有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、設(shè)置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)域、設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域上的發(fā)射層、設(shè)置在發(fā)射層上的電子傳輸區(qū)域和設(shè)置在電子傳輸區(qū)域上的第二電極。電子傳輸區(qū)域包括設(shè)置在發(fā)射層上的電子傳輸層、設(shè)置在電子傳輸層上的第一混合電子傳輸層和設(shè)置在第一混合電子傳輸層上的第二混合電子傳輸層。第一混合電子傳輸層包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和與第一電子傳輸化合物不同的第二電子傳輸化合物。第二混合電子傳輸層包括以與第一比例不同的第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。
【專利說明】
有機(jī)發(fā)光器件
[00011 本專利申請(qǐng)要求于2015年3月16日提交的第10-2015-0036209號(hào)韓國專利申請(qǐng)的 優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 這里的本公開涉及有機(jī)發(fā)光器件和具有該有機(jī)發(fā)光器件的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003] 平板顯示裝置可以主要被劃分為發(fā)光裝置和光接收裝置。發(fā)光裝置包括平坦陰極 射線管、等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示器(0LED)等。0LED是自發(fā)光顯示器并且具有寬視 角、良好的對(duì)比度和快速響應(yīng)時(shí)間的期望特征。
[0004] 因此，0LED適用于用于移動(dòng)裝置(諸如數(shù)碼相機(jī)、攝影機(jī)、攝像錄像機(jī)、個(gè)人數(shù)碼助 理、智能手機(jī)、超薄筆記本電腦、個(gè)人平板電腦、柔性顯示器等)或者大尺寸電子產(chǎn)品（諸如 超薄電視機(jī)或大尺寸電子產(chǎn)品）的顯示器中，并且已受到許多關(guān)注。
[0005] 0LED基于以下原理實(shí)現(xiàn)光（例如，顏色光）：從第一電極和第二電極注入的空穴和 電子在發(fā)射層中復(fù)合，通過注入的空穴和電子的結(jié)合而獲得的激子在其從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的 轉(zhuǎn)變期間發(fā)光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)本公開的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的一方面涉及一種具有高效率、長使用時(shí)間 (壽命)和相對(duì)于溫度(例如，當(dāng)溫度改變時(shí)）的小的效率改變的有機(jī)發(fā)光器件。
[0007] 根據(jù)本公開的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的一方面涉及一種包括具有高效率、長使用時(shí) 間和相對(duì)于溫度的小的效率改變的有機(jī)發(fā)光器件的顯示裝置。
[0008] 根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、位于第 一電極上的空穴傳輸區(qū)域、位于空穴傳輸區(qū)域上的發(fā)射層、位于發(fā)射層上的電子傳輸區(qū)域 和位于電子傳輸區(qū)域上的第二電極。電子傳輸區(qū)域包括位于發(fā)射層上的電子傳輸層、位于 電子傳輸層上的第一混合電子傳輸層和位于第一混合電子傳輸層上的第二混合電子傳輸 層。第一混合電子傳輸層包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和與第一電子傳輸化 合物不同的第二電子傳輸化合物，第二混合電子傳輸層包括以與第一比例不同的第二比例 混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。
[0009] 在一些實(shí)施例中，第一電子傳輸化合物可以選自于由下面的式組1表示的化合物。 [0010]式組 1
[0011]
[0012]在上面的式組1中，Ar1至Ar6均獨(dú)立地選自于由氫、氖、取代的或未取代的芳基、取 代的或未取代的縮合芳基、取代的或未取代的雜芳基和取代的或未取代的縮合雜芳基組成 的組，排除Ar2為1，3,5_三甲基苯基的化合物。X是亞苯基或亞吡啶基。P是0至2的整數(shù)，其 中，當(dāng)P為2時(shí)，兩個(gè)X可以相同或不同。Z 1至Z3均獨(dú)立地為C或N，排除Z3為C且Ar5和Ar 6中的每 個(gè)獨(dú)立地為苯基的化合物。
[0013]在其它實(shí)施例中，Ar1可選自于由下述基團(tuán)組成的組：取代有烷基、苯基或吡啶基 的芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的縮合芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的雜芳基；以及 取代有烷基、苯基或吡啶基的縮合雜芳基。Ar 2可以為除取代的或未取代的苯基之外的縮合 苯基或者16族中的元素。Ar3可以為苯基、吡啶基或嘧啶基。Ar 4可以為具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的 取代的或未取代的芳基或者具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的雜芳基。Ar5和Ar 6可以 均獨(dú)立地為苯基或吡啶基。
[0014] 在其它實(shí)施例中，第一電子傳輸化合物可以由下面的式1表示。
[0015] 式1
[0016]
[0017] 在其它實(shí)施例中，電子傳輸層可以包括第一電子傳輸化合物。
[0018] 在其它實(shí)施例中，第二電子傳輸化合物可以為LiF、羥基喹啉鋰(LiQ)、Li20、Ba0、 恥(：1丄8?、￥13、肋(：1和肋1中的至少一種。
[0019] 在其它實(shí)施例中，第一比例可以為從大約3:7至大約7:3,第二比例可以為從大約 4:6至大約6:4。
[0020] 在其它實(shí)施例中，發(fā)射層可以包括由下面的式2表示的摻雜劑。
[0021] 式2
[0022]
[0023]在上面的式2中，LjPL2均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的C6-C30亞芳基和 取代的或未取代的C2-C30亞雜芳基。Ar?至Ar1Q均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的 C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基和取代的或 未取代的C2-C30雜芳基。心至1?9均獨(dú)立地選自于氫、氘、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒 基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C20烷基、 取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C1-C20 烷氧基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的或未取 代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C6-C30芳基、 取代的或未取代的C1-C30雜芳基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C30芳硫基和單價(jià)C6-C30非芳香縮合多環(huán)基。Ar7和Ars可彼此連接以形成味唑基，Ar9和Ario 可彼此連接以形成咔唑基。
[0024] 在其它實(shí)施例中，摻雜劑可以由下面的式3表示。
[0025] 式 3
[0026]
[0027]在其它實(shí)施例中，電子傳輸層可以包括三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、l，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并[d]咪唑并-2-基)苯(IPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲(BCP)、 4,7_二苯基-1,10-鄰二氮雜菲(Bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2,4-三唑 (TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1，2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯 基)-1，3，4-噁二唑（tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1，Γ -聯(lián)苯基-4-羥連)鋁 (BAlq)、雙(苯并喹啉-10-羥連)鈹(Bebq2)和9，10-二(萘-2-基)蒽以0"中的至少一種。
[0028] 在發(fā)明構(gòu)思的其它實(shí)施例中，顯示裝置包括多個(gè)像素。像素中的至少一個(gè)包括第 一電極、位于第一電極上的空穴傳輸區(qū)域、位于空穴傳輸區(qū)域上的發(fā)射層、位于發(fā)射層上的 電子傳輸區(qū)域和位于電子傳輸區(qū)域上的第二電極。電子傳輸區(qū)域包括位于發(fā)射層上的電子 傳輸層、位于電子傳輸層上的第一混合電子傳輸層和位于第一混合電子傳輸層上的第二混 合電子傳輸層。第一混合電子傳輸層包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和與第一 電子傳輸化合物不同的第二電子傳輸化合物。第二混合電子傳輸層包括以不同于第一比例 的第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。
[0029] 在一些實(shí)施例中，第一電子傳輸化合物可以選自于由下面的式組1表示的化合物。
[0030] 式組 1
[0031]
[0032] 在上面的式組1中，Ar1至Ar6均獨(dú)立地選自于由氫、氘、取代的或未取代的芳基、取 代的或未取代的縮合芳基、取代的或未取代的雜芳基和取代的或未取代的縮合雜芳基組成 的組，排除Ar 2為1，3,5_三甲基苯基的化合物。X是亞苯基或亞吡啶基。P是0至2的整數(shù)，其 中，當(dāng)P為2時(shí)，兩個(gè)X可以相同或不同。Z 1至Z3均獨(dú)立地為C或N，排除Z3為C且Ar5和Ar 6中的每 個(gè)為苯基的化合物。
