指紋識別裝置封裝及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種指紋識別裝置封裝及其制造方法。上述指紋識別裝置封裝包括一基板；一第一指紋識別芯片，設置于上述基板上；一成型材料層，設置于上述基板上，且包覆上述第一指紋識別芯片；一填充物，分散于上述成型材料層中，其中上述填充物的一直徑小于20μm。
【專利說明】
指紋識別裝置封裝及其制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明關于一種指紋識別裝置封裝及其制造方法，特別關于一種指紋識別裝置封裝及其制造方法?！颈尘凹夹g】
[0002]近年來，隨著個人信息保密的需求日益高漲，對于各種電子產品中的秘密信息也須提高其保護的安全性。有鑒于此，遂發(fā)展出指紋認證的識別技術。由于電子產品持續(xù)朝小型化和多功能化發(fā)展，指紋識別裝置封裝需滿足小尺寸和高指紋識別靈敏度的要求。然而，現(xiàn)今的指紋識別裝置封裝仍受限于成型材料層厚度無法有效降低以及填充物的球徑太大等問題而無法達到上述要求。
[0003]因此，在此技術領域中，需要一種改良式的指紋識別裝置封裝及其制造方法。
【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的一實施例提供一種指紋識別裝置封裝。上述指紋識別裝置封裝包括一基板；一第一指紋識別芯片，設置于上述基板上；一成型材料層，設置于上述基板上，且包覆上述第一指紋識別芯片；一填充物，分散于上述成型材料層中，其中上述填充物的一直徑小于 20 y m〇
[0005]本發(fā)明的另一實施例提供一種指紋識別裝置封裝的制造方法。上述指紋識別裝置封裝的制造方法包括提供一基板；于上述基板上設置一第一指紋識別芯片；進行一壓縮成型制程，以于上述基板上形成一成型材料層，且上述成型材料層包覆上述第一指紋識別芯片的一頂面和一側面，其中上述成型材料層具有一填充物分散于其中，其中上述填充物的一直徑小于20 y m?！靖綀D說明】
[0006]圖1?3為本發(fā)明不同實施例的指紋識別裝置封裝的剖面示意圖。
[0007]圖4?6為本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝的制造方法的制程步驟剖面示意圖。
[0008]其中，附圖標記說明如下:
[0009]500a?500c?指紋識別裝置封裝；
[0010]200 ?基板；
[0011]201?上表面；
[0012]202、220、208、232 ?焊墊；
[0013]203?下表面；
[0014]204、204a、204b ?黏著層；
[0015]206a?指紋識別芯片；
[0016]207a、207b、207c、213、236a、236b ?頂面；
[0017]209a、209b、209c、238a、238b ?側面；
[0018]210、240 ?焊線；
[0019]212?成型材料層；
[0020]212a?第一部分；
[0021]212b?第二部分；
[0022]214a、214b、214c ?識別區(qū)；
[0023]216?金屬柱；
[0024]222?防焊層；
[0025]224?導電結構；
[0026]230a、230b ?第二芯片；
[0027]312?成型材料顆粒；
[0028]313?填充物；
[0029]314 ?模具；
[0030]316?容置空間；
[0031]D1、D2、D3 ?厚度；
[0032]R?直徑【具體實施方式】
[0033]為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖示，做詳細的說明。本發(fā)明說明書提供不同的實施例來說明本發(fā)明不同實施方式的技術特征。其中，實施例中的各元件的配置系為說明的用，并非用以限制本發(fā)明。且實施例中附圖標號的部分重復，系為了簡化說明，并非意指不同實施例之間的關聯(lián)性。
[0034]本發(fā)明實施例系提供一種指紋識別裝置封裝以及一種指紋識別裝置封裝的制造方法。本發(fā)明實施例的指紋識別裝置封裝為晶圓級(wafer-leveled)封裝，并且使用含有填充物的成型材料層(molding compound layer)做為指紋識別裝置封裝的封裝層，且填充物的直徑小于20 ym。上述成型材料層可進一步降低封裝總高度，縮小封裝體積。另外，本發(fā)明實施例的指紋識別裝置封裝可搭配壓縮成型制程(compress molding process)形成含有填充物的成型材料層。
