發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊，包括一基板、至少一電極組以及至少一發(fā)光元件。基板具有一長(zhǎng)邊與一短邊。電極組設(shè)置在基板上，且包括一第一電極與一第二電極。發(fā)光元件具有復(fù)數(shù)電極，此些電極連接于至少一電極組的第一電極與該第二電極。第一電極與第二電極沿著平行短邊的方向排列。通過改變基板上的電極的排列方式，有效加強(qiáng)發(fā)光元件位于基板上的強(qiáng)度，避免發(fā)光元件自基板上剝離。
【專利說明】
發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊，且特別是有關(guān)于一種具有不同電極方向的發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說，發(fā)光元件可以覆晶(flip-chip)技術(shù)設(shè)置在基板上，以形成一發(fā)光裝置。典型地，基板為一矩形基板，具有長(zhǎng)邊與短邊，由于長(zhǎng)邊與短邊的尺寸差異較大，容易造成基板彎曲，使位于基板上的發(fā)光元件受到破壞。
[0003]因此，需要提供一種可有效解決上述問題發(fā)生的發(fā)光裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是有關(guān)于一種具有不同電極方向的發(fā)光裝置及應(yīng)用其的背光模塊，通過改變基板上的電極的排列方式，有效加強(qiáng)發(fā)光元件位于基板上的強(qiáng)度，避免發(fā)光元件自基板上剝離(peeling)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種發(fā)光裝置，包括一基板、至少一電極組以及至少一發(fā)光元件。基板具有一長(zhǎng)邊與一短邊。電極組設(shè)置在基板上，且包括一第一電極與一第二電極。發(fā)光元件具有復(fù)數(shù)電極，此些電極連接于至少一電極組的第一電極與該第二電極。第一電極與第二電極沿著平行短邊的方向排列。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種背光模塊，包括一導(dǎo)光板、一發(fā)光裝置以及至少一反射元件。導(dǎo)光板具有一入光面與一出光面，且出光面與入光面相鄰。發(fā)光裝置面對(duì)入光面，且發(fā)光裝置包括一基板、至少一電極組及至少一發(fā)光元件。電極組設(shè)置在基板上，且包括一第一電極與一第二電極。發(fā)光元件具有復(fù)數(shù)電極，此些電極連接于至少一電極組的第一電極與該第二電極。反射元件用以反射由發(fā)光裝置發(fā)出的光。第一電極與第二電極沿著一垂直出光面的方向排列。
[0007]為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
[0008]圖1示出本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置的俯視圖；
[0009]圖2A、2B示出本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置沿著圖1的A-A’線段所切的剖面圖；
[0010]圖3A、3B示出本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置沿著圖1的A-A’線段所切的剖面圖；
[0011 ]圖4示出本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊的示意圖。
[0012]附圖標(biāo)記說明:
[0013]1:背光模塊；
[0014]2:顯示面板；
[0015]100:發(fā)光裝置；
[0016]10:基板；
[0017]10-1:基板的長(zhǎng)邊；
[0018]10-2:基板的短邊；
[0019]11:鋁基底層；
[0020]13:絕緣層；
[0021]15:防焊層；
[0022]20:發(fā)光元件的預(yù)設(shè)位置；
[0023]30:電極組；
[0024]301:第一電極；
[0025]302:第二電極；
[0026]31:含銅金屬層；
[0027]33:錫膏；
[0028]40:發(fā)光元件；
[0029]41:發(fā)光元件的上表面；
[0030]401、402:發(fā)光元件的電極；
[0031]50:波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；
[0032]501:高密度轉(zhuǎn)換層；
[0033]502:低密度轉(zhuǎn)換層；
[0034]61:封膠結(jié)構(gòu)；
[0035]62:填充結(jié)構(gòu)；
[0036]70:反射結(jié)構(gòu)；
[0037]80:導(dǎo)光板；
[0038]801:入光面；
[0039]802:出光面；
[0040]90:反射元件；
[0041]A-A，:剖面線；