[0033] 在其它實(shí)施例中，Ar1可選自于由下述基團(tuán)組成的組：取代有烷基、苯基或吡啶基 的芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的縮合芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的雜芳基;取代 有烷基、苯基或吡啶基的縮合雜芳基。Ar 2可以為除取代的或未取代的苯基之外的縮合苯基 或者16族中的元素。Ar3可以為苯基、吡啶基或嘧啶基。Ar 4可以為具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代 的或未取代的芳基或者具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的雜芳基。Ar5和Ar 6可以均獨(dú) 立地為苯基或吡啶基。
[0034] 在其它實(shí)施例中，第一電子傳輸化合物可以由下面的式1表示。
[0035] 式 1
[0036]
[0037] 在其它實(shí)施例中，電子傳輸層可以包括第一電子傳輸化合物。
[0038] 在其它實(shí)施例中，第二電子傳輸化合物可以為LiF、LiQ、Li20、Ba0、NaCl、CsF、Yb、 RbCl和Rbl中的至少一種。
[0039] 在其它實(shí)施例中，第一比例可以為從大約3:7至大約7:3,第二比例可以為從大約 4:6至大約6:4。
[0040] 在其它實(shí)施例中，發(fā)射層可以包括由下面的式2表示的摻雜劑。
[0041] 式 2
[0042]
[0043] 在上面的式2中，LjPL2均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的C6-C30亞芳基和 取代的或未取代的C2-C30亞雜芳基。Ar?至Ar 1Q均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的 C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基和取代的或 未取代的C2-C30雜芳基。心至1? 9均獨(dú)立地選自于氫、氘、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒 基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C20烷基、 取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C1-C20 烷氧基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的或未取 代的C1-C10雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C6-C30芳基、 取代的或未取代的C1-C30雜芳基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C30芳硫基和單價(jià)C6-C30非芳香縮合多環(huán)基。Ar7和Ars可彼此連接以形成味唑基，Ar9和Ario 可彼此連接以形成咔唑基。
[0044] 在另一實(shí)施例中，摻雜劑可以由下面的式3表示。
[0045] 式 3
[0046]
[0047] 在其它實(shí)施例中，電子傳輸層可 PBD、BAlq、Bebq2 和 ADN 中的至少一種。
[0048] 在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件中，可以減小(或降低)效率相對(duì)于溫度 (響應(yīng)于溫度的改變)的改變，并且可以增加使用時(shí)間。
[0049] 在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置中，可以減小效率相對(duì)于溫度的改變，并且 可以增加使用時(shí)間。
【附圖說明】
[0050] 包括附圖以提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入本說明書中且構(gòu)成本 說明書的一部分。附圖示出發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的 原理。在附圖中：
[0051] 圖1是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的剖視圖；
[0052] 圖2是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的剖視圖；
[0053]圖3是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置的透視圖；
[0054]圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的包括在顯示裝置中的一個(gè)像素的電路圖；
[0055] 圖5是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的包括在顯示裝置中的一個(gè)像素的平面圖；
[0056] 圖6是沿圖5的線Ι-Γ截取的示意性剖視圖；
[0057] 圖7是示意性地示出根據(jù)示例1制造的器件中的根據(jù)溫度的效率（即，發(fā)射效率)和 時(shí)間的關(guān)系的曲線圖；
[0058] 圖8是示意性地示出根據(jù)示例2制造的器件中的根據(jù)溫度的效率和時(shí)間的關(guān)系的 曲線圖；
[0059] 圖9是示意性地示出根據(jù)示例1和示例2以及對(duì)比示例1制造的器件中的亮度相對(duì) 于時(shí)間減小的程度的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0060] 發(fā)明構(gòu)思的以上目標(biāo)、其它目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過參照附圖的示例實(shí)施例而易 于理解。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式實(shí)施且不應(yīng)被解釋為局限于這里闡述的實(shí)施 例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分 地傳達(dá)發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0061] 為了解釋每個(gè)附圖，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件。在附圖中，為了發(fā)明構(gòu)思的 清楚起見，可以放大元件的尺寸和相對(duì)尺寸。將理解的是，盡管這里可使用術(shù)語第一、第二 等描述各種元件，但這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元件與另 一元件。例如，下面討論的第一元件可被稱為第二元件，類似地，第二元件可被稱為第一元 件。如這里使用的，單數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。
[0062]還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包括"和/或"包含"時(shí)，表明存在敘述的 特征、步驟、操作和/或裝置，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、步驟、操作和/或 裝置。還將理解的是，當(dāng)層、膜、區(qū)域、板等被稱作在另一部件"上"時(shí)，它可以直接在所述另 一部件上，或者也可以存在中間層。此外，當(dāng)層、膜、區(qū)域、板等被稱作在另一部件"下方"時(shí)， 它可以直接在所述另一部件下方，或者也可以存在中間層。
[0063] 在下文中，將更詳細(xì)地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件。
[0064] 圖1是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的剖視圖。
[0065] 圖2是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的剖視圖。
[0066]參照?qǐng)D1和圖2,根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件0EL包括第一電極EL1、空 穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第二電極EL2。
[0067]第一電極ELI具有導(dǎo)電性（即，電導(dǎo)率）。第一電極ELI可以為像素電極或陽極。第一 電極ELI可以形成為透射電極、透反射式電極或反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌OELI形成為透射電極 時(shí)，可以利用透明金屬氧化物(例如，氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)、銦錫鋅 氧化物（ΙΤΖ0)等)形成第一電極ELI。當(dāng)?shù)谝浑姌OELI形成為透反射式電極或反射電極時(shí)，第 一電極ELI可包括六8、]\%、41、？1:、？(1、411、附、陽、11'、0或這些金屬的混合物。
[0068]有機(jī)層可以設(shè)置在第一電極ELI上。有機(jī)層包括發(fā)射層EML。有機(jī)層還可以包括空 穴傳輸區(qū)域HTR和電子傳輸區(qū)域ETR。
[0069] 空穴傳輸區(qū)域HTR可以設(shè)置在第一電極ELI上?？昭▊鬏攨^(qū)域HTR可以包括空穴注 入層HIL、空穴傳輸層HTL、緩沖層和電子阻擋層中的至少一種。
[0070] 空穴傳輸區(qū)域HTR可以具有利用單一材料形成的單層（即，單層結(jié)構(gòu)）、利用多種不 同材料形成的單層或者包括利用多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。
[0071] 例如，空穴傳輸區(qū)域HTR可具有利用多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu);或者具有空穴 注入層HIL/空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/緩沖層、空穴注入層HIL/緩沖 層、空穴傳輸層HTL/緩沖層或空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/電子阻擋層的層疊結(jié)構(gòu)（從 第一電極ELI開始），而不限于此。