[0035]圖1為本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500a的剖面示意圖，其顯示單一芯片封裝的指紋識別裝置封裝結構。如圖1所示，指紋識別裝置封裝500a包括一基板200、一指紋識別芯片206a以及一成型材料層212。在本發(fā)明一些實施例中，基板200的材質可包括例如娃基板的半導體基板。如圖1所不，基板200具有彼此相對設置的一上表面201和一下表面203?；?00具有分別設置于上表面201和下表面203上的電路(圖未顯示)、焊墊202、220,以及穿過基板200的導電柱(via)216。上述焊墊202、220及連接至焊墊202、 220的金屬柱216構成基板200的內連線結構，以用于傳輸設置于上表面201上的指紋識別芯片206a的輸入/輸出(1/0)信號、接地(ground)信號或電源(power)信號。另外，基板 200還可選擇性包括防焊層222和多個導電結構224。防焊層222形成于基板200的下表面203上，上述防焊層222具有多個開口，以暴露出部分焊墊220。上述導電結構224形成于上述防焊層222的開口中，并分別連接至相應的焊墊220。在本發(fā)明一實施例中，上述導電結構224可包括一導電凸塊結構或一導電柱狀物結構。
[0036]如圖1所示，指紋識別裝置封裝500a的指紋識別芯片206a，其可通過例如為導電膠的一黏著層204設置于基板200的上表面201上。在本發(fā)明一實施例中，指紋識別芯片 206a包括形成于頂面207a上的多個焊墊208,上述焊墊208做為指紋識別芯片206a的輸入 /輸出(I/O)電性連接物。指紋識別芯片206a的焊墊208可通過焊線(bonding wires) 210 電性連接至基板200的焊墊202,并通過金屬柱216、焊墊220及導電結構224電性連接至例如為一印刷電路板的一載板(圖未顯示)。另外，指紋識別芯片206a包括被焊墊208包圍且接近于頂面207a的一識別區(qū)214a。上述識別區(qū)214a用以與一手指接觸以感測上述手指的指紋。
[0037]如圖1所示，指紋識別裝置封裝500a的成型材料層212設置于基板200的上表面201上，且包覆指紋識別芯片206a的頂面207a和側面209a，以及黏著層204的側面。在本發(fā)明一些實施例中，成型材料層212的材質可包括例如硅膠(silicon)、聚亞酰胺 (Polyimide，PI)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、聚甲基丙稀酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA) 或類鉆碳(Diamond-like carbon，DLC)或類似材料的非導電材料。在本發(fā)明一些實施例中，成型材料層212可包括紫外光硬化型聚合物(ultrav1let cured polymer)或熱硬化型聚合物的可塑型聚合物(moldable polymer)。
[0038]值得注意的是，本發(fā)明實施例的成型材料層(成型材料層212)為含有填充物313 的成型材料層。舉例來說，例如為環(huán)氧樹脂材料的成型材料層(成型材料層212)的主要成分可由環(huán)氧樹脂、硬化劑(hardener)、阻燃劑(flame retardant)、觸煤(catalyst)、 親合劑(coupling agent)、離型劑(releasing)、著色劑(coloring agent)以及填充物 (filler)組成。前述填充物313意指例如二氧化娃、錯、氧化錯或上述組合的微粒的無機填充物或其他類似的填充物。上述填充物313分散于成型材料層212中，且其直徑R小于 20 y m。因此，如圖1所示，成型材料層212位于指紋識別芯片206a的頂面207a (包括識別區(qū)214a)上方的一第一部分212a具有填充物313分散于其中。另外，成型材料層212包圍指紋識別芯片206a的側面209a的一第二部分212b也可具有填充物313分散于其中。在本發(fā)明一實施例中，由于分散于成型材料層212的第一部分212a中的填充物313的直徑R小于20 y m，因而第一部分212a的厚度D1的范圍可介于30 y m至50 y m之間，例如為40 y m。
