低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其中，制備有源區(qū)的步驟具體包括：在所玻璃基板上制備形成非晶硅薄膜層；在非晶硅薄膜層上設(shè)置透光的第一掩膜版，采用準(zhǔn)分子激光束從第一掩膜版上照射到非晶硅薄膜層上，形成低溫多晶硅薄膜層；第一掩膜版包括依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部和平坦部，低溫多晶硅薄膜層中對應(yīng)平坦部的位置形成溝道區(qū)域；去除第一掩膜版，應(yīng)用光罩工藝將低溫多晶硅薄膜層刻蝕形成圖案化的多個有源區(qū)；其中，所述平坦部的寬度與薄膜晶體管的柵電極的寬度相等。本發(fā)明還公開了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其中，薄膜晶體管的有源區(qū)中，溝道區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸大于其兩側(cè)區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸。
【專利說明】
低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)，為平面超薄的顯示設(shè)備，它由一定數(shù)量的彩色或黑白像素組成，放置于光源或者反射面前方。液晶顯示器功耗很低，并且具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕的特點(diǎn)，因此倍受大家青睞，成為顯示器的主流，目前液晶顯示器是以薄膜晶體管(Thin Film TransistorJFT)液晶顯示器為主。隨著平板顯示的發(fā)展，高分辨率，低能耗的面板需求不斷被提出，非晶娃電子迀移率低，低溫多晶娃(Low TemperaturePloy-silicon，LTPS)由于可在低溫下制作，且擁有高的電子迀移率及可制作C-MOS電路而被廣泛研究用以達(dá)到面板高分辨率，低能耗的需求。因此，低溫多晶硅在TFT-LCD已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。
[0003]目前制作低溫多晶娃的方法包括固相結(jié)晶(SolidPhase Crystallizat1n，SPC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(Metal Induced Crystallizat1n，MIC)和準(zhǔn)分子激光退火(ExcimerLaser Annealer，ELA)等幾種，其中準(zhǔn)分子激光退火是目前使用最為廣泛的方法。準(zhǔn)分子激光退火技術(shù)是采用準(zhǔn)分子激光束對基板上的非晶硅薄膜進(jìn)行短時間照射，非晶硅受到高溫熔化重結(jié)晶形成多晶硅。
[0004]低溫多晶硅晶粒的大小對多晶硅的電學(xué)性能有重要影響，在準(zhǔn)分子激光退火制程中，非晶硅受到高溫后變成完全熔融(Nearly Completely Melts)狀態(tài)，然后重結(jié)晶形成多晶硅。重結(jié)晶時會按照低能量向高能量方向結(jié)晶，低溫向高溫方向結(jié)晶，多晶硅的成膜品質(zhì)的一大關(guān)鍵點(diǎn)就是多晶娃的晶格大小，晶格越大代表多晶娃中的晶界缺陷越少，載流子在多晶硅中的迀移率越高。目前有多種技術(shù)旨在提高ELA后多晶硅晶格大小，但都未針對TFT器件工作特性直接提高特定區(qū)域多晶硅晶格大小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制備方法，針對陣列基板中TFT器件的有源層溝道區(qū)域，在溝道區(qū)域中獲得更大尺寸的多晶硅晶格，提高了溝道區(qū)域的載流子迀移率，獲得更高品質(zhì)的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
[0006]為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:
[0007]—種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括制備圖案化的薄膜晶體管有源區(qū)的步驟，其中，制備有源區(qū)的步驟具體包括:
[0008]提供一玻璃基板并在所述玻璃基板上制備形成非晶硅薄膜層；
[0009]在所述非晶硅薄膜層上設(shè)置透光的第一掩膜版，采用準(zhǔn)分子激光束從所述第一掩膜版上照射到所述非晶硅薄膜層上，使所述非晶硅薄膜層結(jié)晶形成低溫多晶硅薄膜層;所述第一掩膜版包括依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部和平坦部，所述低溫多晶硅薄膜層中對應(yīng)所述平坦部的位置形成溝道區(qū)域；
[0010]去除所述第一掩膜版，應(yīng)用光罩工藝將所述低溫多晶硅薄膜層刻蝕形成圖案化的多個有源區(qū)，每個有源區(qū)包括一個所述溝道區(qū)域以及分別位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；
[0011]其中，所述平坦部的寬度與所述薄膜晶體管的柵電極的寬度相等。
[0012]優(yōu)選地，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得:提供一素玻璃基板，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述素玻璃基板，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。
[0013]優(yōu)選地，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得:提供一素玻璃基板，在所述素玻璃基板上制備透明介質(zhì)層，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明介質(zhì)層，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。
