半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置。本發(fā)明的實施方式通過減少積層芯片間的位置偏移量而改善積層芯片的良率，從而削減成本。實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：獲取第1半導(dǎo)體芯片的位置的步驟；及將第2半導(dǎo)體芯片安裝在所述第1半導(dǎo)體芯片上的步驟。該半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括：獲取所述第2半導(dǎo)體芯片的位置的步驟；計算第1偏移量的步驟，所述第1偏移量是所述第1半導(dǎo)體芯片的位置與所述第2半導(dǎo)體芯片的位置的偏移量；及進行所述第1偏移量是否為第1范圍內(nèi)的第1判定的步驟。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置[0001][關(guān)聯(lián)申請案][0002]本申請案享有以日本專利申請案2014-187676號(申請日:2014年9月16日)為 基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體制造裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0004]為實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化或高功能化等，而將多個半導(dǎo)體芯片積層在1個封裝內(nèi)并加以密封的半導(dǎo)體裝置正在實用化。
[0005]在此種半導(dǎo)體裝置中，要求在半導(dǎo)體芯片間高速地發(fā)送及接收電氣信號。此種情況下，在半導(dǎo)體芯片間的電性連接使用微凸塊。在將形成有微凸塊的半導(dǎo)體芯片積層多級的情況下，在利用相機識別形成在半導(dǎo)體芯片上的對準標記之后，將凸塊彼此位置對準，并且一面施加熱及超聲波等一面將上下的半導(dǎo)體芯片壓接而連接。
[0006]此時，存在如下情況，S卩，對準標記座標的設(shè)計值與相機識別并獲取的對準標記座標的值產(chǎn)生偏差，從而位置偏移量變大。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實施方式減少積層芯片間的位置偏移量。[〇〇〇8]實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:獲取第1半導(dǎo)體芯片的位置的步驟；及將第2半導(dǎo)體芯片安裝在所述第1半導(dǎo)體芯片上的步驟。該半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括: 獲取所述第2半導(dǎo)體芯片的位置的步驟；計算所述第1半導(dǎo)體芯片的位置、與所述第2半導(dǎo)體芯片的位置的偏移量即第1偏移量的步驟；及進行所述第1偏移量是否為第1范圍內(nèi)的第1判定的步驟?！靖綀D說明】
[0009]圖1是自橫方向觀察第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的半導(dǎo)體制造裝置的狀態(tài)的圖的一例。
[0010]圖2是自橫方向觀察第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的半導(dǎo)體制造裝置的狀態(tài)的圖的一例。
[0011]圖3是自橫方向觀察第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的半導(dǎo)體制造裝置的狀態(tài)的圖的一例。
[0012]圖4是自橫方向觀察第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的半導(dǎo)體制造裝置的狀態(tài)的圖的一例。
[0013]圖5是自上方觀察第1半導(dǎo)體芯片及安裝在其上的第2半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)的俯視圖的一例。
[0014]圖6是表示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的順序的流程圖的一例。
[0015]圖7是表示半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的立體圖的一例。
[0016]圖8是表示第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的順序的流程圖的一例。 【具體實施方式】