[0039]在本發(fā)明一實施例中，上述含有填充物的成型材料層212,特別是位于指紋識別芯片206a的頂面207a上方的第一部分212a，可因為填充物313的直徑R小于20 y m而進一步降低指紋識別芯片206a的頂面207a至成型材料層212的頂面213之間的間隙(即成型材料層212的第一部分212a的厚度D1)，可以提高指紋識別芯片206a的指紋識別靈敏度， 并且可以降低封裝總高度，縮小封裝體積。
[0040]在本發(fā)明另一實施例中，成型材料層212位于指紋識別芯片206a的頂面207a (包括識別區(qū)214a)上方的一第一部分212a的填充物數(shù)量可以等于零。由于成型材料層212 的第一部分212a不具有任何填充物，因而第一部分212a的厚度D1可不受填充物粒徑尺寸限制而可以降低至小于或等于10 ym。另外，成型材料層212包圍指紋識別芯片206a的側面209a的一第二部分212b的填充物數(shù)量也可等于零。在本發(fā)明其他實施例中，可以利用不同的制程步驟來分別形成成型材料層212的第一部分212a和第二部分212b，并使成型材料層212的第一部分212a填充物數(shù)量等于零(意即不含填充物)即可。
[0041]圖2為本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500b的剖面示意圖，其顯示一種多芯片封裝的指紋識別裝置封裝結構。在圖2所示的實施例中，指紋識別裝置封裝方式可為層疊封裝(package on package，P0P)，其包括垂直堆疊的一指紋識別芯片和至少一其他芯片。在本發(fā)明一些其他實施例中，指紋識別裝置封裝中可以垂直堆疊任意數(shù)量的芯片而不受本實施例的限制。上述附圖中的各元件如有與圖1所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關敘述，在此不做重復說明。
[0042]如圖2所示，指紋識別裝置封裝500b與指紋識別裝置封裝500a(圖1)的不同處為，指紋識別裝置封裝500b包括一第二芯片230a，上述第二芯片230a可通過例如為導電膠的一黏著層204b設置于基板200的上表面201上。在本發(fā)明一實施例中，指紋識別裝置封裝500b的指紋識別芯片206b垂直堆疊于第二芯片230a的一頂面236a上，且可通過例如為導電膠的一黏著層204a連接至第二芯片230a的頂面236a。換句話說，指紋識別芯片 206b通過第二芯片230a與基板200隔開。
[0043]在本發(fā)明一實施例中，第二芯片230a包括形成于頂面236a上的多個焊墊232,上述焊墊232做為第二芯片230a的輸入/輸出(I/O)電性連接物。指紋識別芯片206b覆蓋第二芯片230a的頂面236a的一部分，使上述焊墊232未被指紋識別芯片206b覆蓋而暴露出來。指紋識別芯片206b的焊墊208與第二芯片230a的焊墊232可通過焊線210、240分別電性連接至基板200的不同的焊墊202,并通過不同的金屬柱216、焊墊220及導電結構224 分別電性連接至例如為一印刷電路板的一載板(圖未顯不)。在本發(fā)明一實施例中，第二芯片 230a 可為一系統(tǒng)單芯片(system-on-chip die，SOC die)、一感測芯片(sensor die)、一存儲器芯片(memory die)或上述組合。上述系統(tǒng)單芯片可例如為一邏輯芯片(logic die)。 上述感測芯片可例如為另一指紋識別芯片，或可為其他壓感芯片或熱感芯片。另外，上述存儲器芯片可例如為一動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)芯片。