[0072] 空穴傳輸區(qū)域HTR可通過利用諸如真空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、朗格繆爾-布吉特 (LB)法、噴墨印刷法、激光印刷法、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)法等的各種合適的方法形成。 [0073]當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴注入層HIL時(shí)，空穴傳輸區(qū)域HTR可包括酞菁化合物 (諸如銅酞菁）、N，N' -二苯基-N，N' -雙[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4，4 ' -二 胺(DNTPD)、4,4'，4"_三（3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4'，4"_三(N，N-二苯 基氨基)三苯胺(TDATA)、4，4 '，4" -三{N- (2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚（3， 4-乙撐二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）（TOD0T/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（PANI/ DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽）（PANI/PSS)等，而不限 于此。
[0074]當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴傳輸層HTL時(shí)，空穴傳輸區(qū)域HTR可以包括咔唑衍生 物(諸如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑）、氟類衍生物、N，N'_雙(3-甲基苯基)-N，N'_二苯基-[1， 1-聯(lián)苯基]-4,4'_二胺（TPD)、三苯胺類衍生物（諸如4,4'，4"_三（N-咔唑基）三苯胺） (1'(^)、^-二（1-萘基)，少'-二苯基聯(lián)苯胺(陬8)、4,4'-亞環(huán)己基雙[叱^雙(4-甲基苯 基)苯胺](TAPC)等，而不限于此。
[0075]空穴傳輸區(qū)域HTR的厚度可以為從大約100人至大約10000A，例如，從大約1〇〇/\ 至大約100Q人。.在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL 二者時(shí)，空穴注入層HIL的厚度可以為從大約100A至大約10000A，例如，從大約100Λ至 大約1000人，空穴傳輸層HTL的厚度可以為從大約50又至大約2000人，例如，從大約100人 至大約1500/\。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR、空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL的 厚度滿足上述范圍時(shí)，獲得令人滿意的空穴傳輸性質(zhì)而無需驅(qū)動(dòng)電壓的任何顯著增大。 [0076]除了上述材料之外，空穴傳輸區(qū)域HTR還可以包括電荷產(chǎn)生材料以用于改善導(dǎo)電 性。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或不均勻地分散于空穴傳輸區(qū)域HTR中。例如，電荷產(chǎn)生材料可 以為P摻雜劑。P摻雜劑可以是醌衍生物、金屬氧化物和含氰基化合物中的一種，而不限于 此。例如，P摻雜劑的非限制性示例可以包括醌衍生物(諸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5， 6-四氟-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)等)和/或金屬氧化物(諸如氧化鎢、氧化鉬等），而不限 于此。
[0077] 如上所述，除了空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL之外，空穴傳輸區(qū)域HTR還可以包 括緩沖層和電子阻擋層中的一種。緩沖層可以根據(jù)從發(fā)射層EML發(fā)射的光的波長來補(bǔ)償光 學(xué)諧振范圍并且增大發(fā)光效率。包括在空穴傳輸區(qū)域HTR中的材料可被用作包括在緩沖層 中的材料。電子阻擋層是用于減少或防止電子從電子傳輸區(qū)域ETR注入至空穴傳輸區(qū)域HTR 的層。
[0078]發(fā)射層EML可以設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域HTR上。發(fā)射層EML可以具有利用單一材料形 成的單層（即，單層結(jié)構(gòu)）、利用多種不同材料形成的單層或者包括利用多種不同材料形成 的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。
[0079]發(fā)射層EML可以通過利用諸如真空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、LB法、噴墨印刷法、激 光印刷法、LITI法等的各種合適的方法形成。
[0080] 發(fā)射層EML可利用常用的合適材料形成而不受具體限制，例如，可以利用發(fā)射紅色 光、綠色光或藍(lán)色光的材料形成，并且可以包括磷光材料或熒光材料。另外，發(fā)射層EML可以 包括主體和/或摻雜劑。
[0081] 主體可以為常用的任何合適材料而不受具體限制，并且可以包括例如Alq3、4,4'_ 雙（N-咔唑基）-1，Γ-聯(lián)苯（CBP)、聚（η-乙烯基咔唑）（PVK)、ADN、TCTA、TPBi、3jXTS-9， 10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亞芳基化合物(DSA)、4,4'_二(9-咔唑基)-2,2'_二 甲基-聯(lián)苯(CDBP)、2-甲基-9，10-二(萘-2-基)蒽(MADN)等。
[0082] 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色光時(shí)，發(fā)射層EML還可以包括磷光材料，磷光材料包括例如 三(二苯甲酰甲烷化)菲羅啉銪(PBD: Eu (DBM) 3 (Phen))或茈。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色光時(shí)，還 包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可選自于金屬絡(luò)合物和有機(jī)金屬絡(luò)合物(諸如雙（1-苯基異喹 啉）乙酰丙酮銥(PIQIr(acac))、二（1-苯基喹啉）乙酰丙酮銥(PQIr(acac)、三（1-苯基喹啉） 銥(PQIr)或八乙基卟啉鉑(PtOEP))。
[0083]當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色光時(shí)，發(fā)射層EML還可以包括磷光材料，磷光材料包括例如 Alq3。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色光時(shí)，還包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以選自于金屬絡(luò)合物 和有機(jī)金屬絡(luò)合物(諸如面式-三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3))。
[0084] 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，發(fā)射層EML還可以包括磷光材料，磷光材料包括選自 于例如螺-DPVBi(DPVBi)、螺-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、DSA、聚芴(PF0)類聚合物和聚(對(duì)亞 苯基亞乙烯基）（PPV)類聚合物中的至少一種。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，還包括在發(fā)射層 EML中的摻雜劑可以選自于金屬絡(luò)合物和有機(jī)金屬絡(luò)合物(諸如(4,6-F2ppy)2Irpic)。
[0085] 發(fā)射層EML可包括由下面的式2表示的摻雜劑。
[0086] 式 2
[0087]
[0088]在上面的式2中，LjPL2均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的C6-C30亞芳基和 取代的或未取代的C2-C30亞雜芳基。Ar?至Ar1Q均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的 C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基和取代的或 未取代的C2-C30雜芳基。Ar7和Ars可彼此連接以形成味唑基，Arg和Ario可彼此連接以形成味 唑基。心至1? 9均獨(dú)立地選自于氫、氘、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧 基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代 的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或 未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的或未取代的C1-C10雜環(huán) 烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代 的C1-C30雜芳基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C30芳硫基和單 價(jià)C6-C30非芳香縮合多環(huán)基。
[0089] 摻雜劑可以為由下面的式3表示的化合物。
[0090] 式 3
[0091]
[0092]電子傳輸區(qū)域ETR可設(shè)置在發(fā)射層EML上。電子傳輸區(qū)域ETR可以通過利用諸如真 空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、LB法、噴墨印刷法、激光印刷法、LITI法等的各種合適的方法形 成。
[0093]電子傳輸區(qū)域ETR可包括電子傳輸層ETL、第一混合電子傳輸層METL1和第二混合 電子傳輸層METL2。電子傳輸層ETL可設(shè)置在發(fā)射層EML上。
[0094] 電子傳輸層 ETL 可包括例如 Alq3、TPBi、BCP、Bphen、TAZ、NTAZ、tBu_PBD、BAlq、 Bebq2和ADN中的至少一種。
[0095] 電子傳輸層ETL的厚度可以為從大約40 A至大約6〇A。電子傳輸層ETL的最低未占 據(jù)分子軌道(LUM0)值可以比第一混合電子傳輸層METL1的LUM0值大大約-0.2eV及以上（即， 大約-0.2eV或更大）。因此，電子傳輸層ETL可以減少或防止空穴注入到電子傳輸區(qū)域ETR 中。
[0096]電子傳輸層ETL可以包括第一電子傳輸化合物，第一電子傳輸化合物包括在第一 混合電子傳輸層METL1和第二混合電子傳輸層METL2中的每個(gè)中。將在下文中更詳細(xì)地解釋 第一電子傳輸化合物。
[0097]第一混合電子傳輸層METL1可設(shè)置在電子傳輸層ETL上。第一混合電子傳輸層 METL1可以包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。第二混合 電子傳輸層METL2可設(shè)置在第一混合電子傳輸層METL1上。第二混合電子傳輸層METL2可包 括以不同于第一比例的第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。第一 混合電子傳輸層METL1和第二混合電子傳輸層METL2的厚度的總和可以為從大約310人至大 約 360/\。