[0042]Tl:高密度轉(zhuǎn)換層的厚度；
[0043]T2:低密度轉(zhuǎn)換層的厚度；
[0044]X、Y、Z:坐標(biāo)軸。
【具體實(shí)施方式】
[0045]以下是參照附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣。需注意的是，實(shí)施例所提出的結(jié)構(gòu)和內(nèi)容僅為舉例說明之用，本發(fā)明欲保護(hù)的范圍并非僅限于所述的態(tài)樣。實(shí)施例中相同或類似的標(biāo)號(hào)是用以標(biāo)示相同或類似的部分。需注意的是，本發(fā)明并非顯示出所有可能的實(shí)施例?？稍诓幻撾x本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)對(duì)結(jié)構(gòu)加以變化與修飾，以符合實(shí)際應(yīng)用所需。因此，未于本發(fā)明提出的其他實(shí)施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。再者，圖示是已簡(jiǎn)化以利清楚說明實(shí)施例的內(nèi)容，圖示上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制。因此，說明書和圖示內(nèi)容僅作敘述實(shí)施例之用，而非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。
[0046]圖1示出本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖2Α、2Β示出本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置100沿著圖1的A-A’線段所切的剖面圖。圖2A示出基板10與發(fā)光元件40尚未結(jié)合的示意圖，而圖2B示出基板10與發(fā)光元件40結(jié)合后的示意圖。要注意的是，為了更清楚示出位于基板10上的元件的關(guān)系，圖1省略了部分元件(例如發(fā)光元件40)。
[0047]如圖1、2A、2B所示，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置100包括一基板10、至少一電極組30以及至少一發(fā)光元件40。在本實(shí)施例中，電極組30設(shè)置基板10上，舉例來說可設(shè)置在對(duì)應(yīng)在發(fā)光元件40的預(yù)設(shè)位置20內(nèi)。電極組30可包括一第一電極301與一第二電極302。
[0048]要注意的是，雖然圖1示出發(fā)光裝置100包括五個(gè)電極組30，但本發(fā)明并未限定于此。發(fā)光裝置100的電極組30的數(shù)量，可視設(shè)計(jì)需求而改變。
[0049]發(fā)光元件40可例如為一發(fā)光二極管(light-emitting d1de，LED)，具有復(fù)數(shù)電極401、402。電極401、402可電性連接于電極組30的第一電極301與第二電極302。如圖2A所示，發(fā)光元件40的電極401與電極組30的第一電極301之間，以及發(fā)光元件40的電極402與電極組30的第二電極302之間可包括錫膏33。
[0050]在本實(shí)施例中，基板10具有一長(zhǎng)邊10-1與一短邊10-2，電極組30的第一電極301與第二電極302沿著平行短邊10-2的方向排列。也就是說，基板10在沿著平行短邊10-2的方向上，具有復(fù)數(shù)(至少兩個(gè))電極。
[0051]舉例來說，基板10可例如為矩形，長(zhǎng)邊10-1平行于圖1的X軸，短邊10-2平行于圖1的Y軸，也就是說，長(zhǎng)邊10-1可垂直短邊10-2，且電極組30的第一電極301與第二電極302沿著平行于圖1的Y方向排列。
[0052]在一實(shí)施例中，第一電極301與第二電極302也可分別為矩形，也就是說，第一電極301與第二電極302可分別具有一長(zhǎng)邊與一短邊。如圖1所示，第一電極301與第二電極302的長(zhǎng)邊可平行于基板10的長(zhǎng)邊10-1，而第一電極301與第二電極302的短邊可平行于基板10的短邊10-2。然而，本發(fā)明并未限定于此。第一電極301與第二電極302也可形成為其他形狀，例如正方形。
[0053]在一實(shí)施例中，基板10為一印刷電路板(printed circuit board，PCB)，例如一招基板，包括一鋁基底層11、一絕緣層13、復(fù)數(shù)含銅金屬層31及一防焊層15。絕緣層13設(shè)置在鋁基底層11上。含銅金屬層31設(shè)置在絕緣層13上，且對(duì)應(yīng)于電極組30的第一電極301與第二電極302的位置。防焊層15設(shè)置在含銅金屬層31之間。
[0054]然而，本發(fā)明并未限定于此。發(fā)光裝置100的基板10也可由其他材料所形成。舉例來說，基板10可為CEM-3或FR-4。
