圖。
[0026]如圖2所示，向放置在研磨帶91上的半導(dǎo)體襯底10的背面1r抵壓對該背面1r進(jìn)行研削(背面研削(B.G.))或研磨(拋光研磨(P.G.))的加工機(jī)90。加工機(jī)90或半導(dǎo)體襯底10可向箭頭的方向旋轉(zhuǎn)。
[0027]加工機(jī)90并非覆蓋半導(dǎo)體襯底10的整面，例如加工機(jī)90的直徑被設(shè)計為半導(dǎo)體襯底10的半徑以上。在加工機(jī)90與半導(dǎo)體襯底10之間介置金剛石等研削(研磨)粒，通過加工機(jī)90的旋轉(zhuǎn)或半導(dǎo)體襯底10的旋轉(zhuǎn)而對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研削或研磨。
[0028]此處，利用研削的半導(dǎo)體襯底10的去除速度快于利用研磨的半導(dǎo)體襯底10的去除速度。另外，研磨時所使用的研磨粒的平均粒徑小于研削中所使用的研削粒的平均粒徑。換言之，研磨是研削的所謂精加工處理。
[0029]對實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程進(jìn)行說明。
[0030]圖3(a)?圖7(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，各圖(a)是表示半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，各圖(b)是表示圖(a)的A-A'線的剖面的示意性剖視圖。
[0031]例如，如圖3(a)、(b)所示，在具有第I面(以下，例如稱為表面1s)與第2面(以下，例如稱為背面1r)的半導(dǎo)體襯底10的表面1s使含氮化鎵層30外延生長(epitaxialgrowth) ο此處，含氮化鎵層30具有多層(下述)。另外，將該階段的半導(dǎo)體襯底10的厚度設(shè)為dl (例如，Imm)。含氮化鎵層30的厚度為10 μ m。
[0032]接著，在含氮化鎵層30之上形成第I電極(以下，例如稱為源極電極50)、第2電極(以下，例如稱為漏極電極51)及第3電極(以下，例如稱為柵極電極52)。此處，漏極電極51係與源極電極50并排，且柵極電極52配置在源極電極50與漏極電極51之間。在柵極電極52與含氮化鎵層30之間設(shè)置有柵極絕緣膜53。源極電極50、漏極電極51及柵極電極52的組合可設(shè)置多個。
[0033]此外，也可在形成源極電極50、漏極電極51及柵極電極52后，形成被覆半導(dǎo)體襯底10及含氮化鎵層30的表面的鈍化膜(沒有圖示)。另外，也可形成分別電連接于源極電極50、漏極電極51及柵極電極52的電極墊(沒有圖示)。
[0034]接著，如圖4 (a)、(b)所示，使用加工機(jī)90對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研削。
[0035]研削例如可使用JIS標(biāo)準(zhǔn)的粒度#1500的研削粒(例如，金剛石研削粒)而進(jìn)行。例如將金剛石研削粒(固定研削粒)固定在加工機(jī)90的與半導(dǎo)體襯底10的抵接面，而對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研削。
[0036]研削中，也可將油等溶劑、醇等有機(jī)溶劑、水等溶劑介置在加工機(jī)90與半導(dǎo)體襯底10之間?；蛘撸部刹皇褂眠@些溶劑而進(jìn)行研削。
[0037]對半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行研削后，在半導(dǎo)體襯底10的背面1r形成和加工機(jī)90的旋轉(zhuǎn)方向?qū)?yīng)的研削痕跡10ca。如果在半導(dǎo)體襯底10上形成研削痕跡10ca，則對半導(dǎo)體襯底10施加的應(yīng)力的一部分被釋放，會導(dǎo)致半導(dǎo)體襯底10翹曲。
[0038]此處，在翹曲的程度超過限度的情況下，有半導(dǎo)體襯底10發(fā)生破裂的情況?；蛘撸绻麑⑿纬捎醒邢骱圹E1ca的半導(dǎo)體襯底10設(shè)置在成膜裝置等別的處理裝置內(nèi)，則有半導(dǎo)體襯底10發(fā)生破裂的情況。另外，即便半導(dǎo)體襯底10沒有破裂，使用殘留有研削痕跡1ca的半導(dǎo)體襯底10的裝置的抗彎強(qiáng)度也會降低。
[0039]因此，在實施方式中，其后進(jìn)行使形成在半導(dǎo)體襯底10上的研削痕跡1ca減少的處理。
[0040]例如，如圖5 (a)、(b)所示，使比研削時更細(xì)的金剛石研磨粒介置在加工機(jī)90與半導(dǎo)體襯底10之間，而對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研磨。