[0098] 第一電子傳輸化合物可以將電子傳輸區(qū)域ETR的電子傳輸至發(fā)射層EML。第一電子 傳輸化合物可以選自于由下面的式組1表示的化合物。
[0099] 式組 1
[0100]
[0101] 在上面的式組1中，Ar1至Ar6均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的芳基、取代 的或未取代的縮合芳基、取代的或未取代的雜芳基和取代的或未取代的縮合雜芳基，排除 Ar2為1，3,5_三甲基苯基的化合物。X是亞苯基或亞吡啶基。P是0至2的整數(shù)，其中，在P是2的 情況下，兩個(gè)X可以相同或不同。Z 1至Z3均獨(dú)立地為C或N，排除Z3為C且Ar5和Ar 6中的每個(gè)為苯 基的化合物。
[0102] Ar1可選自于:取代有烷基、苯基或吡啶基的芳基;縮合取代有烷基、苯基或吡啶基 的縮合芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的雜芳基；以及縮合取代有烷基、苯基或吡啶基的 縮合雜芳基。Ar 2可以為除取代的或未取代的苯基之外的縮合苯基或者16族中的元素。Ar3可 以為苯基、吡啶基或嘧啶基。Ar 4可以為具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的芳基或者具 有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的雜芳基。Ar5和Ar 6可以均獨(dú)立地為苯基或吡啶基。
[0103] 第一電子傳輸化合物可由下面的式1表示。
[0104] 式1
[0105]
[0106] 第一比例可以為從大約3:7至大約7: 3,第二比例可以為從大約4:6至大約6:4。在 第一比例和第二比例在上述范圍內(nèi)的情況下，效率可以不根據(jù)溫度而改變（即，當(dāng)溫度改變 時(shí)，發(fā)射效率可以不顯著地改變），并且可以實(shí)現(xiàn)長使用時(shí)間。然而，在第一比例和第二比例 偏離上述范圍的情況下，效率根據(jù)溫度不會(huì)保持恒定（即，當(dāng)溫度改變時(shí)，發(fā)射效率不會(huì)保 持在恒定值），并且不會(huì)實(shí)現(xiàn)長使用時(shí)間。
[0107] 第二電子傳輸化合物可以不同于第一電子傳輸化合物。第二電子傳輸化合物可以 根據(jù)相對(duì)于第一電子傳輸化合物的比例來減少或防止空穴從發(fā)射層EML注入至電子傳輸區(qū) 域ETR，并且減少在第一電子傳輸化合物和包括在電子注入層EIL中的化合物之間的能隙， 從而促進(jìn)電子從電子注入層EIL傳輸至第二混合電子傳輸層METL2。
[0108] 第二電子傳輸化合物可以是例如 LiF、LiQ、Li2〇、BaO、NaCl、CsF、Yb、RbCMPRbI* 的至少一種。
[0109]電子傳輸區(qū)域ETR還可包括電子注入層EIL和空穴阻擋層中的至少一種。
[0110] 當(dāng)電子傳輸區(qū)域ETR包括電子注入層EIL時(shí)，電子傳輸區(qū)域ETR還可包括LiF、LiQ、 1^20、8&0、似(：1、〇8?、鑭系金屬（諸如￥13)和/或金屬鹵化物（諸如1^(：1或1^1)，而不限于此。 電子注入層EIL還可以利用空穴傳輸材料和絕緣有機(jī)金屬鹽的混合材料（即，混合物)形成。 有機(jī)金屬鹽可以為具有大于或等于大約4eV的能帶隙的材料。例如，有機(jī)金屬鹽可以包括金 屬醋酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮鹽或金屬硬脂酸鹽。電子注入層 EIL的厚度可以為從大約至大約100人，例如，從大約3A至大約90人。在一個(gè)實(shí)施例中， 當(dāng)電子注入層EIL的厚度滿足上述范圍時(shí)，獲得令人滿意的電子注入性質(zhì)而無需引起驅(qū)動(dòng) 電壓的任何顯著增大。
[0111] 如上所述，電子傳輸區(qū)域ETR可以包括空穴阻擋層。空穴阻擋層可以包括例如BCP 和Bphen中的至少一種，而不限于此。空穴阻擋層的厚度可以為從大約20A至大約1000人， 例如，從大約30/\至大約300人。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)空穴阻擋層的厚度滿足上述范圍時(shí)，獲 得令人滿意的空穴阻擋性質(zhì)而無需引起驅(qū)動(dòng)電壓的任何顯著增大。
[0112] 第二電極EL2可設(shè)置在電子傳輸區(qū)域ETR上。第二電極EL2可以為共電極或陰極。第 二電極EL2可以為透射電極、透反射式電極或反射電極。
[0113] 當(dāng)?shù)诙姌OEL2為透射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、 1%3 &?、8&^8、其化合物或其混合物(例如48和1%的混合物）。
[0114] 第二電極EL2可以包括輔助電極。輔助電極可以包括通過朝向發(fā)射層蒸發(fā)上述材 料而形成的層、位于該層上的透明金屬氧化物(例如，I TO、IZ0、ZnO、IΤΖΟ、Mo和Ti等）（例如， 輔助層可以包括通過朝向發(fā)射層蒸發(fā)用于第二電極的上述材料在發(fā)射層上形成的第一層 以及利用透明金屬氧化物在第一層上形成的透明金屬氧化物）。
[0115] 當(dāng)?shù)诙姌OEL2為透反射式電極或反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括Ag、Mg、Al、 ?扒？(1^11、附、陽、&、0、1^丄3、1^?/^3、1^?/^1、]\1〇、11、其化合物或其混合物（例如48和]\% 的混合物）。第二電極EL2可以為利用以上材料形成的反射層或透反射層以及包括(例如，還 包括)利用1!'0、120、2110、幾20等形成的透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0116] 當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件0EL為前發(fā)光器件時(shí)，第一電極ELI可以為反射電極，第二電極EL2 可以為透射電極或透反射式電極。當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件0EL為背部發(fā)光器件時(shí)，第一電極ELI可 以為透射電極或透反射式電極，第二電極EL2為反射電極。
[0117]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件0EL中，根據(jù)分別施加到第一電極ELI和 第二電極EL2的電壓，從第一電極ELI注入的空穴可以通過空穴傳輸區(qū)域HTR移動(dòng)至發(fā)射層 EML，從第二電極EL2注入的電子可以通過電子傳輸區(qū)域ETR移動(dòng)至發(fā)射層EML。電子和空穴 在發(fā)射層EML中復(fù)合以產(chǎn)生激子，并且在激子從激發(fā)態(tài)至基態(tài)的轉(zhuǎn)變期間發(fā)射光。
[0118] 雖然未示出，但是有機(jī)覆蓋層可以設(shè)置在第二電極EL2上。有機(jī)覆蓋層可以將來自 發(fā)射層EML的發(fā)射光在有機(jī)覆蓋層的頂表面朝向發(fā)射層EML反射。反射的光可以在有機(jī)層中 被諧振效應(yīng)放大以增大顯示裝置10的光效率。在前發(fā)光有機(jī)發(fā)光器件中，有機(jī)覆蓋層可以 通過光的全反射來減少或防止在第二電極EL2處的光損失。
[0119] 有機(jī)覆蓋層可以包括常用的任何合適材料而無具體限制，例如，N4，N4，N4 '，N4 ' -四（聯(lián)苯-4-基)聯(lián)苯-4,4'-二胺(1^)15)、1'(^、^-雙（萘-1-基）和^-雙(苯基)-2,2'- 二甲基聯(lián)苯胺(α-NPD)中的至少一種。
[0120] 有機(jī)覆蓋層可以具有在大約1.6至大約2.4的范圍內(nèi)的折射率。在有機(jī)覆蓋層的折 射率小于1.6的情況下，從發(fā)射層EML發(fā)射的光在有機(jī)覆蓋層的頂表面朝向發(fā)射層EML的反 射會(huì)不足，并且可通過諧振效應(yīng)放大的光的量會(huì)減少。因此，有機(jī)發(fā)光器件0EL的光效率可 能減小。在有機(jī)覆蓋層的折射率大于大約2.4的情況下，從發(fā)射層EML發(fā)射的光在有機(jī)覆蓋 層的頂表面朝向發(fā)射層EML的反射會(huì)過度，并且用于顯示圖像的穿過有機(jī)覆蓋層的光的量 會(huì)減少。
[0121] 通常，在有機(jī)發(fā)光器件中電子的移動(dòng)速度小于(低于）空穴的移動(dòng)速度，可能產(chǎn)生 在空穴傳輸區(qū)域的能帶和發(fā)射層的能帶之間的帶隙以及在發(fā)射層的能帶和電子傳輸區(qū)域 的能帶之間的帶隙。因此，空穴和電子可能不容易注入到發(fā)射層中，電子和空穴在發(fā)射層中 復(fù)合的概率會(huì)低，從而使發(fā)射效率劣化。另外，效率會(huì)極大地根據(jù)溫度的改變而改變，長使 用時(shí)間的實(shí)現(xiàn)會(huì)困難。
[0122] 根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件包括：電子傳輸層;第一混合電子傳輸層， 包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物；以及第二混合電子傳 輸層，包括以第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。因此，可以減少 在空穴傳輸區(qū)域的能帶和發(fā)射層的能帶之間的帶隙，在有機(jī)發(fā)光器件中空穴注入到發(fā)射層 可變得相對(duì)容易。另外，可以減少在發(fā)射層的能帶和電子傳輸區(qū)域的能帶之間的帶隙，電子 注入到發(fā)射層可變得相對(duì)容易。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件中可以實(shí) 現(xiàn)高效率和長使用時(shí)間。此外，根據(jù)溫度的改變的效率（g卩，發(fā)射效率)的改變不是很大（即， 當(dāng)溫度改變時(shí)發(fā)射效率不顯著地改變），并且在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件中 可以實(shí)現(xiàn)長使用時(shí)間。
[0123] 在下文中，將解釋根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置。解釋將集中于與上述的根 據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件0EL的不同點(diǎn)，未解釋的部分將遵循上述的根據(jù)發(fā)明 構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件0EL的解釋。
[0124] 圖3是示意性地示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置10的透視圖。