[OOM]其中，所述透明介質(zhì)層的材料為S1x或SiNx。
[0015]優(yōu)選地，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得:在所述非晶硅薄膜層上制備透明絕緣層，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明絕緣層，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。
[0016]其中，在去除所述第一掩膜版時，保留所述透明絕緣層中的所述平坦部，用以在后續(xù)工藝中制備形成柵極絕緣層。
[0017]其中，所述透明絕緣層的材料為S1x或SiNx。
[0018]進(jìn)一步地，該方法還包括:在所述有源區(qū)上依次制備柵極絕緣層、柵電極、層間介質(zhì)層以及源電極和漏電極;其中，所述柵電極正對于所述溝道區(qū)域，所述源電極通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層中的過孔電連接到所述源極區(qū)域，所述漏電極通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層中的過孔電連接到所述漏極區(qū)域。
[0019]其中，首先在所述玻璃基板上制備形成一緩沖層，然后在所述緩沖層上制備形成所述非晶硅薄膜層;所述緩沖層的材料為氧化硅。
[0020]本發(fā)明還提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括陣列設(shè)置的多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源區(qū)、柵電極、源電極和漏電極，其采用如上所述的制備方法制備獲得，其中，所述有源區(qū)的材料為低溫多晶硅，所述有源區(qū)包括溝道區(qū)域以及分別位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述溝道區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸大于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸。
[0021]有益效果:
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，在采用準(zhǔn)分子激光束照射使非晶硅薄膜層結(jié)晶形成低溫多晶硅薄膜層時，使用具有依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部和平坦部的掩膜版，入射到圓弧凹陷部的激光束被折射朝向兩側(cè)的平坦部，因此非晶硅薄膜層對應(yīng)于圓弧凹陷部的區(qū)域光能量較低，對應(yīng)于平坦部的區(qū)域光能量較高，光能量較高的區(qū)域所形成的多晶硅晶格的尺寸較大。其中，平坦部的寬度與薄膜晶體管的柵電極的寬度相等，對應(yīng)于平坦部的區(qū)域的多晶硅薄膜最終形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域，因此，最終形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域獲得更大尺寸的多晶硅晶格，提高了溝道區(qū)域的載流子迀移率，獲得更高品質(zhì)的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
【附圖說明】
[0023]圖1a-圖1f是本發(fā)明實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法的工藝流程示意圖；
[0024]圖2是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中的第一掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3是本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中的第一掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。這些優(yōu)選實(shí)施方式的示例在附圖中進(jìn)行了例示。附圖中所示和根據(jù)附圖描述的本發(fā)明的實(shí)施方式僅僅是示例性的，并且本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方式。
[0027]在此，還需要說明的是，為了避免因不必要的細(xì)節(jié)而模糊了本發(fā)明，在附圖中僅僅示出了與根據(jù)本發(fā)明的方案密切相關(guān)的結(jié)構(gòu)和/或處理步驟，而省略了與本發(fā)明關(guān)系不大的其他細(xì)節(jié)。
[0028]參閱圖1a-圖ld，本實(shí)施例提供了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，具體包括如下步驟:
[0029]一、如圖1a所示，首先提供一玻璃基板I并在所述玻璃基板I上依次制備形成緩沖層2和非晶硅薄膜層3。其中，緩沖層2的的材料可以選擇為氧化硅。
[0030]二、如圖1b所示，在所述非晶硅薄膜層3上設(shè)置透光的第一掩膜版4。其中，所述第一掩膜版4包括依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部41和平坦部42。在本實(shí)施例中，所述第一掩膜版4按照如下工藝制備獲得:在所述非晶硅薄膜層3上制備透明絕緣層，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明絕緣層，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部41，在相鄰的兩個圓弧凹陷部41之間形成所述平坦部42。其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版，由此，將所述平坦部42的寬度設(shè)置為與所述薄膜晶體管的柵電極的寬度相等。所述透明絕緣層的材料可以是S i Ox或S i Nx。