[0055]如圖2B所示，錫膏33可焊合發(fā)光元件40的電極401、402與電極組30的第一電極301、第二電極302，使基板10與發(fā)光元件40結(jié)合。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置100可進(jìn)一步包括一封膠結(jié)構(gòu)61，在基板10與發(fā)光元件40結(jié)合后，封膠結(jié)構(gòu)61可覆蓋發(fā)光元件40。在某些實(shí)施例中，封膠結(jié)構(gòu)61可包括焚光粒子，使發(fā)光元件40發(fā)出不同顏色的光。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例并未限定發(fā)光裝置100為圖2A、2B所示出的結(jié)構(gòu)。圖3A、3B示出本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光裝置100沿著圖1的A-A’線段所切的剖面圖。圖3A示出基板10與發(fā)光元件40尚未結(jié)合的示意圖，而圖3B示出基板10與發(fā)光元件40結(jié)合后的示意圖。
[0057]在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置100包括一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50可設(shè)置在發(fā)光元件40上。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50內(nèi)包含數(shù)個(gè)熒光粒子。在某些實(shí)施例中，如圖3A、3B所示，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50可例如包括一高密度轉(zhuǎn)換層501及一低密度轉(zhuǎn)換層502，其中熒光粒子密度較高的區(qū)域定義為高密度轉(zhuǎn)換層501，而熒光粒子密度較低的區(qū)域定義為低密度轉(zhuǎn)換層502。在一實(shí)施例中，高密度轉(zhuǎn)換層501的熒光粒子密度與低密度轉(zhuǎn)換層502的熒光粒子密度的比值可介于I與1015之間。在本發(fā)明其他實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50中的低密度轉(zhuǎn)換層502可以是一不含熒光粒子的透明層。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，高密度轉(zhuǎn)換層501與低密度轉(zhuǎn)換層502可以同時(shí)形成或分開形成。
[0058]在本實(shí)施例中，高密度轉(zhuǎn)換層501位于發(fā)光元件40與低密度轉(zhuǎn)換層502之間。也就是說，發(fā)光元件40所發(fā)出的光線會(huì)先經(jīng)過高密度轉(zhuǎn)換層501，再通過低密度轉(zhuǎn)換層502射出。由于高密度轉(zhuǎn)換層501的設(shè)計(jì)，可讓數(shù)個(gè)發(fā)光裝置100的出光光色于色度座標(biāo)上集中地分布，如此可增加此些發(fā)光裝置100的產(chǎn)品良率。低密度轉(zhuǎn)換層502可增加自發(fā)光元件40所發(fā)出的光線的混光機(jī)率。
[0059]在本實(shí)施例中，低密度轉(zhuǎn)換層502的厚度T2大于高密度轉(zhuǎn)換層501的厚度Tl。舉例來說，低密度轉(zhuǎn)換層502的厚度T2與高密度轉(zhuǎn)換層501的厚度Tl的比值可介于I至100之間。
[0060]在本實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50可覆蓋整個(gè)發(fā)光元件40的上表面41，亦即，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50的俯視面積大于發(fā)光元件40的俯視面積。舉例來說，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50的俯視面積與發(fā)光元件40的俯視面積的比值可介于I與1.35之間，但本發(fā)明并未限定于此。在某些實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50的俯視面積與發(fā)光元件40的俯視面積的比值可大于1.35。
[0061 ]在一實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50例如是由硫化物(Sulfide)、釔鋁石榴石(YAG)、LuAG、娃酸鹽(SiIicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、氟化物(Fluoride)、TAG、KSF、KTF等材料制成。