[0125] 參照?qǐng)D3,根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置10包括顯示區(qū)域DA和非顯示區(qū)域 NDA〇
[0126] 顯示區(qū)域DA顯示圖像。當(dāng)從顯示裝置10的厚度方向（例如，在DR3上）觀看時(shí)，顯示 區(qū)域DA可具有近似矩形的形狀。然而，形狀不限于此。
[0127] 顯示區(qū)域DA包括多個(gè)像素區(qū)域PA。像素區(qū)域PA可以以矩陣形狀設(shè)置。像素區(qū)域PA 可通過像素限定層（圖6中的TOL)來限定。每個(gè)像素區(qū)域PA可以包括多個(gè)像素（圖4中的PX)。
[0128] 非顯示區(qū)域NDA不顯示圖像。當(dāng)從顯示裝置10的厚度方向（在DR3上）觀看時(shí)，非顯 示區(qū)域NDA可以例如圍繞顯示區(qū)域DA。非顯示區(qū)域NDA可以在第一方向（例如，在DR1上)和與 第一方向（例如，在DR1上)交叉(例如，垂直于第一方向）的第二方向（例如，在DR2上)上鄰近 于顯示區(qū)域DA。
[0129] 圖4是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的包括在顯示裝置10中的像素的電路圖。
[0130] 圖5是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的包括在顯示裝置10中的像素的平面圖。
[0131 ]圖6是對(duì)應(yīng)于圖5中的線Ι-Γ的示意性剖視圖。
[0132]參照?qǐng)D4至圖6,每個(gè)像素 PX包括包含柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL的布線 部分、連接到布線部分的薄膜晶體管TFT1和TFT2、連接到薄膜晶體管TFT1和TFT2的有機(jī)發(fā) 光器件OEL以及電容器Cst。
[0133] 每個(gè)像素可以發(fā)射具有具體顏色的光，例如，紅色光、綠色光和藍(lán)色光中的一種。 顏色光的種類不限于此，并且還可以包括例如青色光、品紅色光、黃色光等。
[0134] 柵極線GL在第一方向DR1上延伸。數(shù)據(jù)線DL在第二方向DR2上延伸從而與柵極線GL 交叉。驅(qū)動(dòng)電壓線DVL在基本上與數(shù)據(jù)線DL相同的方向（即，第二方向DR2)上延伸。柵極線GL 將掃描信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管TFT1和TFT2,數(shù)據(jù)線DL將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管TFT1和 TFT2,驅(qū)動(dòng)電壓線DVL將驅(qū)動(dòng)電壓提供到薄膜晶體管。
[0135] 薄膜晶體管TFT1和TFT2可以包括用于控制有機(jī)發(fā)光器件0EL的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 TFT2和用于通斷驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的開關(guān)薄膜晶體管TFT1。在發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，每 個(gè)像素 PX包括兩個(gè)薄膜晶體管TFT1和TFT2,然而發(fā)明構(gòu)思不限于此。每個(gè)像素 PX可以包括 一個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容器，或者每個(gè)像素 PX可以包括至少三個(gè)薄膜晶體管和至少兩個(gè) 電容器。
[0136] 開關(guān)薄膜晶體管TFT1包括第一柵電極GE1、第一源電極SE1和第一漏電極DE1。第一 柵電極GE1連接到柵極線GL，第一源電極SE1連接到數(shù)據(jù)線DL。第一漏電極DE1通過第五接觸 孔CH5連接到第一共電極CE1。開關(guān)薄膜晶體管TFT1根據(jù)施加到柵極線GL的掃描信號(hào)將施加 到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2。
[0137] 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2包括第二柵電極GE2、第二源電極SE2和第二漏電極DE2。第二 柵電極GE2連接到第一共電極CE1。第二源電極SE2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線DVL。第二漏電極DE2通 過第三接觸孔CH3連接到第一電極ELI。
[0138] 第一電極ELI連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的第二漏電極DE2。共電壓被施加到第二 電極EL2,發(fā)射層EML根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的輸出信號(hào)發(fā)射藍(lán)色光，從而顯示圖像。下面 將具體描述第一電極ELI和第二電極EL2。
[0139] 電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的第二柵電極GE2和第二源電極SE2之間， 并且充電且保持輸出到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的第二柵電極GE2的數(shù)據(jù)信號(hào)。電容器Cst可以 包括通過第六接觸孔CH6連接到第一漏電極DE1的第一共電極CE1和連接到驅(qū)動(dòng)電壓線DVL 的第二共電極CE2。
[0140]參照?qǐng)D5和圖6,根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置10可以包括其上堆疊有薄膜晶 體管和有機(jī)發(fā)光器件0EL的基體基底BS。任何合適的常用基底可以用作基體基底BS而不限 于此，并且可以利用絕緣材料形成，例如，玻璃、塑料、石英等。作為用于形成基體基底BS的 有機(jī)聚合物，可以利用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚酰亞 胺、聚醚砜等。可考慮到機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易于處理、防水性質(zhì)等來 選擇基體基底BS。
[0141]基底緩沖層可設(shè)置在基體基底BS上?；拙彌_層減少或防止雜質(zhì)擴(kuò)散到開關(guān)薄膜 晶體管TFT1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2中?；拙彌_層可利用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮 氧化硅(SiO xNy)等形成，并且可以根據(jù)基體基底BS的材料和工藝條件而省略。
[0142] 第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2設(shè)置在基體基底BS上。第一半導(dǎo)體層SM1和 第二半導(dǎo)體層SM2利用半導(dǎo)體材料形成并且分別用作開關(guān)薄膜晶體管TFT1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管TFT2的有源層。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2中的每個(gè)包括源區(qū)SA、漏區(qū)DA以及 設(shè)置在源區(qū)SA和漏區(qū)DA之間的溝道區(qū)CA。第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2中的每個(gè)可 以通過無機(jī)半導(dǎo)體和/或有機(jī)半導(dǎo)體形成。源區(qū)SA和漏區(qū)DA可以摻雜有η型雜質(zhì)(η-摻雜劑） 或Ρ型雜質(zhì)(ρ-摻雜劑）。
[0143] 柵極絕緣層GI設(shè)置在第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2上。柵極絕緣層GI覆蓋 第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2。柵極絕緣層GI可以利用有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕 緣材料形成。
[0144] 第一柵電極GE1和第二柵電極GE2設(shè)置在柵極絕緣層GI上。第一柵電極GE1和第二 柵電極GE2中的每個(gè)形成為覆蓋第一半導(dǎo)體層SM1和第二半導(dǎo)體層SM2的溝道區(qū)CA中的對(duì)應(yīng) 區(qū)域。
[0145] 絕緣夾層IL設(shè)置在第一柵電極GE1和第二柵電極GE2上。絕緣夾層IL覆蓋第一柵電 極GE1和第二柵電極GE2。絕緣夾層IL可以利用有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕緣材料形成。
[0146] 第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極DE2設(shè)置在絕緣夾 層IL上。第二漏電極DE2通過形成在柵極絕緣層GI和絕緣夾層IL中的第一接觸孔CH1與第二 半導(dǎo)體層SM2的漏區(qū)DA接觸，第二源電極SE2通過形成在柵極絕緣層GI和絕緣夾層IL中的第 二接觸孔CH2與第二半導(dǎo)體層SM2的源區(qū)SA接觸。第一源電極SE1通過形成在柵極絕緣層GI 和絕緣夾層IL中的第四接觸孔CH4與第一半導(dǎo)體層SM1的源區(qū)接觸，第一漏電極DE1通過形 成在柵極絕緣層GI和絕緣夾層IL中的第五接觸孔CH5與第一半導(dǎo)體層SM1的漏區(qū)接觸。
[0147] 鈍化層PL設(shè)置在第一源電極SE1、第一漏電極DE1、第二源電極SE2和第二漏電極 DE2上。鈍化層PL可以起到通斷薄膜晶體管TFT1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT2的作用，或者起到作 為使其頂表面平坦的平坦化層的作用。
[0148] 第一電極ELI設(shè)置在鈍化層PL上。第一電極ELI可以為例如陽極。第一電極ELI通過 形成在鈍化層PL中的第三接觸孔CH3與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TR2的第二漏電極DE2連接。
[0149] 用于對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素 PX劃分像素區(qū)域（圖3中的PA)的像素限定層PDL設(shè)置在鈍化 層PL上。像素限定層roL暴露第一電極ELI的頂表面并且沿每個(gè)像素 PX的周圍從基體基底BS 突出。像素限定層PDL可以包括金屬氟離子化合物，而不限于此。例如，像素限定層TOL可以 利用LiF、BaF2和CsF中的一種金屬氟離子化合物形成。當(dāng)金屬氟離子化合物具有特定厚度 時(shí)，獲得絕緣性質(zhì)。像素限定層FOL的厚度可以為例如從大約10nm至大約100nm 〇