[0017]以下，一面參照圖式一面對實施方式進行說明。另外，圖式是示意性圖式，厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比率等未必一定與實際情況一致。即便在表示相同部分的情況下，也有相互的尺寸或比率根據(jù)圖式而不同地表示的情況。此外，關(guān)于上下左右的方向，也表示將半導(dǎo)體襯底的電路形成面?zhèn)?、或半?dǎo)體制造裝置中載臺的半導(dǎo)體襯底載置側(cè)作為上的情況的相對性的方向，未必一定限于與以重力加速度方向為基準的情況一致。本案說明書與各圖中，對與在已說明的圖中敘述的要素相同的要素標相同的符號，并適當省略詳細的說明。
[0018](第1實施方式)
[0019]以下，參照圖1?圖7對第1實施方式進行說明。圖1?圖4是自橫方向觀察第 1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的半導(dǎo)體制造裝置1〇〇的狀態(tài)的的一例。 圖5是自上方觀察第1半導(dǎo)體芯片12及安裝在其上的第2半導(dǎo)體芯片20的狀態(tài)的俯視圖的一例，其是示意性地表示第1半導(dǎo)體芯片12與第2半導(dǎo)體芯片20的安裝后的位置偏移狀況的圖的一例。圖6是表示第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的順序的流程圖的一例。圖7是表示半導(dǎo)體裝置110的構(gòu)成的立體圖的一例。[〇〇2〇]首先，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在安裝開始時，如圖1所示，將第1半導(dǎo)體芯片12以吸附保持在半導(dǎo)體制造裝置100的載臺10上的狀態(tài)載置。在第1半導(dǎo)體芯片12的上表面形成有對準標記50及凸塊14。
[0021]其次，半導(dǎo)體制造裝置100進行接收第2半導(dǎo)體芯片20 (步驟101)。第2半導(dǎo)體芯片20以凸塊22形成面為下側(cè)而通過頭部18吸附保持。在第2半導(dǎo)體芯片20的下表面預(yù)先形成有對準標記52及凸塊22。
[0022]第1半導(dǎo)體芯片12與第2半導(dǎo)體芯片20以凸塊14及凸塊22相互相向的方式被保持，且在其等間配置有相機16。相機16包含透鏡16a、16b，且配置為可經(jīng)由透鏡16a、 16b而拍攝對準標記50及52。半導(dǎo)體制造裝置100可利用相機16拍攝對準標記，并特定出芯片的對準座標。載臺10、頭部18及相機16為本實施方式的半導(dǎo)體制造裝置100的一部分。此外，半導(dǎo)體制造裝置100包含存儲座標數(shù)據(jù)等的存儲器部、及進行使用座標數(shù)據(jù)的計算及載臺10、頭部18、相機16等的控制等的CPU(central processing unit，中央處理器)部(運算部、控制部)等。
[0023]此處，半導(dǎo)體制造裝置100利用相機16而識別、獲取第1半導(dǎo)體芯片12的對準標記50的對準座標50a、50b，且存儲座標數(shù)據(jù)(步驟102)。對準標記50在第1半導(dǎo)體芯片12 上例如設(shè)置有兩個。將對準座標50a設(shè)為(Xla，Yla)，且將對準座標50b設(shè)為(Xlb，Ylb)。 對準座標50a、50b是作為“基準對準座標”而加以存儲。此處，所謂基準對準座標是指例如在安裝第2半導(dǎo)體芯片20時成為用于位置對準的基準的第1半導(dǎo)體芯片12上的座標。在安裝時，將下述的搭載芯片的對準座標位置對準于“基準對準座標”。此處，如圖5所示，使用配置在半導(dǎo)體芯片的右上、左下的角部的例，但并不限定于該位置，可配置在任意的位置
[0024]其次，使用該座標而計算對準座標的中心座標(步驟103)。將中心座標50c設(shè)為(XI，Yl)。該第I半導(dǎo)體芯片12的中心座標50c作為“基準座標”而加以存儲?；鶞首鶚顺蔀橛糜谟嬎阆率龅钠屏康鹊幕鶞庶c。此處，Xl= (Xla+Xlb)/2，Yl = (Yla+Ylb)/2。即，中心座標50c是連結(jié)對準座標50a與50b的線段LI的中點。另外，此處，表示使用對準座標的中心座標作為基準座標的例，但并不限定于此。也可在任意的位置設(shè)置基準點(基準座標)，并以該座標為基準而計算偏移量。此外，基準座標也可為多個點。
