半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式可通過組裝后的動作測試而容易地檢查存儲器與控制器之間的信號的狀態(tài)。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置包括：布線襯底；存儲器；鍵合線，將布線襯底與存儲器電連接；存儲器控制器；及絕緣樹脂層。布線襯底包括：鍵合墊，設(shè)置在第一面，且具有接合著鍵合線的接合部、及通孔焊盤部；通孔，於俯視方向上，以與通孔焊盤部重疊的方式貫通布線襯底；以及連接墊，以與通孔重疊的方式設(shè)置在第二面，且經(jīng)由通孔與鍵合墊電連接，并且以包含通孔的一部分的方式在第二面露出。
【專利說明】
半導(dǎo)體存儲裝置[0001][相關(guān)申請案][0002]本申請案享有以日本專利申請案2014-188533號(申請日:2014年9月17日)作 為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]實(shí)施方式的發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置。【背景技術(shù)】
[0004]作為半導(dǎo)體存儲裝置的一種的eMMC (embedded MultiMedia Card (嵌入式多媒體卡):eMMC)等控制器組入型NAND(Not-And，與非)閃速存儲器不僅能夠進(jìn)行高速動作，而且具有低耗電或面積小等優(yōu)點(diǎn)。
[0005]在制造半導(dǎo)體存儲裝置時，進(jìn)行動作測試，該動作測試是檢查在組裝后是否正常地進(jìn)行動作。在NAND閃速存儲器的動作測試中，例如使探針引腳與露出在封裝體表面的外部連接端子接觸，使用存儲器測試儀等進(jìn)行如下檢查:是否能準(zhǔn)確地選擇存儲單元，或者是否能將數(shù)據(jù)準(zhǔn)確地寫入到所選擇的存儲單元，進(jìn)而是否能在規(guī)定的訪問時間讀出所寫入的數(shù)據(jù)。
[0006]然而，在控制器組入型NAND閃速存儲器的動作測試中，難以辨別存儲器部分的不良與存儲器控制器部分的不良。在控制器組入型NAND閃速存儲器中，因?yàn)閷⒋鎯ζ髋c存儲器控制器作為一個封裝體密封，所以存儲器與存儲器控制器的連接部不會露出到封裝體表面。因此，通過動作測試來調(diào)查存儲器與存儲器控制器之間的信號的狀態(tài)時必須在組裝后進(jìn)行模塑樹脂等的加工等，并不容易。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施方式是一種具備存儲器與控制器的控制器組入型半導(dǎo)體存儲裝置， 可通過組裝后的動作測試而容易地檢查存儲器與控制器之間的信號的狀態(tài)。
[0008]實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置包括:布線襯底，具有相互對向的第一面及第二面； 存儲器，搭載在第一面；鍵合線，將布線襯底與存儲器電連接；存儲器控制器，搭載在第一面，且經(jīng)由布線襯底與存儲器電連接；以及絕緣樹脂層，密封存儲器、存儲器控制器、及鍵合線。布線襯底包括:鍵合墊，設(shè)置在第一面，且具有接合著鍵合線的接合部、及通孔焊盤部； 通孔，於俯視方向上，以與通孔焊盤部重疊的方式貫通布線襯底；以及連接墊，以與通孔重疊的方式設(shè)置在第二面，且經(jīng)由通孔與鍵合墊電連接，并且以包含通孔的一部分的方式在第二面露出?！靖綀D說明】
[0009]圖1是表示半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)造例的圖。
[0010]圖2是半導(dǎo)體存儲裝置的放大圖。
[0011]圖3是表示半導(dǎo)體存儲裝置的平面布局例的俯視圖。
[0012]圖4是焊墊部的局部放大圖。
[0013]圖5是焊墊部的局部放大圖。
[0014]圖6是表示焊墊部中的連接墊的布局例的圖。
[0015]圖7是表示連接墊的平面形狀的圖。