[0044]如圖2所示，指紋識別裝置封裝500b的成型材料層212設置于基板200的上表面 201上，且包覆指紋識別芯片206b的識別區(qū)214b、頂面207b和側面209b，且覆蓋第二芯片 230a的頂面236a的一部分和一側面238a，以及覆蓋黏著層204a、204b的側面。在本發(fā)明一實施例中，成型材料層212位于指紋識別芯片206b的頂面207b (包括識別區(qū)214b)上方的第一部分212a可具有填充物313分散于其中，其直徑R小于20 y m。另外，成型材料層212 包圍指紋識別芯片206b的側面209b以及第二芯片230a的側面238a的第二部分212b也可具有填充物313分散于其中，其直徑R小于20 ym。在本發(fā)明一實施例中，成型材料層212 的第一部分212a的厚度D2的范圍可介于30 y m至50 y m之間，例如為40 y m。在本發(fā)明一些其他實施例中，指紋識別裝置封裝500b也具有相同或類似于指紋識別裝置封裝500a (圖 1)的較高指紋識別靈敏度、較小封裝體積等優(yōu)點。
[0045]在本發(fā)明另一實施例中，成型材料層212位于指紋識別芯片206b的頂面207b (包括識別區(qū)214b)上方的第一部分212a的填充物數(shù)量可以等于零，使得成型材料層212的第一部分212a的厚度D2可為小于或等于10 ym。另外，成型材料層212包圍指紋識別芯片 206b的側面209b以及第二芯片230a的側面238a的第二部分212b的填充物數(shù)量也可為零 (意即不含填充物)。在本發(fā)明一些其他實施例中，可以利用不同的制程步驟來分別形成成型材料層212的第一部分212a和第二部分212b，并使成型材料層212的第一部分212a填充物數(shù)量等于零(意即不含填充物)即可。
[0046]圖3為本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500c的剖面示意圖，其顯示另一種多芯片封裝的指紋識別裝置封裝結構。在圖3所示的實施例中，指紋識別裝置封裝方式可為封裝內封裝(package in package，PIP)，其包括并排堆疊于基板上的一指紋識別芯片和至少一其他芯片。在本發(fā)明另一實施例中，指紋識別裝置封裝中可以并排堆疊任意數(shù)量的芯片而不受本實施例的限制。上述附圖中的各元件如有與圖1?2所示相同或相似的部分， 則可參考前面的相關敘述，在此不做重復說明。
[0047]如圖3所示，指紋識別裝置封裝500c與指紋識別裝置封裝500a(圖1)的不同處為，指紋識別裝置封裝500c包括一第二芯片230b，上述第二芯片230b可通過例如為導電膠的一黏著層204b設置于基板200的上表面201上，且位于指紋識別芯片206c旁。因此，指紋識別芯片206c和第二芯片230b分別通過例如為導電膠的黏著層204a、204b并排設置于基板200的上表面201上。指紋識別芯片206c的焊墊208與第二芯片230b的焊墊232可通過焊線210、240分別電性連接至基板200的不同的焊墊202,并通過不同的金屬柱216、 焊墊220及導電結構224分別電性連接至例如為一印刷電路板的一載板(圖未顯示)。在本發(fā)明一些實施例中，第二芯片230b可為一系統(tǒng)單芯片(system-〇n-chip die，SOC die)、 一感測芯片(sensor die)、一存儲器芯片(memory die)或上述組合。上述系統(tǒng)單芯片可例如為一邏輯芯片(logic die)。上述感測芯片可例如為另一指紋識別芯片或其他壓感芯片或熱感芯片。另外，上述存儲器芯片可例如為一動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)芯片。
[0048]如圖3所示，指紋識別裝置封裝500c的成型材料層212系設置于基板200的上表面201上，包覆指紋識別芯片206c的識別區(qū)214c、頂面207c和側面209c，且包覆第二芯片 230b的一頂面236b和一側面238b，以及覆蓋黏著層204a、204b的側面。在本發(fā)明一些實施例中，成型材料層212位于指紋識別芯片206c的頂面207c (包括識別區(qū)214c)上方的第一部分212a可具有填充物313分散于其中，其直徑R小于20 y m。另外，成型材料層212包圍指紋識別芯片206c的側面209c的第二部分212b也可具有填充物313分散于其中，其直徑R小于20 ym。在本發(fā)明一實施例中，成型材料層212的第一部分212a的厚度D3的范圍可介于30 y m至50 y m之間，例如為40 y m。因此，指紋識別裝置封裝500c也具有相同或類似于指紋識別裝置封裝500a (圖1)和500b (圖2)的較高指紋識別靈敏度、較小封裝體積等優(yōu)點。