[0041]例如，使金剛石研磨粒游離在背面1r之上，對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研磨?；蛘撸ㄟ^化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP)而對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研磨。
[0042]該研磨時的背面1r的削去量少于研削時的削去量，例如設(shè)為研削時的削去量的1/2 ?1/50。
[0043]通過該研磨處理，在半導(dǎo)體襯底10的背面1r殘留研削痕跡1ca的深度變得更淺的研削痕跡10cb。另外，與形成有研削痕跡1ca的情況相比，半導(dǎo)體襯底10的翹曲程度得以緩和。
[0044]接著，如圖6 (a)、(b)所示，對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行蝕刻。例如，通過包含碳、硫及氟的至少I種氣體而對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行干式蝕刻。
[0045]或者，利用包含氟的溶液，對半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行濕式蝕刻。
[0046]該蝕刻時的背面1r的削去量少于研磨時的削去量，例如設(shè)為研削時的削去量的1/200 ?1/5000。
[0047]通過該蝕刻處理，殘留在半導(dǎo)體襯底10的背面1r處的研削痕跡1cb進(jìn)一步減少。另外，與形成有研削痕跡1cb的情況相比，半導(dǎo)體襯底10的翹曲程度得以緩和。SP，與僅進(jìn)行過研削處理的半導(dǎo)體襯底10相比，實施方式的半導(dǎo)體襯底10的研削痕跡較少而變得不易破裂。
[0048]例如，結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后，半導(dǎo)體襯底10的厚度成為當(dāng)初的厚度dl的5分之I以下。例如，在圖3(a)、(b)所示的階段，半導(dǎo)體襯底10的厚度為Imm的情況下，結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后，半導(dǎo)體襯底10的厚度成為200 μm以下。
[0049]結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10的厚度并不限于200 μm以下。
[0050]例如，將結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10的厚度、與含氮化鎵層30的厚度相加而獲得的厚度，是半導(dǎo)體襯底的直徑每I英寸為50 μπι以下。例如在使用直徑8英寸的半導(dǎo)體襯底10的情況下，結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10與含氮化鎵層30的厚度成為400 μπι以下。
[0051]或者，將結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10的厚度、與含氮化鎵層30的厚度相加而獲得的厚度，是半導(dǎo)體襯底的直徑每I英寸為25 μπι以下。例如在使用直徑8英寸的半導(dǎo)體襯底10的情況下，結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10與含氮化鎵層30的厚度成為200 μπι以下。
[0052]另外，結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10的背面1r的表面粗糙度Ra為0.006 μm以上且0.008 μπι以下。
[0053]另外，在將結(jié)束了圖4(a)、(b)?圖6(a)、(b)的處理后的半導(dǎo)體襯底10放置在平坦的支撐臺(沒有圖示)上的情況下，半導(dǎo)體襯底10的中心距支撐臺的高度、與半導(dǎo)體襯底10的邊緣距支撐臺的高度的差成為150 μ m以下。
[0054]接著，如圖7(a)、(b)所不，在半導(dǎo)體襯底10的背面1r形成導(dǎo)電層55。導(dǎo)電層55在安裝半導(dǎo)體襯底10時可用作焊接用的電極?；蛘撸瑢?dǎo)電層55可用作使半導(dǎo)體襯底10的背面1r側(cè)的電位穩(wěn)定的接地層，進(jìn)而可用作散熱體。
[0055]圖8(a)及圖8(b)是表示實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過程的示意圖，圖8 (a)是表示單片化后的半導(dǎo)體襯底的背面的示意性俯視圖，圖8(b)是表示單片化后的半導(dǎo)體裝置的剖面的示意性剖視圖。