[0025]其次，半導(dǎo)體制造裝置100利用相機16而識別、獲取第2半導(dǎo)體芯片20的對準標記52的對準座標52a、52b (步驟104)。對準標記52在第2半導(dǎo)體芯片20的下側(cè)的表面上例如設(shè)置有兩個，將其中一者設(shè)為對準座標52a，且將另一者設(shè)為對準座標52b。將對準座標52a設(shè)為(X2a，Y2a)，且將對準座標52b設(shè)為(X2b，Y2b)。
[0026]其次，半導(dǎo)體制造裝置100使用該等對準座標而控制裝置，將設(shè)置在第I半導(dǎo)體芯片12的上表面的凸塊14與設(shè)置在第2半導(dǎo)體芯片20的下表面的凸塊22進行位置對準之后，對第2半導(dǎo)體芯片20施加熱或超聲波而進行壓接。由此，如圖2所示，將凸塊14與凸塊22連接而進行安裝(步驟105)。
[0027]繼而，半導(dǎo)體制造裝置100確認積層級數(shù)(步驟106)。在積層級數(shù)未達預(yù)定的積層級數(shù)的情況下，半導(dǎo)體制造裝置100如圖3所示，頭部18接收下一要安裝的第3半導(dǎo)體芯片26(步驟107) ο
[0028]其次，半導(dǎo)體制造裝置100利用相機16而識別、獲取設(shè)置在第2半導(dǎo)體芯片20的上表面的對準標記54的對準座標54a、54b，且存儲座標數(shù)據(jù)(步驟108)。對準標記54在第2半導(dǎo)體芯片20的上表面(圖的Z方向的上表面)例如設(shè)置有兩個，將其中一者設(shè)為對準座標54a，且將另一者設(shè)為對準座標54b。將對準座標54a設(shè)為(X2a，Y2a)，且將對準座標54b設(shè)為(X2b，Y2b)。半導(dǎo)體制造裝置100將對準座標54a、54b作為“搭載對準座標”而加以存儲。搭載對準座標是安裝芯片上的對準座標。
[0029]其次，半導(dǎo)體制造裝置100使用該座標而計算芯片的中心座標(步驟109)。將中心座標54c設(shè)為(X2，Y2)。該第2半導(dǎo)體芯片20的中心座標54c是作為“搭載座標”而加以存儲。搭載座標用于計算下述的偏移量等。此處，搭載座標X2= (X2a+X2b)/2，Y2 =(Y2a+Y2b)/20中心座標54c是連結(jié)對準座標54a與54b的線段L2的中點。該等座標是安裝且固定在第I半導(dǎo)體芯片12上之后的第2半導(dǎo)體芯片20的座標。因此，在施加熱或超聲波時有可能產(chǎn)生偏移。即，有可能與之前獲取的對準座標產(chǎn)生偏差。
[0030]其次，如圖3所示，半導(dǎo)體制造裝置100利用相機16而識別、獲取第3半導(dǎo)體芯片26的對準標記56的對準座標56a、56b (步驟110)。對準標記56在第3半導(dǎo)體芯片26的下側(cè)表面上例如設(shè)置有兩個，將其中一者設(shè)為對準座標56a，且將另一者設(shè)為對準座標56b。此處，將對準座標56a設(shè)為(X3a，Y3a)，且將對準座標56b設(shè)為(X3b，Y3b)。對準座標56a、56b可配置在任意的位置。
[0031]繼而，半導(dǎo)體制造裝置100計算第I半導(dǎo)體芯片12的基準座標(XI，Yl)、與第2半導(dǎo)體芯片20的搭載座標(X2，Y2)的位置偏移量(X = X1-X2，Y = Υ1-Υ2)、及角度偏移量Θ (步驟111)。由此，可獲得偏移量(X，Y，Θ )。
[0032]其次，半導(dǎo)體制造裝置100進行偏移量是否為規(guī)格范圍內(nèi)的判定(步驟112)。在偏移量為規(guī)格范圍外的情況下，半導(dǎo)體制造裝置100實施報警(步驟113)。此處，規(guī)格范圍可設(shè)為例如有可能在凸塊14與凸塊22之間產(chǎn)生連接不良的范圍。在偏移量為規(guī)格范圍外的情況下，有可能在第I半導(dǎo)體芯片12與第2半導(dǎo)體芯片20之間成為連接不良。如此，針對安裝的每一級而計算由安裝所致的偏移量，由此可在偏移量為規(guī)格范圍外的情況下實施報警。由此，不會浪費其后的安裝芯片，從而可降低成本。
[0033]此外，也可在以報警為契機而暫時確認凸塊的連接狀態(tài)后，進行是否繼續(xù)半導(dǎo)體芯片的安裝的判斷。在實施報警中，可采用例如在適當?shù)娘@示器顯示已產(chǎn)生錯誤等的方法、或利用鳴響警報音等通知已產(chǎn)生錯誤等的方法。由此，于在安裝的中途階段的半導(dǎo)體芯片的安裝中產(chǎn)生不良的可能性較高的情況下，不會繼續(xù)其后的安裝，因而可削減成本。此處，由于不會浪費第3半導(dǎo)體芯片26以后的半導(dǎo)體芯片，因而可削減成本。