[0049]在本發(fā)明另一實施例中，成型材料層212位于指紋識別芯片206c的頂面207c (包括識別區(qū)214c)上方的第一部分212a的填充物數(shù)量可以等于零，而使得成型材料層212的第一部分212a的厚度D3可為小于或等于10 y m。另外，成型材料層212包圍指紋識別芯片 206c的側面209c的第二部分212b的填充物數(shù)量也可為零(意即不含填充物)。在本發(fā)明另一實施例中，可以利用不同的制程步驟來分別形成成型材料層212的第一部分212a和第二部分212b，并使成型材料層212的第一部分212a填充物數(shù)量等于零(意即不含填充物) 即可。
[0050]并且，如圖2?3所示的指紋識別裝置封裝500b、500c為多芯片封裝，因而可以提高指紋識別裝置封裝中電子裝置的密度及增加指紋識別裝置封裝的功能選擇。
[0051]圖4?6為本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝的制造方法的制程步驟剖面示意圖。圖4?6所示的指紋識別裝置封裝的制造方法是以圖1所示的指紋識別裝置封裝500a做為實施例。在本發(fā)明另一實施例中，也可用上述指紋識別裝置封裝的制造方法來制作圖 2?3所示的指紋識別裝置封裝500b、500c。上述附圖中的各元件如有與圖1?3所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關敘述，在此不做重復說明。
[0052]請參考圖4,首先，提供一基板200。接著，進行一表面黏著技術(surface mount technology，SMT)制程，將指紋識別芯片206a通過一黏著層204設置于基板200的上表面 201上。然而，進行一打線接合制程(wire bonding)，將例如金屬線材的焊線210的兩端分別連接至指紋識別芯片206a的焊墊208及位于基板200的上表面201上的焊墊202。在本發(fā)明一實施例中，打線接合制程可包括熱壓接合法(Thermocompress1n bonding)、超音波接合法(Ultrasonic bonding)及熱音波接合法(Thermosonic bonding) 〇
[0053]接下來利用圖4?6說明利用一壓縮成型制程形成上述成型材料層212的制程步驟。如圖4所示，可利用一涂布法(coating method)或一沉積法(deposit1n method)， 將多個成型材料顆粒312設置于基板200和指紋識別芯片206a上，上述成型材料顆粒312 包圍指紋識別芯片206a的頂面207a (包括識別區(qū)214a)和側面209a、焊線210、黏著層204 的側面和基板的部分上表面201。在本發(fā)明一實施例中，成型材料顆粒312中可具有例如二氧化硅微粒、鋁微粒、氧化鋁微?；蛏鲜鼋M合的填充物313。在本發(fā)明其他實施例中，也可將成型材料顆粒312和填充物313分別設置于基板200和指紋識別芯片206a上，成型材料顆粒312中可具有填充物313或可不具有任何填充物。
[0054]如圖5所示，接著，將一模具314置放于基板200上且與基板200的上表面201密合，以使模具314與基板200形成一容置空間316。在本發(fā)明一實施例中，基板200的部分上表面201、指紋識別芯片206a、焊線210、黏著層204和成型材料顆粒312位于容置空間 316 內。
[0055]如圖6所示，接著，對模具314施加一壓力，以使成型材料顆粒312軟化以形成具流動性的一成型材料，意即成型材料流體。在本發(fā)明一實施例中，成型材料流體可為一膠狀 (gel)或為一可延展的固體(malleable solid)。上述成型材料流體填滿容置空間316,且包覆基板的部分上表面201、指紋識別芯片206a、焊線210和黏著層204。然后，利用例如對上述成型材料流體加熱或照射一紫外光等方式進行一固化制程。由于上述成型材料流體的材質可為例如環(huán)氧樹脂的紫外光硬化型聚合物或熱硬化型聚合物，因此上述固化制程可使上述成型材料流體中產生一化學反應，將上述成型材料流體硬化為固態(tài)的成型材料層212。 最后，將模具314移除。經過上述制程，形成如圖1所示的本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500a。