[0150] 對(duì)于被像素限定層roL圍繞的每個(gè)像素區(qū)域(圖3中的PA)，設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件0EL。 有機(jī)發(fā)光器件0EL包括第一電極EL1、空穴傳輸區(qū)域HTR、發(fā)射層EML、電子傳輸區(qū)域ETR和第 二電極EL2。
[0151]第一電極ELI具有導(dǎo)電性（即，電導(dǎo)率）。第一電極ELI可以為像素電極或陽極。第一 電極ELI可以形成為透射電極、透反射式電極或反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌OELI形成為透射電極 時(shí)，可以利用透明金屬氧化物(例如，IT0、IZ0、Zn0、ITZ0等)形成第一電極ELl。當(dāng)?shù)谝浑姌O ELI形成為透反射式電極或反射電極時(shí)，第一電極ELI可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、 Ir、Cr或這些金屬的混合物。
[0152]有機(jī)層可以設(shè)置在第一電極ELI上。有機(jī)層包括發(fā)射層EML。有機(jī)層還可以包括空 穴傳輸區(qū)域HTR和電子傳輸區(qū)域ETR。
[0153] 空穴傳輸區(qū)域HTR可以設(shè)置在第一電極ELI上。空穴傳輸區(qū)域HTR可以包括空穴注 入層HIL、空穴傳輸層HTL、緩沖層和電子阻擋層中的至少一種。
[0154] 空穴傳輸區(qū)域HTR可以具有利用單一材料形成的單層、利用多種不同材料形成的 單層或者包括利用多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。
[0155] 例如，空穴傳輸區(qū)域HTR可具有利用多種不同材料形成的單層結(jié)構(gòu)、或者從第一電 極ELI開始的空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL、空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/緩沖層、空 穴注入層HIL/緩沖層、空穴傳輸層HTL/緩沖層或空穴注入層HIL/空穴傳輸層HTL/電子阻擋 層的層疊結(jié)構(gòu)，而不限于此。
[0156] 空穴傳輸區(qū)域HTR可通過利用諸如真空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、LB法、噴墨印刷 法、激光印刷法、LITI法等的各種合適的方法形成。
[0157] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴注入層HIL時(shí)，空穴傳輸區(qū)域HTR可以包括酞菁化合 物（諸如銅酞菁）、DNTPD、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、PED0T/PSS、PANI/DBSA、PANI/CSA、 PANI/PSS等，而不限于此。
[0158] 當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴傳輸層HTL時(shí)，空穴傳輸區(qū)域HTR可包括咔唑衍生物 (諸如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑）、氟類衍生物、Tro、TCTA、NPB、TAPC等，而不限于此。
[0159] 空穴傳輸區(qū)域HTR的厚度可以為從大約1〇〇人至大約10000A，例如，從大約100A 至大約1000人。當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR包括空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL二者時(shí)，空穴注入 層HIL的厚度可以為從大約1〇〇人至大約10000人，例如，從大約1〇〇人至大約1〇〇〇人;空穴 傳輸層HTL的厚度可以為從大約50人至大約2000人，例如，從大約10〇Λ至大約1500人。在 一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)空穴傳輸區(qū)域HTR、空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL的厚度滿足上述范圍 時(shí)，獲得令人滿意的空穴傳輸性質(zhì)而無需驅(qū)動(dòng)電壓的任何顯著增大。
[0160]除了上述材料之外，空穴傳輸區(qū)域HTR還可以包括電荷產(chǎn)生材料以用于改善導(dǎo)電 性。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或不均勻地分散于空穴傳輸區(qū)域HTR中。例如，電荷產(chǎn)生材料可 以為P摻雜劑。P摻雜劑可以是醌衍生物、金屬氧化物和含氰基化合物中的一種，而不限于 此。例如，P摻雜劑的非限制性示例可以包括醌衍生物(諸如TCNQ、F4-TCNQ等）和/或金屬氧 化物(諸如氧化鎢、氧化鉬等），而不限于此。
[0161] 如上所述，除了空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL之外，空穴傳輸區(qū)域HTR還可以包 括緩沖層和電子阻擋層中的一種。緩沖層可以根據(jù)從發(fā)射層EML發(fā)射的光的波長來補(bǔ)償光 學(xué)諧振范圍并且增大發(fā)光效率。包括在空穴傳輸區(qū)域HTR中的材料可被用作包括在緩沖層 中的材料。電子阻擋層是用于減少或防止電子從電子傳輸區(qū)域ETR注入至空穴傳輸區(qū)域HTR 的層。
[0162] 發(fā)射層EML設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域HTR上。發(fā)射層EML可以具有利用單一材料形成的 單層、利用多種不同材料形成的單層或者包括利用多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié) 構(gòu)。
[0163] 發(fā)射層EML可以通過利用諸如真空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、LB法、噴墨印刷法、激 光印刷法、LITI法等的各種合適的方法形成。
[0164] 發(fā)射層EML可利用常用的材料形成而無具體限制，例如，可以利用發(fā)射紅色光、綠 色光或藍(lán)色光的材料形成，并且發(fā)射層EML可以包括磷光材料或熒光材料。另外，發(fā)射層EML 可以包括主體和/或摻雜劑。
[0165] 主體可以是常用的任何合適材料而無具體限制，并且可以包括例如Alq3、CBP、 PVK、ADN、TCTA、TPB i、TBADN、DSA、CDBP、MADN 等。
[0166] 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色光時(shí)，發(fā)射層EML還可包括磷光材料，磷光材料包括例如 roD:Eu(DBM)3(Phen)或茈。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射紅色光時(shí)，還包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可 選自于金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物(諸如PIQIr(acac)、PQIr(acac)、PQIr和PtOEP)。
[0167] 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色光時(shí)，發(fā)射層EML還可以包括磷光材料，磷光材料包括例如 Alq3。當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射綠色光時(shí)，還包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以選自于金屬絡(luò)合物 和有機(jī)金屬絡(luò)合物(諸如Ir (ppy) 3)。
[0168] 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，發(fā)射層EML還可以包括磷光材料，磷光材料包括從由 例如螺-DPVB i、螺-6P、DSB、DSA、PF0類聚合物和PPV類聚合物組成的組中選擇的至少一種。 當(dāng)發(fā)射層EML發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，還包括在發(fā)射層EML中的摻雜劑可以選自于金屬絡(luò)合物和有機(jī) 金屬絡(luò)合物(諸如(4,6-F2ppy)2lrpic)。
[0169] 發(fā)射層EML可包括由下面的式2表示的摻雜劑。
[0170] 式2
[0171]
[0172] 在上面的式2中，LjPL2均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的C6-C30亞芳基和 取代的或未取代的C2-C30亞雜芳基。Ar?至Ar 1Q均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的 C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基和取代的或 未取代的C2-C30雜芳基。Ar?和Ars以及Ar 9和Ar1Q可以彼此連接以形成咔唑基。
[0173] 在"和!^選自于取代的烷基、取代的環(huán)烷基、取代的芳基和取代的雜芳基的情況 下，烷基、環(huán)烷基、芳基和雜芳基可以被選自于例如烷基、羥基、氰基、烷氧基、鹵素基團(tuán)、羧 基、烷氧羰基、亞硫?；?、硫羥基(巰基)和砜基的至少一個(gè)取代基所取代。
[0174] 心至抱均獨(dú)立地選自于氫、氘、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、 羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取 代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的 或未取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)烯基、取代的或未取代的C1-C10雜 環(huán)烷基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)烯基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取 代的C1-C30雜芳基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C30芳硫基和 單價(jià)C6-C30非芳香縮合多環(huán)基。
[0175] 在仏至你選自于取代的烷基、取代的烯基、取代的炔基、取代的烷氧基、取代的環(huán)烷 基、取代的環(huán)烯基、取代的雜環(huán)烷基、取代的雜環(huán)烯基、取代的芳基、取代的雜芳基、取代的 芳氧基和取代的芳硫基的情況下，烷基、烯基、炔基、烷氧基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、雜環(huán)烷基、雜 環(huán)烯基、芳基、雜芳基、芳氧基和芳硫基可以被選自于例如烷基、羥基、氛基、烷氧基、[if素基 團(tuán)、羧基、烷氧羰基、亞硫?；€基和砜基的至少一個(gè)取代基所取代。