[0016]圖8是表示連接墊的平面形狀的圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0017]下面，參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，附圖是示意性的圖，存在例如厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比率等與現(xiàn)實(shí)不同的情況。另外，在實(shí)施方式中，對實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，并省略說明。
[0018]圖1是表示半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)造例的圖。圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置10包括布線襯底1、存儲器2、存儲器控制器3、鍵合線4、絕緣樹脂層5、及導(dǎo)電層6。
[0019]布線襯底1具有第一面及第二面。布線襯底1的第一面相當(dāng)于圖1中的布線襯底 1的上表面，第二面相當(dāng)于圖1中的布線襯底1的下表面。
[0020]存儲器2搭載在布線襯底1的第一面。存儲器2具有例如多個半導(dǎo)體芯片的積層， 多個半導(dǎo)體芯片是以隔著粘著層而一部分重疊的方式相互粘著。多個半導(dǎo)體芯片通過利用打線接合將設(shè)置在各個半導(dǎo)體芯片的電極墊連接而電連接。作為半導(dǎo)體芯片，可使用例如具有NAND閃速存儲器等存儲元件的存儲器芯片等。此時，半導(dǎo)體芯片除了具備存儲單元以夕卜，還可以具備解碼器等。
[0021]存儲器控制器3搭載在布線襯底1的第一面，且經(jīng)由布線襯底1與存儲器2電連接。存儲器控制器3控制對存儲器2的數(shù)據(jù)的寫入及數(shù)據(jù)的讀出等動作。存儲器控制器3 包含半導(dǎo)體芯片，通過利用例如打線接合將設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的電極墊與設(shè)置在布線襯底 1的鍵合墊等連接墊連接而與布線襯底1電連接。
[0022]作為存儲器2及存儲器控制器3與布線襯底1的連接方法，并不限定于打線接合，也可以使用倒裝芯片接合或捲帶式自動接合(Tape Automated bonding)等無線接合。另外，也可以使用將存儲器2的芯片與存儲器控制器3的芯片積層在布線襯底1的 TSV(Through Silicon Via(硅穿孔):TSV)方式等三維封裝構(gòu)造。
[0023]鍵合線4將布線襯底1與存儲器2電連接。由此，鍵合線4電連接在存儲器2與存儲器控制器3的連接部。作為鍵合線4,可使用例如金、銀、銅、鋁等。另外，也可以設(shè)置多條鍵合線作為鍵合線4。
[0024]絕緣樹脂層5含有無機(jī)填充材料(例如Si02)，使用例如將該無機(jī)填充材料與有機(jī)樹脂等混合而成的密封樹脂并利用轉(zhuǎn)注成形法、壓縮成形法、射出成形法等成形法而形成。
[0025]導(dǎo)電層6設(shè)置在布線襯底1的第二面。導(dǎo)電層6具有作為外部連接端子的功能。 例如經(jīng)由外部連接端子將信號及電源電壓等供給到存儲器控制器3。此時，也可以經(jīng)由外部連接端子將電源電壓供給到存儲器2。導(dǎo)電層6由例如金、銅、焊錫等形成。也可以使用例如錫-銀系、錫-銀-銅系的無鉛焊錫。另外，也可以通過積層多種金屬材料而設(shè)置導(dǎo)電層 6。此外，在圖2中，雖形成了含有導(dǎo)電球的導(dǎo)電層6,但也可以形成含有凸塊的導(dǎo)電層6。
[0026]進(jìn)而，在圖2中表示圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置10的局部放大圖。如圖2所示，布線襯底1包括絕緣層11、布線層12、布線層13、阻焊劑14、阻焊劑15、通孔16a、及通孔16b。
[0027]絕緣層11設(shè)置在布線襯底1的第一面與第二面之間。作為絕緣層11，可使用例如半導(dǎo)體襯底、玻璃襯底、陶瓷襯底、或玻璃環(huán)氧化物等樹脂襯底等。