[0034]另一方面，在偏移量為規(guī)格范圍內(nèi)的情況下，半導(dǎo)體制造裝置100將第2半導(dǎo)體芯片20的搭載對準座標覆寫(代入)為新的基準對準座標的座標數(shù)據(jù)(步驟114)。S卩，將對準座標 54a (X2a，Y2a)、54b(X2b，Y2b)覆寫于對準座標 50a (Xla，Yla)、50b(Xlb，Ylb)，而將對準座標54a(X2a，Y2a)、54b(X2b，Y2b)設(shè)為新的基準對準座標。
[0035]或者，也可將第2半導(dǎo)體芯片20的對準標記54的中心座標54c (搭載座標)覆寫(代入)為基準座標。即，也可將中心座標54c(X2，Y2)覆寫于中心座標50c (XI，Yl)。
[0036]其次，半導(dǎo)體制造裝置100以使在步驟110中識別、獲取的第3半導(dǎo)體芯片26的對準座標56a、56b與基準對準座標54a、54b位置對準的方式控制裝置，將設(shè)置在第2半導(dǎo)體芯片20的上表面的凸塊24、與設(shè)置在第3半導(dǎo)體芯片26的下側(cè)的凸塊28進行位置對準。其后，對第2半導(dǎo)體芯片20施加熱或超聲波而將凸塊24與凸塊28壓接。由此，如圖4所示，將凸塊24與凸塊28連接而進行第3半導(dǎo)體芯片26的安裝(步驟115)。由此，將第3半導(dǎo)體芯片26安裝在第2半導(dǎo)體芯片20上。另外，此時，存在因施加的熱或超聲波而使第3半導(dǎo)體芯片26的位置產(chǎn)生偏移的情況。
[0037]其次，確認積層級數(shù)(步驟106)。在積層級數(shù)未達預(yù)定的積層級數(shù)的情況下，如圖3所示，頭部18接收下一要安裝的半導(dǎo)體芯片(步驟107)。其后，反復(fù)執(zhí)行自步驟107經(jīng)過步驟115而至步驟106的流程直至安裝的半導(dǎo)體芯片成為預(yù)定的積層級數(shù)為止。
[0038]繼而，在步驟106中，在安裝的半導(dǎo)體芯片成為預(yù)定的積層級數(shù)，從而指定積層級的安裝結(jié)束的情況下，獲取設(shè)置在最上半導(dǎo)體芯片(以下稱為最上級芯片)的上表面的對準標記的對準座標(步驟116)。
[0039]其次，計算最上級芯片與下一級半導(dǎo)體芯片(以下稱為下級芯片)的對準座標的偏移量(步驟117)。另外，在步驟108中獲取、存儲下級芯片的對準座標(即基準對準座標)，且在步驟109計算其基準座標。
[0040]其次，進行偏移量是否為規(guī)格范圍內(nèi)的判定(步驟118)。在偏移量為規(guī)格范圍外的情況下，實施報警(步驟119)。報警的實施可采用例如在適當?shù)娘@示器顯示已產(chǎn)生錯誤等的方法、或利用警報音等通知已產(chǎn)生錯誤等的方法。通過實施報警而可顯示最上級芯片與下級芯片的偏移量較大，從而有可能成為連接不良。另一方面，在偏移量為規(guī)格范圍內(nèi)的情況下結(jié)束安裝。
[0041]經(jīng)過以上步驟而可制造第I實施方式的半導(dǎo)體裝置110。本實施方式的半導(dǎo)體制造裝置100通過對載臺10、頭部18、及相機16實施所述的控制而可制造本實施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0042]圖1是表示通過本實施方式而制造的半導(dǎo)體裝置110的構(gòu)成的立體圖的一例。如圖7所示，將半導(dǎo)體芯片121、122、123、124在Z方向積層而安裝。在最上級的半導(dǎo)體芯片124上形成有凸塊140。在凸塊140的下方，未圖示的金屬電極在Z方向延伸，且貫通半導(dǎo)體芯片121、122、123、124而形成。該金屬電極將半導(dǎo)體芯片間相互電性連接。另外，圖7中圖示安裝有4片半導(dǎo)體芯片的例，但并不限定于此，安裝片數(shù)可任意設(shè)定。另外，下述的第2實施方式的半導(dǎo)體裝置110也具有相同的構(gòu)成。
[0043]第I實施方式中，在步驟109之后執(zhí)行識別、獲取第3半導(dǎo)體芯片26的對準標記56的對準座標56a、56b的步驟110，但其也可在其他位置實施該步驟110。步驟110只要在進行第3半導(dǎo)體芯片26的安裝的步驟115之前實施即可，例如，也可在步驟114之后實施。步驟110也可與步驟108的第2半導(dǎo)體芯片20的對準座標的獲取同時執(zhí)行。在相機16例如在上下包含透鏡16a、16b的情況下，如此可縮短制程時間。此外，第3半導(dǎo)體芯片26的接收(步驟107)未必一定緊隨步驟106之后執(zhí)行，只要為第3半導(dǎo)體芯片26的對準座標獲取(步驟110)之前，則也可在自步驟107至115為止的任一位置執(zhí)行。