[0062]此外，本實(shí)施例的發(fā)光裝置100可還包括一反射結(jié)構(gòu)70，反射結(jié)構(gòu)70可覆蓋發(fā)光元件40的側(cè)面以及部分波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50，有效保護(hù)發(fā)光元件40及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50，避免其外露而容易毀損。反射結(jié)構(gòu)70例如為白膠，可將自發(fā)光元件40的側(cè)面發(fā)出的光線反射至波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層50，以增加發(fā)光裝置100的出光效率。
[0063]在一實(shí)施例中，反射結(jié)構(gòu)70的反射率可大于90%。反射結(jié)構(gòu)70的材料可由聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、聚酰胺(PA)、聚對(duì)苯二甲酸丙二酯(PTT)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對(duì)苯二甲酸I，4_環(huán)己烷二甲醇酯(PCT)、環(huán)氧膠化合物(EMC)、硅膠化合物(SMC)或其它高反射率樹脂/陶瓷材料所組成。
[0064]類似地，如圖3B所示，錫膏33可焊合發(fā)光元件40的電極401、402與電極組30的第一電極301、第二電極302，使基板10與發(fā)光元件40結(jié)合。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置100可進(jìn)一步包括一填充結(jié)構(gòu)62，在基板10與發(fā)光兀件40結(jié)合后，填充結(jié)構(gòu)62可填充在基板10與發(fā)光兀件40之間。
[0065]承上述實(shí)施例，由于電極組30的第一電極301與第二電極302沿著平行短邊10-2的方向排列，可加強(qiáng)發(fā)光元件40在基板10上的強(qiáng)度，即便基板10的長(zhǎng)邊10-1與短邊10-2的尺寸差異較大造成基板10彎曲，發(fā)光元件40也不容易被破壞。
[0066]再者，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置100也可應(yīng)用于背光模塊中，形成一側(cè)向式(edgetype)背光模塊。圖4示出本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊I的示意圖。如圖4所示，背光模塊I可包括一導(dǎo)光板80、一發(fā)光裝置以及至少一反射元件90。背光模塊I可設(shè)置在顯不面板2的一側(cè)。
[0067]導(dǎo)光板80具有一入光面801與一出光面802，出光面802與入光面801相鄰。發(fā)光裝置面對(duì)導(dǎo)光板80的入光面801。反射元件90用以反射由發(fā)光裝置發(fā)出的光。
[0068]發(fā)光裝置可例如為圖1、2B、3B示出的發(fā)光裝置100，也就是說，發(fā)光裝置可包括一基板10、至少一電極組30及至少一發(fā)光元件40。電極組30設(shè)置在基板10上，且包括一第一電極301與第二電極302。發(fā)光元件40具有復(fù)數(shù)電極，電極連接電極組30的第一電極301與第二電極302。
[0069]在一實(shí)施例中，反射元件90設(shè)置在導(dǎo)光板80的底部。當(dāng)光線由發(fā)光裝置的發(fā)光元件40由導(dǎo)光板80的入光面801，進(jìn)入導(dǎo)光板80中，可通過反射元件90將光線反射至導(dǎo)光板80的出光面802。反射元件90可例如為一反射板，但本發(fā)明并未限定于此，任何可用于反射由發(fā)光裝置的發(fā)光元件40發(fā)出的光線，皆可應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例的背光模塊I中。
[0070]在本實(shí)施例中，電極組30的第一電極301與第二電極302可沿著一垂直出光面802的方向排列。也就是說，背光模塊I在沿著垂直出光面802的方向上，具有復(fù)數(shù)(至少兩個(gè))電極。舉例來說，第一電極301與第二電極302可沿著平行圖4的Y軸的方向排列。
[0071]類似地，基板10可例如為矩形，具有一長(zhǎng)邊與一短邊，圖4僅示出出基板10的短邊(平行Y軸)。電極組30的第一電極301與第二電極302沿著平行于基板10的短邊的方向排列。
[0072]在一實(shí)施例中，第一電極301與第二電極302也可分別為矩形，也就是說，第一電極301與第二電極302可分別具有一長(zhǎng)邊與一短邊。第一電極301與第二電極302的長(zhǎng)邊可平行于基板10的長(zhǎng)邊，而第一電極301與第二電極302的短邊可平行于基板10的短邊。
[0073]由于電極組30的第一電極301與第二電極302沿著沿著垂直出光面802的方向排列，可加強(qiáng)發(fā)光元件40在基板10上的強(qiáng)度，使發(fā)光元件40不易自基板10上剝離。