[0031]三、如圖1c所示，采用準(zhǔn)分子激光束(如圖1c中的黑色箭頭)從所述第一掩膜版4上照射到所述非晶硅薄膜層3上，使所述非晶硅薄膜層3結(jié)晶形成低溫多晶硅薄膜層3a。其中，所述低溫多晶硅薄膜層3a中對應(yīng)所述平坦部42的位置形成溝道區(qū)域51。由于入射到圓弧凹陷部41的激光束被折射朝向兩側(cè)的平坦部42，因此對應(yīng)于平坦部42的區(qū)域光能量較高，SP溝道區(qū)域51中將獲得更大尺寸的多晶硅晶格。
[0032]四、如圖1d所示，去除所述第一掩膜版4ο在本實(shí)施例中，由于第一掩膜版4是在非晶硅薄膜層3直接制備獲得，其材料為S1x或SiNx，因此在去除所述第一掩膜版4時，保留所述第一掩膜版4中正對于溝道區(qū)域51上方的平坦部42，用以在后續(xù)工藝中制備形成柵極絕緣層。
[0033]五、如圖1e所示，應(yīng)用光罩工藝將所述低溫多晶硅薄膜層3a刻蝕形成圖案化的多個有源區(qū)5(圖1e中僅示例性示出了其中的一個有源區(qū)5)，每個有源區(qū)5包括一個所述溝道區(qū)域51以及分別位于所述溝道區(qū)域51兩側(cè)的源極區(qū)域52和漏極區(qū)域53。
[0034]六、如圖1f所示，在所述有源區(qū)5上依次制備柵極絕緣層42a、柵電極6、層間介質(zhì)層7以及源電極8和漏電極9，其中，柵極絕緣層42a是由前述所保留的平坦部42進(jìn)一步加工(例如減薄到合適厚度)形成的。關(guān)于柵電極6、層間介質(zhì)層7以及源電極8和漏電極9的具體制備工藝，其都可以參照現(xiàn)有技術(shù)的工藝進(jìn)行，在此不再贅述。
[0035]按照如上的制備方法，最終獲得如圖1f所示的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，該陣列基板中包括陣列設(shè)置的多個薄膜晶體管100(圖1f中僅示例性示出了其中的一個)，所述薄膜晶體管100包括有源區(qū)5、柵電極6、源電極8和漏電極9。其中，所述有源區(qū)5位于緩沖層2上，所述有源區(qū)5包括溝道區(qū)域51以及分別位于所述溝道區(qū)域51兩側(cè)的源極區(qū)域52和漏極區(qū)域53，所述柵電極6和所述有源區(qū)5之間設(shè)置有柵極絕緣層42a，所述柵電極6正對于所述溝道區(qū)域51并且與所述溝道區(qū)域51具有相同的寬度。所述柵電極6、源電極8和漏電極9之間設(shè)置有層間介質(zhì)層7，所述源電極8通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層7中的過孔電連接到所述源極區(qū)域52，所述漏電極9通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層7中的過孔電連接到所述漏極區(qū)域53。本實(shí)施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其中的薄膜晶體管100的有源區(qū)5中，溝道區(qū)域51中的多晶硅晶格的尺寸大于所述源極區(qū)域52和漏極區(qū)域53中的多晶硅晶格的尺寸，在溝道區(qū)域51中獲得更大尺寸的多晶硅晶格，提高了溝道區(qū)域的載流子迀移率。
[0036]進(jìn)一步地，對于陣列基板，應(yīng)當(dāng)還包括數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極、公共電極等結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)及其制備工藝都可以參照現(xiàn)有技術(shù)的工藝進(jìn)行，在此不再贅述。
[0037]如上實(shí)施例中，第一掩膜版4是在非晶硅薄膜層3直接制備獲得。在另外優(yōu)選的實(shí)施例中，第一掩膜版4還可以采用以下的兩種方式獲得:
[0038]第一種:如圖2所示，提供一素玻璃基板200，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述素玻璃基板200，在刻蝕區(qū)域形成圓弧凹陷部41，在相鄰的兩個圓弧凹陷部41之間形成平坦部42。其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版，由此，將所述平坦部42的寬度設(shè)置為與所述薄膜晶體管的柵電極的寬度相等。這種方式的第一掩膜版4，在采用準(zhǔn)分子激光束照射非晶硅薄膜層3之后，整體移除第一掩膜版4，因此，再后續(xù)的工藝中，需要通過另外的光罩工藝制備形成柵極絕緣層42a。
[0039]第二種:如圖3所示，提供一素玻璃基板200，在所述素玻璃基板200上制備透明介質(zhì)層300，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明介質(zhì)層300，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部41，在相鄰的兩個圓弧凹陷部41之間形成所述平坦部42。其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版，由此，將所述平坦部42的寬度設(shè)置為與所述薄膜晶體管的柵電極的寬度相等，其中，所述透明介質(zhì)層的材料可以是S1x或SiNx。與如上第一種方式一樣，這種方式的第一掩膜版4，在米用準(zhǔn)分子激光束照射非晶娃薄膜層3之后，整體移除第一掩膜版4，因此，再后續(xù)的工藝中，需要通過另外的光罩工藝制備形成柵極絕緣層42a。