[0044]以上，如所說明般，根據(jù)本實施方式，在安裝半導(dǎo)體芯片的每一安裝步驟，自兩個下半導(dǎo)體芯片的中心座標(基準座標)、與一個下半導(dǎo)體芯片的中心座標(搭載座標)而計算安裝芯片的位置偏移量(X，Y，Θ)。其次，判定偏移量是否為規(guī)格范圍內(nèi)，在偏移量為規(guī)格范圍外的情況下，則在此停止安裝步驟，不執(zhí)行下一半導(dǎo)體芯片的安裝而發(fā)出報警。由此，于在安裝的中途階段有可能產(chǎn)生不良的情況下檢測出此，使其后的安裝停止，從而不會繼續(xù)安裝。因此，不會浪費地安裝半導(dǎo)體芯片，從而可削減成本。即，可預(yù)防制作位置偏移為規(guī)格以上的半導(dǎo)體裝置。
[0045](第2實施方式)
[0046]其次，一面參照圖1?5、圖7、及圖8 一面對第2實施方式進行說明。本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的中途步驟的狀態(tài)、及第2實施方式的半導(dǎo)體裝置110的構(gòu)成與第I實施方式相同，且顯示在圖1?圖4、及圖5中。安裝后的半導(dǎo)體裝置110的構(gòu)成(立體圖)與如上所述的圖7所示的構(gòu)成相同。
[0047]圖8是表示第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的順序的流程圖的一例。首先，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，自步驟201至步驟211與第I實施方式的自步驟101至步驟111相同。
[0048]第2實施方式中，在執(zhí)行自步驟201至步驟211之后，判定偏移量是否為錯誤規(guī)格范圍內(nèi)(步驟212)。在偏移量為錯誤規(guī)格范圍外的情況下實施報警(步驟213)。錯誤規(guī)格范圍可設(shè)為例如在凸塊14與凸塊22之間有可能產(chǎn)生連接不良的范圍。在此種情況下，有可能在第I半導(dǎo)體芯片12與第2半導(dǎo)體芯片20之間成為連接不良。
[0049]在實施報警中，可采用例如在適當?shù)娘@示器顯示已產(chǎn)生錯誤等的方法、或利用鳴響警報音等通知已產(chǎn)生錯誤等的方法。在安裝的每一級計算由安裝所致的偏移量，由此可在產(chǎn)生偏移量為規(guī)格范圍外的安裝級的情況下實施報警。由此，不會繼續(xù)其后的安裝，因而不會浪費其后的安裝芯片，從而可削減成本。此處，由于不會浪費第3半導(dǎo)體芯片26之后的半導(dǎo)體芯片，因此可削減其后安裝預(yù)定的半導(dǎo)體芯片、或安裝完成后的密封步驟等的成本。
[0050]另一方面，在偏移量為錯誤規(guī)格范圍內(nèi)的情況下，判定偏移量是否為修正規(guī)格范圍內(nèi)(步驟214)。
[0051]在偏移量為修正規(guī)格范圍外的情況下，通過在步驟210中計算的位置偏移量(X，Y)而修正在步驟208中獲取的搭載對準座標(第2半導(dǎo)體芯片20的對準座標)的座標數(shù)據(jù)(步驟215)。S卩，將修正量(-X，-Y)加上搭載對準座標的座標數(shù)據(jù)(即減去偏移量)。其次，將修正后的搭載對準座標的座標數(shù)據(jù)覆寫于基準對準座標的座標數(shù)據(jù)，且將此作為新的基準對準座標的座標數(shù)據(jù)(步驟216)。
[0052]另一方面，在步驟214中，在偏移量為修正規(guī)格范圍內(nèi)的情況下，將第2半導(dǎo)體芯片20的對準座標(搭載對準座標)的座標數(shù)據(jù)覆寫于基準對準座標的座標數(shù)據(jù)，且將此作為新的基準對準座標的座標數(shù)據(jù)(步驟216)。S卩，將第2半導(dǎo)體芯片20的搭載對準座標54a(X2a，Y2a)、54b(X2b，Y2b)覆寫(代入)于第I半導(dǎo)體芯片12的基準對準座標50a (Xla，Yla)、50b (Xlb，Ylb)，且將此作為新的基準對準座標的座標數(shù)據(jù)。
[0053]或者，也可代替所述方法而將第2半導(dǎo)體芯片20的搭載座標作為基準座標而覆寫。即，將第2半導(dǎo)體芯片20的搭載座標54c (X2，Y2)覆寫(代入)于基準座標50c (XI，Yl)，且將此作為新的基準座標。
