薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括：襯底基板，襯底基板上形成有柵極；形成有柵極的襯底基板上形成有源漏極金屬圖案，源漏極金屬圖案包括：源極和漏極；形成有源漏極金屬圖案的襯底基板上形成有鈍化層，位于漏極上方的鈍化層上形成有至少兩個過孔；形成有鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，且像素電極通過至少兩個過孔與漏極相連接。本發(fā)明解決了顯示面板的顯示效果較差的問題，提高了顯示面板的顯示效果。本發(fā)明用于顯示面板。
【專利說明】
薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]顯示面板包括對盒成形的陣列基板和彩膜基板，以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶。彩膜基板包括公共電極，陣列基板包括多個陣列排布的薄膜晶體管(英文:Thin Film Transistor;簡稱:TFT)結(jié)構(gòu)。
[0003]每個TFT結(jié)構(gòu)可以包括柵極、源極、漏極和像素電極，其中，柵極與柵線相連接，源極與數(shù)據(jù)線相連接，漏極上形成有鈍化層，且鈍化層上形成有過孔(英文:via)，漏極能夠通過該鈍化層上的過孔與像素電極相連接。在柵線上施加足夠的柵極電壓，能夠?qū)?shù)據(jù)線上的控制電壓從源極和漏極寫入像素電極;需要說明的是，陣列基板還包括公共電極線，公共電極線與彩膜基板中的公共電極相連接，在公共電極線上施加公共電壓，能夠?qū)⒐搽妷簩懭牍搽姌O。位于像素電極和公共電極之間的液晶，能夠在像素電極上的控制電壓以及公共電極上的公共電壓的作用下進行偏轉(zhuǎn)，改變液晶的透光度，進而控制顯示面板上該像素電極對應(yīng)的區(qū)域顯示預(yù)設(shè)色彩，使得顯示面板顯示圖像。
[0004]由于相關(guān)技術(shù)中，每個TFT結(jié)構(gòu)中的像素電極僅僅通過一個小小的過孔與漏極相連接，像素電極與漏極較容易接觸不良，使得數(shù)據(jù)線上的控制電壓無法通過源極和漏極寫入像素電極，進而顯示面板上像素電極對應(yīng)的區(qū)域無法顯示預(yù)設(shè)色彩，因此，顯示面板的顯示效果較差。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決顯示面板的顯示效果較差的問題，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供可一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括:襯底基板，
[0007]所述襯底基板上形成有柵極；
[0008]形成有所述柵極的襯底基板上形成有源漏極金屬圖案，所述源漏極金屬圖案包括:源極和漏極；
[0009]形成有所述源漏極金屬圖案的襯底基板上形成有鈍化層，位于所述漏極上方的所述鈍化層上形成有至少兩個過孔；
[0010]形成有所述鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，且所述像素電極通過所述至少兩個過孔與所述漏極相連接。
[0011]可選的，所述源漏極金屬圖案包括:n個源極和n個漏極，所述n為大于或等于2的整數(shù)，所述n個漏極中的每個漏極上方的所述鈍化層上形成有至少一個過孔。
[0012]可選的，所述n個漏極中的每個漏極上方的所述鈍化層上形成有一個過孔。
[0013]可選的，所述像素電極包括n個像素子電極，且所述n個像素子電極中任意兩個相鄰的像素子電極相互連接，所述n個像素子電極通過n個過孔與所述n個漏極一一連接。
[0014]可選的，所述像素電極包括n個像素子電極，且所述n個像素子電極相互絕緣，所述 n個像素子電極通過n個過孔與所述n個漏極一一連接。
[0015]可選的，所述襯底基板上還形成有與所述柵極相連接的柵線，以及與所述n個源極相連接的數(shù)據(jù)線，
[0016]其中，所述柵線在所述像素電極上的正投影位于所述像素電極上。
[0017]可選的，所述n個像素子電極中的每個像素子電極上均形成有m個狹縫，所述m為大于或等于2的整數(shù)。[〇〇18] 可選的，所述n等于2，
[0019]所述n個像素子電極軸對稱設(shè)置，對稱軸為所述柵線在所述像素電極上的正投影；
[0020]所述m個狹縫具有至少2種狹縫方向。
[0021]可選的，形成有所述柵極的襯底基板上形成有柵絕緣層；
[0022]形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成有非晶硅層；
[0023]形成有所述非晶硅層的襯底基板上形成有歐姆接觸層；
[0024]形成有所述歐姆接觸層的襯底基板上形成有所述源漏極金屬圖案。[〇〇25]第二方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括:對盒成形的陣列基板和彩膜基板，以及位于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶，