[0056]接著，如圖8(a)、(b)所示，每隔包含源極電極50、漏極電極51及柵極電極52的組合將半導(dǎo)體襯底10、含氮化鎵層30及導(dǎo)電層55進(jìn)行分離。例如，沿著切割線10d，通過分割處理而將半導(dǎo)體襯底10、含氮化鎵層30及導(dǎo)電層55進(jìn)行分離。由此，形成經(jīng)單片化的多個半導(dǎo)體芯片I。其后，使用芯片焊接(die bonding)、引線接合(wire bonding)及密封樹脂而進(jìn)行半導(dǎo)體芯片I的封裝化。
[0057]如上所述，在實施方式中，對支撐含氮化鎵層30的硅襯底等半導(dǎo)體襯底10的背面1r進(jìn)行研削、研磨及蝕刻。由此，半導(dǎo)體襯底10的研削痕跡減少，而抑制半導(dǎo)體襯底10的翹曲。其結(jié)果為，半導(dǎo)體襯底10變得不易破裂。
[0058]另外，在實施方式中，由于可使半導(dǎo)體襯底10的厚度變薄，所以可謀求半導(dǎo)體芯片I的薄型化。由此，半導(dǎo)體封裝的厚度也變薄。另外，由于使研削痕跡減少，所以半導(dǎo)體芯片I的抗彎強(qiáng)度增加。
[0059]圖9是實施方式的半導(dǎo)體芯片的主要部分的示意性剖視圖。
[0060]圖9所示的半導(dǎo)體芯片I包括:半導(dǎo)體襯底10 ;設(shè)置在半導(dǎo)體襯底10之上的含氮化鎵層30 ;設(shè)置在含氮化鎵層30之上的源極電極50 ;與源極電極50并排的漏極電極51 ;設(shè)置在源極電極50與漏極電極51之間的柵極電極52 ;及設(shè)置在半導(dǎo)體襯底10下方的導(dǎo)電層55。在柵極電極52與含氮化鎵層30之間設(shè)置有柵極絕緣膜53。半導(dǎo)體芯片I為HEMT (high electron mobility transistorm，高電子遷移率晶體管)。
[0061]含氮化鎵層30具有:含氮化鋁層31、含氮化鋁鎵層32、含氮化鎵層33及含氮化鋁鎵層34。
[0062]源極電極50及漏極電極51是與含氮化鋁鎵層34歐姆接觸。柵極絕緣膜53包含氮化硅膜(Si3N4)、氧化硅膜(S12)、氧化鋁(Al2O3)中的任一種。
[0063]含氮化鋁層31與含氮化鋁鎵層32是作為HEMT的緩沖層而發(fā)揮功能。含氮化鎵層33是作為HEMT的載流子移動層而發(fā)揮功能。含氮化鋁鎵層34是作為HEMT的阻擋層而發(fā)揮功能。含氮化鋁鎵層34是非摻雜或η型的AlxGa1 ΧΝ(0 < X < I)層。在含氮化鎵層33內(nèi)的含氮化鎵層33與含氮化鋁鎵層34的界面附近產(chǎn)生二維電子。此種半導(dǎo)體芯片I也包含在實施方式中。
[0064]此外，本說明書中所謂“氮化物半導(dǎo)體”，總體而言，包括成為BxInyAlzGalxyzN(O彡X彡l，(Xy彡1，(Χζ彡l，x+y+z ( I)的化學(xué)式中使組成比x、y及z在各自范圍內(nèi)進(jìn)行變化的全部組成的半導(dǎo)體。另外，“氮化物半導(dǎo)體”還包括所述化學(xué)式中進(jìn)一步包含N(氮)以外的V族元素的半導(dǎo)體、進(jìn)一步包含為了控制導(dǎo)電形等各種物性而添加的各種元素的氮化物半導(dǎo)體、及進(jìn)一步包含非刻意含有的各種元素的氮化物半導(dǎo)體。
[0065]在所述實施方式中，所謂表述為“部位A設(shè)置在部位B之上”的情況下的“之上”，除部位A與部位B接觸，且在部位B之上設(shè)置有部位A的情況外，還有以如下含義使用的情況，即部位A沒有與部位B接觸，而在部位B的上方設(shè)置有部位A的情況。另外，“部位A設(shè)置在部位B之上”存在如下情況，即也適用于使部位A與部位B反轉(zhuǎn)從而部位A位于部位B之下的情況；或部位A與部位B橫向排列的情況。其原因在于:即便使實施方式的半導(dǎo)體裝置旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)前后半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造沒有改變。
[0066]以上，一面參照具體例一面對實施方式進(jìn)行了說明。但是，實施方式并不限定于這些具體例。S卩，只要具有實施方式的特征，則業(yè)者對這些具體例適當(dāng)加以設(shè)計變更的實施方式也包含在實施方式的范圍內(nèi)。所述各具體例所包含的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等并不限定于所例示的具體例，可適當(dāng)進(jìn)行變更。
[0067]另外，所述的各實施方式所包含的各要素只要技術(shù)上可能，則可進(jìn)行組合，只要具有實施方式的特征，則將這些組合而成的實施方式也包含在實施方式的范圍內(nèi)。除此以外，在實施方式的思想范疇中，業(yè)者可想到各種變化例及修正例，且明白這些變化例及修正例也屬于實施方式的范圍。