[0054]其次，以使在步驟210中識別、獲取的第3半導(dǎo)體芯片26的對準座標56a、56b與基準對準座標54a、54b位置對準的方式控制裝置，使設(shè)置在第2半導(dǎo)體芯片20的上表面的凸塊24、與設(shè)置在第3半導(dǎo)體芯片26的下側(cè)的凸塊28位置對準。其后，對第2半導(dǎo)體芯片20施加熱或超聲波而將凸塊24與凸塊28壓接。由此，如圖4所示，將凸塊24與凸塊28連接而執(zhí)行第3半導(dǎo)體芯片26的安裝(步驟217)。由此，將第3半導(dǎo)體芯片26安裝在第2半導(dǎo)體芯片20上。另外，此時，有通過施加的熱或超聲波而使第3半導(dǎo)體芯片26位置產(chǎn)生偏移的情況。
[0055]其次，確認積層級數(shù)(步驟206)。在積層級數(shù)未達預(yù)定的積層級數(shù)的情況下，如圖3所示，頭部18接收下一要安裝的半導(dǎo)體芯片(步驟207)。其后，反復(fù)執(zhí)行自步驟207經(jīng)過步驟217而至步驟206為止的流程直至安裝的半導(dǎo)體芯片成為預(yù)定的積層級數(shù)為止。
[0056]繼而，在步驟206中，在安裝的半導(dǎo)體芯片成為預(yù)定的積層級數(shù)，從而完成指定積層級數(shù)的安裝的情況下，獲取設(shè)置在最上半導(dǎo)體芯片(以下稱為最上級芯片)的上表面的對準標記的對準座標(步驟218)。其后，自步驟218至步驟221與第I實施方式的自步驟116至步驟119相同，因而省略說明。
[0057]經(jīng)過以上步驟而可制造第2實施方式的半導(dǎo)體裝置110。本實施方式的半導(dǎo)體制造裝置100通過對載臺10、頭部18、相機16實施所述控制而可制造本實施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0058]如以上所說明般，根據(jù)第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有與第I實施方式相同的效果。此外，在為錯誤規(guī)格范圍內(nèi)且修正規(guī)格范圍外的偏移量的情況下，可通過在步驟210中計算的偏移量(Χ，Υ，Θ)而修正搭載對準座標。由此，可減少位置偏移量，進而可減少連接不良。
[0059](其他實施方式)
[0060]所述說明的實施方式可應(yīng)用于各種半導(dǎo)體裝置。例如，也可應(yīng)用于NAND(Not AND，與非)型或 NOR (Not 0R，或非)型的快閃存儲器、EPROM (Erasable Programmable Read OnlyMemory，可抹除可程序化唯讀存儲器)、或DRAM (Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)、SRAM (Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)及其他半導(dǎo)體存儲裝置、或各種邏輯裝置、及其他半導(dǎo)體裝置。
[0061]如上所述，對本發(fā)明的若干個實施方式進行了說明，但該等實施方式是作為示例而提出者，并未意圖限定發(fā)明的范圍。該等新穎的實施方式能以其他各種形態(tài)而實施，且可在不脫離發(fā)明的要旨的范圍進行各種省略、置換、變更。該等實施方式或其的變化包含在發(fā)明的范圍或要旨，并且包含在權(quán)利要求中記載的發(fā)明及其均等的范圍。
[0062][符號的說明]
[0063]100半導(dǎo)體制造裝置
[0064]110半導(dǎo)體裝置
[0065]120導(dǎo)體芯片
[0066]14、140凸塊
[0067]10第I載臺
[0068]12第I半導(dǎo)體芯片
[0069]16相機
[0070]16a、16b透鏡
[0071]18第2載臺
[0072]20第2半導(dǎo)體芯片
[0073]22、24凸塊
[0074]26第3半導(dǎo)體芯片
[0075]28凸塊
[0076]50、52、54、56對準標記
[0077]50a、50b、52a、52b、54a、54b 對準座標
[0078]50c、52c、54c中心座標
[0079]121、122、123、124半導(dǎo)體芯片