[0026]所述陣列基板包括:陣列排布的多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為第一方面所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，所述彩膜基板包括公共電極，在所述多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，至少一個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線與所述公共電極相連接。[〇〇27]第三方面，提供了一種顯示面板的控制方法，所述顯示面板為第二方面所述的顯示面板，所述方法包括:
[0028]在不同的時間段，分別通過不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓；
[0029]在未向目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓的時間段，通過所述目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向所述公共電極輸入公共電壓，所述目標薄膜晶體管為所述至少一個薄膜晶體管中的任一薄膜晶體管。
[0030]綜上所述，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、顯示面板及其控制方法，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，襯底基板上形成有柵極、源漏極金屬圖案、鈍化層以及像素電極，鈍化層上形成有至少兩個過孔，且像素電極能夠通過鈍化層上的至少兩個過孔與襯底基板上的漏極相連接。當該至少兩個過孔中的某一過孔失效時，像素電極還可以通過該至少兩個過孔中的其他過孔與襯底基板上的漏極連接，將數(shù)據(jù)線上的控制電壓寫入像素電極，使得該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的顯示面板上，像素電極對應(yīng)的區(qū)域能夠顯示預(yù)設(shè)色彩，所以，提高了顯示面板的顯示效果。
[0031]應(yīng)當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明的實施例，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1-1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的俯視圖；[〇〇34]圖1-2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的截面圖；[〇〇35]圖2-1為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的俯視圖；[〇〇36]圖2-2為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的截面圖；
[0037]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖4-1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4-2為本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4-3為本發(fā)明實施例提供的又一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖4-4為本發(fā)明實施例提供的再一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4-5為本發(fā)明另一實施例提供的一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；[〇〇43]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理?！揪唧w實施方式】
[0045]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部份實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0046]圖1-1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖1-2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的截面圖，示例的，圖1-2可以為圖1-1中的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)在BB’ 處的截面圖。請參考圖1-1和圖1-2,該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0可以包括:襯底基板01，襯底基板01 上形成有柵極02;形成有柵極02的襯底基板01上形成有源漏極金屬圖案03,示例的，該源漏極金屬圖案03可以包括:源極031和漏極032;[〇〇47]形成有源漏極金屬圖案03的襯底基板01上形成有鈍化層04,位于漏極031上方的鈍化層04上形成有至少兩個過孔A;形成有鈍化層04的襯底基板01上形成有像素電極05,且像素電極05通過該鈍化層04上形成的至少兩個過孔A與漏極031相連接。