[0028]布線層12設(shè)置在布線襯底1的第一面。布線層12具有包含鍵合墊121與布線 122的多個導(dǎo)電層。
[0029]鍵合墊121包括:接合部121a，接合著鍵合線4 ;及通孔焊盤部121b，與接合部 121a并列設(shè)置。另外，也可以設(shè)置多個鍵合墊作為鍵合墊121。進(jìn)而，在圖2中，表示了通過楔形接合(wedge bonding)將鍵合線4接合的例子，但并不限定于此，也可以通過球形接合(ball bonding)將鍵合線4接合。
[0030]布線層13設(shè)置在布線襯底1的第二面。布線層13具有包含在表面未設(shè)置導(dǎo)電層 6的連接墊131a及在表面設(shè)置著導(dǎo)電層6的連接墊131b的多個導(dǎo)電層。連接墊131a的表面在第二面露出，連接墊131b的表面被導(dǎo)電層6覆蓋。
[0031]連接墊131a具有作為測試墊的功能，該測試墊用來在動作測試中檢查存儲器2與存儲器控制器3之間的信號的狀態(tài)。例如，可通過使探針引腳與連接墊131a接觸，而使用存儲器測試儀等進(jìn)行動作測試。連接墊131a也可以電連接在存儲器2與存儲器控制器3 的連接節(jié)點(diǎn)。連接墊131a只要至少包含通孔16a的一部分便可，也可以只將例如第二面中的通孔16a的露出面看作連接墊131a。
[0032]連接墊131b具有作為用來形成導(dǎo)電層6的焊盤的功能。連接墊131b的直徑也可以大于連接墊131a的直徑。另外，連接墊131b也可以電連接在其他連接布線。
[0033]布線層12及布線層13含有例如銅、銀、金、或鎳等。例如，也可以通過利用電解鍍敷法或無電鍍敷法等形成包含所述材料的鍍膜而形成布線層12及布線層13。另外，也可以使用導(dǎo)電膏形成布線層12及布線層13。
[0034]阻焊劑14設(shè)置在布線層12上，且具有開口部。阻焊劑14的開口部設(shè)置在例如鍵合墊121的至少一部分上。此外，在圖2中，雖在布線122上形成著阻焊劑14,但在布線122 之外的部分上形成開口部。
[0035]阻焊劑15設(shè)置在布線層13上，且具有開口部。阻焊劑15的開口部設(shè)置在例如連接墊131a及連接墊131b的至少一部分上。
[0036]作為阻焊劑14及阻焊劑15,可使用例如絕緣性樹脂材料，例如可使用紫外線硬化型樹脂或熱硬化型樹脂等。另外，可通過例如蝕刻等在阻焊劑14及阻焊劑15的一部分形成開口部。
[0037]通孔16a與鍵合墊121的通孔焊盤部121b重疊，且貫通布線襯底1。通過使通孔 16a與通孔焊盤部121b重疊，可抑制面積增大。此時，優(yōu)選為不使通孔16a與鍵合墊121的接合部121a重疊。另外，通孔16a也可以不將通孔焊盤部121b貫通。
[0038]通孔16a的至少一部分包含在連接墊131a的一部分。通孔16a將鍵合墊121與連接墊131a電連接。通孔16a也可以不貫通連接墊131a。通孔16a的直徑優(yōu)選為例如80 ym 以下。
[0039]通孔16b通過貫通布線襯底1，而將布線122與連接墊131b電連接。通孔16b可不貫通布線122及設(shè)置在第二面的連接墊。通孔16b的直徑可與通孔16a的直徑相等，或者也可以大于通孔16a的直徑。
[0040]通孔16a及通孔16b包括:導(dǎo)體層，沿例如貫通絕緣層11的開口的內(nèi)壁而設(shè)置；及塞孔材料，填充在導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)。開口是使用例如激光而形成。導(dǎo)體層含有銅、銀、金、或鎳等。例如，也可以通過利用電解鍍敷法或無電鍍敷法等形成包含所述材料的鍍膜而形成導(dǎo)體層。另外，也可以使用導(dǎo)電膏形成導(dǎo)體層。也可以通過與導(dǎo)體層相同的步驟形成鍵合墊 121、布線122、連接墊131a、及連接墊131b中的至少一個。塞孔材料是使用例如絕緣性材料或?qū)щ娦圆牧隙纬?。此外，并不限定于此，例如也可以通過鍍銅等在開口內(nèi)填充導(dǎo)電性材料，由此形成通孔16a及通孔16b。