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括:獲取第1半導(dǎo)體芯片的位置的步驟；將第2半導(dǎo)體芯片安裝在所述第1半導(dǎo)體芯片上的步驟；獲取所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的步驟；計算第1偏移量的步驟，所述第1偏移量是所述第1半導(dǎo)體芯片的位置與所述第2半 導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的偏移量；以及進行所述第1偏移量是否為第1范圍內(nèi)的第1判定的步驟。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:在獲取所述第1半導(dǎo) 體芯片的位置的步驟之前，包括:將第1半導(dǎo)體芯片配置在載臺上的步驟；以及使所述載臺的上方的頭部保持第2半導(dǎo)體芯片的步驟；且在獲取所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的步驟之前，包括以下步驟:將所述第1半導(dǎo)體芯片的位置與所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝前的位置進行位置對準， 將所述第2半導(dǎo)體芯片安裝在所述第1半導(dǎo)體芯片上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包括:將第3半導(dǎo)體芯片安裝在所述第2半導(dǎo)體芯片上的步驟；獲取所述第3半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的步驟；計算第2偏移量的步驟，所述第2偏移量是所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置與所 述第3半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的偏移量；以及進行所述第2偏移量是否為第2范圍內(nèi)的判定的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包括:將第3半導(dǎo)體芯片安裝在所述第2半導(dǎo)體芯片上的步驟；獲取所述第3半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的步驟；計算第2偏移量的步驟，所述第2偏移量是所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置與所 述第3半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置的偏移量；以及執(zhí)行所述第2偏移量是否為第2范圍內(nèi)的判定的步驟。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:在獲取所述第2半導(dǎo) 體芯片的安裝后的位置的步驟之前，包括:在安裝所述第2半導(dǎo)體芯片之后，將所述第3半導(dǎo)體芯片保持在所述頭部的步驟；且 將第3半導(dǎo)體芯片安裝在所述第2半導(dǎo)體芯片上的步驟包括:獲取所述第3半導(dǎo)體芯片的安裝前的位置的步驟；以及將所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置與所述第3半導(dǎo)體芯片的安裝前的位置進行位 置對準的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括:在所述第1判定的結(jié)果為所述第1范圍內(nèi)的情況下，執(zhí)行所述第1偏移量是否為所述 第2范圍內(nèi)的第2判定的步驟；以及在所述第2判定的結(jié)果為所述第1偏移量處在所述第2范圍外的情況下，在計算第2 偏移量的步驟之前根據(jù)所述第1偏移量而修正所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的位置數(shù)據(jù)， 且將此作為新的所述第2半導(dǎo)體芯片的安裝后的座標數(shù)據(jù)的步驟。7.—種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于包含:載臺，可載置第1半導(dǎo)體芯片；頭部，可將第2半導(dǎo)體芯片安裝在被載置在所述載臺上的所述第1半導(dǎo)體芯片上，并且 可將第3半導(dǎo)體芯片安裝在所述第2半導(dǎo)體芯片上；相機，拍攝所述各半導(dǎo)體芯片所具有的對準標記；運算部，根據(jù)所述相機所拍攝的對準標記，而求出安裝在所述第1半導(dǎo)體芯片上的所 述第2半導(dǎo)體芯片的位置與安裝在所述第2半導(dǎo)體芯片上的所述第3半導(dǎo)體芯片的位置的 偏移量；以及判定部，其判定所述偏移量是否為第1范圍內(nèi)。
【文檔編號】H01L21/98GK105990205SQ201510096614
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月4日
【發(fā)明人】深山真哉, 尾山幸史, 村上和博
【申請人】株式會社東芝