[0048]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，襯底基板上形成有柵極、源漏極金屬圖案、鈍化層以及像素電極，鈍化層上形成有至少兩個過孔，且像素電極能夠通過鈍化層上的至少兩個過孔與襯底基板上的漏極相連接。當該至少兩個過孔中的某一過孔失效時，像素電極還可以通過該至少兩個過孔中的其他過孔與襯底基板上的漏極連接，將數(shù)據(jù)線上的控制電壓寫入像素電極，使得該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的顯示面板上，像素電極對應(yīng)的區(qū)域能夠顯示預(yù)設(shè)色彩，所以，提高了顯示面板的顯示效果。[〇〇49] 可選的，該源漏極金屬圖案03可以包括:n個源極031和n個漏極032,其中，n為大于或等于2的整數(shù)，且該n個漏極032中的每個漏極032上方的鈍化層04上可以形成有至少一個過孔A，示例的，n個漏極031中的每個漏極031上方的鈍化層04上均可以形成有一個過孔A。
[0050]需要說明的是，本發(fā)明實施例中，以n等于2,且n個漏極031中的每個漏極031上方的鈍化層04上均可以形成有一個過孔A(也即鈍化層04上共形成有n個過孔A，鈍化層04上過孔A的個數(shù)與漏極031的個數(shù)相等)為例，實際應(yīng)用中，n還可以為其他大于2的整數(shù)，n個漏極中的每個漏極上方的鈍化層上的過孔的個數(shù)還可以為其他大于1的整數(shù)，本發(fā)明實施例對此不作限定。[〇〇51]圖2-1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2-2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面圖示例的，圖2-2可以為圖2-1中薄膜晶體管結(jié)構(gòu)在 BB’處的截面圖。[〇〇52]請結(jié)合圖2-1和圖2-2,像素電極05可以包括n個像素子電極051，且n個像素子電極 051中任意兩個相鄰的像素子電極051相互連接，n個像素子電極051能夠通過n個過孔A與n 個漏極032—一連接。也即，該n個像素子電極051相互連接為一個電極，且該一個電極通過n 個過孔與n個漏極032相連接。且由于n個像素子電極051中任意兩個像素子電極051相互連接，當某一過孔A失效時，與該失效的過孔A相連接的像素子電極051能夠通過其他像素子電極051，與其他像素子電極051相連接的漏極032獲取電壓。[〇〇53]需要說明的是，陣列排布的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以組成顯示面板中的陣列基板，顯示面板還可以包括與陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及位于陣列基板與彩膜基板之間的液晶，彩膜基板上可以形成有公共電極，液晶可以在公共電極上的電壓以及像素電極上的電壓的作用下進行偏轉(zhuǎn)。
[0054]相關(guān)技術(shù)中，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還可以包括形成在襯底基板上的公共電極線(又稱 Common線)，且公共電極線可以與彩膜基板上的公共電極相連接，在需要向公共電極上輸入電壓時，可以通過公共電極線向公共電極輸入電壓。且公共電極線在像素電極上的正投影可以位于像素電極上，公共電極線與像素電極能夠形成存儲電容。但是，由于相關(guān)技術(shù)中公共電極線較窄，所以公共電極線較容易發(fā)生斷裂，從而無法向公共電極上輸入電壓，位于陣列基板與彩膜基板之間的液晶無法有效的偏轉(zhuǎn)。[〇〇55]本發(fā)明實施例中，襯底基板01上還可以形成有與柵極02相連接的柵線1，以及與n 個源極031相連接的數(shù)據(jù)線2。示例的，本發(fā)明實施例中的2個像素子電極051可以軸對稱設(shè)置，且對稱軸可以為柵線1在像素電極05上的正投影。也即，襯底基板01上并沒有形成公共電極線，且襯底基板01上的柵線1可以與彩膜基板上的公共電極相連接，用于代替相關(guān)技術(shù)中的公共電極線向公共電極輸入電壓，且柵線1在像素電極05上的正投影可以位于像素電極05上，使得柵線1還能夠代替相關(guān)技術(shù)中的公共電極線與像素電極05形成存儲電容。且由于柵線1比相關(guān)技術(shù)中的公共電極線寬，所以柵線1較不容易發(fā)生斷裂，因此，能夠有效的向公共電極上輸入電壓，保證液晶的正常偏轉(zhuǎn)。[〇〇56]進一步的，該n個像素子電極051中的每個像素子電極051上均可以形成有m個狹縫 X，m個狹縫X具有至少2種狹縫方向，m為大于或等于2的整數(shù)。具體的，由于每個像素子電極 051上均可以形成有m個狹縫X，且該m個狹縫X能夠促使位于襯底基板和彩膜基板之間的液晶具有至少兩種偏轉(zhuǎn)角度，在顯示面板的不同視角，結(jié)合液晶取向的平均化效果，可以減輕顯示面板顯示時的亮度差異，減輕顯示面板顯示畫面時的色差，從而改善顯示面板顯示畫面的品質(zhì)。[〇〇57]需要說明的是，形成有柵極02的襯底基板01上還可以形成有柵絕緣層06;形成有柵絕緣層06的襯底基板01上可以形成有非晶硅層07;形成有非晶硅層07的襯底基板01上可以形成有歐姆接觸層08;形成有歐姆接觸層08的襯底基板01上可以形成有該源漏極金屬圖案03。