[0056]由于用以進行壓縮成型制程的成型材料顆粒312 (圖4)不含任何填充物，因此最終形成的成型材料層212位于指紋識別芯片206a的頂面207a(包括識別區(qū)214a)上方的第一部分212a和包圍指紋識別芯片206a的側面209a的第二部分212b可具有填充物313 分散于其中，其直徑R小于20 ym。成型材料層212的第一部分212a的厚度D1的范圍可介 f 30 y m 31 50 y m 之1丨、司，{列 ￠1? 40 y m。
[0057]在本發(fā)明另一實施例中，由于用以進行壓縮成型制程的成型材料顆粒312(圖4) 可以不含有任何填充物，因此最終形成的成型材料層212位于指紋識別芯片206a的頂面 207a (包括識別區(qū)214a)上方的第一部分212a和包圍指紋識別芯片206a的側面209a的第二部分212b的填充物數(shù)量可以皆等于零，意即成型材料層212的第一部分212a和第二部分212b均不具有任何填充物，進而使得第一部分212a的厚度D1可為小于或等于10 y m。
[0058]在本發(fā)明另一實施例中，可以利用實施兩次如圖4?6的制程步驟分別形成成型材料層212的第一部分212a和第二部分212b?？墒钩尚筒牧蠈?12的第一部分212a具有填充物313分散于其中?；蛘呤钩尚筒牧蠈?12的第一部分212a和第二部分212b皆具有填充物313分散于其中。
[0059]在本發(fā)明另一實施例中，進行壓縮成型制程之前，可進行表面黏著技術制程，通過如圖2所示的黏著層204b于基板200上設置第二芯片230a。接著進行另一表面黏著技術制程，通過如圖2所示的黏著層204a，將指紋識別芯片206b堆疊于該第二芯片230a上。之后，再進行圖4?6所示的制程步驟，以形成如圖2所示的本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500b。
[0060]在本發(fā)明另一實施例中，進行壓縮成型制程之前，可進行表面黏著技術制程，通過如圖3所示的黏著層204a、204b，于基板200上分別設置指紋識別芯片206c和第二芯片 230b，并使第二芯片230b位于指紋識別芯片206c旁。之后，再進行圖4?6所示的制程步驟，以形成如圖3所示的本發(fā)明一實施例的指紋識別裝置封裝500c。
[0061]本發(fā)明實施例提供一種指紋識別裝置封裝以及一種指紋識別裝置封裝的制造方法。本發(fā)明實施例的指紋識別裝置封裝使用含有填充物的成型材料層，且填充物的直徑小于20 ii m，因此可進一步降低封裝總高度，縮小封裝體積、提高指紋識別靈敏度。并且，本發(fā)明實施例提供單芯片封裝結構以及例如層疊封裝(POP)或封裝內封裝(PIP)的多芯片封裝結構。前述多種芯片封裝結構可使指紋識別裝置封裝具有高電子裝置密度和多功能等優(yōu)點。另外，本發(fā)明實施例的指紋識別裝置封裝可搭配壓縮成型制程形成含有填充物的成型材料層。
[0062]雖然本發(fā)明已以實施例公開于上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權利要求書所界定者為準。
【主權項】
1.一種指紋識別裝置封裝，包括:一基板；一第一指紋識別芯片，設置于該基板上；一成型材料層，設置于該基板上，且包覆該第一指紋識別芯片；以及一填充物，分散于該成型材料層中，其中該填充物的一直徑小于20 y m。2.如權利要求1所述的指紋識別裝置封裝，其中該成型材料層位于該第一指紋識別芯 片的一頂面上方的一第一部分的厚度范圍介于30 ym至50 ym之間。3.如權利要求1所述的指紋識別裝置封裝，其中該成型材料層的材質包括硅膠、聚亞 酰胺、環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯或類鉆碳。4.如權利要求1所述的指紋識別裝置封裝，其中該填充物的材質包括二氧化娃、錯、氧 化鋁或上述組合。5.如權利要求1所述的指紋識別裝置封裝，還包括:一第二芯片，設置于該基板上，其中該第一指紋識別芯片堆疊于該第二芯片上。