[0041]如上所述，在本實(shí)施方式中，將用來在動作測試中檢查存儲器與存儲器控制器之間的信號的連接墊(測試墊)形成在布線襯底的第二面。由此，在半導(dǎo)體存儲裝置中，可通過組裝后的動作測試而容易地檢查存儲器與存儲器控制器之間的信號的狀態(tài)。
[0042]在設(shè)置連接墊的情況下，必須使連接墊的間距較寬。此時，為了確保連接墊的形成區(qū)域，考慮例如在遠(yuǎn)離鍵合墊的位置配置連接墊。然而，如果連接墊的位置遠(yuǎn)離鍵合墊的位置，那么布線長度會變長，因此，寄生電容、寄生電阻、寄生電感等變大，而成為傳輸線路的特性阻抗下降的原因。
[0043]相對于此，在本實(shí)施方式中，在布線襯底的第一面以與鍵合墊的通孔焊盤部重疊的方式形成通孔，在布線襯底的第二面形成包含通孔的一部分的連接墊。由此，寄生電容、 寄生電阻、寄生電感等變小，從而可抑制動作速度的下降。
[0044]進(jìn)而，參照圖3對圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置10的上表面布局例進(jìn)行說明。圖3 是表示半導(dǎo)體存儲裝置的上表面布局例的俯視圖。此外，在圖3中，為了方便起見，而省略絕緣樹脂層5。
[0045]在圖3所示的半導(dǎo)體存儲裝置10中，將存儲器2及存儲器控制器3搭載在布線襯底1上，且設(shè)置有焊墊部120,該焊墊部120具有經(jīng)由鍵合線4而與存儲器2電連接的鍵合墊121等多個連接墊。此外，在圖3中，焊墊部120設(shè)置在兩個部位，但并不限定于此。
[0046]在圖4中表示焊墊部120的局部放大圖。在圖4中，圖示著平面形狀為長方形狀的鍵合墊121。這樣一來，鍵合墊121的平面形狀為具有長軸與短軸的形狀，且接合部121a 及通孔焊盤部121b沿長軸方向并列設(shè)置。
[0047]進(jìn)而，多個鍵合墊121是以長軸方向的朝向互不相同的方式，沿短軸方向隔開而并列設(shè)置。并不限定于此，也能以長軸方向的朝向相同的方式，并列設(shè)置鍵合墊121。
[0048] 此時，鍵合墊121的長軸方向的長度(L1)例如為360 ym以下，優(yōu)選為例如356 ym 以下。如果考慮通孔16a的位置對準(zhǔn)精度等，那么鍵合墊121的短軸方向的長度(L2)優(yōu)選為例如大于60 ym，且為190 ym以下，進(jìn)而優(yōu)選為180 ym以下，進(jìn)而更優(yōu)選為150 ym以下。
[0049]自接合部121a到通孔16a的長度(L3)優(yōu)選為例如65 ym以下。此處，將自接合部121a的中心到通孔16a的中心為止的長度設(shè)為L3。在短軸方向上相鄰的鍵合墊121的間隔(L4)優(yōu)選為40 ym以下，進(jìn)而優(yōu)選為30 ym以下。
[0050]如果考慮鍵合墊121的蝕刻性等，那么在短軸方向上相鄰的鍵合墊121的通孔16a 的短軸方向的間隔(L5)優(yōu)選為大于90 ym，且為220 ym以下，進(jìn)而優(yōu)選為190 ym以下。此處，將自成為基準(zhǔn)的通孔16a的中心到相鄰的鍵合墊121的通孔16a的中心為止的長度設(shè)為通孔16a的間隔。如果考慮襯底制造性或可靠性，那么在短軸方向上相鄰的鍵合墊121 的通孔16a的最短距離(L6,也稱作間隙)優(yōu)選為200 ym以下。此處，將自成為基準(zhǔn)的通孔16a的周緣到相鄰的通孔16a的周緣為止的最短距離設(shè)為L6。此外，不用于動作測試的連接墊的尺寸并不限定于此，例如，也可以小于鍵合墊121。
[0051]鍵合墊121的平面形狀并不限定于長方形狀。圖5是包含平面形狀為多邊形狀的鍵合墊121的焊墊部120的局部放大圖。
[0052]圖5所示的鍵合墊121是具有T字型平面形狀的鍵合墊，該T字型平面形狀是使圖4所示的鍵合墊121的接合部121a的寬度比通孔焊盤部121b的寬度窄而成。此時，短軸方向的接合部121a的寬度(L2b)優(yōu)選為例如60 ym以上，且小于190 ym，進(jìn)而優(yōu)選為小于180 y m，進(jìn)而更優(yōu)選為小于150 y m。