[〇〇58]可選的，圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極05的俯視圖，如圖3所示，像素電極05還可以包括n個像素子電極051，且n個像素子電極051相互絕緣，n個像素子電極通過n 個過孔與n個漏極一一連接，圖3中以該像素電極05包括2個相互絕緣的像素子電極051為例，實際應(yīng)用中，該像素電極05還可以包括的像素子電極051的個數(shù)還可以大于2。由于該n 個像素子電極051相互絕緣，當某一像素子電極051對應(yīng)的過孔A失效時，顯示面板上該像素子電極051對應(yīng)的區(qū)域無法顯示預(yù)設(shè)色彩，但是顯示面板上其他像素子電極051對應(yīng)的區(qū)域能夠顯示預(yù)設(shè)色彩，且本發(fā)明中的每個像素子電極051的面積比相關(guān)技術(shù)中的像素電極的面積小，因此可以減小顯示面板上無法顯示預(yù)設(shè)色彩的區(qū)域的面積，從而提高了顯示面板的顯示效果。[〇〇59]示例的，如圖4-1所示，在形成該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)時，可以首先在襯底基板01上形成柵極02;然后，如圖4-2所示，可以在形成有柵極02的襯底基板01上依次形成柵絕緣層06、 非晶硅層07和歐姆接觸層08。如圖4-3所示，可以在形成有歐姆接觸層08的襯底基板01上形成源漏極金屬圖案03,該源漏極金屬圖案03可以包括n個源極031和n個漏極032;如圖4-4所示，可以在形成有源漏極金屬圖案03的襯底基板01上形成鈍化層04,其中，位于每個漏極 031上方的鈍化層04上可以形成有一個過孔A;如圖4-5所示，可以在形成有鈍化層04的襯底基板01上形成像素電極05,該像素電極05可以通過鈍化層04上形成的至少兩個過孔A與至少兩個漏極031相連接，每個像素子電極051上均可以形成有至少兩個狹縫X。
[0060]需要說明的是，在襯底基板上形成柵極時，可以同時在襯底基板上形成與柵極相連接的柵線，在襯底基板上形成源漏極金屬圖案時，可以同時在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線，且該數(shù)據(jù)線可以與該源漏極金屬圖案中的n個源極相連接。
[0061]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，襯底基板上形成有柵極、源漏極金屬圖案、鈍化層以及像素電極，鈍化層上形成有至少兩個過孔，且像素電極能夠通過鈍化層上的至少兩個過孔與襯底基板上的漏極相連接。當該至少兩個過孔中的某一過孔失效時，像素電極還可以通過該至少兩個過孔中的其他過孔與襯底基板上的漏極連接，將數(shù)據(jù)線上的控制電壓寫入像素電極，使得該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)所在的顯示面板上，像素電極對應(yīng)的區(qū)域能夠顯示預(yù)設(shè)色彩，所以，提高了顯示面板的顯示效果。[〇〇62]如圖5所示，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板5,該顯示面板5可以包括:對盒成形的陣列基板51和彩膜基板52,以及位于該陣列基板51與彩膜基板52之間的液晶53。
[0063]該陣列基板51可以包括陣列排布的多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0,該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0可以為圖1-1、圖1-2、圖2-1或圖2-2所示的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0。彩膜基板52可以包括襯底基板 521和公共電極522,陣列基板51中的多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0中，至少一個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)0 中的柵線與公共電極522相連接。[〇〇64]進一步的，該顯示面板5所在的顯示裝置可以為:電子紙、手機、平板電腦、電視機、 筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0065]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板中的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中，襯底基板上形成有柵極、源漏極金屬圖案、鈍化層以及像素電極，鈍化層上形成有至少兩個過孔，且像素電極能夠通過鈍化層上的至少兩個過孔與襯底基板上的漏極相連接。當該至少兩個過孔中的某一過孔失效時，像素電極還可以通過該至少兩個過孔中的其他過孔與襯底基板上的漏極連接，將數(shù)據(jù)線上的控制電壓寫入像素電極，使得該陣列基板所在的顯示面板上，像素電極對應(yīng)的區(qū)域能夠顯示預(yù)設(shè)色彩，所以，提高了顯示面板的顯示效果。
[0066]本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板的控制方法，該顯示面板可以為圖5所示的顯示面板5，該顯示面板的控制方法可以包括:
[0067]在不同的時間段，分別通過不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓；在未向目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓的時間段，通過目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向公共電極輸入公共電壓，目標薄膜晶體管為至少一個薄膜晶體管中的任一薄膜晶體管。
[0068]示例的，該多個薄膜晶體管可以包括:薄膜晶體管結(jié)構(gòu)1、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)2、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)3、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)4和薄膜晶體管結(jié)構(gòu)5。其中，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)2和薄膜晶體管結(jié)構(gòu)5中的柵線與公共電極相連接。
[0069]在控制該顯示面板時，可以依次向該多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓，具體的，在向薄膜晶體管結(jié)構(gòu)1中的柵極輸入柵極電壓時(此時未向與公共電極相連接的晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5中的柵極輸入柵極電壓)，還可以通過目標晶體管結(jié)構(gòu)(如晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5)中的柵線向公共電極輸入公共電壓;在向薄膜晶體管結(jié)構(gòu)2輸入柵極電壓時(此時未向與公共電極相連接的晶體管結(jié)構(gòu)5中的柵極輸入柵極電壓)，還可以通過目標晶體管結(jié)構(gòu)(如晶體管結(jié)構(gòu)5)中的柵線向公共電極輸入公共電壓;在向薄膜晶體管結(jié)構(gòu)3輸入柵極電壓時(此時未向與公共電極相連接的晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5中的柵極輸入柵極電壓)，還可以通過目標晶體管結(jié)構(gòu)(如晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5)中的柵線向公共電極輸入公共電壓;在向薄膜晶體管結(jié)構(gòu)4輸入柵極電壓時(此時未向與公共電極相連接的晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5中的柵極輸入柵極電壓)，還可以通過目標晶體管結(jié)構(gòu)(如晶體管結(jié)構(gòu)2或晶體管結(jié)構(gòu)5)中的柵線向公共電極輸入公共電壓;在向薄膜晶體管結(jié)構(gòu)5輸入柵極電壓時(此時未向與公共電極相連接的晶體管結(jié)構(gòu)2中的柵極輸入柵極電壓)， 還可以通過目標晶體管結(jié)構(gòu)(如晶體管結(jié)構(gòu)2)中的柵線向公共電極輸入公共電壓。[0〇7〇] 示例的，可以采用陣列基板行驅(qū)動(英文:Gate driver On Array;簡稱:G0A)電路，在不同的時間段，分別向不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓。具體的，可以在該G0A電路的時鐘信號為高電平時，該G0A電路可以通過某一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓，使得該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)處于工作狀態(tài)，也即該薄膜晶體管中的數(shù)據(jù)線上的控制電壓能夠通過源極和漏極輸入像素電極。需要說明的是， 相關(guān)技術(shù)中的公共電壓小于柵極電壓，當柵極電壓加載到柵極上時，該柵極對應(yīng)的源極和漏極能夠被導(dǎo)通，但是當公共電壓加載到柵極上時，該柵極對應(yīng)的源極和漏極無法被導(dǎo)通。
[0071]綜上所述，本發(fā)明提供的顯示面板的控制方法中，在不同的時間段，分別通過不同薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向不同薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓，使得被輸入柵極電壓的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線上的控制電壓能夠通過源極和漏極輸入至像素電極，且在未向目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓的時間段，通過目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向公共電極輸入公共電壓。實現(xiàn)了向像素電極輸入控制電壓，以及向公共電極上輸入公共電壓，使得液晶能夠在控制電壓與公共電壓的作用下進行偏轉(zhuǎn)，使得顯示面板顯示圖像。