[0176] 摻雜劑可以為由下面的式3表示的化合物。
[0177] 式3
[0178]
[0179]電子傳輸區(qū)域ETR可設(shè)置在發(fā)射層EML上。電子傳輸區(qū)域ETR可以通過利用諸如真 空蒸發(fā)法、旋涂法、澆鑄法、LB法、噴墨印刷法、激光印刷法、LITI法等的各種合適的方法形 成。
[0180] 電子傳輸區(qū)域ETR可包括電子傳輸層ETL、第一混合電子傳輸層METL1和第二混合 電子傳輸層METL2。電子傳輸層ETL可設(shè)置在發(fā)射層EML上。
[0181] 電子傳輸層 ETL 可包括例如 Alq3、TPBi、BCP、Bphen、TAZ、NTAZ、tBu_PBD、BAlq、 Bebq2和ADN中的至少一種。
[0182] 電子傳輸層ETL的厚度可以為從大約4〇人至大約60人。電子傳輸層ETL的LUM0值可 以比第一混合電子傳輸層METL1的LUM0值大大約-0.2eV及以上。因此，電子傳輸層ETL可以 減少或防止空穴注入到電子傳輸區(qū)域ETR中。
[0183]電子傳輸層ETL可以包括第一電子傳輸化合物，第一電子傳輸化合物包括在第一 混合電子傳輸層METL1和第二混合電子傳輸層METL2中的每個(gè)中。在下文中將更詳細(xì)地解釋 第一電子傳輸化合物。
[0184] 第一混合電子傳輸層METL1可設(shè)置在電子傳輸層ETL上。第一混合電子傳輸層 METL1可以包括以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。第二混合 電子傳輸層METL2可設(shè)置在第一混合電子傳輸層METL1上。第二混合電子傳輸層METL2可包 括以不同于第一比例的第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。第一 混合電子傳輸層METL1和第二混合電子傳輸層METL2的厚度的總和可以為從大約31〇各至大 約3龜
[0185] 第一電子傳輸化合物可以將電子傳輸區(qū)域ETR的電子傳輸至發(fā)射層EML。第一電子 傳輸化合物可以選自于由下面的式組1表示的化合物。
[0186] 式組 1
[0187]
[0188] 在上面的式組1中，Ar1至Ar6均獨(dú)立地選自于氫、氘、取代的或未取代的芳基、取代 的或未取代的縮合芳基、取代的或未取代的雜芳基和取代的或未取代的縮合雜芳基，排除 Ar2為1，3,5_三甲基苯基的化合物。X是亞苯基或亞吡啶基。P是0至2的整數(shù)，其中，在P是2的 情況下，兩個(gè)X可以相同或不同。Z 1至Z3均獨(dú)立地為C或N，排除Z3為C且Ar5和Ar 6中的每個(gè)為苯 基的化合物。
[0189] Ar1可選自于:取代有烷基、苯基或吡啶基的芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的縮 合芳基;取代有烷基、苯基或吡啶基的雜芳基；以及取代有烷基、苯基或吡啶基的縮合雜芳 基。Ar 2可以為除取代的或未取代的苯基之外的縮合苯基或者16族中的元素。Ar3可以為苯 基、吡啶基或嘧啶基。Ar 4可以為具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的芳基或者具有二個(gè) 至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的雜芳基。Ar5和Ar 6可以均獨(dú)立地為苯基或吡啶基。
[0190] 第一電子傳輸化合物可以由例如下面的式1表示。
[0191] 式1
[0192]
[0193] 第一比例可以為從大約3:7至大約7: 3,第二比例可以為從大約4:6至大約6:4。在 第一比例和第二比例在上述范圍內(nèi)的情況下，效率可以不根據(jù)溫度而改變，并且可以實(shí)現(xiàn) 長使用時(shí)間。然而，在第一比例和第二比例偏離上述范圍的情況下，效率根據(jù)溫度不會(huì)保持 恒定，并且不實(shí)現(xiàn)長使用時(shí)間。
[0194] 第二電子傳輸化合物可以不同于第一電子傳輸化合物。第二電子傳輸化合物可以 根據(jù)相對(duì)于第一電子傳輸化合物的比例來減少或防止空穴從發(fā)射層EML注入到電子傳輸區(qū) 域ETR中，并且減少在第一電子傳輸化合物和包括在電子注入層EIL中的化合物之間的能 隙，從而促進(jìn)電子從電子注入層EIL傳輸至第二混合電子傳輸層METL2。
[0195] 第二電子傳輸化合物可以是例如 LiF、LiQ、Li20、BaO、NaCl、CsF、Yb、RbCMPRbI* 的至少一種。
[0196] 電子傳輸區(qū)域ETR還可包括電子注入層EIL和空穴阻擋層中的至少一種。
[0197] 當(dāng)電子傳輸區(qū)域ETR包括電子注入層EIL時(shí)，電子傳輸區(qū)域ETR還可包括LiF、LiQ、 1^ 20、8&0、似(：1、〇8?、鑭系金屬（諸如￥13)和/或金屬鹵化物（諸如1^(：1或1^1)，而不限于此。 電子注入層EIL還可以利用空穴傳輸材料和絕緣有機(jī)金屬鹽的混合材料形成。有機(jī)金屬鹽 可以為具有大于或等于大約4eV的能帶隙的材料。例如，有機(jī)金屬鹽可以包括金屬醋酸鹽、 金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮鹽和/或金屬硬脂酸鹽。電子注入層EIL的厚 度可以為從大約1灰至大約100人，.例如，從大約3人至大約90人。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)電子注 入層EIL的厚度滿足上述范圍時(shí)，獲得令人滿意的電子注入性質(zhì)而無需引起驅(qū)動(dòng)電壓的任 何顯著增大。
[0198] 如上所述，電子傳輸區(qū)域ETR可以包括空穴阻擋層。空穴阻擋層可以包括例如BCP 和Bphen中的至少一種，而不限于此。空穴阻擋層的厚度可以為從大約20A至大約1000A， 例如，從大約30美至大約300人。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)空穴阻擋層的厚度滿足上述范圍時(shí)，獲 得令人滿意的空穴阻擋性質(zhì)而無需引起驅(qū)動(dòng)電壓的任何顯著增大。
[0199] 第二電極EL2可設(shè)置在電子傳輸區(qū)域ETR上。第二電極EL2可以為共電極或陰極。第 二電極EL2可以為透射電極、透反射式電極或反射電極。
[0200] 當(dāng)?shù)诙姌OEL2為透射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、 1%3 &?、8&^8、其化合物或其混合物(例如48和1%的混合物）。
[0201] 第二電極EL2可以包括輔助電極。輔助電極可以包括通過朝向發(fā)射層蒸發(fā)上述材 料而形成的層、位于該層上的透明金屬氧化物(例如，1!'0、120、2110、幾20、1 〇和11等）。
[0202]當(dāng)?shù)诙姌OEL2為透反射式電極或反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括Ag、Mg、Al、 ?扒？(1^11、附、陽、&、0、1^丄3、1^?/^3、1^?/^1、]\1〇、11、其化合物或其混合物（例如48和]\% 的混合物）。第二電極EL2可以為利用以上材料形成的反射層或透反射層以及包括(例如，還 包括)利用1!'0、120、2110、幾20等形成的透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0203]當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件0EL為前發(fā)光器件時(shí)，第一電極ELI可以為反射電極，第二電極EL2 可以為透射電極或透反射式電極。當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件0EL為背部發(fā)光器件時(shí)，第一電極ELI可 以為透射電極或透反射式電極，第二電極EL2為反射電極。
[0204]在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件0EL中，根據(jù)分別施加到第一電極ELI和 第二電極EL2的電壓，從第一電極ELI注入的空穴可以通過空穴傳輸區(qū)域HTR移動(dòng)至發(fā)射層 EML，從第二電極EL2注入的電子可以通過電子傳輸區(qū)域ETR移動(dòng)至發(fā)射層EML。電子和空穴 在發(fā)射層EML中復(fù)合以產(chǎn)生激子，在激子從激發(fā)態(tài)至激態(tài)的轉(zhuǎn)變期間發(fā)射光。
[0205]雖然未示出，但是有機(jī)覆蓋層可以設(shè)置在第二電極EL2上。有機(jī)覆蓋層可以將來自 發(fā)射層EML的發(fā)射光在有機(jī)覆蓋層的頂表面朝向發(fā)射層EML反射。反射的光可以在有機(jī)層中 被諧振效應(yīng)放大以增大顯示裝置10的光效率。在前發(fā)光有機(jī)發(fā)光器件中，有機(jī)覆蓋層可以 通過光的全反射來減少或防止在第二電極EL2處的光損失。
[0206] 有機(jī)覆蓋層可包括任何合適的常用材料而不需具體限制，例如：TPD15、TCTA、a-NPD中的至少一種。
[0207] 有機(jī)覆蓋層可以具有在大約1.6至大約2.4的范圍內(nèi)的折射率。在有機(jī)覆蓋層的折 射率小于1.6的情況下，從發(fā)射層EML發(fā)射的光在有機(jī)覆蓋層的頂表面朝向發(fā)射層EML的反 射會(huì)不足，并且可通過諧振效應(yīng)放大的光的量會(huì)減少。因此，有機(jī)發(fā)光器件0EL的光效率可 能減小。在有機(jī)覆蓋層的折射率大于大約2.4的情況下，從發(fā)射層EML發(fā)射的光在有機(jī)覆蓋 層的頂表面朝向發(fā)射層EML的反射會(huì)過度，并且用于顯示圖像的穿過有機(jī)覆蓋層的光的量 會(huì)減少。
[0208]通常，在有機(jī)發(fā)光器件中電子的移動(dòng)速度小于空穴的移動(dòng)速度，可能產(chǎn)生在空穴 傳輸區(qū)域的能帶和發(fā)射層的能帶之間的帶隙以及在發(fā)射層的能帶和電子傳輸區(qū)域的能帶 之間的帶隙。因此，空穴和電子可能不容易注入到發(fā)射層中，電子和空穴在發(fā)射層中復(fù)合的 概率會(huì)低，從而使發(fā)射效率劣化。另外，效率會(huì)極大地根據(jù)溫度的改變而改變，長使用時(shí)間 的實(shí)現(xiàn)會(huì)困難。
[0209]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯不裝置包括：電子傳輸層;第一混合電子傳輸層，包括 以第一比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物；以及第二混合電子傳輸 層，包括以第二比例混合的第一電子傳輸化合物和第二電子傳輸化合物。因此，可以減少在 空穴傳輸區(qū)域的能帶和發(fā)射層的能帶之間的帶隙，在顯示裝置中空穴注入到發(fā)射層可變得 容易。另外，可以減小在發(fā)射層的能帶和電子傳輸區(qū)域的能帶之間的帶隙，電子注入到發(fā)射 層可變得容易。因此，在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置中可以實(shí)現(xiàn)高效率和長使用時(shí) 間。此外，可以降低根據(jù)溫度改變的效率改變，并且在根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的顯示裝置中 可以實(shí)現(xiàn)長使用時(shí)間。