[0053]進(jìn)而，圖5所示的多個鍵合墊121是以長軸方向的朝向互不相同的方式，沿短軸方向隔開而并列設(shè)置。即，該圖5所示的多個鍵合墊121是呈鋸齒狀排列而設(shè)置在布線襯底1 的第一面。此時，多個鍵合墊121是以在相鄰的兩個以上的鍵合墊121中短軸方向上的通孔16a的間隔成為通孔焊盤部121b的寬度以下的方式隔開且并列設(shè)置。即，相鄰的兩個以上的鍵合墊121的通孔焊盤部121b的間隔在俯視時比圖4所示的通孔焊盤部121b的間隔窄。
[0054]在以與鍵合墊121的通孔焊盤部121b重疊的方式配置通孔16a的情況下，必須使鍵合墊121的寬度較寬，而布線設(shè)計的自由度下降，隨之的電特性的惡化或因布線長度變長而導(dǎo)致的成本增加等成為問題。對此，通過像圖5所示那樣使鍵合墊121的接合部的寬度比通孔焊盤部121b窄，可提高布線設(shè)計的自由度。
[0055]接著，參照圖6對所述焊墊部中的連接墊的布局例進(jìn)行說明。如圖6的上段所示， 在焊墊部120,將成為電源端子(VCC、VCCQ、VSS)、輸入輸出端子(100?107)、數(shù)據(jù)選通信號端子(DQS)、讀取執(zhí)行信號端子(RE)的合計二十個連接墊隔開而并列設(shè)置。此外，焊墊的排列順序并不限定于此，根據(jù)存儲器芯片或存儲器控制器的端子的位置而設(shè)計。另外，也可以設(shè)置除此以外的連接墊。
[0056]電源端子是用來供給電源電壓VCC、輸入輸出電路用電源電壓VCCQ、電源電壓VSS 的端子。輸入輸出端子是用來輸入輸出指令、地址、程序數(shù)據(jù)及讀取數(shù)據(jù)中的至少一個的端子。數(shù)據(jù)選通信號端子是輸出數(shù)據(jù)選通信號DQS的端子，該數(shù)據(jù)選通信號DQS控制在存儲器與存儲器控制器之間收發(fā)數(shù)據(jù)的時序。作為數(shù)據(jù)選通信號，也可以使用差動信號(DQS0、 DQSZ0)。讀取執(zhí)行信號端子是用來指示讀出動作等的狀態(tài)引腳(status pin)。作為讀取執(zhí)行信號，也可以使用差動信號(REO、REZ0)。
[0057]所述二十個連接墊中，作為動作測試用測試墊所必需的連接墊為REO、REZ0、 100?107、DQSO、DQSZ0這共計十二個。此時，REO、REZ0這兩個端子多配置在焊墊密度相對較低的位置，因此，窄間距化的必要性較低。此處，對將100?I〇7、DQSO、DQSZO這共計十個連接墊(端子)設(shè)為窄間距用測試墊的布局例進(jìn)行說明。將除此以外的測試墊也稱為普通連接墊。
[0058]例如，在為了作為動作測試用測試墊發(fā)揮功能而使用圖4所示的平面形狀的鍵合墊121作為所述十個連接墊的情況下，如圖6的中段所示，在包含100?107、DQS0、 DQSZ0端子及電源端子的十八個端子中，連接墊的間距(連接墊的中心部間的間隔)的總長度L在L2 = 180ixm時，成為(210ixm(窄間距用測試墊-窄間距用測試墊間的間距)X 7) + (150 y m (窄間距用測試墊-普通連接墊間的間距)X 6) + (90 y m (普通連接墊-普通連接墊間的間距)X4) = 2730 ym，進(jìn)而在L2 = 150ym時，成為(180ym(窄間距用測試墊-窄間距用測試墊間的間距)X7) + (135 ym(窄間距用測試墊-普通連接墊間的間距)X6) + (90ym(普通連接墊-普通連接墊間的間距)X4) = 2430 ym。
[0059]相對于此，在為了作為動作測試用測試墊發(fā)揮功能而使用圖5所示的平面形狀的鍵合墊121作為所述十個連接墊的情況下，所述總長度L在L2 = 180 ym時，成為 (150iim(窄間距用測試墊-窄間距用測試墊間的間距)\7) + (15〇11!11(窄間距用測試墊-普通連接墊間的間距)X 6) + (90 y m(普通連接墊-普通連接墊間的間距)X 4)= 2430 y m，進(jìn)而在L2 = 150 y m時，成為(135 y m(窄間距用測試墊-窄間距用測試墊間的間距)X 7) + (135 y m (窄間距用測試墊-普通連接墊間的間距)X 6) + (90 y m (普通連接墊-普通連接墊間的間距)X4) = 2215 ym。這樣一來，通過使用圖5所示的平面形狀的鍵合墊構(gòu)成測試墊，可實(shí)現(xiàn)更窄間距化。