[0074]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 一基板，具有一長(zhǎng)邊與一短邊； 至少一電極組，設(shè)置在該基板上，該至少一電極組包括一第一電極與一第二電極；以及至少一發(fā)光元件，具有復(fù)數(shù)電極，該些電極電性連接于該至少一電極組的該第一電極與該第二電極； 其中該第一電極與該第二電極沿著平行該短邊的方向排列。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該些復(fù)數(shù)電極具有一長(zhǎng)邊與一短邊，該些電極的長(zhǎng)邊平行于該基板的長(zhǎng)邊，該些電極的短邊平行于該基板的短邊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括: 一封膠結(jié)構(gòu)，覆蓋該至少一發(fā)光元件； 其中該封膠結(jié)構(gòu)包括熒光粒子。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括: 一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在該至少一發(fā)光元件上;及 一反射結(jié)構(gòu)，覆蓋該發(fā)光元件的側(cè)面以及部分該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層包括復(fù)數(shù)個(gè)熒光粒子，該些熒光粒子密度較高的區(qū)域定義為一高密度轉(zhuǎn)換層，該些熒光粒子密度較低的區(qū)域定義為一低密度轉(zhuǎn)換層，該高密度轉(zhuǎn)換層位于該至少一發(fā)光元件與該低密度轉(zhuǎn)換層之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括: 一填充結(jié)構(gòu)，填充在該基板與該至少一發(fā)光元件之間。7.一種背光模塊，其特征在于，包括: 一導(dǎo)光板，具有一入光面與一出光面，該出光面與該入光面相鄰； 一發(fā)光裝置，面對(duì)該入光面，且該發(fā)光裝置包括: 一基板； 至少一電極組，設(shè)置在該基板上，該至少一電極組包括一第一電極與第二電極;及至少一發(fā)光元件，具有復(fù)數(shù)電極，該些電極連接該至少一電極組的該第一電極與該第二電極；以及 至少一反射元件，用以反射由該發(fā)光裝置發(fā)出的光； 其中該第一電極與該第二電極沿著一垂直該出光面的方向排列。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，該基板具有一長(zhǎng)邊與一短邊，且該第一電極與該第二電極沿著平行該短邊的方向排列。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背光模塊，其特征在于，該些復(fù)數(shù)電極具有一長(zhǎng)邊與一短邊，該些電極的長(zhǎng)邊平行于該基板的長(zhǎng)邊，該些電極的短邊平行于該基板的短邊。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，該發(fā)光裝置還包括: 一封膠結(jié)構(gòu)，覆蓋該至少一發(fā)光元件； 其中該封膠結(jié)構(gòu)包括熒光粒子。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，該發(fā)光裝置還包括: 一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在該至少一發(fā)光元件上;及 一反射結(jié)構(gòu)，覆蓋該發(fā)光元件的側(cè)面以及部分該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的背光模塊，其特征在于，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層包括復(fù)數(shù)個(gè)熒光粒子，該些熒光粒子密度較高的區(qū)域定義為一高密度轉(zhuǎn)換層，該些熒光粒子密度較低的區(qū)域定義為一低密度轉(zhuǎn)換層，該高密度轉(zhuǎn)換層位于該至少一發(fā)光元件與該低密度轉(zhuǎn)換層之間。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，該發(fā)光裝置還包括: 一填充結(jié)構(gòu)，填充在該基板與該至少一發(fā)光元件之間。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK105990508SQ201610157456
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年3月18日
【發(fā)明人】洪政暐, 林育鋒
【申請(qǐng)人】新世紀(jì)光電股份有限公司