[0072]本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本發(fā)明的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本發(fā)明的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本發(fā)明的一般性原理并包括本發(fā)明未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本發(fā)明的真正范圍和精神由權(quán)利要求指出。[〇〇73]應(yīng)當理解的是，本發(fā)明并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括:襯底基板，所述襯底基板上形成有柵極；形成有所述柵極的襯底基板上形成有源漏極金屬圖案，所述源漏極金屬圖案包括:源 極和漏極；形成有所述源漏極金屬圖案的襯底基板上形成有鈍化層，位于所述漏極上方的所述鈍 化層上形成有至少兩個過孔；形成有所述鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，且所述像素電極通過所述至少兩個 過孔與所述漏極相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源漏極金屬圖案包括:n個 源極和n個漏極，所述n為大于或等于2的整數(shù)，所述n個漏極中的每個漏極上方的所述鈍化層上形成有至少一個過孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n個漏極中的每個漏極上方的所述鈍化層上形成有一個過孔。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極包括n個像素子電極，且所述n個像素子電極中任意兩個相鄰的像素子電 極相互連接，所述n個像素子電極通過n個過孔與所述n個漏極一一連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極包括n個像素子電極，且所述n個像素子電極相互絕緣，所述n個像素子電 極通過n個過孔與所述n個漏極一一連接。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底基板上還形成有與所 述柵極相連接的柵線，以及與所述n個源極相連接的數(shù)據(jù)線，其中，所述柵線在所述像素電極上的正投影位于所述像素電極上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n個像素子電極中的每個像素子電極上均形成有m個狹縫，所述m為大于或等于2的整數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n等于2，所述n個像素子電極軸對稱設(shè)置，對稱軸為所述柵線在所述像素電極上的正投影；所述m個狹縫具有至少2種狹縫方向。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成有所述柵極的襯底基板上形成有柵絕緣層；形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成有非晶硅層；形成有所述非晶硅層的襯底基板上形成有歐姆接觸層；形成有所述歐姆接觸層的襯底基板上形成有所述源漏極金屬圖案。10.—種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括:對盒成形的陣列基板和彩膜基板， 以及位于所述陣列基板與彩膜基板之間的液晶，所述陣列基板包括:陣列排布的多個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為權(quán)利要 求1至9任一所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，所述彩膜基板包括公共電極，在所述多個薄膜晶體管 結(jié)構(gòu)中，至少一個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線與所述公共電極相連接。11.一種顯示面板的控制方法，其特征在于，所述顯示面板為權(quán)利要求10所述的顯示面板，所述方法包括:在不同的時間段，分別通過不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵線向不同的薄膜晶體管結(jié)構(gòu) 中的柵極輸入柵極電壓；在未向目標薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的柵極輸入柵極電壓的時間段，通過所述目標薄膜晶體 管結(jié)構(gòu)中的柵線向所述公共電極輸入公共電壓，所述目標薄膜晶體管為所述至少一個薄膜 晶體管中的任一薄膜晶體管。
【文檔編號】H01L29/786GK106024806SQ201610390169
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月3日
【發(fā)明人】周宏儒
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司