[0040]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，在采用準(zhǔn)分子激光束照射使非晶硅薄膜層結(jié)晶形成低溫多晶硅薄膜層時，使用具有依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部和平坦部的掩膜版，入射到圓弧凹陷部的激光束被折射朝向兩側(cè)的平坦部，因此非晶硅薄膜層對應(yīng)于圓弧凹陷部的區(qū)域光能量較低，對應(yīng)于平坦部的區(qū)域光能量較高，光能量較高的區(qū)域所形成的多晶硅晶格的尺寸較大。其中，平坦部的寬度與薄膜晶體管的柵電極的寬度相等，對應(yīng)于平坦部的區(qū)域的多晶硅薄膜最終形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域，因此，最終形成薄膜晶體管的溝道區(qū)域獲得更大尺寸的多晶硅晶格，提高了溝道區(qū)域的載流子迀移率，獲得更高品質(zhì)的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
[0041]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0042]以上所述僅是本申請的【具體實(shí)施方式】，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請?jiān)淼那疤嵯?，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本申請的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括制備圖案化的薄膜晶體管有源區(qū)的步驟，其特征在于，制備有源區(qū)的步驟具體包括: 提供一玻璃基板并在所述玻璃基板上制備形成非晶硅薄膜層； 在所述非晶硅薄膜層上設(shè)置透光的第一掩膜版，采用準(zhǔn)分子激光束從所述第一掩膜版上照射到所述非晶硅薄膜層上，使所述非晶硅薄膜層結(jié)晶形成低溫多晶硅薄膜層;所述第一掩膜版包括依次交替設(shè)置的圓弧凹陷部和平坦部，所述低溫多晶硅薄膜層中對應(yīng)所述平坦部的位置形成溝道區(qū)域； 去除所述第一掩膜版，應(yīng)用光罩工藝將所述低溫多晶硅薄膜層刻蝕形成圖案化的多個有源區(qū)，每個有源區(qū)包括一個所述溝道區(qū)域以及分別位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域； 其中，所述平坦部的寬度與所述薄膜晶體管的柵電極的寬度相等。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得: 提供一素玻璃基板，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述素玻璃基板，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得: 提供一素玻璃基板，在所述素玻璃基板上制備透明介質(zhì)層，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明介質(zhì)層，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述透明介質(zhì)層的材料為S1x或SiNx。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜版按照如下工藝制備獲得: 在所述非晶硅薄膜層上制備透明絕緣層，應(yīng)用光刻工藝刻蝕所述透明絕緣層，在刻蝕區(qū)域形成所述圓弧凹陷部，在相鄰的兩個圓弧凹陷部之間形成所述平坦部;其中，在進(jìn)行光刻工藝時使用的光刻掩膜版為制備所述薄膜晶體管的柵電極時使用的柵極掩膜版。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，在去除所述第一掩膜版時，保留所述透明絕緣層中的所述平坦部，用以在后續(xù)工藝中制備形成柵極絕緣層。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述透明絕緣層的材料為S i Ox或S i Nx。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法還包括: 在所述有源區(qū)上依次制備柵極絕緣層、柵電極、層間介質(zhì)層以及源電極和漏電極；其中，所述柵電極正對于所述溝道區(qū)域，所述源電極通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層中的過孔電連接到所述源極區(qū)域，所述漏電極通過設(shè)置于所述層間介質(zhì)層中的過孔電連接到所述漏極區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，首先在所述玻璃基板上制備形成一緩沖層，然后在所述緩沖層上制備形成所述非晶硅薄膜層;所述緩沖層的材料為氧化硅。10.—種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括陣列設(shè)置的多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源區(qū)、柵電極、源電極和漏電極，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一所述的制備方法制備獲得，其中，所述有源區(qū)的材料為低溫多晶硅，所述有源區(qū)包括溝道區(qū)域以及分別位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述溝道區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸大于所述源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的多晶硅晶格的尺寸。
【文檔編號】H01L21/77GK106024708SQ201610662116
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月12日
【發(fā)明人】趙瑜
【申請人】武漢華星光電技術(shù)有限公司