[0210]在下文中，將參照具體實(shí)施例更詳細(xì)地解釋發(fā)明構(gòu)思。然而，示出下面的實(shí)施例以 有助于對(duì)發(fā)明構(gòu)思的理解，發(fā)明構(gòu)思的范圍不限于此。
[0211] 示例
[0212] 示例 1
[0213] 在玻璃基底上形成第一電極的A1反射層，并且在利用A1形成的反射層上沉積ΙΤ0。 通過蒸發(fā)下面的化合物在ΙΤ0上形成有機(jī)層:作為空穴傳輸區(qū)域的摻雜有由式4表示的化合 物的由式組2表示的化合物、作為主體的由式5表示的化合物和作為發(fā)射層的摻雜劑的由式 6表示的化合物、作為電子傳輸層的由式7表示的化合物、作為第一混合電子傳輸層的以大 約7:3的比例的由式7表示的化合物和LiQ、作為第二混合電子傳輸層的以大約5:5的比例由 式7表示的化合物和Li Q、以及作為第二電極的以大約1:9的比例的Ag和Mg。
[0214] 式4
[0215]
[0216]
[0224] 示例2
[0225] 除了沉積作為第一混合電子傳輸層的以大約3:7的比例的由式7表示的化合物和 LiQ之外，執(zhí)行與示例1中解釋的工序基本相同的工序。
[0226] 對(duì)比示例1
[0227] 除了排除第二混合電子傳輸層之外，執(zhí)行與示例1中解釋的工序基本相同的工序。
[0228] 對(duì)比示例2
[0229] 除了排除電子傳輸層之外，執(zhí)行與示例1中解釋的工序基本相同的工序。
[0230]實(shí)驗(yàn)結(jié)果1
[0231 ] 測量示例1、對(duì)比示例1和對(duì)比示例2的電流效率。通過在以大約10mA/cm2的電流密 度驅(qū)動(dòng)的同時(shí)測量有機(jī)發(fā)光器件的電流效率來獲得電流效率。
[0232] 表 1
[0233]
[0234] 參照表1，對(duì)比示例1的效率低于示例1的效率。
[0235] 實(shí)驗(yàn)結(jié)果2
[0236] 測量示例1和示例2的根據(jù)溫度（即，在各種溫度下）的時(shí)間和效率之間的關(guān)系。參 照?qǐng)D7(示例1)和圖8(示例2)，將確定(注意）的是根據(jù)溫度的示例1和示例2中的每個(gè)的效率 改變不顯著。
[0237] 實(shí)驗(yàn)結(jié)果3
[0238] 測量示例1和示例2以及對(duì)比示例1的根據(jù)時(shí)間的亮度減小的程度。參照?qǐng)D9,將確 定(注意）的是示例1和示例2中的每個(gè)的使用時(shí)間長于對(duì)比示例1的使用時(shí)間。
[0239] 當(dāng)諸如"……中的至少一種(個(gè)）（者)"的表述在一系列元件(要素)后面時(shí)，修飾整 個(gè)系列的元件(要素），而不是修飾所述系列中的單個(gè)元件(要素）。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí) 施例時(shí)使用"可（可以)"是指"本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例"。如這里使用的，術(shù)語"基本 上"、"大約"和類似術(shù)語作為近似的術(shù)語而非程度的術(shù)語來使用，并且旨在說明本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的測量或計(jì)算值的固有偏差。另外，這里敘述的任何數(shù)量范圍旨在包括 敘述范圍內(nèi)包括的相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如，"1. 〇至1 〇. 〇"的范圍旨在包括敘述的 最小值1.0和敘述的最大值10.0之間（且包括最小值1.0和最大值10.0)的所有子范圍，即， 具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，諸如以2.4至7.6為例。這里敘述 的任何最大值數(shù)值上限旨在包括這里包括的所有較小的數(shù)值上限，并且本說明書中的任何 最小值數(shù)值下限旨在包括這里包括的所有較大的數(shù)值下限。因此，
【申請(qǐng)人】保留修改包括權(quán) 利要求的本說明書的權(quán)利，以明確地?cái)⑹鲞@里明確敘述的范圍內(nèi)的任何子范圍。
[0240] 以上公開的主題被視作說明性的而非限制性的，所附權(quán)利要求及其等同物旨在包 括所有這樣的修改、改善和其它實(shí)施例，這些落在發(fā)明構(gòu)思的真實(shí)精神和范圍內(nèi)。因此，達(dá) 到法律所允許的最大程度，通過權(quán)利要求及其等同物的最廣的許可的解釋來確定發(fā)明構(gòu)思 的范圍，并且不應(yīng)被前面的詳細(xì)描述限定或限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光器件包括： 第一電極； 空穴傳輸區(qū)域，位于所述第一電極上； 發(fā)射層，位于所述空穴傳輸區(qū)域上； 電子傳輸區(qū)域，位于所述發(fā)射層上；W及 第二電極，位于所述電子傳輸區(qū)域上， 其中，所述電子傳輸區(qū)域包括： 電子傳輸層，位于所述發(fā)射層上； 第一混合電子傳輸層，位于所述電子傳輸層上； 第二混合電子傳輸層，位于所述第一混合電子傳輸層上， 其中，所述第一混合電子傳輸層包括： W第一比例混合的第一電子傳輸化合物和與所述第一電子傳輸化合物不同的第二電 子傳輸化合物， 其中，所述第二混合電子傳輸層包括： W與所述第一比例不同的第二比例混合的所述第一電子傳輸化合物和所述第二電子 傳輸化合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸化合物選自于 由下面的式組1表示的化合物： 式組1其中，在式組1中， Ari至Ar6均獨(dú)立地選自于氨、気、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的縮合芳基、 取代的或未取代的雜芳基和取代的或未取代的縮合雜芳基，排除Ar2為1，3,5-S甲基苯基 的化合物； X是亞苯基或亞化晚基； P是O至2的整數(shù)，其中，當(dāng)P為2時(shí)，兩個(gè)X是相同的或不同的；W及 Z哇Z3均獨(dú)立地為C或N，排除Z3為C且Ar哺Ar6中的每個(gè)為苯基的化合物。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于： Ari選自于由下述基團(tuán)組成的組:取代有烷基、苯基或化晚基的芳基；取代有烷基、苯基 或化晚基的縮合芳基;取代有烷基、苯基或化晚基的雜芳基；W及取代有烷基、苯基或化晚 基的縮合雜芳基； Ar2為除取代的或未取代的苯基之外的縮合苯基或者16族中的元素； Ar3為苯基、化晚基或喀晚基； Ar4為具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或未取代的芳基或者具有二個(gè)至四個(gè)環(huán)的取代的或 未取代的雜芳基；W及 Ar5和Ar6均獨(dú)立地為苯基或化晚基。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸化合物由下面 的式1表示： 式15. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括所述第一電 子傳輸化合物。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電子傳輸化合物為LiF、 徑基哇嘟裡、Li2〇、BaO、化Cl、CsF、孔、肺Cl和肺I中的至少一種。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述第一比例為從3: 7至7 : 3，所 述第二比例為從4:6至6:4。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)射層包括由下面的式2表 示的滲雜劑： 式2其中，在式2中， ^和12均獨(dú)立地選自于氨、気、取代的或未取代的C6-C30亞芳基和取代的或未取代的 C2-C30亞雜芳基； An至Ario均獨(dú)立地選自于氨、気、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的 C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基和取代的或未取代的C2-C30雜芳基；W及 化至化均獨(dú)立地選自于氨、気、面素原子、徑基、氯基、硝基、氨基、脈基、阱基、腺基、簇基 或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的 C2-C20締基、取代的或未取代的C2-C20烘基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或未 取代的C3-C10環(huán)烷基、取代的或未取代的C3-C10環(huán)締基、取代的或未取代的Cl-ClO雜環(huán)燒 基、取代的或未取代的C2-C10雜環(huán)締基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的 C1-C30雜芳基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C30芳硫基和單價(jià) C6-C30非芳香縮合多環(huán)基。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述滲雜劑由下面的式3表示： 式3：〇10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括=(8-徑基 哇嘟)侶、1，3,5-S(1-苯基-IH-苯并[d]咪挫并-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10- 鄰二氮雜菲、4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔下基苯基-1,2,4- S 挫、4-(糞-1-基)-3,5-二苯基-4H-1，2,4-S 挫、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔下基苯基)-1，3， 4-嗯二挫、雙(2-甲基-8-徑基哇嘟-化，08)-(1，1'-聯(lián)苯基-4-徑連)侶、雙(苯并哇嘟-10-徑 連)被和9,10-二(糞-2-基)蔥中的至少一種。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK105990529SQ201610114908
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年3月1日
【發(fā)明人】崔銀智, 文晶珉, 任子賢
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司