[0068]對本發(fā)明的若干實施方式進(jìn)行了說明，但這些實施方式是作為例子而提示的實施方式，而不是意在限定發(fā)明的范圍。這些新穎實施方式可在其他各種形態(tài)下實施，且可在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實施方式或其變化包含在發(fā)明的范圍及主旨內(nèi)，并且也包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及與其等同的范圍內(nèi)。
[0069][符號的說明]
[0070]I半導(dǎo)體芯片
[0071]10半導(dǎo)體襯底
[0072]10ca、10cb研削痕跡
[0073]1r第 2 面
[0074]1s第 I 面
[0075]1d切割線
[0076]30含氮化鎵層
[0077]31含氮化鋁層
[0078]32含氮化鋁鎵層
[0079]33含氮化鎵層
[0080]34含氮化鋁鎵層
[0081]50第I電極
[0082]51第2電極
[0083]52第3電極
[0084]53 柵極絕緣膜
[0085]90 加工機(jī)
[0086]91 研磨帶
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:對具備第I面與第2面的半導(dǎo)體襯底及設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第I面上的含氮化鎵層，且厚度為dl的所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削，其后以所述研削時的削去量的1/2?1/50的量對所述第2面進(jìn)行研磨，其后以所述研削時的削去量的1/200?1/5000的量對所述第2面進(jìn)行蝕刻，而使所述半導(dǎo)體襯底的厚度成為所述dl的5分之I以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削、研磨及蝕刻后的所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面的表面粗糙度Ra為0.006 μm以上且0.008 μm以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:將對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削、研磨及蝕刻后的所述半導(dǎo)體襯底的厚度、與所述含氮化鎵層的厚度相加而獲得的厚度，是所述半導(dǎo)體襯底的直徑每I英寸為25 μπι以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:在將對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削、研磨及蝕刻后的所述半導(dǎo)體襯底放置在支撐臺上的情況下，所述半導(dǎo)體襯底的中心距所述支撐臺的高度、與所述半導(dǎo)體襯底的邊緣距所述支撐臺的高度的差為150 μm以下。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:通過固定在研削所述半導(dǎo)體襯底的研削機(jī)上的固定研削粒而對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研削。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:通過所述固定研削粒，在不使用溶劑的情況下進(jìn)行研削。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:使研磨粒在所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面之上游離而對所述第2面進(jìn)行研磨。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:通過化學(xué)機(jī)械研磨法而對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行研磨。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:通過包含碳、硫及氟的至少I種的氣體而對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行蝕刻。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:通過包含氟的溶液而對所述半導(dǎo)體襯底的所述第2面進(jìn)行蝕刻。
【文檔編號】H01L21/335GK105990136SQ201510088713
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月26日
【發(fā)明人】增子真吾
【申請人】株式會社東芝