6.如權利要求5所述的指紋識別裝置封裝，其中該成型材料包覆該第一指紋識別芯片 的該頂面和該側面，且覆蓋該第二芯片的一頂面的一部分和一側面。7.如權利要求5所述的指紋識別裝置封裝，其中該第二芯片為一系統(tǒng)單芯片、一感測 芯片、一存儲器芯片或上述組合。8.如權利要求1所述的指紋識別裝置封裝，還包括:一第二芯片，設置于該基板上，且位于該第一指紋識別芯片旁。9.如權利要求8所述的指紋識別裝置封裝，其中該成型材料分別包覆該第一指紋識別 芯片的該頂面和該側面以及該第二芯片的一頂面和一側面。10.如權利要求8所述的指紋識別裝置封裝，其中該第二芯片為一系統(tǒng)單芯片、一感測 芯片、一存儲器芯片或上述組合。11.一種指紋識別裝置封裝的制造方法，包括下列步驟:提供一基板；于該基板上設置一第一指紋識別芯片；以及進行一壓縮成型制程，以于該基板上形成一成型材料層，且該成型材料層包覆該第一 指紋識別芯片的一頂面和一側面，其中該成型材料層具有一填充物分散于其中，其中該填 充物的一直徑小于20 ym。12.如權利要求11所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該成型材料層位于該第 一指紋識別芯片的一頂面上方的一第一部分的厚度范圍介于30 ym至50 ym之間。13.如權利要求11所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中進行該壓縮成型制程包 括下列步驟:將多個成型材料顆粒設置于該基板和該第一指紋識別芯片上；將一模具置放于該基板上且與基板密合，其中該模具與該基板形成一容置空間，其中 該基板的一部分、該第一指紋識別芯片和該些成型材料顆粒系位于該容置空間內；對該模具施加一壓力，以使該些成型材料顆粒軟化以形成一成型材料流體，其中該成 型材料填滿該容置空間；以及該成型材料流體進行一固化制程。14.如權利要求13所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中利用一涂布法或一沉積 法將該些成型材料顆粒設置于該基板和該第一指紋識別芯片上。15.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該成型材料流體進行該 固化制程包括對該成型材料流體加熱或對該成型材料流體照射一紫外光。16.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該些成型材料顆粒中具 有該填充物。17.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中進行該壓縮成型制程之 前包括:于該基板上設置一第二芯片，其中該第一指紋識別芯片堆疊于該第二芯片上。18.如權利要求17所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該成型材料包覆該第一 指紋識別芯片的該頂面和該側面，且覆蓋該第二芯片的一頂面的一部分和一側面。19.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中進行該壓縮成型制程之 前包括:于該基板上設置一第二芯片，其中該第二芯片位于該第一指紋識別芯片旁。20.如權利要求19所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該成型材料分別包覆該 第一指紋識別芯片的該頂面和該側面以及該第二芯片的一頂面和一側面。21.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該成型材料層的材質包 括硅膠、聚亞酰胺、環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯或類鉆碳。22.如權利要求12所述的指紋識別裝置封裝的制造方法，其中該填充物的材質包括二 氧化硅、鋁、氧化鋁或上述組合。
【文檔編號】H01L21/56GK105990160SQ201510067066
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月9日
【發(fā)明人】林功藝, 田鎮(zhèn)英
【申請人】神盾股份有限公司