[0060]接著，參照圖7及圖8對連接墊131a的平面形狀進(jìn)行說明。圖7及圖8是表示連接墊的平面形狀的圖。
[0061]圖7所示的連接墊131a的平面形狀為圓形。此時，也可以只將通孔16a的露出面看作連接墊131a。另外，圖8所示的連接墊131a的平面形狀為矩形。此時，也可以在例如短軸方向上，使連接墊131a延伸。這樣一來，通過將連接墊131a形成為大于通孔16a的直徑，而使例如存儲器測試儀的探針引腳等變得易于接觸，從而可容易地進(jìn)行動作測試。
[0062]此外，本實(shí)施方式是作為示例而提出的，并非意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他各種形態(tài)實(shí)施，且可在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
[0063][符號的說明]
[0064]1布線襯底
[0065]2存儲器
[0066]3存儲器控制器
[0067]4鍵合線
[0068]5絕緣樹脂層
[0069]6導(dǎo)電層
[0070]10半導(dǎo)體存儲裝置
[0071]11絕緣層
[0072]12布線層
[0073]13布線層
[0074]14阻焊劑
[0075]15阻焊劑
[0076]16a通孔
[0077]16b通孔
[0078]120焊墊部
[0079]121鍵合墊
[0080]121a接合部
[0081]121b通孔焊盤部
[0082]122布線
[0083]131a連接墊
[0084]131b連接墊
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于包括:布線襯底，包括相互對向的第一面及第二面；存儲器，搭載在所述第一面；鍵合線，將所述布線襯底與所述存儲器電連接；存儲器控制器，搭載在所述第一面，且經(jīng)由所述布線襯底與所述存儲器電連接；以及 絕緣樹脂層，密封所述存儲器、所述存儲器控制器、以及所述鍵合線；并且所述布線襯底包括:鍵合墊，設(shè)置在所述第一面，且包括接合著所述鍵合線的接合部、以及通孔焊盤部； 通孔，於俯視方向上，以與所述通孔焊盤部重疊的方式貫通所述布線襯底；以及 連接墊，以與所述通孔重疊的方式設(shè)置在所述第二面，且經(jīng)由所述通孔與所述鍵合墊 電連接，且以包含所述通孔的一部分的方式在所述第二面露出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于包括:多個所述鍵合墊，這多個鍵合墊呈鋸齒狀排列設(shè)置在所述第一面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于:所述連接墊作為用來輸入輸出指令、地址、編程數(shù)據(jù)及讀取數(shù)據(jù)中的至少一個的端子 或數(shù)據(jù)選通信號端子的測試墊而發(fā)揮功能。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于:所述連接墊作為測試墊而發(fā)揮功能。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于:作為所述鍵合墊，包含具備所述接合部的多個鍵合墊，所述接合部沿長軸方向與所述 通孔焊盤部并列設(shè)置，且具有比所述通孔焊盤部的寬度窄的寬度；并且所述多個鍵合墊是以所述長軸方向的朝向互不相同的方式隔開且并列設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于:所述通孔的直徑為80 y m以下；并且相鄰的兩個以上的所述鍵合墊的所述通孔的間隔為所述通孔焊盤部的寬度以下。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于:所述連接墊的平面形狀為矩形狀。
【文檔編號】H01L27/115GK105990369SQ201510098097
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月5日
【發(fā)明人】渡邊勝好, 中村三昌, 松浦永悟
【申請人】株式會社東芝